本發(fā)明涉及一種電路系統(tǒng)及其制備方法，尤其涉及一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)及其制備方法。
背景技術(shù)：
：：柔性電子設(shè)備是目前國內(nèi)外研究和發(fā)展的一個熱點方向，在可穿戴電子設(shè)備、柔性傳感器件等領(lǐng)域具有潛在的廣泛應(yīng)用。一方面在本體或者表面構(gòu)筑電子的導(dǎo)電通路；另一方面，高分子賦予材料柔性和可變形性能。然而，因為材料在整體的變形中導(dǎo)致電子通路的變形，使導(dǎo)電性降低。目前，為了解決電子通道在變形狀態(tài)下保持導(dǎo)電性的問題，廣泛采用的一種方法是將電子電路制作在預(yù)拉伸的柔性基底，并進(jìn)一步地，讓預(yù)拉伸的材料收縮產(chǎn)生褶皺。收縮后的材料在一定范圍內(nèi)再次拉伸時，電導(dǎo)率幾乎維持不變。然而，這種基于彈性基體的電路起皺的方法目前面臨的問題包括：為避免在使用過程中因過度拉伸/彎折導(dǎo)致電路被破壞，要求很大的預(yù)拉伸。而在常溫下拉伸很大并且不容易出現(xiàn)破壞的彈性材料，比如橡膠，在之后的使用中因為力學(xué)模量偏小，容易出現(xiàn)過度變形導(dǎo)致電路被破壞的現(xiàn)象。并且，在與電路的整合過程中，約束必須始終保持以保證彈性基底一直處于拉伸變形狀態(tài)。而當(dāng)需要局部預(yù)拉伸時，所需施加的約束及其設(shè)備會很復(fù)雜。形狀記憶聚合物是一類具有刺激響應(yīng)和驅(qū)動特性的智能高分子。在一個典型的形狀記憶熱力學(xué)流程中，形狀記憶聚合物首先在較高溫度下被變形和固定形狀；然后再次升溫觸發(fā)形狀回復(fù)。一般來說，形狀記憶聚合物大都在較高溫度下體現(xiàn)良好的彈性性能，而在較低溫度下為塑性或脆性。cn101985518b和文獻(xiàn)ccwang,wmhuang,zding,etal.,rubber-likeshapememorypolymericmaterialswithrepeatablethermal-assistedhealingfunction,smartmater.struct.21(2012)115010報道了一種橡膠狀的彈性形狀記憶聚合物。在此發(fā)明基礎(chǔ)上，本發(fā)明公開了一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法及其制備方法。(對應(yīng)權(quán)利要求1)。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提出一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)及其制備方法，其基本思路是在彈性形狀記憶聚合物內(nèi)部或表面嵌有或覆蓋有電路系統(tǒng)，經(jīng)過拉伸或者彎折，在一定的變形范圍內(nèi)，電路系統(tǒng)的性能維持不變。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案：一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，包括如下步驟：s1：制備彈性形狀記憶聚合物；s2：將步驟s1制備的彈性形狀記憶聚合物在60-120℃下預(yù)拉伸10％-150％，然后降至室溫固定所述彈性形狀記憶聚合物的臨時形狀；s3：在步驟s2得到的預(yù)拉伸過的彈性形狀記憶聚合物的內(nèi)部或表面上通過噴涂、粘貼或電路打印工藝制備電路系統(tǒng)；s4：加熱觸發(fā)經(jīng)步驟s3處理的彈性形狀記憶聚合物形狀回復(fù)，導(dǎo)致電路系統(tǒng)形成褶皺，得到可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)。步驟s1中，將熱熔膠組分添加到液態(tài)的硅膠彈性體中，在85℃下充分?jǐn)嚢杈鶆颍缓蠼档绞覝?，再加入固化劑，倒入模具中固化成膜，制備出彈性形狀記憶聚合物。?yōu)選的，若硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠組分，混合形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在95％-99％，同時，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.5mpa-5mpa。優(yōu)選的，若硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的聚氨酯組分，混合形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在95％-99％，同時，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.2mpa-4mpa。優(yōu)選的，若硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的石蠟組分，混合后所形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在90％-99％，同時，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.2mpa-6mpa。一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)，包括彈性形狀記憶聚合物，所述彈性形狀記憶聚合物內(nèi)部嵌有或表面覆蓋有電路系統(tǒng)，所述彈性形狀記憶聚合物經(jīng)過拉伸或者彎折，在一定的變形范圍內(nèi)，電路系統(tǒng)的性能維持不變。優(yōu)選的，所述電路系統(tǒng)被包埋或者印制/覆蓋于單向/雙向或局部預(yù)拉伸過的彈性形狀記憶聚合物基底內(nèi)或表面層，再經(jīng)加熱觸發(fā)其形變回復(fù)使電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺，以此褶皺狀態(tài)作為初始狀態(tài)，當(dāng)復(fù)合電路系統(tǒng)在外力作用下發(fā)生一定程度的拉伸/彎折變形時，電路系統(tǒng)通過褶皺拉平/加深避免被拉/壓破壞，從而維持原電路的工作性能。優(yōu)選的，所述彈性形狀記憶聚合物的材料種類包括但不限于：彈性的硅膠/熱熔膠體系、彈性的硅膠/聚氨酯體系、彈性的硅膠/石蠟體系、乙烯-醋酸乙烯共聚物(eva)及eva海綿、聚氨酯彈性體(tpu)及其海綿和全氟磺酸離子膠。本發(fā)明公開的柔性體系能夠克服現(xiàn)有形狀記憶材料(如合金,聚合物等)在相對低溫(低于其形狀恢復(fù)溫度)下受力時，容易出現(xiàn)塑性或準(zhǔn)塑性變形(即永久或可通過形狀記憶功能恢復(fù)的殘余變形)或脆性破壞的問題。與采用傳統(tǒng)彈性體相比，本發(fā)明采用彈性形狀記憶聚合物基體，因此具有以下特點：(1)預(yù)拉伸過程中經(jīng)加熱升溫后，彈性模量顯著降低，因此變形能力大為提高，且在冷卻后形狀記憶聚合物重新變硬，且臨時形狀能在去除約束后自發(fā)維持。(2)電路的褶皺是經(jīng)加熱觸發(fā)形狀記憶聚合物的形變回復(fù)產(chǎn)生。這一變形回復(fù)過程受具體聚合物特性和加熱條件的影響，具有良好的可控性。另外，在變形回復(fù)完成并冷卻到室溫的過程中，聚合物再次經(jīng)歷了相轉(zhuǎn)變和彈性模量的變化，形狀記憶聚合物基材可以與電路中的剛性部件，如電池，芯片等的外形相匹配，從而最大程度地減小復(fù)合電路系統(tǒng)內(nèi)的變形場，使剛性的電路與柔性基材的相容性和匹配性獲得提高。(3)常溫下彈性模量的提高有效地避免使用過程中由于意外過度加載而導(dǎo)致的電路損壞。普通的彈性體在可變形電子設(shè)備的制備和使用過程中聚合物的彈性模量等力學(xué)性能維持不變。而形狀記憶聚合物的彈性模量在不同溫度下可以相差數(shù)十到數(shù)百倍，這使得聚合物在高溫下更容易預(yù)變形，而冷卻到室溫后彈性模量的回復(fù)有利于復(fù)合結(jié)構(gòu)在使用中避免過大外力導(dǎo)致電路受損。(4)本發(fā)明的最大特點，在于采用彈性形狀記憶聚合物與較剛性的電路系統(tǒng)相復(fù)合，一方面與普通彈性基體一樣可以通過褶皺形態(tài)的轉(zhuǎn)變(拉平或加深)實現(xiàn)電路的可彎折/拉伸，另一方面，又可以克服采用普通彈性基體導(dǎo)致的問題，也就是既可以在與電路系統(tǒng)復(fù)合中取消約束，又可以避免在使用過程中因拉伸/彎折過度導(dǎo)致電路被破壞。附圖說明圖1為本發(fā)明一種基于彈性形狀記憶聚合物的可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺和一種基于常規(guī)彈性體的可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺的對比示意圖，其中，(a)為基于彈性形狀記憶聚合物的可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺示意圖，和(b)為基于常規(guī)普通彈性體的可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺的示意圖。圖2為本發(fā)明實施例一的雙層單向預(yù)拉伸的柔性復(fù)合電路系統(tǒng)示意圖。圖3是本發(fā)明實施例二利用單層單向預(yù)拉伸在形狀記憶聚合物表面產(chǎn)生褶皺形貌的光學(xué)照片(a)，電子顯微鏡(b)和原子力顯微鏡(c)照片。具體實施方式下面結(jié)合具體實施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明公開了一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，包括如下步驟：s1：制備彈性形狀記憶聚合物；s2：將步驟s1制備的彈性形狀記憶聚合物在60-120℃下預(yù)拉伸10％-150％，然后降至室溫固定所述彈性形狀記憶聚合物的臨時形狀；s3：在步驟s2得到的預(yù)拉伸過的彈性形狀記憶聚合物的內(nèi)部或表面上通過噴涂、粘貼或電路打印工藝制備電路系統(tǒng)；s4：加熱觸發(fā)經(jīng)步驟s3處理的彈性形狀記憶聚合物形狀回復(fù)，導(dǎo)致電路系統(tǒng)形成褶皺，得到可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)。步驟s1中，將熱熔膠組分添加到液態(tài)的硅膠彈性體中，在85℃下充分?jǐn)嚢杈鶆?，然后降到室溫，再加入固化劑，倒入模具中固化成膜，制備出彈性形狀記憶聚合物。其中，若硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠組分，混合形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在95％-99％，同時，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.5mpa-5mpa。其中，若硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的聚氨酯組分，混合形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在95％-99％，同時，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.2mpa-4mpa。其中，若硅彈性體中添加10％-40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的石蠟組分，混合后所形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為50％-90％，回復(fù)率保持在90％-99％，同時，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為0.2mpa-6mpa。一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)，包括彈性形狀記憶聚合物，所述彈性形狀記憶聚合物內(nèi)部嵌有或表面覆蓋有電路系統(tǒng)，所述彈性形狀記憶聚合物經(jīng)過拉伸或者彎折，在一定的變形范圍內(nèi)，電路系統(tǒng)的性能維持不變。其中，所述電路系統(tǒng)被包埋或者印制/覆蓋于單向/雙向或局部預(yù)拉伸過的彈性形狀記憶聚合物基底內(nèi)或表面層，再經(jīng)加熱觸發(fā)其形變回復(fù)使電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺，以此褶皺狀態(tài)作為初始狀態(tài)，當(dāng)復(fù)合電路系統(tǒng)在外力作用下發(fā)生一定程度的拉伸/彎折變形時，電路系統(tǒng)通過褶皺拉平/加深避免被拉/壓破壞，從而維持原電路的工作性能。其中，所述彈性形狀記憶聚合物的材料種類包括但不限于：彈性的硅膠/熱熔膠體系、彈性的硅膠/聚氨酯體系、彈性的硅膠/石蠟體系、乙烯-醋酸乙烯共聚物(eva)及eva海綿、聚氨酯彈性體(tpu)及其海綿和全氟磺酸離子膠。在本發(fā)明的具體技術(shù)方案中，此形狀記憶聚合物在高低溫下都具有良好的彈性性能，從而克服了現(xiàn)有形狀記憶材料(如合金,聚合物等)在相對低溫(低于其形狀恢復(fù)溫度)下受力時，容易出現(xiàn)塑性或準(zhǔn)塑性變形(即永久或可通過形狀記憶功能恢復(fù)的殘余變形)或脆性破壞的問題。本發(fā)明的形狀記憶聚合物的力學(xué)強(qiáng)度、模量和形狀記憶性能可以根據(jù)具體應(yīng)用的強(qiáng)度和拉伸/彎折要求通過組分變化方便地進(jìn)行調(diào)控。這有利于提高聚合物基底與剛性電子元器件的相容性和匹配性。本發(fā)明將剛性的電子元器件與柔性的彈性形狀記憶聚合物基體相復(fù)合后，彈性形狀記憶聚合物基體的殘余應(yīng)變可以通過加熱恢復(fù)，即利用形狀記憶的熱觸發(fā)形變回復(fù)的基本特性消除彈性形狀記憶聚合物基體的殘余應(yīng)變，使體系在宏觀尺寸上完全或者幾乎完全回復(fù)到彈性形狀記憶聚合物基體初始狀態(tài)。本發(fā)明的電路系統(tǒng)是單層或多層的復(fù)合結(jié)構(gòu)，并經(jīng)過單向或者雙向的預(yù)拉伸。對于多層結(jié)構(gòu)，電子電路通過對電路無損害的熱熔膠、溶劑或與彈性形狀記憶聚合物基體相似/相同的聚合物等常規(guī)方式實現(xiàn)對彈性形狀記憶聚合物基體的緊密粘接。如圖1所示，基于彈性形狀記憶聚合物和常規(guī)彈性體產(chǎn)生褶皺的對比示意圖，圖1中，(a)為基于彈性形狀記憶聚合物的可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)，具體為彈性形狀記憶聚合物在初始形狀下經(jīng)加熱拉伸、降溫固定后得到臨時形態(tài)，再在所述彈性形狀記憶聚合物的表面覆蓋有電路系統(tǒng)賦予導(dǎo)電層，形成電路層，接著對臨時形態(tài)的彈性形狀記憶聚合物加熱回復(fù)，使電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺，實現(xiàn)彈性形狀記憶聚合物在準(zhǔn)塑性下的可逆拉伸和回復(fù)；(b)為基于常規(guī)普通彈性體的可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺的流程對比示意圖，具體為初始形狀在室溫下拉伸得到臨時形狀，在臨時形狀的表面賦予導(dǎo)電層形成電路層，再經(jīng)彈性回復(fù)和拉伸實現(xiàn)常規(guī)彈性下的可逆拉伸和回復(fù)。具體說來，彈性形狀記憶聚合物在較高溫度下經(jīng)過單向/雙向預(yù)拉伸并冷卻固定臨時形狀，然后將電路系統(tǒng)包埋或者印制/覆蓋于聚合物基底或表面層，再經(jīng)過加熱觸發(fā)形變回復(fù)使電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺。以此褶皺狀態(tài)作為初始狀態(tài)，當(dāng)復(fù)合電路系統(tǒng)在外力作用下發(fā)生一定程度的拉伸/彎折變形時電路系統(tǒng)通過褶皺拉平/加深避免被拉/壓破壞，從而維持原電路的工作性能。利用這一流程將剛性的電子元器件與柔性的彈性形狀記憶聚合物基體相復(fù)合后，彈性形狀記憶聚合物基體的殘余應(yīng)變可以通過加熱恢復(fù)，即利用形狀記憶的熱觸發(fā)形變回復(fù)的基本特性消除彈性形狀記憶聚合物基體的殘余應(yīng)變，使體系在宏觀尺寸上完全或者幾乎完全回復(fù)到彈性形狀記憶聚合物基體初始狀態(tài)。另一方面，可以方便的制備出單層/多層、單向/雙向預(yù)拉伸的復(fù)合結(jié)構(gòu)。對于多層結(jié)構(gòu)，電子電路通過對電路無損害的熱熔膠、溶劑或與彈性形狀記憶聚合物基體相似/相同的聚合物粘結(jié)等常規(guī)方式實現(xiàn)對彈性形狀記憶聚合物基體的緊密粘接。進(jìn)一步地，彈性形狀記憶聚合物的力學(xué)強(qiáng)度、模量和形狀記憶性能可以根據(jù)具體應(yīng)用的強(qiáng)度和拉伸/彎折要求通過組分變化方便地進(jìn)行調(diào)控。這有利于提高聚合物基底與剛性電子元器件的相容性和匹配性。可應(yīng)用的材料種類包括但不限于：彈性的硅膠/熱熔膠體系、彈性的硅膠/聚氨酯體系、彈性的硅膠/石蠟體系、乙烯-醋酸乙烯共聚物(eva)及eva海綿、聚氨酯彈性體(tpu)及其海綿和全氟磺酸離子膠。實施例一制備兩片硅膠型的彈性形狀記憶聚合物，分別將兩片聚合物在較高溫度(比如100℃)下單向拉伸30％，然后降到室溫下固定臨時形狀。在預(yù)拉伸過的一片聚合物表面印制電路后用硅膠將兩片聚合物粘一起，電路在中間。在硅膠固化后，再次升溫觸發(fā)變形回復(fù)使電路發(fā)生褶皺。做出的雙層單向預(yù)拉伸的柔性復(fù)合電路系統(tǒng)見圖2。實施例二通過如下四個步驟，制備出單層單向預(yù)拉伸的形狀記憶聚氨酯型可拉伸/彎折復(fù)合電路系統(tǒng)。具體步驟包括：(1)利用溶劑蒸發(fā)法或熱壓法制備形狀記憶聚氨酯薄膜一片；(2)在80℃下單向預(yù)拉伸20％，然后降至室溫固定臨時形狀；(3)在預(yù)拉伸過的聚氨酯薄膜表面通過噴涂等工藝制備電路；(4)加熱觸發(fā)形狀回復(fù)導(dǎo)致電路形成微納米褶皺。已經(jīng)制備出了一系列形狀記憶收縮產(chǎn)生的微納米褶皺表面，代表性的樣品的光學(xué)照片、掃描電子顯微鏡及原子力顯微鏡照片如圖3所示。實施例三通過四步，制備出雙層雙向預(yù)拉伸的硅膠/熱熔膠柔性電路系統(tǒng)，具體制備過程包括：(1)將熱熔膠組分添加到液態(tài)的硅膠彈性體中，在90℃下充分?jǐn)嚢杈鶆颍缓蠼抵潦覝?，再加入固化劑，倒入模具中固化成膜，制備出兩片聚合物膜?2)在90℃下雙向預(yù)拉伸40％，然后降至室溫固定臨時形狀；(3)在預(yù)拉伸過的一片聚合物膜表面通過噴涂或電路打印等工藝制備電路；(4)將兩片預(yù)拉伸過的聚合物膜用同樣的材料粘接成雙層結(jié)構(gòu)，并在粘結(jié)部位固化后加熱觸發(fā)形狀回復(fù)使內(nèi)嵌的電路產(chǎn)生褶皺。實施例四利用如下四步，制備出單層單向預(yù)拉伸的硅膠/熱熔膠體系，并利用熱熔膠的含量對室溫下的剛度(彈性模量)進(jìn)行調(diào)控。具體制備過程包括：(1)將熱熔膠組分添加到液態(tài)的硅膠彈性體中，在85℃下充分?jǐn)嚢杈鶆?，然后降到室溫，再加入固化劑，倒入模具中固化成膜，制備出聚合物膜?2)在85℃下單向預(yù)拉伸80％，然后降到室溫固定臨時形狀；(3)在預(yù)拉伸的聚合物膜表面通過噴涂等工藝制備電子電路；(4)加熱觸發(fā)形狀回復(fù)使電路產(chǎn)生褶皺。步驟(1)中，如果硅彈性體中添加10％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠(meltingglue，簡寫為mg)組分。這種熱熔膠與彈性基體具有部分相容的結(jié)晶性能。形狀記憶的固定率為80％，回復(fù)率保持在95％以上。同時，室溫下復(fù)合材料的彈性模量為30mpa。步驟(1)中，如果硅彈性體中添加30％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠(meltingglue，簡寫為mg)組分。這種熱熔膠與彈性基體具有部分相容的結(jié)晶性能。形狀記憶的固定率為85％，回復(fù)率保持在90％以上。同時，室溫下復(fù)合材料的彈性模量為40mpa。步驟(1)中，如果硅彈性體中添加60％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠(meltingglue，簡寫為mg)組分。這種熱熔膠與彈性基體具有部分相容的結(jié)晶性能。形狀記憶的固定率為95％，回復(fù)率保持在90％以上。同時，室溫下復(fù)合材料的彈性模量為60mpa。實施例五利用如下步驟，制備單層雙向預(yù)拉伸的硅膠/熱熔膠多孔復(fù)合電路系統(tǒng)。具體制備過程包括：(1)將50％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠組分和一定比例的發(fā)泡劑添加到液態(tài)的彈性體中，在100℃下充分?jǐn)嚢杈鶆?，然后降到室溫，再加入固化劑，倒入模具中發(fā)泡再固化成膜，制備出聚合物多孔膜；(2)在100℃下單向預(yù)拉伸聚合物多孔膜100％，然后降到室溫后固定臨時形狀；(3)在預(yù)拉伸的基體表面通過噴涂等工藝制備電子電路；(4)加熱觸發(fā)形變回復(fù)產(chǎn)生褶皺。步驟(1)中，通過改變熱熔膠的質(zhì)量分?jǐn)?shù)，可以調(diào)節(jié)所制備的復(fù)合電路的彈性和剛度。比如：步驟(1)中，如果硅彈性體中添加10％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠(meltingglue，簡寫為mg)組分。這種熱熔膠與彈性基體具有部分相容的結(jié)晶性能。形狀記憶的固定率為85％，回復(fù)率保持在95％以上。同時，室溫下復(fù)合材料的彈性模量為20mpa。步驟(1)中，如果硅彈性體中添加30％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠(meltingglue，簡寫為mg)組分。這種熱熔膠與彈性基體具有部分相容的結(jié)晶性能。形狀記憶的固定率為88％，回復(fù)率保持在92％以上。同時，室溫下復(fù)合材料的彈性模量為25mpa。步驟(1)中，如果硅彈性體中添加60％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的熱熔膠(meltingglue，簡寫為mg)組分。這種熱熔膠與彈性基體具有部分相容的結(jié)晶性能。形狀記憶的固定率為95％，回復(fù)率保持在90％以上。同時，室溫下復(fù)合材料的彈性模量為30mpa。實施例六制備雙向雙層結(jié)構(gòu)的可拉伸/彎折的eva復(fù)合電路系統(tǒng)，具體步驟為：利用溶劑蒸發(fā)法或熱壓法制備兩片乙烯-醋酸乙烯共聚物(eva)薄膜；在100℃下雙向拉伸50％后冷卻到室溫固定臨時形狀；然后在表面制備導(dǎo)電通路，用少量熱熔膠粘接成雙層結(jié)構(gòu)；最后，重新加熱到100℃觸發(fā)形變回復(fù)。實施例七制備單層單向預(yù)拉伸的eva導(dǎo)電海綿復(fù)合電路系統(tǒng)，具體包括：首先，制備出eva高分子海綿；并在100℃下單向拉伸50％并冷卻到室溫固定臨時形狀；在預(yù)拉伸好的eva海綿表面噴墨打印導(dǎo)電通路；然后，加熱觸發(fā)形變回復(fù)。實施例八制備雙層雙向預(yù)拉伸的eva海綿復(fù)合電路系統(tǒng)，具體包括：(1)預(yù)先制備eva海綿2塊；(2)在100℃下雙向拉伸100％并冷卻到室溫固定臨時形狀；(3)在預(yù)拉伸好的eva海綿表面噴墨打印導(dǎo)電通路；(4)然后將2片海綿粘貼成雙層結(jié)構(gòu)；(5)加熱觸發(fā)形變回復(fù)。實施例九一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，包括如下步驟：s1：制備彈性形狀記憶聚合物；s2：將步驟s1制備的彈性形狀記憶聚合物在120℃下預(yù)拉伸150％，然后降至室溫固定所述彈性形狀記憶聚合物的臨時形狀；s3：在步驟s2得到的預(yù)拉伸過的彈性形狀記憶聚合物的表面上通過電路打印工藝制備電路系統(tǒng)；s4：加熱觸發(fā)經(jīng)步驟s3處理的彈性形狀記憶聚合物形狀回復(fù)，導(dǎo)致電路系統(tǒng)形成褶皺，得到可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)。步驟s1中，將熱熔膠組分添加到液態(tài)的硅膠彈性體中，在85℃下充分?jǐn)嚢杈鶆?，然后降到室溫，再加入固化劑，倒入模具中固化成膜，制備出彈性形狀記憶聚合物。其中，若硅彈性體中添加40％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的聚氨酯組分，因為熱熔膠與彈性基體具有部分相容的結(jié)晶性能，混合形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為90％，回復(fù)率保持在95％，同時，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為4mpa。一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)，包括彈性形狀記憶聚合物，所述彈性形狀記憶聚合物內(nèi)部嵌有或表面覆蓋有電路系統(tǒng)，所述彈性形狀記憶聚合物經(jīng)過拉伸或者彎折，在一定的變形范圍內(nèi)，電路系統(tǒng)的性能維持不變。其中，所述電路系統(tǒng)被包埋雙向預(yù)拉伸過的彈性形狀記憶聚合物表面層，再經(jīng)加熱觸發(fā)其形變回復(fù)使電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺，以此褶皺狀態(tài)作為初始狀態(tài)，當(dāng)復(fù)合電路系統(tǒng)在外力作用下發(fā)生一定程度的拉伸變形時，電路系統(tǒng)通過褶皺拉平避免被拉破壞，從而維持原電路的工作性能。其中，所述彈性形狀記憶聚合物的材料種類包括但不限于：彈性的硅膠/eva體系。實施例十一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)的制備方法，包括如下步驟：s1：制備彈性形狀記憶聚合物；s2：將步驟s1制備的彈性形狀記憶聚合物在90℃下預(yù)拉伸80％，然后降至室溫固定所述彈性形狀記憶聚合物的臨時形狀；s3：在步驟s2得到的預(yù)拉伸過的彈性形狀記憶聚合物的表面上通過噴涂制備電路系統(tǒng)；s4：加熱觸發(fā)經(jīng)步驟s3處理的彈性形狀記憶聚合物形狀回復(fù)，導(dǎo)致電路系統(tǒng)形成褶皺，得到可彎折復(fù)合電路系統(tǒng)。步驟s1中，將熱熔膠組分添加到液態(tài)的硅膠彈性體中，在95℃下充分?jǐn)嚢杈鶆颍缓蠼档绞覝?，再加入固化劑，倒入模具中固化成膜，制備出彈性形狀記憶聚合物。其中，若硅彈性體中添加30％質(zhì)量分?jǐn)?shù)的石蠟組分，因為石蠟與彈性基體具有部分相容的結(jié)晶性能，混合后所形成的彈性形狀記憶聚合物的固定率為70％，回復(fù)率保持在95％，同時，室溫下彈性形狀記憶聚合物的彈性模量為3mpa。一種可拉伸或彎折復(fù)合電路系統(tǒng)，包括彈性形狀記憶聚合物，所述彈性形狀記憶聚合物內(nèi)部嵌有或表面覆蓋有電路系統(tǒng)，所述彈性形狀記憶聚合物經(jīng)過拉伸或者彎折，在一定的變形范圍內(nèi)，電路系統(tǒng)的性能維持不變。其中，所述電路系統(tǒng)被印制于單向局部預(yù)拉伸過的彈性形狀記憶聚合物表面層，再經(jīng)加熱觸發(fā)其形變回復(fù)使電路系統(tǒng)產(chǎn)生褶皺，以此褶皺狀態(tài)作為初始狀態(tài)，當(dāng)復(fù)合電路系統(tǒng)在外力作用下發(fā)生一定程度的彎折變形時，電路系統(tǒng)通過褶皺加深避免被壓破壞，從而維持原電路的工作性能。其中，所述彈性形狀記憶聚合物的材料種類包括但不限于彈性的硅膠/石蠟體系。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁12當(dāng)前第1頁12