本發(fā)明涉及電子裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
，尤其涉及一種散熱結(jié)構(gòu)及應(yīng)用該散熱結(jié)構(gòu)的電子裝置。
背景技術(shù)：
：電子裝置中發(fā)熱組件與金屬結(jié)構(gòu)散熱體之間通常會(huì)有空氣填充間隙，導(dǎo)致散熱慢，一般會(huì)使用導(dǎo)熱材料，如導(dǎo)熱硅膠來(lái)填充間隙，使熱量從發(fā)熱組件迅速傳至金屬結(jié)構(gòu)散熱體，從而達(dá)到有效散熱。如圖1所示，現(xiàn)有的導(dǎo)熱硅膠1一般為單獨(dú)的片材，對(duì)應(yīng)不同高度的發(fā)熱組件2，需要使用厚度不同的導(dǎo)熱硅膠1，物料種類多且繁瑣，裝配成本高。同時(shí)，發(fā)熱組件2之間的間隙沒(méi)有被填充，導(dǎo)致接觸面積小，散熱效果差。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種散熱結(jié)構(gòu)，旨在一定程度上解決散熱結(jié)構(gòu)裝配效率低、散熱效果差等問(wèn)題。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)包括主板、連接于主板上的若干主芯片、覆蓋主芯片的結(jié)構(gòu)散熱件、及填充于主芯片與結(jié)構(gòu)散熱件之間的導(dǎo)熱硅膠體，所述導(dǎo)熱硅膠體的基材為硅橡膠，所述導(dǎo)熱硅膠體面向所述結(jié)構(gòu)散熱件的表面為平面，所述導(dǎo)熱硅膠體面向所述主芯片的表面設(shè)有若干凹槽與若干凸起，一主芯片與一凹槽或一凸起相對(duì)應(yīng)。優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱硅膠體的厚度范圍為0.2mm-1mm。優(yōu)選地，當(dāng)導(dǎo)熱硅膠體填充于所述結(jié)構(gòu)散熱件與主芯片之間時(shí)，所述導(dǎo)熱硅膠體任意一處的厚度壓縮量均相同。優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱硅膠體的厚度壓縮量范圍為10％-50％。優(yōu)選地，所述主芯片設(shè)有四個(gè)，所述導(dǎo)熱硅膠體形成有三個(gè)凹槽及一凸起，其中三個(gè)主芯片對(duì)應(yīng)三個(gè)凹槽，另一主芯片對(duì)應(yīng)一凸起。優(yōu)選地，所述主板還連接有若干元器件，所述導(dǎo)熱硅膠體還填充所述結(jié)構(gòu)散熱件與若干元器件的間隙。優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱硅膠體的成分包括高分子硅油、導(dǎo)熱填充劑、阻燃填充劑、交聯(lián)劑及色膠。優(yōu)選地，所述結(jié)構(gòu)散熱件為屏蔽蓋，所述導(dǎo)熱硅膠體填充于所述屏蔽蓋與主芯片之間。優(yōu)選地，所述結(jié)構(gòu)散熱件為中框或底殼，所述導(dǎo)熱硅膠體填充于所述主芯片與中框或底殼之間。本發(fā)明還提出一種電子裝置，所述電子裝置包括外殼與散熱結(jié)構(gòu)，所述散熱結(jié)構(gòu)為上述的散熱結(jié)構(gòu)，所述外殼形成有容納腔，所述散熱結(jié)構(gòu)容納于所述容納腔內(nèi)。本發(fā)明提出的散熱結(jié)構(gòu)中，位于若干主芯片與結(jié)構(gòu)散熱件之間的導(dǎo)熱硅膠體為一整體結(jié)構(gòu)，相比于分散的單獨(dú)體，一方面減少料號(hào)，減少管理成本，另一方面可以通過(guò)模具一體成型，便于加工，節(jié)約成本，在進(jìn)行裝配時(shí)，也可以節(jié)約人力，提高裝配效率。此外，該導(dǎo)熱硅膠體面對(duì)結(jié)構(gòu)散熱件的表面為一平面，可與結(jié)構(gòu)散熱件進(jìn)行良好的接觸，因若干主芯片的高度不一，故導(dǎo)熱硅膠體面向主芯片的表面設(shè)置凹槽與凸起，可以分別與不同高度的主芯片相對(duì)貼合，接觸性好，并同時(shí)能夠?qū)⒍鄠€(gè)主芯片之間的間隙連接起來(lái)，進(jìn)一步增加散熱面積，從而可以提高散熱效果。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有的散熱結(jié)構(gòu)的局部剖視圖；圖2為本發(fā)明散熱結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的爆炸圖；圖3為本發(fā)明散熱機(jī)構(gòu)的局部剖視圖；圖4為圖2所示散熱結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱硅膠體的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：標(biāo)號(hào)名稱標(biāo)號(hào)名稱100散熱結(jié)構(gòu)53凸起10主板70結(jié)構(gòu)散熱件30主芯片90元器件50導(dǎo)熱硅膠體1導(dǎo)熱硅膠51凹槽2發(fā)熱組件本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。需要說(shuō)明，本發(fā)明實(shí)施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……)僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對(duì)位置關(guān)系、運(yùn)動(dòng)情況等，如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時(shí)，則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。另外，在本發(fā)明中涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示其相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。另外，各個(gè)實(shí)施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合，但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ)，當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無(wú)法實(shí)現(xiàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在，也不在本發(fā)明要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明提供一種散熱結(jié)構(gòu)100，應(yīng)用于電子裝置(未圖示)。請(qǐng)參照?qǐng)D2至圖4，散熱結(jié)構(gòu)100包括主板10、連接于主板10上的若干主芯片30、覆蓋主芯片30的結(jié)構(gòu)散熱件70、及填充于主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70之間的導(dǎo)熱硅膠體50，導(dǎo)熱硅膠體50的基材為硅橡膠，導(dǎo)熱硅膠體50面向結(jié)構(gòu)散熱件70的表面為平面，導(dǎo)熱硅膠體50面向主芯片30的表面設(shè)有若干凹槽51與若干凸起53，一主芯片30與一凹槽51或一凸起53相對(duì)應(yīng)。本發(fā)明技術(shù)方案中，主板10上的主芯片30是電子芯片的重要組成部分，其工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，應(yīng)及時(shí)將熱量排出結(jié)構(gòu)散熱件70外，才能保證該電子裝置100的穩(wěn)定工作性能。主板10上的主芯片30一般包括內(nèi)存芯片、CPU、電源芯片及充電管理芯片等。由于各個(gè)主芯片30的形狀與高度不同，故在使用導(dǎo)熱硅膠體50時(shí)，需要對(duì)應(yīng)每一主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70的距離來(lái)進(jìn)行分析，預(yù)留一定的壓縮量，從而相對(duì)于導(dǎo)熱硅膠體50的基準(zhǔn)面上設(shè)置不同深度和形狀的凹槽51或凸起53，以與主芯片30相匹配，從而達(dá)到穩(wěn)定的接觸性能，加快傳熱速度，提高該散熱結(jié)構(gòu)100的散熱性能。本發(fā)明提出的散熱結(jié)構(gòu)100中，位于若干主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70之間的導(dǎo)熱硅膠體50為一整體結(jié)構(gòu)，相比于分散的單獨(dú)體，一方面減少料號(hào)，減少管理成本，另一方面可以通過(guò)模具一體成型，便于加工，節(jié)約成本，在進(jìn)行裝配時(shí)，也可以節(jié)約人力，提高裝配效率。此外，該導(dǎo)熱硅膠體50面對(duì)結(jié)構(gòu)散熱件70的表面為一平面，可與結(jié)構(gòu)散熱件70進(jìn)行良好的接觸，因若干主芯片30的高度不一，故導(dǎo)熱硅膠體50面向主芯片30的表面設(shè)置凹槽51與凸起53，可以分別與不同高度的主芯片30相對(duì)貼合，接觸性好，并同時(shí)能夠?qū)⒍鄠€(gè)主芯片30之間的間隙連接起來(lái)，進(jìn)一步增加散熱面積，從而可以提高散熱效果。此外，該導(dǎo)熱硅膠體50為一整體結(jié)構(gòu)，凹槽51與凸起53的設(shè)置使得導(dǎo)熱硅膠體50的厚度不一，以此可以使得厚度較薄的部位不易被撕裂，增強(qiáng)整體的強(qiáng)度，減少不良損耗。根據(jù)實(shí)際測(cè)試得出，導(dǎo)熱硅膠體50的厚度范圍為0.2mm-1mm。本實(shí)施例中，導(dǎo)熱硅膠體50因所對(duì)應(yīng)的主芯片30不同，故其厚度也不一，具體地，根據(jù)通常的情況下，在考慮導(dǎo)熱硅膠體50在使用時(shí)會(huì)有厚度上的壓縮量，故將導(dǎo)熱硅膠體50的厚度范圍設(shè)為0.2mm-1mm之間，可以使得導(dǎo)熱硅膠體50與結(jié)構(gòu)散熱件70及主芯片30之間的接觸性良好，從而能夠提供該電子裝置100的導(dǎo)熱性能，延長(zhǎng)其使用壽命。優(yōu)選的實(shí)施例中，當(dāng)導(dǎo)熱硅膠體50填充于結(jié)構(gòu)散熱件70與主芯片30之間時(shí)，導(dǎo)熱硅膠體50任意一處的厚度壓縮量均相同。本實(shí)施例中，在制作導(dǎo)熱硅膠體50時(shí)，首先考慮多個(gè)主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70之間的間距，然后將多個(gè)主芯片30與結(jié)構(gòu)散熱件70之間預(yù)留相同比例的壓縮量，從而得出導(dǎo)熱硅膠體50各個(gè)部分的厚度，最后使用簡(jiǎn)易模具將該導(dǎo)熱硅膠體50一體成型。該方法使得在導(dǎo)熱硅膠體50填充于結(jié)構(gòu)散熱件70與主芯片30之間時(shí)，該導(dǎo)熱硅膠體50任意一處的厚度壓縮量均相等，從而可以進(jìn)一步增強(qiáng)導(dǎo)熱硅膠體50與兩者之間的接觸性能，并且接觸穩(wěn)定性好，使得導(dǎo)熱性能和散熱性能均得到提升。具體地，導(dǎo)熱硅膠體50的厚度壓縮量范圍為10％-50％。導(dǎo)熱硅膠體50的厚度壓縮量會(huì)受到主芯片30和結(jié)構(gòu)散熱件70之間的間距影響，同時(shí)，也與導(dǎo)熱硅膠體50本身的組成成分及各個(gè)成分的比例有關(guān)。本實(shí)施例中，導(dǎo)熱硅膠體50的組成部分包括高分子硅油(即硅橡膠)、導(dǎo)熱填充劑、阻燃填充劑、交聯(lián)劑及色膠等，高分子硅油可以提高該導(dǎo)熱硅膠體50的抗老化及耐酸堿性能，使得該導(dǎo)熱硅膠體50的壽命較長(zhǎng)，從而可以提高該電子設(shè)備的使用壽命。導(dǎo)熱填充劑可以提高該導(dǎo)熱硅膠體50的導(dǎo)熱性，使導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)3～6w/mk，遠(yuǎn)大于空氣的導(dǎo)熱系數(shù)0.026w/mk，從而可以大幅度提高該電子裝置100的導(dǎo)熱性能。阻燃填充劑保證該導(dǎo)熱硅膠體50具有較好的阻燃防火性能，進(jìn)一步提高電子裝置100的安全使用性能。交聯(lián)劑可以起到較好聯(lián)接作用，使得導(dǎo)熱硅膠體50與元器件90接觸更好。此外，該組成成分的導(dǎo)熱硅膠體50柔軟度好，壓縮量可以達(dá)到10％～50％，使得一體結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱硅膠體50可以更好地與各種間隙的元器件90進(jìn)行配合，增加多用性。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D2和圖4，主芯片30設(shè)有四個(gè)，導(dǎo)熱硅膠體50形成有三個(gè)凹槽51及一凸起53，其中三個(gè)主芯片30對(duì)應(yīng)三個(gè)凹槽51，另一主芯片30對(duì)應(yīng)一凸起53。本實(shí)施例中，主板10上的四個(gè)芯片分別為內(nèi)存芯片、電源芯片、CPU芯片及充電管理芯片，一般CPU芯片為主板10上面積最大的正方形芯片，內(nèi)存芯片為稍小的長(zhǎng)方形芯片，電源芯片及充電管理芯片相對(duì)應(yīng)較小。為了節(jié)約材料及裝配方便，一般選取適中的高度作為導(dǎo)熱硅膠體50的基準(zhǔn)面，從而使與高度較高的主芯片30對(duì)應(yīng)的部位設(shè)為凹槽51，與高度交底的主芯片30對(duì)應(yīng)的部位為凸起53，從而平衡導(dǎo)熱硅膠體50整體的厚度，便于節(jié)約成本。請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D2，主板10還連接有若干元器件90，導(dǎo)熱硅膠體50還填充結(jié)構(gòu)散熱件70與若干元器件90的間隙。本發(fā)明技術(shù)方案的導(dǎo)熱硅膠體50為一體結(jié)構(gòu)，因各個(gè)主芯片30為間隔設(shè)置的狀態(tài)，故導(dǎo)熱硅膠體50對(duì)應(yīng)于各個(gè)主芯片30的部分之間也可以覆蓋主板10上的其他元器件90，并且與元器件90對(duì)應(yīng)的位置的形狀與元器件90相匹配。因除了主芯片30會(huì)產(chǎn)生熱量外，連接在主板10上的這些元器件90也會(huì)產(chǎn)生少許熱量，故該結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱硅膠體50可以進(jìn)一步增加接觸面積，并將各個(gè)主芯片30與元器件90之間的空隙也連通，從而可以將熱量均勻分散，更加迅速傳遞到結(jié)構(gòu)散熱件70散發(fā)出去，更進(jìn)一步提高散熱性能。于一實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)散熱件70為屏蔽蓋，導(dǎo)熱硅膠體50填充于屏蔽蓋與主芯片30之間。本實(shí)施例中，屏蔽蓋主要起到保護(hù)主芯片30的作用，并且能夠屏蔽電磁干擾，使得電子裝置100的性能更好，且對(duì)使用者的輻射較小。設(shè)置屏蔽蓋可以加強(qiáng)該電子裝置100的安全使用性能，當(dāng)結(jié)構(gòu)散熱件70為屏蔽蓋，屏蔽蓋與主芯片30直接相對(duì)設(shè)置，將導(dǎo)熱硅膠體50設(shè)于屏蔽蓋與主芯片30之間，屏蔽蓋的材質(zhì)為金屬，可以增加散熱性能。于另外一實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)散熱件70為中框或底殼，導(dǎo)熱硅膠體50填充于主芯片30與中框或底殼之間。本實(shí)施例中，未設(shè)置有屏蔽蓋，主芯片30的熱量可以通過(guò)導(dǎo)熱硅膠體50傳輸?shù)街锌蚧虻讱ど希苯由l(fā)到外界，也可以使得結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，傳熱路徑少。本發(fā)明還提出一種電子裝置，該電子裝置包括外殼(未圖示)與散熱結(jié)構(gòu)100，散熱結(jié)構(gòu)為上述的散熱結(jié)構(gòu)，外殼形成有容納腔(未圖示)，散熱結(jié)構(gòu)100容納于所述容納腔。因電子裝置的散熱結(jié)構(gòu)采用了上述所有實(shí)施例的全部技術(shù)方案，因此，至少具有上述實(shí)施例的技術(shù)方案所帶來(lái)的所有有益效果，在此不再一一贅述。本發(fā)明技術(shù)方案的電子裝置可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦及其他電子類產(chǎn)品。電子裝置還包括其它實(shí)施其功能的必要元件，如：電路板、顯示屏、電池等。以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是在本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思下，利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域：
均包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3