本實(shí)用新型涉及晶體諧振器，具體是一種一體化晶體諧振器。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的石英晶體諧振器元件，采用水晶或其它壓電材料加工成晶片后在兩面鍍上電極作為振子，用陶瓷或金屬殼座做為封裝，采用導(dǎo)電膠進(jìn)行裝配和電氣連接。

現(xiàn)有石英諧振器采用壓電晶片、與陶瓷或金屬外殼裝配，需外購(gòu)陶瓷基座和封蓋材料；石英晶片與陶瓷基座具有不同的膨脹系統(tǒng)，在溫度變化時(shí)振子產(chǎn)生應(yīng)力，產(chǎn)生附加的頻率偏移；由于原晶片加工時(shí)采用機(jī)械研磨工藝，對(duì)頻率較高的諧振器晶片的成品率低，另一方面采用單片加片方法，對(duì)于小型化的產(chǎn)品加工效率低且一致性較差。由于陶瓷基座工藝及裝配工藝的原因在制造更小尺寸的1.6×1.2mm，1.2×1.0mm的諧振器時(shí)更加困難。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是一體化晶體諧振器，該諧振器可提高生產(chǎn)效率、降低成本，減少振子應(yīng)力，降低產(chǎn)品尺寸。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

一體化晶體諧振器，包括振子晶片基座、電極，所述的振子基座由壓電材料通過掩膜、化學(xué)腐蝕制成，振子晶片基座的上表面、下表面均設(shè)有凹陷區(qū)，凹陷區(qū)內(nèi)分別設(shè)有上電極、下電極；凹陷區(qū)的深度大于上電極或下電極的厚度；上電極、下電極在振子晶片基座的兩端分別設(shè)有金屬引出線；振子晶片基座的上方分別連接固定上蓋板、下基板；下基板的底面的兩端分別設(shè)有焊盤，焊盤與上電極或下電極的金屬引出線連接；上蓋板、下基板與振子晶片基座的材質(zhì)相同。

采用上述技術(shù)方案的本實(shí)用新型，與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果是：

由于上蓋板、下基板及振子晶片基座為同種材質(zhì)，具有相同的膨脹系統(tǒng)，在溫度變化時(shí)振子有效降低產(chǎn)生應(yīng)力，避免產(chǎn)生附加的頻率偏移；避免了現(xiàn)有技術(shù)晶片加工時(shí)采用機(jī)械研磨工藝，頻率較高的諧振器晶片的成品率低；另外，還避免了現(xiàn)有技術(shù)采用單片加片方法，對(duì)于小型化的產(chǎn)品加工效率低且一致性較差的問題。

進(jìn)一步的優(yōu)選技術(shù)方案如下：

振子晶片基座凹陷區(qū)的邊沿分別通過高溫密封膠連接固定上蓋板、下基板。

所述的壓電材料為壓電水晶。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1水平對(duì)稱軸線上的剖面圖；

附圖標(biāo)記說明：1.上蓋板；2.上電極；3. 高溫密封膠；4.振子晶片基座；5.下電極；6.下基板。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例，進(jìn)一步說明本實(shí)用新型。

參見圖1、圖2，一體化晶體諧振器，由振子晶片基座4、電極組成振子基座由壓電材料通過掩膜、化學(xué)腐蝕制成，振子晶片基座4的上表面、下表面均設(shè)有凹陷區(qū)，凹陷區(qū)內(nèi)分別設(shè)有上電極2、下電極5；凹陷區(qū)的深度大于上電極2或下電極5的厚度；上電極2、下電極5在振子晶片基座4的兩端分別設(shè)有金屬引出線；振子晶片基座4的上方分別連接固定上蓋板1、下基板6；下基板6的底面的兩端分別設(shè)有焊盤，焊盤與上電極2或下電極5的金屬引出線連接；上蓋板1、下基板6與振子晶片基座4的材質(zhì)相同。

振子晶片基座4凹陷區(qū)的邊沿分別通過高溫密封膠3連接固定上蓋板1、下基板6。

所述的壓電材料為壓電水晶。

上述一體化晶體諧振器，按以下步驟加工制成：

（1）利用壓電材料大片，通過掩膜和化學(xué)腐蝕一次性制成多個(gè)的上表面、下表帶有凹陷區(qū)的振子晶片基座4；

（2）在上表面的凹陷區(qū)安裝上電極2，下表面的凹陷區(qū)安裝下電極5；

（3）將上電極2、下電極5的金屬引出線由振子晶片基座4的兩端的兩端分別引出；

（4）將振子晶片基座4的上表面的邊沿和下表面的邊沿涂覆高溫密封膠3，分別粘接上蓋板1、下基板6；

（5）將上電極2、下電極5的金屬引出線分別與下基板6底部的焊盤連接。

以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)不限于此，任何本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所能想到得與本技術(shù)方案技術(shù)特征等同的變化或替代，都涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。