本實用新型涉及真空吸嘴領(lǐng)域，尤其涉及一種用于吸取電子元器件的真空吸嘴結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)有用于測試或裝片的吸嘴結(jié)構(gòu)端面通常為一矩形結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)的中心處開設一用于吸取電子元器件的吸孔，該吸孔均為圓形，但是由于吸取的電子元器件均為長方形，在吸取電子元器件后由于真空負壓作用使電子元器件產(chǎn)生高速移動或振動，導致電子元器件在圓形吸孔周圍發(fā)生轉(zhuǎn)動，從而產(chǎn)生吸附位置偏差的問題，吸附位置的一致性較差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本申請人針對上述現(xiàn)有問題，進行了研究改進，提供一種用于吸取電子元器件的真空吸嘴結(jié)構(gòu)，其不僅提高了吸附力，還保證了吸附位置的一致性，防止偏差。

本實用新型所采用的技術(shù)方案如下：

一種用于吸取電子元器件的真空吸嘴結(jié)構(gòu)，包括吸嘴基板，在所述吸嘴基板上開設真空吸口，所述真空吸口為由一個主吸口及多個副吸口連接形成的一體式結(jié)構(gòu)或分體式結(jié)構(gòu)。

其進一步技術(shù)特征在于：

所述真空吸口為一體式結(jié)構(gòu)時，所述真空吸口包括主吸口，沿所述主吸口的四個角部分別向外延伸形成副吸口，各副吸口均為第一矩形吸口；各第一矩形吸口均與主吸口互為連通；

所述真空吸口為一體式結(jié)構(gòu)時，所述真空吸口包括主吸口，沿所述主吸口的四個角部分別向外延伸形成副吸口，各副吸口均為圓形吸口；各圓形吸口均與主吸口互為連通；

所述真空吸口為分體式結(jié)構(gòu)時，所述真空吸口包括主吸口，沿所述主吸口的四個角部分別向外延伸形成副吸口，各副吸口均為第二矩形吸口；各第二矩形吸口互相獨立且均與主吸口不連通。

所述主吸口的孔徑大于副吸口的孔徑。

本實用新型的有益效果如下：

本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，與現(xiàn)有技術(shù)相比本實用新型通過將真空吸空設置為主吸口及副吸空，其不僅能增加真空吸附面積，提高吸附力，同時各副吸口作用能增加電子元器件被吸附時的平衡性，大大提高了吸附效率。

附圖說明

圖1為本實用新型第一種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實用新型第二種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實用新型第三種實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1、吸嘴基板；2、真空吸口；201、主吸口；202、第一矩形吸口；203、圓形吸口；204、第二矩形吸口。

具體實施方式

下面說明本實用新型的具體實施方式。

一種用于吸取電子元器件的真空吸嘴結(jié)構(gòu)包括吸嘴基板1，在吸嘴基板1上開設真空吸口2，真空吸口2為由一個主吸口201及多個副吸口連接形成的一體式結(jié)構(gòu)或分體式結(jié)構(gòu)。

如圖1所示，本實用新型中第一種實施例結(jié)構(gòu)如下：

當上述真空吸口2為一體式結(jié)構(gòu)時，真空吸口2包括主吸口201，沿主吸口201的四個角部分別向外延伸形成副吸口，各副吸口均為第一矩形吸口202；各第一矩形吸口202均與主吸口201互為連通。

如圖2所示，本實用新型中第二種實施例結(jié)構(gòu)如下：

當上述真空吸口2為一體式結(jié)構(gòu)時，真空吸口2包括主吸口201，沿主吸口201的四個角部分別向外延伸形成副吸口，各副吸口均為圓形吸口203；各圓形吸口203均與主吸口201互為連通。

如圖3所示，本實用新型中第三種實施例結(jié)構(gòu)如下：

當上述真空吸口2為分體式結(jié)構(gòu)時，真空吸口2包括主吸口201，沿主吸口201的四個角部分別向外延伸形成副吸口，各副吸口均為第二矩形吸口204；各第二矩形吸口204互相獨立且均與主吸口201不連通。

在本實用新型中主吸口201的孔徑大于各副吸口的孔徑。

本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，與現(xiàn)有技術(shù)相比本實用新型通過將真空吸空設置為主吸口及副吸空，其不僅能增加真空吸附面積，提高吸附力，同時各副吸口作用能增加電子元器件被吸附時的平衡性，大大提高了吸附效率。

以上描述是對本實用新型的解釋，不是對實用新型的限定，本實用新型所限定的范圍參見權(quán)利要求，在不違背本實用新型的基本結(jié)構(gòu)的情況下，本實用新型可以作任何形式的修改。