本實(shí)用新型涉及鈑金件，特別涉及一種手機(jī)鋼片補(bǔ)強(qiáng)件。

背景技術(shù)：

電路板行業(yè)發(fā)展日新月異，從硬板（PCB）過渡到軟板（FPCB）的過程中，使得電路板越來越輕薄，柔韌性大幅提高，同時(shí)具有較好的柔韌性的電路板帶來了如何裝配、如何貼裝等相關(guān)問題，因此，補(bǔ)強(qiáng)板應(yīng)運(yùn)而生，并且隨著輕量化的微型電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，補(bǔ)強(qiáng)板的厚度越來越薄，體積越來越小，補(bǔ)強(qiáng)板逐漸發(fā)展成為補(bǔ)強(qiáng)片。

現(xiàn)有專利中授權(quán)公告號為CN203301852U的中國專利公開了一種耐彎折手機(jī)柔性線路板，包括兩片通過膠層粘結(jié)在一起的柔性印刷片，所述的柔性印刷片包括一個(gè)按鍵部和位于按鍵部一側(cè)的延伸部，所述延伸部連接有連接部，在連接部上方設(shè)置第一補(bǔ)強(qiáng)片，在按鍵部下方設(shè)置第二補(bǔ)強(qiáng)片，第一補(bǔ)強(qiáng)片和第二補(bǔ)強(qiáng)片都是金屬材質(zhì)，質(zhì)地較硬，可以對柔性線路板起到較好的補(bǔ)強(qiáng)效果。

但是，現(xiàn)有技術(shù)中的大多數(shù)金屬材質(zhì)的補(bǔ)強(qiáng)片在使用過程中容易發(fā)熱，加劇了電子產(chǎn)品內(nèi)部的產(chǎn)熱，使熱量更不容易散發(fā)出去，嚴(yán)重時(shí)會燒壞電子產(chǎn)品內(nèi)部的零件，或者造成電子產(chǎn)品反應(yīng)不靈敏。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種能夠吸收金屬補(bǔ)強(qiáng)片周圍環(huán)境的熱量的手機(jī)鋼片補(bǔ)強(qiáng)件。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)目的是通過以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn)的：

一種手機(jī)鋼片補(bǔ)強(qiáng)件，包括金屬片，所述金屬片上設(shè)有打底層，所述打底層上設(shè)有用于吸收周圍環(huán)境所積聚的熱量的吸熱層，所述吸熱層上設(shè)有用于防止金屬片與其他導(dǎo)體接觸時(shí)發(fā)生串聯(lián)導(dǎo)電的絕緣層。

通過采用上述技術(shù)方案，打底層有助于增加金屬片上層各個(gè)涂層與金屬片之間的結(jié)合能力，以保證上層各個(gè)涂層更好地發(fā)揮各自性能；吸熱層對金屬片周圍環(huán)境中的熱量進(jìn)行吸收，使金屬片附近的熱量得到快速地散發(fā)，避免了因零件內(nèi)部溫度過高造成內(nèi)部零件的損壞，同時(shí)吸熱層的溫度又不會急劇升高；絕緣層保證了該補(bǔ)強(qiáng)片在與電子產(chǎn)品內(nèi)的導(dǎo)體串聯(lián)時(shí)，避免發(fā)生導(dǎo)電現(xiàn)象，從而使該補(bǔ)強(qiáng)片在使用過程中安全性更高、穩(wěn)定性更強(qiáng)。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述打底層為堿性銅層。

通過采用上述技術(shù)方案，堿性銅層中含有金屬銅，它是標(biāo)準(zhǔn)電極電位較正的金屬，堿性銅層表面會產(chǎn)生一定的沉積，填補(bǔ)了堿性銅層的空隙，從而提高金屬片與上層各個(gè)涂層之間的結(jié)合強(qiáng)度，堿性銅層可以作為優(yōu)異的打底層，有助于其他各個(gè)涂層設(shè)置在金屬片上。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述吸熱層為Al-N/Al復(fù)合材料層。

通過采用上述技術(shù)方案，Al-N/Al復(fù)合材料層的吸收比為0.92，法向發(fā)射比在100℃下為0.06，可見，Al-N/Al復(fù)合材料層具有較好的吸熱作用，而且具有不利于向周圍發(fā)散熱量的特性，可以利用Al-N/Al復(fù)合材料層自身消化、吸收熱量，而且可以通過磁控濺射技術(shù)噴鍍在金屬片的表面，實(shí)現(xiàn)了在金屬片的表面大面積鍍制該種吸熱層，起到較好的吸熱降溫的效果，有效避免金屬片表面產(chǎn)熱過多積聚熱量過大。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述絕緣層為PTFE包覆膜。

通過采用上述技術(shù)方案，PTFE包覆膜具有優(yōu)異的抗酸、抗堿、抗有機(jī)溶劑，同時(shí)，PTFE包覆膜具有良好的耐高溫與耐低溫性，使用溫度可高達(dá)250℃和-196℃，并保持5%的伸長率；而且還具有優(yōu)良的電絕緣性，能夠抵抗1500V的高電壓，可以作為優(yōu)良的絕緣材料使用，包覆在金屬片表面上具有優(yōu)異的綜合性能。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述吸熱層與絕緣層之間設(shè)有用于增強(qiáng)的TiN復(fù)合層。

通過采用上述技術(shù)方案，TiN的硬度為1800~2000HV，呈金黃色，TiN復(fù)合層具有優(yōu)良的高硬度、高耐磨及抗腐蝕性， TiN復(fù)合層設(shè)置在吸熱層與絕緣層之間，有助于提高吸熱層與絕緣層之間的連接強(qiáng)度，而且，有效提高了金屬片上部各個(gè)涂層的整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，使該補(bǔ)強(qiáng)件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度得到明顯提高，進(jìn)一步發(fā)揮補(bǔ)強(qiáng)作用。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述堿性銅層的厚度為1~2μm。

通過采用上述技術(shù)方案，打底層的厚度設(shè)置在1~2μm之間，厚度較薄時(shí)還具有一定的吸附作用，有助于上面各個(gè)涂層與金屬片進(jìn)行有效的連接作用，該厚度范圍的堿性銅層起到較好的打底作用；若堿性銅層的厚度大于2μm，則吸附作用顯著降低，若堿性銅層的厚度小于1μm，則打底效果不佳，所以堿性銅層的厚度設(shè)置在1~2μm。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述Al-N/Al復(fù)合材料層的厚度為0.3~3μm。

通過采用上述技術(shù)方案，電子產(chǎn)品在工作過程中會產(chǎn)生熱量，而Al-N/Al復(fù)合材料層具有良好的吸收熱量的作用，將金屬片上的熱量進(jìn)行大幅吸收，有效降低了金屬片上的溫升，利用磁控濺射在金屬片表面上鍍制的Al-N/Al復(fù)合材料層的厚度為0.3~3μm，在此范圍內(nèi)的吸熱層吸熱效果最佳；如果吸熱層的厚度大于3μm，則由于吸熱層自身厚度過大，會延緩吸熱效果，如果吸熱層的厚度小于0.3μm，則由于厚度過小，所起到的吸熱效果不佳。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述PTFE包覆膜的厚度為0.1~1mm。

通過采用上述技術(shù)方案，PTFE包覆膜包覆在金屬片的最外層，限定該包覆膜的厚度在0.1~1mm，將金屬片的外表面進(jìn)行包圍，使該包覆膜發(fā)揮PTFE的耐腐蝕、防銹、絕緣等優(yōu)異的性能；如果PTFE包覆膜的厚度大于1mm，包覆在金屬片外表面上，會增大金屬片的整體厚度，不利于輕量化電子零件的趨勢，如果PTFE包覆膜的厚度小于0.1mm，則容易發(fā)生破損，不能很好的保護(hù)該補(bǔ)強(qiáng)片。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述TiN復(fù)合層的厚度為3~7μm。

通過采用上述技術(shù)方案，限定TiN復(fù)合層的厚度為3~7μm，該厚度范圍的TiN復(fù)合層具有高強(qiáng)度、高耐磨以及高防腐蝕性能；如果厚度大于7μm，則會導(dǎo)致金屬片整體厚度過大，而如果厚度小于3μm，則會減弱補(bǔ)強(qiáng)作用。

本實(shí)用新型進(jìn)一步設(shè)置為：所述PTFE包覆膜的表面在沿PTFE包覆膜的長度方向上設(shè)有若干個(gè)凸棱，所述凸棱的表面在沿凸棱的寬度方向上設(shè)有若干個(gè)加強(qiáng)紋路。

通過采用上述技術(shù)方案，凸棱以及設(shè)置在凸棱上的加強(qiáng)紋路均能提高包覆膜的表面強(qiáng)度，進(jìn)一步增強(qiáng)該P(yáng)TFE包覆膜的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

綜上所述，本實(shí)用新型具有以下有益效果：

1、在金屬片上依次設(shè)置打底層、吸熱層與絕緣層，吸熱層選用Al-N/Al復(fù)合材料層，能夠快速的將周圍環(huán)境的熱量進(jìn)行吸收，而Al-N/Al復(fù)合材料層的溫度不會升高很多并進(jìn)行慢慢地散熱，顯著降低了金屬片在使用過程中由于周圍環(huán)境溫升過大造成的發(fā)熱、發(fā)燙，并導(dǎo)致周圍零件的燒壞等不良現(xiàn)象；

2、設(shè)置打底層，則能夠?qū)饘倨砻孢M(jìn)行清潔，同時(shí)能夠增加金屬片及其上層的鍍層之間的連接強(qiáng)度，使上層的鍍層較牢固地鍍在金屬片上；

3、設(shè)置TiN復(fù)合層，則顯著增加了金屬片上所鍍制的各個(gè)涂層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，保證了在金屬片上的各個(gè)涂層的整體強(qiáng)度，大大提高了該補(bǔ)強(qiáng)件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

附圖說明

圖1是實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是實(shí)施例中加強(qiáng)紋路的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1、金屬片；2、打底層；3、吸熱層；4、TiN復(fù)合層；5、PTFE包覆膜；6、凸棱；7、加強(qiáng)紋路。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

實(shí)施例:

一種手機(jī)鋼片補(bǔ)強(qiáng)件，如圖1所示，包括方形的金屬片1，材質(zhì)為金屬Al，在金屬片1上電鍍有打底層2，在打底層2上采用磁控濺射的方式鍍制有吸熱層3，在吸熱層3上采用等離子體輝光濺射鍍制有TiN復(fù)合層4，在TiN復(fù)合層4上環(huán)繞包覆有PTFE包覆膜5。

如圖1所示，打底層2為堿性銅層，堿性銅層的制備過程如下：采用氰化銅電解液在金屬片1的表面上進(jìn)行去油，然后利用自來水進(jìn)行沖洗，沖洗后使用硫化鈉活化液進(jìn)行活化，施加反向電壓10~15V，通電量為0.7~1A?h/dm²；繼續(xù)用水進(jìn)行沖洗，利用堿性硫酸銅溶液進(jìn)行打底，施加正向電壓6~8V，打底層2的厚度為1~2μm。

如圖1所示，利用磁控濺射的方式在打底層2上鍍有吸熱層3，吸熱層3為Al-N/Al復(fù)合材料層，Al-N/Al復(fù)合材料參見殷志強(qiáng)發(fā)表的《漸變Al-N/Al太陽選擇性吸收表面》，Al-N/Al復(fù)合材料具有優(yōu)良的吸熱效果，將金屬片1周圍環(huán)境中的熱量大幅吸收，該吸熱材料能夠?qū)⒅車鸁崃砍浞治眨鼰岵牧仙系臏厣桓?，限定Al-N/Al復(fù)合材料層的厚度為0.3~3μm，有助于降低金屬片1的周圍環(huán)境，延長金屬片1在電子產(chǎn)品內(nèi)的使用時(shí)間以及有效發(fā)揮補(bǔ)強(qiáng)作用。

如圖1所示，在吸熱層3上利用等離子體輝光濺射鍍制TiN復(fù)合層4，具體制備過程參見劉燕萍發(fā)表的《等離子體輝光濺射反應(yīng)復(fù)合滲鍍合成TiN的研究》，在此不作過多贅述，所制備的TiN復(fù)合層4厚度為3~7μm。

如圖1所示，在TiN復(fù)合層4上包覆有PTFE包覆膜5，該包覆膜的厚度為0.1~1mm，將厚度為1mm的PTFE包覆膜5環(huán)繞包覆在金屬片1的最外層，具有優(yōu)異的絕緣、防腐以及耐高溫等優(yōu)良性能。

如圖2所示，在PTFE包覆膜5的表面在沿PTFE包覆膜5的長度方向上具有若干個(gè)凸棱6，形狀為彎曲的條紋狀，材質(zhì)為ABS樹脂，采用膠粘的方式將凸棱6膠粘在PTFE包覆膜5上，在凸棱6上沿凸棱6的寬度方向上注塑有加強(qiáng)紋路7，加強(qiáng)紋路7為長條狀，凸棱6和加強(qiáng)紋路7為一體注塑成型，作為整體結(jié)構(gòu)膠粘在PTFE包覆膜5的表面上，有助于提高PTFE包覆膜5的表面強(qiáng)度，進(jìn)而明顯提高了金屬片1的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

本具體實(shí)施例僅僅是對本實(shí)用新型的解釋，其并不是對本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但只要在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。