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高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置及蝕刻方法與流程

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技術(shù)特征:

1.高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置,其特征在于:包括用于對(duì)待加工件(6)進(jìn)行水洗的快排清洗槽(1)、用于對(duì)待加工件進(jìn)行腐蝕和粗化處理的陽(yáng)極氧化腐蝕槽(2)、用于對(duì)表面未蝕刻干凈的待加工件進(jìn)行蝕刻的微蝕槽(3)以及用于對(duì)待加工件進(jìn)行烘干的烘干槽(4);所述待加工件包括高密度基板(61),基板(61)上附著有金屬種子層(62),金屬種子層(62)上設(shè)置有圖形電鍍線路(63);經(jīng)半加成處理的待加工件以垂直掛板方式通過(guò)金屬掛架(5)按照工藝流程依次懸掛在上述各槽中完成快速蝕刻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置,其特征在于:所述金屬掛架(5)包括包括橫梁和垂直設(shè)置在橫梁兩端的兩根支架,所述待加工件固定在金屬掛架上,待加工件的金屬種子層與金屬掛架的支架相接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置,其特征在于:所述快排清洗槽(1)包括清洗槽(11)和設(shè)置在清洗槽下方的廢水箱(12),清洗槽(11)底端和廢水箱(12)進(jìn)水口之間通過(guò)快排閥(13)實(shí)現(xiàn)連通與分離;所述清洗槽(11)的中上部?jī)?nèi)壁上設(shè)置有向懸掛在清洗槽中的待加工件噴灑高純水的高純水噴淋口(16)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置,其特征在于:所述清洗槽(11)底部的內(nèi)壁上設(shè)置有用于向清洗槽內(nèi)的高純水噴射氣體以攪拌高純水的氮?dú)夤陌埽?5),氮?dú)夤陌埽?5)與設(shè)置在清洗槽外的氮?dú)庠催B通。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置,其特征在于:所述陽(yáng)極氧化腐蝕槽(2)包括填充有電解液的腐蝕槽(21),腐蝕槽(21)中懸掛有與待加工件相對(duì)的陰極板(23),腐蝕槽(21)外設(shè)置有為待加工件(6)和陰極板(23)提供電源的電池(24)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置,其特征在于:所述微蝕槽(3)包括盛裝有微蝕藥水的微蝕槽體(31),浸沒(méi)微蝕藥水的微蝕槽體(31)內(nèi)壁上設(shè)置有向待加工件噴射微蝕藥水的循環(huán)噴射口(17);所述微蝕槽體(31)的底部設(shè)置有用于向微蝕槽內(nèi)的微蝕藥水噴射氣體以攪拌微蝕藥水的氮?dú)夤陌埽?5)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置,其特征在于:所述烘干槽(4)包括烘干槽體(41),位于待加工件上方的烘干槽體(41)內(nèi)壁上設(shè)置有朝向待加工件的上噴口(43),環(huán)待加工件的烘干槽體(41)內(nèi)壁上設(shè)置有若干噴口向下傾斜的水平噴口(44);所述烘干槽體(41)的底部成漏斗狀,漏斗狀烘干槽體(41)底部設(shè)置有出水口(45)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻裝置,其特征在于:所述烘干槽體(41)內(nèi)設(shè)置有勻流板(42),位于勻流板與漏斗狀底部的烘干槽體(41)側(cè)壁上設(shè)置有通向外界的排風(fēng)管(46),排風(fēng)管(46)的進(jìn)風(fēng)口朝向出水口設(shè)置。

9.一種如權(quán)利要求1至8所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻方法,其特征在于,具體包括以下步驟:

A.將待加工件垂直懸掛在快排清洗槽中,水洗2-3次,去除基板表面的殘留顆粒;

B.將水洗后的待加工件垂直懸掛在陽(yáng)極氧化腐蝕槽中,并使待加工件沒(méi)入電解液中;采用導(dǎo)線將待加工件的金屬掛架與電池正極連接,將電池的負(fù)極與陰極板連接;進(jìn)行整體陽(yáng)極氧化快速腐蝕掉電鍍種子層金屬,同時(shí)將電鍍線路表面進(jìn)行粗糙化處理;

C.將腐蝕后的待加工件垂直懸掛在快排清洗槽中,水洗至少5次;

D. 將水洗后的待加工件垂直懸掛在微蝕槽中,并使待加工件沒(méi)入微蝕藥水中,將未腐蝕掉的銅牙中的銅殘留顆粒腐蝕掉;

E. 將微蝕后的待加工件垂直懸掛在快排清洗槽中,水洗至少5次;

F. 將水洗后的待加工件垂直懸掛在烘干槽中,向烘干槽中充入加溫度到60℃的氮?dú)?,上噴口和水平噴口全部打開(kāi),吹干3-5分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高密度基板半加成工藝種子層快速蝕刻方法,其特征在于:步驟B中的電解液采用2%-10%重量比的硫酸,電解電流為0.1A/cm2-0.6A/dm2。

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