1.一種晶體振蕩器，包括補償電路、晶片和基座，其特征在于，
還包括封裝腔體，所述晶片設置在所述封裝腔體內；
所述封裝腔體的下表面與所述基座貼合，所述封裝腔體的上表面與所述補償電路貼合；
所述晶片與所述基座電氣連接；
所述補償電路與所述基座電氣連接。
2.根據權利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述封裝腔體的上表面設有第一電氣連接部，所述第一電氣連接部與所述基座通過鍵合線電氣連接；所述第一電氣連接部還與所述晶片電氣連接。
3.根據權利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述補償電路上設有第二電氣連接部，所述第二電氣連接部位于所述補償電路遠離所述封裝腔體的一側，與所述基座通過鍵合線電氣連接。
4.根據權利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述封裝腔體的材料為陶瓷。
5.根據權利要求1所述的晶體振蕩器，其特征在于，還包括上蓋，所述基座的中部設有第一凹槽，所述上蓋的下表面與所述第一凹槽的槽底貼合。
6.根據權利要求5所述的晶體振蕩器，其特征在于，所述第一凹槽的槽底還設有第二凹槽，所述第二凹槽的開口面積小于所述第一凹槽的開口面積，所述封裝腔體和補償電路設置在所述第二凹槽中。
7.一種晶體振蕩器的生產方法，其特征在于，包括：
S10：用封裝腔體將晶片進行封裝；
S20：將所述封裝腔體的下表面與基座進行連接；
S30：將補償電路與所述封裝腔體進行連接；
S40：通過鍵合線將晶片與基座電氣連接；通過鍵合線將補償電路與基座電氣連接；
S50：將上蓋與基座連接，完成封裝。
8.根據權利要求7所述的晶體振蕩器的生產方法，其特征在于，所述S20具體為：通過點膠的方式將所述封裝腔體的下表面與基座進行連接。
9.根據權利要求7所述的晶體振蕩器的生產方法，其特征在于，所述S30具體為：將補償電路上遠離其第二電氣連接部的一側與封裝腔體的上表面進行連接。
10.根據權利要求7所述的晶體振蕩器的生產方法，其特征在于，所述S40和S50之間還包括：
S41：對晶片與基座之間的電氣連接和補償電路與基座之間的電氣連接進行檢測。