本發(fā)明實施例涉及晶體振蕩器技術領域，尤其涉及一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)。

背景技術：

晶體振蕩器是一種高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器，被廣泛應用于彩電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中作為頻率發(fā)生器，為數(shù)據(jù)處理設備產(chǎn)生時鐘信號和為特定系統(tǒng)提供基準信號。

目前，行業(yè)內(nèi)通用的晶體振蕩器頻率準確度調(diào)試方法是：將待調(diào)試的晶體振蕩器上預留調(diào)試位，給后續(xù)的調(diào)試工位來焊接頻率準確度調(diào)試電容和壓控調(diào)試電阻；在調(diào)試時，通過人工讀取頻率計的頻率和規(guī)格要求的頻率值比較，操作人員大概估算出一個容值和阻值的調(diào)試電容和調(diào)試電阻，而后焊接到晶體振蕩器的預留調(diào)試位上，再讀取頻率值；如果頻率值沒有達到要求，則拆除調(diào)試電容和調(diào)試電阻，重復執(zhí)行焊接和讀取的操作，通過三到五次的嘗試調(diào)整后才可以把產(chǎn)品頻率準確度調(diào)試準確。

該方法通過多次的調(diào)試，實現(xiàn)晶體振蕩器的頻率準確度調(diào)試，但是對操作人員的焊接技術要求比較高，多次焊接容易對產(chǎn)品留下隱患，還有調(diào)試時間長生產(chǎn)效率低等不足之處。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)，以實現(xiàn)晶體振蕩器頻率的準確調(diào)試。

為達此目的，本發(fā)明采用以下技術方案：

一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)，包括：

測試模塊，包括可調(diào)電容模塊、可調(diào)電阻模塊和可調(diào)電源；

連接裝夾單元，所述連接裝夾單元的輸入端分別連接所述可調(diào)電容模塊、可調(diào)電阻模塊和可調(diào)電源的輸出端，所述連接裝夾單元的輸出端用于連接待調(diào)試晶體振蕩器的調(diào)試位；

頻率計，用于與待調(diào)試晶體振蕩器相連，讀取頻率；

計算控制模塊，與所述測試模塊的控制端和頻率計相連，用于分別輸出電容控制參數(shù)、電阻控制參數(shù)和電源控制參數(shù)給所述可調(diào)電容模塊、可調(diào)電阻模塊和可調(diào)電源，以形成所需的電容值、電阻值和電源值，加載到所述待調(diào)試晶體振蕩器的調(diào)試位上，并用于讀取所述待調(diào)試晶體振蕩器的頻率，根據(jù)讀取的頻率調(diào)整電容控制參數(shù)、電阻控制參數(shù)和電源控制參數(shù)。

進一步地，上述調(diào)試系統(tǒng)中，所述可調(diào)電容模塊為可調(diào)電容陣列，包括至少兩個電容和開關，用于根據(jù)所述電容控制參數(shù)切換開關的導通或斷開，以組合電容的連接關系，形成所需電容值。

進一步地，上述調(diào)試系統(tǒng)中，所述可調(diào)電阻模塊為可調(diào)數(shù)字電阻器。

進一步地，上述調(diào)試系統(tǒng)中，所述可調(diào)電源包括：基礎電源控制單元和牽引電源控制單元；

所述基礎電源控制單元，連接在計算控制模塊和連接裝夾單元之間，用于根據(jù)基礎電源控制參數(shù)輸出所需的基礎電源；

所述牽引電源控制單元，連接在計算控制模塊和連接裝夾單元之間，用于根據(jù)牽引電源控制參數(shù)，對帶壓控的待調(diào)試晶體振蕩器輸出所需的中心壓控電壓，對不帶壓控的待調(diào)試晶體振蕩器輸出0V電壓。

進一步地，上述調(diào)試系統(tǒng)中，所述計算控制模塊包括：

計算機，用于接收調(diào)試員的操作指令；

MCU，與所述計算機相連，用于根據(jù)所述操作指令產(chǎn)生對應的電容控制參數(shù)、電阻控制參數(shù)和電源控制參數(shù)。

進一步地，上述調(diào)試系統(tǒng)中，所述計算控制模塊包括：

曲線繪制單元，用于根據(jù)讀取的頻率繪制出頻率值與電阻和電容的對應曲線關系；

阻容計算單元，用于根據(jù)曲線關系計算得到所述待調(diào)試晶體振蕩器準確頻率值范圍內(nèi)的目標電阻和目標電容，以形成所述電容控制參數(shù)和電阻控制參數(shù)。

進一步地，上述調(diào)試系統(tǒng)中，所述計算控制模塊還包括：

補償運算單元，與所述阻容計算單元相連，用于根據(jù)所述待調(diào)試晶體振蕩器的信息調(diào)取指標庫中錄入的補償值，采用所述補償值對所述目標電阻和目標電容進行補償處理。

本發(fā)明通過模擬改變待調(diào)試晶體振蕩器調(diào)試位的阻、容參數(shù)，實現(xiàn)快速準確地頻率準確度調(diào)試，優(yōu)化了生產(chǎn)工序，能夠提高生產(chǎn)效率，且降低晶體振蕩器在生產(chǎn)過程中的可靠性風險。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)的示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種晶體振蕩器頻率調(diào)試方法流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例二提供的一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)的示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關的部分而非全部結(jié)構。

實施例一

圖1是本發(fā)明實施例一提供的一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)的示意圖。如圖1所示，本發(fā)明實施例提供一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)，通過模擬改變待調(diào)試晶體振蕩器調(diào)試位的阻、容參數(shù)，實現(xiàn)快速準確地頻率準確度調(diào)試，解決了操作人員在調(diào)試過程中多次焊接對產(chǎn)品造成的安全隱患和生產(chǎn)效率低的問題。

所述晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)，包括測試模塊10，包括可調(diào)電容模塊11、可調(diào)電阻模塊12和可調(diào)電源13；

連接裝夾單元20，所述連接裝夾單元20的輸入端分別連接所述可調(diào)電容模塊11、可調(diào)電阻模塊12和可調(diào)電源13的輸出端，所述連接裝夾單元20的輸出端用于連接待調(diào)試晶體振蕩器的調(diào)試位；

頻率計30，用于與待調(diào)試晶體振蕩器相連，讀取頻率；

計算控制模塊40，與所述測試模塊10的控制端和頻率計30相連，用于分別輸出電容控制參數(shù)、電阻控制參數(shù)和電源控制參數(shù)給所述可調(diào)電容模塊11、可調(diào)電阻模塊12和可調(diào)電源13，以形成所需的電容值、電阻值和電源值，加載到所述待調(diào)試晶體振蕩器的調(diào)試位上，并用于讀取所述待調(diào)試晶體振蕩器的頻率，根據(jù)讀取的頻率調(diào)整電容控制參數(shù)、電阻控制參數(shù)和電源控制參數(shù)。

上述方案中，由于不同類型的產(chǎn)品測試點的位置以及產(chǎn)品尺寸不同，因此所述連接裝夾單元20為可更換式，方便根據(jù)不同規(guī)格的產(chǎn)品進行更換。所述連接裝夾單元20與測試模塊10通過快速插拔的連接器連接，能把測試模塊10中的可調(diào)式電容模塊11和可調(diào)式電阻模塊12模擬的阻、容連接到產(chǎn)品的測試位，測試模塊10中的可調(diào)電源模塊13同時也連接到產(chǎn)品的各個接入點，給產(chǎn)品供電。

優(yōu)選的，所述可調(diào)電容模塊11為可調(diào)電容陣列，包括至少兩個電容和開關，用于根據(jù)所述電容控制參數(shù)切換開關的導通或斷開，以組合電容的連接關系，形成所需電容值；所述可調(diào)電阻模塊12為可調(diào)數(shù)字電阻器。

具體的，可調(diào)電容陣列是有很多電容和選通器件組成，可根據(jù)MCU的命令組合(電容和選通器件的并聯(lián)、串聯(lián))成不同的電容值；數(shù)字電阻器可根據(jù)MCU命令輸出不同的電阻值。計算機軟件通過控制協(xié)議設置不同值的電阻和電容環(huán)境。

需要說明的是，在頻率調(diào)試初始，MCU會命令可調(diào)電容陣列和可調(diào)電阻數(shù)字電阻器預先設置幾個到十幾個阻、容值數(shù)據(jù)，用于測試待調(diào)試晶體振蕩器的頻率，得到初步的數(shù)據(jù)；后續(xù)MCU下達命令中的阻、容值則為通過計算得到的待驗證目標阻、容值。

優(yōu)選的，所述可調(diào)電源13包括：基礎電源控制單元和牽引電源控制單元；

所述基礎電源控制單元，連接在計算控制模塊和連接裝夾單元之間，用于根據(jù)基礎電源控制參數(shù)輸出所需的基礎電源；

所述牽引電源控制單元，連接在計算控制模塊和連接裝夾單元之間，用于根據(jù)牽引電源控制參數(shù)，對帶壓控的待調(diào)試晶體振蕩器輸出所需的中心壓控電壓，對不帶壓控的待調(diào)試晶體振蕩器輸出0V電壓。

具體的，可調(diào)電源13的具體作用是計算機根據(jù)產(chǎn)品信息向MCU(微控制單元，Microcontroller Unit)下達需要的電源輸出要求，MCU再控制可調(diào)電源13中的基礎電源控制單元輸出產(chǎn)品需要的電源，給產(chǎn)品供電；而可調(diào)電源13中的牽引單元控制單元用于對合格產(chǎn)品在客戶使用過程中由于環(huán)境或人為因素出現(xiàn)的頻率跑偏、不穩(wěn)定等問題進行微調(diào)修正，所以牽引單元控制單元在產(chǎn)品調(diào)試頻率準確度的過程中，應當不干預電源的輸出。具體的，根據(jù)牽引電源控制參數(shù)，對帶壓控的待調(diào)試晶體振蕩器輸出所需的中心壓控電壓，對不帶壓控的待調(diào)試晶體振蕩器輸出0V電壓。

優(yōu)選的，所述計算控制模塊40包括計算機，用于接收調(diào)試員的操作指令；

MCU，與所述計算機相連，用于根據(jù)所述操作指令產(chǎn)生對應的電容控制參數(shù)、電阻控制參數(shù)和電源控制參數(shù)。

所述計算機包括曲線繪制單元和阻容計算單元，其中：

曲線繪制單元，用于根據(jù)讀取的頻率繪制出頻率值與電阻和電容的對應曲線關系；

阻容計算單元，用于根據(jù)曲線關系計算得到所述待調(diào)試晶體振蕩器準確頻率值范圍內(nèi)的目標電阻和目標電容，以形成所述電容控制參數(shù)和電阻控制參數(shù)。

需要說明的是，所述操作指令是指調(diào)試員根據(jù)產(chǎn)品信息對計算機進行數(shù)據(jù)輸入以完成相應調(diào)試動作的系統(tǒng)運行指令。

本發(fā)明實施例通過模擬改變待調(diào)試晶體振蕩器調(diào)試位的阻、容參數(shù)，實現(xiàn)快速準確地頻率準確度調(diào)試，優(yōu)化了生產(chǎn)工序，能夠提高生產(chǎn)效率，且降低晶體振蕩器在生產(chǎn)過程中的可靠性風險。

實施例二

圖2為本發(fā)明實施例二提供的一種晶體振蕩器頻率調(diào)試系統(tǒng)的示意圖。該系統(tǒng)在實施例一的基礎上，所述計算控制模塊40包括計算機41、MCU42；所述計算機41通過軟件和/或可實現(xiàn)以下功能單元，所述功能單元包括曲線繪制單元411、阻容計算單元412，優(yōu)選的，還包括補償運算單元413。

所述補償運算單元413與所述阻容計算單元412相連，用于根據(jù)所述待調(diào)試晶體振蕩器的信息調(diào)取指標庫中錄入的補償值，采用所述補償值對所述目標電阻和目標電容進行補償處理。

需要說明的是，由于實際在產(chǎn)品的阻容效果和在產(chǎn)品外的阻容效果有微小差異，所以需要介入補償值，根據(jù)不同的補償值運算出準確的結(jié)果。

具體的，當阻容計算單元412計算得到的所述目標電阻和目標電容調(diào)試驗證合格后，將當前阻容計算單元412中的所述目標電阻和目標電容與在指標庫中根據(jù)晶體振蕩器的信息調(diào)取的補償值進行運算處理，最后輸出給調(diào)試員進行調(diào)試和復檢。

為了更加清晰的展現(xiàn)本發(fā)明實施例的方案實施過程，下面以一具體步驟流程實例進行詳細介紹。參見圖3，圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種晶體振蕩器頻率調(diào)試方法流程示意圖。

S110、待調(diào)試產(chǎn)品通過連接裝夾單元裝夾到測試模塊后，可調(diào)電容模塊和可調(diào)電阻模塊接觸針接觸到產(chǎn)品阻、容調(diào)試位，基礎電源控制模塊、牽引電源控制模塊同時也接觸到產(chǎn)品的各個接入點，調(diào)試系統(tǒng)根據(jù)產(chǎn)品信息自動上電。

S120、調(diào)試系統(tǒng)的測試模塊會根據(jù)預先設置的幾個到十幾個數(shù)據(jù)設置阻、容值進行測試，頻率計會把測試到的該產(chǎn)品頻率傳輸給計算控制模塊中的曲線繪制單元。

S130、計算控制模塊中的曲線繪制單元根據(jù)采集到的數(shù)據(jù)繪制出頻率值和阻、容值曲線，然后阻容計算單元自動計算出產(chǎn)品頻率準確值范圍內(nèi)的阻、容值。

S140、計算機自動控制測試模塊按照計算出的阻、容值模擬驗證，直到達到合格。

S150、計算機控制模塊中的補償運算單元根據(jù)產(chǎn)品信息調(diào)取指標庫中錄入的補償值，然后將補償值和模擬合格的阻、容值進行運算，然后輸出最終的阻、容值給調(diào)試員。

S160、調(diào)試員根據(jù)輸出的最終阻、容值進行調(diào)試。

S170、調(diào)試后進行復檢，檢測調(diào)試結(jié)果是否OK。

S180、調(diào)試OK流入下工位，調(diào)試NG返回S160進行再調(diào)試。

本發(fā)明通過對模擬改變待調(diào)試晶體振蕩器調(diào)試位的阻、容參數(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)快速準確地頻率準確度調(diào)試得到目標電阻值和目標電容值，再由計算控制模塊中的補償運算單元對所述目標電阻值和目標電容值進行補償處理，從而得到準確的阻、容值結(jié)果，使得調(diào)試員只需按照調(diào)試系統(tǒng)提供的準確阻、容值結(jié)果進行一次焊接裝配，即可實現(xiàn)以前多次調(diào)整的準確度調(diào)試，不僅優(yōu)化了生產(chǎn)工序，還提高了生產(chǎn)效率，避免了晶體振蕩器在生產(chǎn)過程中由于多次焊接造成的安全隱患。

注意，上述僅為本發(fā)明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發(fā)明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本發(fā)明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發(fā)明進行了較為詳細的說明，但是本發(fā)明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發(fā)明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發(fā)明的范圍由所附的權利要求范圍決定。