本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體振蕩器及其生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的晶體振蕩器主要由帶腔體的陶瓷基座、晶片、補(bǔ)償電路和金屬蓋組成；在陶瓷基座內(nèi)有晶片焊接區(qū)和補(bǔ)償電路焊接區(qū)，補(bǔ)償電路一般通過倒裝工藝和陶瓷基座連接，晶片和陶瓷基座則是通過在晶片焊接區(qū)點(diǎn)銀膠的方式連接。

該結(jié)構(gòu)有如下幾點(diǎn)不足：

1)該結(jié)構(gòu)的補(bǔ)償電路與晶片之間存在空隙，屬于輻射傳熱，傳熱速度較慢；而補(bǔ)償電路則與陶瓷基座直接接觸，是接觸傳熱，傳熱速度較快。因此，補(bǔ)償電路與晶片的感溫速度不一致，從而使補(bǔ)償電路輸出的溫度補(bǔ)償數(shù)據(jù)與晶片的溫度數(shù)據(jù)不一致，使溫度補(bǔ)償存在誤差，最終導(dǎo)致溫度補(bǔ)償精度下降。

2)晶片只有一端的兩個(gè)電極通過點(diǎn)銀膠的方式與陶瓷基座相連，另一端懸空，其抗震性差。

3)該結(jié)構(gòu)的補(bǔ)償電路需要通過倒裝工藝最先被裝配到陶瓷基座內(nèi)，對(duì)于裝配過程中產(chǎn)生的不良產(chǎn)品無法識(shí)別，只有在整個(gè)晶體振蕩器全部封裝好后，最后檢測(cè)過程中才可識(shí)別。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)目的在于：提供一種晶體振蕩器，其可以有效解決由于晶片和補(bǔ)償電路的感溫速度不一致而導(dǎo)致溫度補(bǔ)償精度不高的問題。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于：提供一種晶體振蕩器的生產(chǎn)方法，可以生產(chǎn)出晶片和補(bǔ)償電路的感溫速度一致、溫度補(bǔ)償精度高的晶體振蕩器。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一方面，提供一種晶體振蕩器，包括補(bǔ)償電路、晶片和基座，還包括封裝腔體，所述晶片設(shè)置在所述封裝腔體內(nèi)；所述封裝腔體的下表面與所述基座貼合，所述封裝腔體的上表面與所述補(bǔ)償電路貼合；所述晶片與所述基座電氣連接；所述補(bǔ)償電路與所述基座電氣連接。

具體地，目前的晶體振蕩器的晶片一端與基座連接，另一端懸空。懸空結(jié)構(gòu)的晶片不僅溫度難以與補(bǔ)償電路一致，而且容易在震動(dòng)過程中發(fā)生折斷。而本發(fā)明的基座、晶片和補(bǔ)償電路通過直接接觸傳熱，溫度可快速趨于一致，從而使補(bǔ)償電路輸出的補(bǔ)償數(shù)據(jù)更精確，達(dá)到更高的補(bǔ)償精度。進(jìn)一步地，把晶片先封裝在封裝腔體內(nèi)，無懸空結(jié)構(gòu)，封裝腔體與底面直接接觸連接，晶片的抗震性得到充分提高。

作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，所述封裝腔體的上表面設(shè)有第一電氣連接部，所述第一電氣連接部與所述基座通過鍵合線電氣連接；所述第一電氣連接部還與所述晶片電氣連接。

作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，所述補(bǔ)償電路上設(shè)有第二電氣連接部，所述第二電氣連接部位于所述補(bǔ)償電路遠(yuǎn)離所述封裝腔體的一側(cè)，與所述基座通過鍵合線電氣連接。

具體地，把補(bǔ)償電路遠(yuǎn)離第二電氣連接部的一側(cè)固定在封裝腔體的上表面，補(bǔ)償電路上設(shè)有第二電氣連接部的一側(cè)露在外面，通過鍵合線與基座實(shí)現(xiàn)電氣連接，電氣連接的可靠性可以被直接檢測(cè)，在本工序就可以直接識(shí)別出不良產(chǎn)品。

作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，所述封裝腔體的材料為陶瓷。

具體地，當(dāng)封裝腔體的材料為陶瓷時(shí)，既可以實(shí)現(xiàn)高效傳熱，又可以防止內(nèi)部元器件短路。

作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，還包括上蓋，所述基座的中部設(shè)有第一凹槽，所述上蓋的下表面與所述第一凹槽的槽底貼合。

進(jìn)一步地，所述第一凹槽的槽底還設(shè)有第二凹槽，所述第二凹槽的開口面積小于所述第一凹槽的開口面積，所述封裝腔體和補(bǔ)償電路設(shè)置在所述第二凹槽中。

另一方面，提供一種晶體振蕩器的生產(chǎn)方法，包括：

S10：用封裝腔體將晶片進(jìn)行封裝；

S20：將所述封裝腔體的下表面與基座進(jìn)行連接；

S30：將補(bǔ)償電路與所述封裝腔體進(jìn)行連接；

S40：通過鍵合線將晶片與基座電氣連接；通過鍵合線將補(bǔ)償電路與基座電氣連接；

S50：將上蓋與基座連接，完成封裝。

進(jìn)一步地，所述S20具體為：通過點(diǎn)膠的方式將所述封裝腔體的下表面與基座進(jìn)行連接。

進(jìn)一步地，所述S30具體為：將補(bǔ)償電路上遠(yuǎn)離其第二電氣連接部的一側(cè)與封裝腔體的上表面進(jìn)行連接。

優(yōu)選地，通過點(diǎn)膠的方式將補(bǔ)償電路上遠(yuǎn)離其第二電氣連接部的一側(cè)與封裝腔體的上表面進(jìn)行連接。

作為一種優(yōu)選的實(shí)施方式，所述S40和S50之間還包括：

S41：對(duì)晶片與基座之間的電氣連接和補(bǔ)償電路與基座之間的電氣連接進(jìn)行檢測(cè)。

具體地，把補(bǔ)償電路遠(yuǎn)離第二電氣連接部的一側(cè)固定在封裝腔體的上表面，補(bǔ)償電路上設(shè)有第二電氣連接部的一側(cè)露在外面，通過鍵合線與基座實(shí)現(xiàn)電氣連接，電氣連接的可靠性可以被直接檢測(cè)，在本工序就可以直接識(shí)別出不良產(chǎn)品。

本發(fā)明的有益效果為：提供一種晶體振蕩器及其生產(chǎn)方法，通過將晶片設(shè)置在封裝腔體內(nèi)，然后通過鍵合線進(jìn)行電氣連接，可以達(dá)到以下有益效果：

1)陶瓷基座、晶片和補(bǔ)償電路通過接觸傳熱，溫度可快速趨于一致，從而使補(bǔ)償電路輸出的補(bǔ)償數(shù)據(jù)更精確，達(dá)到更高的補(bǔ)償精度；

2)把晶片先封裝在封裝腔體內(nèi)，封裝腔體與基座直接貼合，提高了晶片的抗震性；

3)無需采用倒裝工藝，在鍵合線連接的工序就可以直接識(shí)別出不良產(chǎn)品。

附圖說明

下面根據(jù)附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

圖1為實(shí)施例一所述的晶體振蕩器的爆炸圖；

圖2為實(shí)施例二所述的晶體振蕩器的生產(chǎn)方法框圖。

圖1～圖2中：

1、基座；

2、封裝腔體；201、第一電氣連接部；

3、晶片；

4、補(bǔ)償電路；401、第二電氣連接部；

5、上蓋。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

實(shí)施例一

如圖1所示，一種晶體振蕩器，包括補(bǔ)償電路4、晶片3、基座1和陶瓷材質(zhì)的封裝腔體2。晶片3設(shè)置在封裝腔體2內(nèi)，封裝腔體2的上表面設(shè)有與晶片3電氣連接的第一電氣連接部201；封裝腔體2的下表面與基座1貼合，第一電氣連接部201與基座1通過鍵合線實(shí)現(xiàn)電氣連接；封裝腔體2的上表面與補(bǔ)償電路4貼合，補(bǔ)償電路4上設(shè)有第二電氣連接部401，第二電氣連接部401位于補(bǔ)償電路4遠(yuǎn)離封裝腔體2的一側(cè)，與基座1通過鍵合線電氣連接。

具體地，目前的晶體振蕩器的晶片3一端與基座1連接，另一端懸空。懸空結(jié)構(gòu)的晶片3不僅溫度難以與補(bǔ)償電路4一致，而且容易在震動(dòng)過程中發(fā)生折斷。而本實(shí)施例的基座1、晶片3和補(bǔ)償電路4通過直接接觸傳熱，溫度可快速趨于一致，從而使補(bǔ)償電路4輸出的補(bǔ)償數(shù)據(jù)更精確，達(dá)到更高的補(bǔ)償精度。進(jìn)一步地，把晶片3先封裝在封裝腔體2內(nèi)，無懸空結(jié)構(gòu)，封裝腔體2與底面直接接觸連接，晶片3的抗震性得到充分提高。

進(jìn)一步地，把補(bǔ)償電路4遠(yuǎn)離第二電氣連接部401的一側(cè)固定在封裝腔體2的上表面，補(bǔ)償電路4上設(shè)有第二電氣連接部401的一側(cè)露在外面，通過鍵合線與基座1實(shí)現(xiàn)電氣連接，電氣連接的可靠性可以被直接檢測(cè)，在本工序就可以直接識(shí)別出不良產(chǎn)品。

于本實(shí)施例中，晶體振蕩器還包括上蓋5，基座1的中部設(shè)有第一凹槽，上蓋5的下表面與第一凹槽的槽底貼合。第一凹槽的槽底還設(shè)有第二凹槽，第二凹槽的開口面積小于第一凹槽的開口面積，封裝腔體2和補(bǔ)償電路4設(shè)置在第二凹槽中。

實(shí)施例二

一種晶體振蕩器的生產(chǎn)方法，包括：

S10：用封裝腔體2將晶片3進(jìn)行封裝，其中，封裝腔體2的一端的上表面設(shè)有與晶片3電氣連接的第一電氣連接部201；

S20：通過點(diǎn)膠的方式將封裝腔體2的下表面與基座1進(jìn)行連接；

S30：通過點(diǎn)膠的方式將補(bǔ)償電路4上遠(yuǎn)離其第二電氣連接部401的一側(cè)與封裝腔體2的上表面進(jìn)行連接；

S40：通過鍵合線將晶片3與基座1電氣連接；通過鍵合線將補(bǔ)償電路4與基座1電氣連接；

S41：對(duì)晶片3與基座1之間的電氣連接和補(bǔ)償電路4與基座1之間的電氣連接進(jìn)行檢測(cè)；

S50：將上蓋5與基座1連接，完成封裝。

具體地，本實(shí)施例提供的生產(chǎn)方法得到的晶體振蕩器，基座1、晶片3和補(bǔ)償電路4通過直接接觸傳熱，溫度可快速趨于一致，從而使補(bǔ)償電路4輸出的補(bǔ)償數(shù)據(jù)更精確，達(dá)到更高的補(bǔ)償精度。進(jìn)一步地，把晶片3先封裝在封裝腔體2內(nèi)，無懸空結(jié)構(gòu)，封裝腔體2與底面直接接觸連接，晶片3的抗震性得到充分提高。

再者，把補(bǔ)償電路4遠(yuǎn)離第二電氣連接部401的一側(cè)固定在封裝腔體2的上表面，補(bǔ)償電路4上設(shè)有第二電氣連接部401的一側(cè)露在外面，通過鍵合線與基座1實(shí)現(xiàn)電氣連接，電氣連接的可靠性可以被直接檢測(cè)，在本工序就可以直接識(shí)別出不良產(chǎn)品。

本文中的“第一”、“第二”僅僅是為了在描述上加以區(qū)分，并沒有特殊的含義。

需要聲明的是，上述具體實(shí)施方式僅僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理，在本發(fā)明所公開的技術(shù)范圍內(nèi)，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所容易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。