1.一種輸出端口電路，其特征在于，包括信號產(chǎn)生模塊、第一輸出模塊和第二輸出模塊，其中，
所述信號產(chǎn)生模塊分別接收輸入信號、使能信號和使能反信號，并根據(jù)所述使能信號和所述使能反信號生成第一信號和第二信號；其中，所述第一信號的上升沿比所述第二信號的上升沿先結(jié)束，所述第二信號的下降沿比所述第一信號的下降沿先結(jié)束；
所述第一輸出模塊分別與所述信號產(chǎn)生模塊的第一輸出端和輸出端口相連，所述第一輸出模塊接收所述第一信號，當所述第一信號處于低電平時，所述第一輸出模塊將所述輸入信號輸出至所述輸出端口；
所述第二輸出模塊分別與所述信號產(chǎn)生模塊的第二輸出端和所述輸出端口相連，所述第二輸出模塊接收所述第二信號，當所述第二信號處于高電平時，所述第二輸出模塊將所述輸入信號輸出至所述輸出端口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出端口電路，其特征在于，所述信號產(chǎn)生模塊包括：
第一或非門，所述第一或非門的第一輸入端接收所述輸入信號，所述第一或非門的第二輸入端接收所述使能反信號；
第一反相器，所述第一反相器的輸入端與所述第一或非門的輸出端相連；
第一P型場效應晶體管，所述第一P型場效應晶體管的柵端與所述第一反相器的輸出端相連，所述第一P型場效應晶體管的源端與電源相連；
第二P型場效應晶體管，所述第二P型場效應晶體管的柵端接收所述使能信號，所述第二P型場效應晶體管的源端與所述電源相連，所述第二P型場效應晶體管的漏端與所述第一P型場效應晶體管的漏端相連，所述第二P型場效應晶體管的漏端作為所述信號產(chǎn)生模塊的第一輸出端；
第一電阻單元，所述第一電阻單元的一端與所述第一P型場效應晶體管的漏端相連；
第一N型場效應晶體管，所述第一N型場效應晶體管的柵端與所述第一反相器的輸出端相連，所述第一N型場效應晶體管的漏端與所述第一電阻單元的另一端相連，所述第一N型場效應晶體管的源端接地，所述第一N型場效應晶體管的漏端作為所述信號產(chǎn)生模塊的第二輸出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輸出端口電路，其特征在于，所述第一電阻單元為第一電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出端口電路，其特征在于，所述信號產(chǎn)生模塊包括：
第一與非門，所述第一與非門的第一輸入端接收所述輸入信號，所述第一與非門的第二輸入端接收所述使能信號；
第二反相器，所述第二反相器的輸入端與所述第一與非門的輸出端相連；
第三P型場效應晶體管，所述第三P型場效應晶體管的柵端與所述第二反相器的輸出端相連，所述第三P型場效應晶體管的源端與電源相連，所述第三P型場效應晶體管的漏端作為所述信號產(chǎn)生模塊的第一輸出端；
第二電阻單元，所述第二電阻單元的一端與所述第三P型場效應晶體管的漏端相連；
第二N型場效應晶體管，所述第二N型場效應晶體管的柵端與所述第二反相器的輸出端相連，所述第二N型場效應晶體管的漏端與所述第二電阻單元的另一端相連，所述第二N型場效應晶體管的源端接地；
第三N型場效應晶體管，所述第三N型場效應晶體管的柵端接收所述使能反信號，所述第三N型場效應晶體管的漏端與所述第二N型場效應晶體管的漏端相連，所述第三N型場效應晶體管的源端接地，所述第三N型場效應晶體管的漏端作為所述信號產(chǎn)生模塊的第二輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輸出端口電路，其特征在于，所述第二電阻單元為第二電阻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出端口電路，其特征在于，所述信號產(chǎn)生模塊包括第二或非門、第三或非門、第二與非門和第四或非門，其中，
所述第二或非門的第一輸入端接收所述輸入信號，所述第二或非門的第二輸入端接收所述使能反信號；
所述第三或非門的第一輸入端與所述第二或非門的輸出端相連，所述第三或非門的第二輸入端與所述第四或非門的輸出端相連，所述第三或非門的輸出端作為所述信號產(chǎn)生模塊的第一輸出端；
所述第二與非門的第一輸入端接收所述輸入信號，所述第二與非門的第二輸入端接收所述使能信號；
所述第四或非門的第一輸入端與所述第二與非門的輸出端相連，所述第四或非門的第二輸入端與所述第三或非門的輸出端相連，所述第四或非門的輸出端作為所述信號產(chǎn)生模塊的第二輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輸出端口電路，其特征在于，所述信號產(chǎn)生模塊還包括第一反相器單元和第二反相器單元，其中，
所述第一反相器單元包括2N個串聯(lián)的第二反相器，N為大于或等于1的整數(shù)，所述第一反相器單元的輸入端與所述第三或非門的輸出端相連，所述第一反相器單元的輸出端作為所述信號產(chǎn)生模塊的第一輸出端，所述第一反相器單元的輸出端與所述第四或非門的第二輸入端相連；
所述第二反相器單元包括2N個串聯(lián)的第三反相器，所述第二反相器單元的輸入端與所述第四或非門的輸出端相連，所述第二反相器單元的輸出端作為所述信號產(chǎn)生模塊的第二輸出端，所述第二反相器單元的輸出端與所述第三或非門的第二輸入端相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的輸出端口電路，其特征在于，所述第二反相器和所述第三反相器為相同的反相器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出端口電路，其特征在于，所述第一輸出模塊包括：
第四P型場效應晶體管，所述第四P型場效應晶體管的柵端與所述信號產(chǎn)生模塊的第一輸出端相連，所述第四P型場效應晶體管的源端與電源相連，所述第四P型場效應晶體管的漏端與所述輸出端口相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輸出端口電路，其特征在于，所述第二輸出模塊包括：
第四N型場效應晶體管，所述第四N型場效應晶體管的柵端與所述信號產(chǎn)生模塊的第二輸出端相連，所述第四N型場效應晶體管的源端接地，所述第四N型場效應晶體管的漏端與所述輸出端口相連。