本發(fā)明大體而言涉及一時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器。

背景技術(shù)：

本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員能夠了解本公開內(nèi)容中微電子領(lǐng)域的用語與基本概念，所述用語與基本概念像是電壓、信號(hào)、邏輯信號(hào)、時(shí)鐘、相位、周期、跳變點(diǎn)(trip point)、電阻、電容、晶體管、MOS(金氧半導(dǎo)體)、PMOS(P通道金氧半導(dǎo)體)、NMOS(N通道金氧半導(dǎo)體)、源極、柵極、漏極、整流器(rectifier)、半波整流器(half-wave rectifier)、全波整流器(full-wave rectifier)、以及模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器。諸如此類的用語與基本概念對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易知的，因此相關(guān)細(xì)節(jié)在此將不予贅述。

于本公開中，一邏輯信號(hào)是指一種具有二種狀態(tài)的信號(hào)，所述二種狀態(tài)分別是「高」與「低」，也可說是「1」與「0」。為了說明簡潔，當(dāng)一邏輯信號(hào)處于所述「高」(「低」)狀態(tài)，我們可簡稱此邏輯信號(hào)為「高」(「低」)，或者簡稱此邏輯信號(hào)為「1」(「0」)。同樣地，為了說明簡潔，我們偶爾會(huì)省略引號(hào)，并簡稱該邏輯信號(hào)為高(低)，或簡稱此邏輯信號(hào)為1(0)，同時(shí)可以了解上述說明方式用于上下文脈絡(luò)中以說明該邏輯信號(hào)的一電平狀態(tài)。

當(dāng)一邏輯信號(hào)為高，其被稱為確立(asserted)；當(dāng)一邏輯信號(hào)為低，其被稱為停止確立(de-asserted)。

一時(shí)鐘信號(hào)是一周期性的邏輯信號(hào)而具有一周期。為了說明簡潔，此后的說明中，「時(shí)鐘信號(hào)」會(huì)被簡稱為「時(shí)鐘」。

一時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器接收一第一時(shí)鐘與一第二時(shí)鐘并輸出一數(shù)字碼來代表該第一與第二時(shí)鐘間的一時(shí)序差異(timing difference)。時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器屬于本領(lǐng)域的現(xiàn)有技藝，其細(xì)節(jié)在此不予贅述。

一自我校準(zhǔn)多相位時(shí)鐘電路(self-calibrating multi-phase clock circuit)公開于一申請(qǐng)中的案件名為「自我校準(zhǔn)之多相位時(shí)脈電路及其方法」，其使用一時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器來對(duì)一多相位時(shí)鐘執(zhí)行校準(zhǔn)作業(yè)。通常而言，校準(zhǔn)作業(yè)無法非常精確，除非該時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器具有高解析度(high resolution)；此外，若該多相位時(shí)鐘具有一高頻率，該時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器需能解析(resolve)一高頻時(shí)鐘的時(shí)序，然而設(shè)計(jì)一個(gè)具有高解析度且能夠解析高頻時(shí)鐘的時(shí)序的時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器是非常困難的，舉例而言，以高達(dá)1ps(兆分之一秒)的解析度來解析一多相位時(shí)鐘(頻率為25GHz)的時(shí)序是相當(dāng)困難的事。

本領(lǐng)域所需要的是一個(gè)具有高解析度且能夠解析高頻時(shí)鐘的時(shí)序的時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

依據(jù)一示范性的實(shí)施例，本發(fā)明的一面向(aspect)在于使用一整流器以轉(zhuǎn)換一時(shí)鐘信號(hào)的一時(shí)序偏移并產(chǎn)生一整流信號(hào)、濾波該整流信號(hào)以產(chǎn)生一濾波信號(hào)、以及轉(zhuǎn)換該濾波信號(hào)以產(chǎn)生一數(shù)字碼來代表該時(shí)序偏移。

依據(jù)一示范性的實(shí)施例，本發(fā)明的一面向在于使用一傳輸閘做為一整流器，藉此轉(zhuǎn)換一時(shí)鐘信號(hào)的一時(shí)序偏移并產(chǎn)生一整流信號(hào)、濾波該整流信號(hào)以產(chǎn)生一濾波信號(hào)、以及轉(zhuǎn)換該濾波信號(hào)以產(chǎn)生一數(shù)字碼來代表該時(shí)序偏移。

于一示范性的實(shí)施例中，本發(fā)明的一電路包含：一整流器，用來接收一第一時(shí)鐘信號(hào)與一第二時(shí)鐘信號(hào)并輸出一整流信號(hào)，其中該第二時(shí)鐘信號(hào)與該第一時(shí)鐘信號(hào)的差異在于一時(shí)序偏移；一低通濾波器，用來接收該整流信號(hào)并輸出一濾波信號(hào)；以及一模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器，用來將該濾波信號(hào)轉(zhuǎn)換成一數(shù)字信號(hào)。于一示范性的實(shí)施例中，該整流器包含一第一半波整流器，該第一半波整流器包含：一第一類型的傳輸閘，用來依據(jù)該第二時(shí)鐘信號(hào)傳遞該第一時(shí)鐘信號(hào)至該整流信號(hào)的一第一端。于一示范性的實(shí)施例中，該第一類型的傳輸閘包含：一第一類型的MOS(金氧半導(dǎo)體)晶體管，其中該第一類型的MOS晶體管的一源極、一柵極與一漏極分別耦接至該第一時(shí)鐘信號(hào)、該第二時(shí)鐘信號(hào)以及該整流信號(hào)的該第一端。于一示范性的實(shí)施例中，該第一類型的傳輸閘進(jìn)一步包含：一第二類型的MOS晶體管，其中該第二類型的MOS晶體管的一源極、一柵極與一漏極分別耦接至該第二時(shí)鐘信號(hào)、該第二時(shí)鐘信號(hào)以及該整流信號(hào)的該第一端。于一示范性的實(shí)施例中，該第一半波整流器進(jìn)一步包含：一第二類型的傳輸閘，用來依據(jù)該第一時(shí)鐘信號(hào)傳遞該第二時(shí)鐘信號(hào)至該整流信號(hào)的一第二端。于一示范性的實(shí)施例中，該第二類型的傳輸閘包含：一第二類型的MOS晶體管，其中該第二類型的MOS晶體管的一源極、一柵極與一漏極分別耦接至該第二時(shí)鐘信號(hào)、該第一時(shí)鐘信號(hào)以及該整流信號(hào)的該第二端。于一示范性的實(shí)施例中，該第二類型的傳輸閘進(jìn)一步包含：一第一類型的MOS晶體管，其中該第一類型的MOS晶體管的一源極、一柵極與一漏極分別耦接至該第一時(shí)鐘信號(hào)、該第一時(shí)鐘信號(hào)以及該整流信號(hào)的該第二端。于一示范性的實(shí)施例中，該整流器進(jìn)一步包含一第二半波整流器，該第二半波整流器與該第一半波整流器的差異在于該第一時(shí)鐘信號(hào)與該第二時(shí)鐘信號(hào)的角色互換。于一示范性的實(shí)施例中，該低通濾波器包含一分流電容。于一示范性的實(shí)施例中，該低通濾波器進(jìn)一步包含一串聯(lián)電阻。

于一示范性的實(shí)施例中，本發(fā)明的一方法包含：接收一第一時(shí)鐘信號(hào)與一第二時(shí)鐘信號(hào)，其中該第二時(shí)鐘信號(hào)與該第一時(shí)鐘信號(hào)的差異在于一時(shí)序偏移；使用一整流器整流該第一時(shí)鐘信號(hào)與該第二時(shí)鐘信號(hào)之間的一差異以產(chǎn)生一整流信號(hào)；使用一低通濾波器濾波該整流信號(hào)以產(chǎn)生一濾波信號(hào)；以及使用一模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換該濾波信號(hào)以產(chǎn)生一數(shù)字信號(hào)。于一示范性的實(shí)施例中，該整流器包含一第一半波整流器，該第一半波整流器包含：一第一類型的傳輸閘，用來依據(jù)該第二時(shí)鐘信號(hào)傳遞該第一時(shí)鐘信號(hào)至該整流信號(hào)的一第一端。于一示范性的實(shí)施例中，該第一類型的傳輸閘包含：一第一類型的MOS(金氧半導(dǎo)體)晶體管，其中該第一類型的MOS晶體管的一源極、一柵極與一漏極分別耦接至該第一時(shí)鐘信號(hào)、該第二時(shí)鐘信號(hào)以及該整流信號(hào)的該第一端。于一示范性的實(shí)施例中，該第一類型的傳輸閘進(jìn)一步包含：一第二類型的MOS晶體管，其中該第二類型的MOS晶體管的一源極、一柵極與一漏極分別耦接至該第二時(shí)鐘信號(hào)、該第二時(shí)鐘信號(hào)以及該整流信號(hào)的該第一端。于一示范性的實(shí)施例中，該第一半波整流器進(jìn)一步包含：一第二類型的傳輸閘，用來依據(jù)該第一時(shí)鐘信號(hào)傳遞該第二時(shí)鐘信號(hào)至該整流信號(hào)的一第二端。于一示范性的實(shí)施例中，該第二類型的傳輸閘包含：一第二類型的MOS晶體管，其中該第二類型的MOS晶體管的一源極、一柵極與一漏極分別耦接至該第二時(shí)鐘信號(hào)、該第一時(shí)鐘信號(hào)以及該整流信號(hào)的該第二端。于一示范性的實(shí)施例中，該第二類型的傳輸閘進(jìn)一步包含：一第一類型的MOS晶體管，其中該第一類型的MOS晶體管的一源極、一柵極與一漏極分別耦接至該第一時(shí)鐘信號(hào)、該第一時(shí)鐘信號(hào)以及該整流信號(hào)的該第二端。于一示范性的實(shí)施例中，該整流器進(jìn)一步包含一第二半波整流器，該第二半波整流器與該第一半波整流器的差異在于該第一時(shí)鐘信號(hào)與該第二時(shí)鐘信號(hào)的角色互換。于一示范性的實(shí)施例中，該低通濾波器包含一分流電容。于一示范性的實(shí)施例中，該低通濾波器進(jìn)一步包含一串聯(lián)電阻。

附圖說明

〔圖1A〕依據(jù)一示范性的實(shí)施例顯示一時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的一功能方塊圖。

〔圖1B〕顯示圖1A的時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的一示范性的時(shí)序圖。

〔圖2A〕依據(jù)一示范性的實(shí)施例顯示一整流器的一示意圖。

〔圖2B〕依據(jù)一示范性的實(shí)施例顯示一P類型傳輸閘的一示意圖。

〔圖2C〕依據(jù)一示范性的實(shí)施例顯示一N類型傳輸閘的一示意圖。

〔圖3〕依據(jù)一示范性的實(shí)施例顯示一低通濾波器的一示意圖。

〔圖4〕顯示圖3的低通濾波器的濾波信號(hào)的波形的一模擬結(jié)果。

附圖標(biāo)記說明：

100 時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)

110 整流器

120 模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)

130 低通濾波器(LPF)

CKA 第一時(shí)鐘信號(hào)

CKB 第二時(shí)鐘信號(hào)

X 整流信號(hào)

V 濾波信號(hào)

DK 數(shù)字信號(hào)

151、153、155 正脈沖

152、154、156 負(fù)脈沖

161、163、165 正脈沖(奇數(shù)脈沖)

162、164、166 正脈沖(耦數(shù)脈沖)

T_CK 周期

T_OS 時(shí)序偏移

V_H 高電壓

V_L 低電壓

DAB CKA與CKB之間的差異

200 整流器

210 第一半波整流器

220 第二半波整流器

210P 第一P型傳輸閘

210N 第一N型傳輸閘

220P 第二P型傳輸閘

220N 第二N型傳輸閘

X₊ 整流信號(hào)X的第一端

X_－ 整流信號(hào)X的第二端

I 輸入端

O 輸出端

C 控制端

231 PMOS晶體管

232 NMOS晶體管

241 NMOS晶體管

242 PMOS晶體管

R1 第一串聯(lián)電阻

R2 第二串聯(lián)電阻

C1 第一分流電容

C2 第二分流電容

V₊、V_－ 濾波信號(hào)V的一端

具體實(shí)施方式

本發(fā)明主張美國專利申請(qǐng)案(申請(qǐng)案號(hào)：14/854,495；申請(qǐng)日：2015/9/15)的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)案的所有內(nèi)容均被本發(fā)明援引以做為參考。

本發(fā)明相關(guān)于一時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器。盡管本說明書提及數(shù)個(gè)本發(fā)明的實(shí)施范例，其涉及本發(fā)明實(shí)施時(shí)的較佳模式，然而本發(fā)明可通過許多方式來實(shí)現(xiàn)，亦即本發(fā)明并不受限于后述的特定實(shí)施范例或特定方式，其中該特定實(shí)施范例或方式載有被實(shí)施的技術(shù)特征。此外，已知的細(xì)節(jié)不會(huì)被顯示或說明，藉此避免妨礙本發(fā)明的特征的呈現(xiàn)。

本公開的呈現(xiàn)是從一工程觀點(diǎn)出發(fā)，其中若一第一量值(first quantity)與一第二量值(second quantity)之間的差異小于一給定容忍范圍，該第一量值可以說是「等于(equal to)」該第二量值。舉例而言，若該給定容忍范圍為0.5mv或其它適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)值，則100.2mV可以說是等于100mV。換言之，當(dāng)陳述「A等于B」時(shí)，該陳述意味著「A與B之間沒有實(shí)質(zhì)差異」，其類似實(shí)際工程考量下所做的衡量。

圖1A依據(jù)一示范性的實(shí)施例顯示一TDC(時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(time-to-digital converter))100的一功能方塊圖。該TDC 100包含：一整流器110，用來接收一第一時(shí)鐘信號(hào)CKA與一第二時(shí)鐘信號(hào)CKB并輸出一整流信號(hào)X；一LPF(低通濾波器(low-pass filter))130，用來接收該整流信號(hào)X并輸出一濾波信號(hào)V；以及一ADC(模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(analog-to-digital converter))120，用來將該濾波信號(hào)V轉(zhuǎn)換成一數(shù)字信號(hào)DK。為了說明簡潔，此后該第一時(shí)鐘信號(hào)CKA將被簡稱為CKA、該第二時(shí)鐘信號(hào)CKB將被簡稱為CKB、該整流信號(hào)X將被簡稱為X、該濾波信號(hào)V將被簡稱為V、以及該數(shù)字信號(hào)DK將被簡稱為DK。除了一時(shí)序偏移(timing offset)外，CKA與CKB在此為相同時(shí)鐘(換言之，CKA與CKB的差異在于該時(shí)序偏移)。令CKA的周期為T_CK，令該時(shí)序偏移為T_OS，所述TDC 100的功能之一在于解析該時(shí)序偏移T_OS并以DK來表示它。所述整流器110偕同該LPF 130將該時(shí)序偏移T_OS轉(zhuǎn)換為V，從而V有效地代表T_OS。所述ADC 120接下來將V轉(zhuǎn)換為DK，使得DK有效地代表T_OS，從而實(shí)現(xiàn)了時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換的功能。即便CKA與CKB可能為高頻信號(hào)，該時(shí)序偏移T_OS幾乎是一固定的偏移，因此，V會(huì)是一個(gè)緩慢改變的信號(hào)，而能夠有效地被ADC 120以高解析度的方式來處理。據(jù)上所述，只要該整流器110與該LPF 130能夠適當(dāng)?shù)貙⒃摃r(shí)序偏移T_OS轉(zhuǎn)換為V，T_OS便能以高解析度的方式而被解析。

圖1B顯示一示范性的時(shí)序圖，用來闡明一示范性的實(shí)施例的原理。如圖所示，CKA是周期為T_CK的一時(shí)鐘，CKB與CKA的差異在于該時(shí)序偏移T_OS，此處的V_H與V_L分別是該時(shí)鐘(CKA或CKB)為高與低時(shí)的電壓電平，DAB是CKA與CKB之間的一差異，亦即DAB＝CKA-CKB，由于CKA與CKB之間的時(shí)序偏移，DAB本質(zhì)上為脈沖性的(impulsive in nature)且包含一連串脈沖于一正脈沖(例如151、153、155)與一負(fù)脈沖(例如152、154、156)之間輪流變換(alternating)，其中每個(gè)脈沖(無論是正的或負(fù)的)的寬度為T_OS以及高度為V_H-V_L。一示范性的實(shí)施例的一面向(aspect)在于對(duì)DAB執(zhí)行整流操作(rectification)以導(dǎo)出該整流信號(hào)X，亦即X＝|DAB|＝|CKA-CKB|。基于該整流操作，X本質(zhì)上也是脈沖性的，但僅包含寬度為T_OS的正脈沖(例如161、162、…、166)，其中每個(gè)脈沖的寬度為T_OS以及高度為V_H-V_L。清楚可知的是X的一平均值等于2.(V_H-V_L).T_OS/T_CK，該X的平均值因此正比于T_OS，從而可被用來代表T_OS。該LPF 130有效地對(duì)X執(zhí)行一平均操作，從而所導(dǎo)出的濾波信號(hào)V是正比于T_OS而能夠有效地代表T_OS。

圖2A依據(jù)一示范性的實(shí)施例繪示了一整流器200的示意圖，整流器200能夠?qū)崿F(xiàn)圖1A的整流器110。整流信號(hào)X在此是由一差動(dòng)信號(hào)(differential signal)來實(shí)現(xiàn)，該差動(dòng)信號(hào)包含一第一端(first end)X₊與一第二端(second end)X_－，且該整流信號(hào)X等效于X₊與X_－之間的一差異，「差動(dòng)信號(hào)」為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的概念，其細(xì)節(jié)在此不予贅述。整流器200包含一第一半波整流器(half-wave rectifier)210與一第二半波整流器220。該第一半波整流器210包含：一第一P型傳輸閘(transmission gate)210P以及一第一N型傳輸閘210N。該第二半波整流器220包含：一第二P型傳輸閘220P以及一第二N型傳輸閘220N。上述四個(gè)傳輸閘(即該第一P型傳輸閘210P、該第二P型傳輸閘220P、該第一N型傳輸閘210N以及該第二N型傳輸閘220N)的每一個(gè)具有三個(gè)端點(diǎn)(three terminals)包含一輸入端標(biāo)示為「I」、一輸出端標(biāo)示為「O」以及一控制端標(biāo)示為「C」。該第一P型(N型)傳輸閘210P(210N)的該輸入端「I」、該控制端「C」與該輸出端「O」分別耦接至CKA(CKB)、CKB(CKA)以及X₊(X_－)。該第二P型(N型)傳輸閘220P(220N)的該輸入端「I」、該控制端「C」與該輸出端「O」分別耦接至CKB(CKA)、CKA(CKB)以及X₊(X_－)。對(duì)一P型傳輸閘(210P或220P)而言，當(dāng)其控制端「C」被停止確立(de-asserted)，其輸入端「I」所接收的信號(hào)會(huì)被傳遞到其輸出端「O」。對(duì)一N型傳輸閘(210N或220N)而言，當(dāng)其控制端「C」被確立(asserted)，其輸入端「I」所接收的信號(hào)會(huì)被傳遞到其輸出端「O」。因此，當(dāng)CKA為高(亦即具有一高電壓V_H)以及CKB為低(亦即具有一低電壓V_L)，該第一P型傳輸閘210P將該高電壓V_H傳遞至X₊，此時(shí)該第一N型傳輸閘210N將該低電壓V_L傳遞至X_－，從而有效地傳輸DAB的一正脈沖(例如圖1B的151、153與155)至X的一奇數(shù)脈沖(例如圖1B的161、163、165)；當(dāng)CKB為高(亦即具有一高電壓V_H)以及CKA為低(亦即具有一低電壓V_L)，該第二P型傳輸閘220P將該高電壓V_H傳遞至X₊，此時(shí)該第二N型傳輸閘220N將該低電壓V_L傳遞至X_－，從而有效地傳輸DAB的一負(fù)脈沖(例如圖1B的152、154與156)至X的一耦數(shù)脈沖(例如圖1B的162、164、166)。該第一半波整流器210藉此對(duì)DAB的正脈沖進(jìn)行整流，此時(shí)第二半波整流器220對(duì)DAB的負(fù)脈沖進(jìn)行整流。整體而言，整流器200藉此對(duì)DAB執(zhí)行了全波整流。

圖2B依據(jù)一示范性的實(shí)施例繪示了一P型傳輸閘230的示意圖。該P(yáng)型傳輸閘230是一三極元件(three-terminal device)，包含一輸入端標(biāo)示為「I」、一輸出端標(biāo)示為「O」以及一控制端標(biāo)示為「C」。該P(yáng)型傳輸閘230能夠用來實(shí)現(xiàn)圖2A的第一P型傳輸閘210P以及第二P型傳輸閘220P。當(dāng)該P(yáng)型傳輸閘230被用來實(shí)現(xiàn)該第一(第二)P型傳輸閘210P(220P)，該輸入端「I」耦接至CKA(CKB)、該控制端「C」耦接至CKB(CKA)、該輸出端「O」耦接至X₊。該P(yáng)型傳輸閘230包含一PMOS(p通道金氧半導(dǎo)體)晶體管231。該P(yáng)MOS晶體管231的源極、柵極與漏極分別耦接至該P(yáng)型傳輸閘230的該輸入端「I」、該控制端「C」與該輸出端「O」。一PMOS晶體管的「源極」、「柵極」與「漏極」為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故細(xì)節(jié)在此不予贅述。使用一PMOS晶體管來實(shí)現(xiàn)一傳輸閘同樣為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，從而相關(guān)細(xì)節(jié)也不予贅述。于一選擇性的示范性實(shí)施例中，該P(yáng)型傳輸閘230進(jìn)一步包含一NMOS(n通道金氧半導(dǎo)體)晶體管232，該NMOS晶體管232的源極、柵極與漏極分別耦接至該P(yáng)型傳輸閘230的該控制端「C」、該控制端「C」與該輸出端「O」。一NMOS晶體管的「源極」、「柵極」與「漏極」為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，其細(xì)節(jié)在此不予贅述。該NMOS晶體管232的一目的在于幫助使得該P(yáng)型傳輸閘230平衡(balanced)。當(dāng)位于該輸出端「I」的信號(hào)與位于該控制端「C」的信號(hào)均為低時(shí)，該P(yáng)型傳輸閘230可能部分地傳遞該低電壓V_L至該輸出端「O」，從而引入一偏移(offset)至該輸出端「O」。通過導(dǎo)入該NMOS晶體管232，當(dāng)位于該控制端「C」的信號(hào)為高時(shí)，該P(yáng)型傳輸閘230可能也會(huì)部分地傳遞該高電壓V_H至該輸出端「O」，從而補(bǔ)償了對(duì)該輸出端「O」所造成的偏移。值得注意的是圖2A的整流器200的整流功能在該偏移存在時(shí)仍然維持作用，但補(bǔ)償該偏移可改善該整流器200的正確性，因此相當(dāng)實(shí)用。

圖2C依據(jù)一示范性的實(shí)施例繪示了一N型傳輸閘240的示意圖。該N型傳輸閘240是一三極元件，包含一輸入端標(biāo)示為「I」、一輸出端標(biāo)示為「O」以及一控制端標(biāo)示為「C」。該N型傳輸閘240能夠用來實(shí)現(xiàn)圖2A的第一N型傳輸閘210N以及第二N型傳輸閘220N。當(dāng)該N型傳輸閘240被用來實(shí)現(xiàn)該第一(第二)N型傳輸閘210N(220N)，該輸入端「I」耦接至CKB(CKA)、該控制端「C」耦接至CKA(CKB)、該輸出端「O」耦接至X_－。該N型傳輸閘240包含一NMOS晶體管241。該NMOS晶體管241的源極、柵極與漏極分別耦接至該N型傳輸閘240的該輸入端「I」、該控制端「C」與該輸出端「O」。使用一NMOS晶體管來實(shí)現(xiàn)一傳輸閘同樣為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，故細(xì)節(jié)在此不予贅述。于一選擇性的示范性實(shí)施例中，該N型傳輸閘240進(jìn)一步包含一PMOS晶體管242，該P(yáng)MOS晶體管242的源極、柵極與漏極分別耦接至該N型傳輸閘240的該控制端「C」、該控制端「C」與該輸出端「O」。該P(yáng)MOS晶體管242的一目的在于幫助使得該N型傳輸閘240平衡。當(dāng)位于該輸出端「I」的信號(hào)與位于該控制端「C」的信號(hào)均為高時(shí)，該N型傳輸閘240可能部分地傳遞該高電壓V_H至該輸出端「O」，從而引入一偏移至該輸出端「O」。通過導(dǎo)入該P(yáng)MOS晶體管242，當(dāng)位于該控制端「C」的信號(hào)為低時(shí)，該N型傳輸閘240可能也會(huì)部分地傳遞該低電壓V_L至該輸出端「O」，從而補(bǔ)償了對(duì)該輸出端「O」所造成的偏移。值得注意的是圖2A的整流器200的整流功能在該偏移存在時(shí)仍然維持作用，但補(bǔ)償該偏移可改善該整流器200的正確性，因此相當(dāng)實(shí)用。

請(qǐng)重新參考圖2A。除了CKA與CKB的角色互換(swapped)外，該第二半波整流器220與該第一半波整流器210相同。通過使用該第一半波整流器210與該第二半波整流器220的結(jié)合，整流器200得以執(zhí)行全波整流，其中DAB的正脈沖(亦即當(dāng)CKA為高且CKB為低時(shí))被該第一半波整流器210整流，且DAB的負(fù)脈沖(亦即當(dāng)CKA為低且CKB為高時(shí))被該第二半波整流器220整流。然而，就圖1A的時(shí)間至數(shù)字轉(zhuǎn)換器100而言，整流器110可以通過一全波整流器或一半波整流器來被實(shí)現(xiàn)。當(dāng)整流器110通過一半波整流器而被實(shí)現(xiàn)時(shí)，整流器110仍能運(yùn)作，但一增益因素(gainfactor)會(huì)被減半(亦即該X的平均值會(huì)被縮減為(V_H-V_L).T_OS/T_CK)?；趯?duì)上述說明的理解，于一選擇性的示范性實(shí)施例中，該第一半波整流器210被移除，于此例中，一半波整流操作被執(zhí)行，且僅有負(fù)脈沖會(huì)被整流；于另一選擇性的示范性實(shí)施例中，該第二半波整流器220被移除，于此例中，一半波整流操作被執(zhí)行，且僅有正脈沖被整流。

一示范性的實(shí)施例的一面向?yàn)椋簣D2A的整流器200可為一極快速(extremely fast)電路，因使用一傳輸閘之故，在輸入(亦即CKA與CKB)與輸出(亦即X₊與X_－)之間僅有一單一的晶體管延遲(single transistor delay)。因此，整流器200可被用來處理一極高速(very high speed)時(shí)鐘。

圖3依據(jù)一示范性的實(shí)施例繪示一低通濾波器(LPF)300的示意圖，LPF 300可用來實(shí)現(xiàn)圖1A的LPF 130。LPF 300包含：一第一串聯(lián)電阻(serialresistor)R1、一第一分流電容(shunt capacitor)C1、一第二串聯(lián)電阻R2以及一第二分流電容C2。該整流信號(hào)X在此是通過一差動(dòng)信號(hào)而被實(shí)施，該差動(dòng)信號(hào)包含一第一端X₊與一第二端X_－，且該整流信號(hào)X等效于X₊與X_－之間的一差異。同樣地，該濾波信號(hào)V是通過一差動(dòng)信號(hào)而被實(shí)施，該差動(dòng)信號(hào)包含一第一端V₊與一第二端V_－，且該濾波信號(hào)V等效于V₊與V_－之間的一差異。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，圖3清楚可知且不言自明，故其細(xì)節(jié)在此不予贅述。此外，該第一串聯(lián)電阻R1與該第二串聯(lián)電阻R2是選擇性的，故可被移除。

圖4顯示該濾波信號(hào)V的波形的一模擬結(jié)果，該模擬結(jié)果是基于一25GHz時(shí)鐘，是響應(yīng)(in response to)該時(shí)序偏移T_OS的不同值。于現(xiàn)有技術(shù)中，一25GHz時(shí)鐘的一1ps(兆分之一秒)的時(shí)序偏移是非常難以檢測(cè)，但該時(shí)序偏移于本發(fā)明的一示范性的實(shí)施例中被轉(zhuǎn)換為電壓值約為130mv的一穩(wěn)定電壓，其可被隨后的模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)120(請(qǐng)參見圖1A)輕易地檢測(cè)及轉(zhuǎn)換。模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器為本領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)，其細(xì)節(jié)在此不予贅述。該示范性的實(shí)施例的一面向?yàn)椋河捎谑褂脠D1A的低通濾波器130之故，該濾波信號(hào)V會(huì)是一緩慢改變的(slowly-changing)信號(hào)，而能夠被隨后的模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)120輕易地處理。

于圖2A、2B與圖3中，差動(dòng)信號(hào)被使用。值得注意的是差動(dòng)信號(hào)是一較佳但非限制性的實(shí)施例。電路設(shè)計(jì)者可依其判斷選擇使用單端信號(hào)(single-ended signaling)。當(dāng)使用單端信號(hào)時(shí)，僅需要該整流信號(hào)X的一端(X₊或X_－)以及該濾波信號(hào)V的一端(V₊或V_－)，此時(shí)用來處理另一端的信號(hào)的電路變得無關(guān)緊要，而可被移除。舉例而言，若僅有X₊被使用，該二N型傳輸閘210N與220N(如圖2A所示)、該第二串聯(lián)電阻R2、以及該第二分流電容C2(如圖3所示)可被移除。若僅有X_－被使用，該二P型傳輸閘210P與220P(如圖2A所示)、該第一串聯(lián)電阻R1、以及該第一分流電容C1(如圖3所示)可被移除。

雖然本發(fā)明的實(shí)施例如上所述，然而該些實(shí)施例并非用來限定本發(fā)明，本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)本發(fā)明的明示或隱含的內(nèi)容對(duì)本發(fā)明的技術(shù)特征施以變化，凡此種種變化均可能屬于本發(fā)明所尋求的專利保護(hù)范疇，換言之，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍須視本說明書的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。