本發(fā)明屬于印制線路板制造技術領域，特別涉及到一種能夠增強層壓表面結(jié)合力的印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法。

背景技術：

隨著PCB的設計更加復雜化，更加需要最終PCB的高多層化，而印制電路板銅線路表面必須具有足夠的附著力才能進行多層層壓，以制作高多層印制線路板。傳統(tǒng)印制線路板銅表面附著力提升的方法為蝕刻法，其工作原理為：通過黑化處理或棕化處理的溶液體系蝕刻印制線路的銅表面，增加銅表面的粗糙度從而通過物理咬合或結(jié)合化學結(jié)合力的方式提高銅線路與層壓樹脂的附著力。其中，“黑化處理”是在銅線路上形成針狀的氧化銅結(jié)晶，由于這種方法中氧化銅為黑色故稱之為“黑化處理”，這種黑化處理中銅線路上不會形成粘結(jié)層，由于銅的氧化物與樹脂的相容性較純銅好，以此提高印制線路與銅之間的附著力；“棕化處理”也是通過粗化銅表面，增加銅面的表面積，同時在板面沉積一層均勻、有粘合性質(zhì)的有機金屬薄膜，以提高銅面與半固化片(層壓樹脂)之間的結(jié)合力。

隨著線路逐漸向高密度化、以及信號傳輸向高頻化發(fā)展，特別是近年來4G、5G通信技術的發(fā)展，使得印制線路板線寬開始進入了10μm的范疇，信號傳輸進入20GHz領域。傳統(tǒng)黑化處理和棕化處理的限制愈益明顯，由于棕化處理與黑化處理會增加銅表面的粗糙度，然而粗糙線路對于信號傳輸?shù)耐暾援a(chǎn)生了極大的影響，已逐漸無法滿足實際的應用需求。特別是高頻信號傳輸過程中產(chǎn)生的“趨膚效應”，使得高頻信號在長線程傳輸中信號損失嚴重。

現(xiàn)有技術中印制電路板行業(yè)在多層印制電路板的圖形制作過程中采用二次圖形法，其中內(nèi)層圖形工序的流程主要為：前處理→鉆孔→內(nèi)層圖形轉(zhuǎn)移→沉銅加厚→電鍍錫鉛→去膜處理→內(nèi)層蝕刻→退錫鉛→得到目通過的圖形。然后黑化處理、棕化處理或白化處理增強層壓表面結(jié)合力以進行層壓工序。在上述過程中，電鍍錫鉛采用傳統(tǒng)的氟硼酸鹽體系，因而在退錫鉛中產(chǎn)生的錫鉛化合物對環(huán)境污染大。近年來，人類對健康和環(huán)境問題越來越重視，歐洲國家相繼發(fā)布了RoHS(關于在電子電器設備中禁止使用某些有害物質(zhì))指令和WEEE(消費性產(chǎn)品中禁止特定有害物質(zhì))指令。中國政府同樣也頒布了《電子信息產(chǎn)品污染防治管理辦法》，要求爭取在年月日以前我國出口的主要電子產(chǎn)品全部實現(xiàn)無鉛化；此外，電鍍工藝 要求高、耗時長，工序復雜，導致了印制電路板制造成本昂貴。

因此，開發(fā)出一種非蝕刻型增強層壓結(jié)合力且兼具環(huán)保和經(jīng)濟效益的印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法勢在必行，這種印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法適合于高頻線路與精細線路的未來發(fā)展。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術中多層印制電路板制作工藝層壓表面結(jié)合力有待提高的問題，本發(fā)明公開了一種印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，該方法在蝕刻形成線路的同時能夠達到增強層壓表面結(jié)合力的目的，本發(fā)明通過通過在圖形轉(zhuǎn)移形成的線路銅層和導通孔內(nèi)銅層上化學鍍形成純錫層，所述純錫層同時作為抗蝕層和白化增強層使用；同時，本發(fā)明使用純錫層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的錫鉛層，具有環(huán)保效益；進一步地，本發(fā)明采用的化學鍍錫有別于傳統(tǒng)蝕刻法通過增加銅表面的粗糙度以增強層壓表面結(jié)合力，避免了粗糙線路對信號傳輸完整性的影響。

鑒于上文所述，本發(fā)明提供以下技術方案：

一種層壓表面結(jié)合力增強型印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，其特征在于，至少包括以下步驟：

步驟A：提供一經(jīng)過前處理的覆銅板，將所述覆銅板經(jīng)過鉆孔處理形成內(nèi)層孔，并在所述內(nèi)層孔內(nèi)實現(xiàn)金屬化制得導通孔；然后通過壓膜、曝光、顯影處理，使得所述覆銅板表面形成負相干掩膜圖形；在所述覆銅板上通過電鍍加厚圖形轉(zhuǎn)移后形成的線路銅層和導通孔內(nèi)銅層；

步驟B：通過化學鍍在步驟A制得的導通孔內(nèi)銅層和線路銅層上形成純錫層作為抗蝕刻層；

步驟C：對步驟B所得基板進行去膜處理以清除膜層使得銅層露出，再進行蝕刻去除多余銅層，最終在印制電路板上制得目標圖形；本發(fā)明中，所述步驟C中采用堿性蝕刻去除多余銅層。

優(yōu)選地，本發(fā)明的步驟B中純錫層的厚度為0.3μm～1.0μm。

優(yōu)選地，本發(fā)明的步驟B中化學鍍純錫層采用如下處理體系：

所述處理體系包括以下三個獨立溶液：

溶液一：含有Sn²⁺的酸性錫置換液；

溶液二：氧提供體溶液；其中，氧提供體為過氧化物；

溶液三：有機硅烷溶液；

作為優(yōu)選方式，所述組分一(酸性錫置換液)各組分含量如下：酸的濃度為30～80g/L、Sn²⁺的濃度為10～40g/L、配位劑及輔助配位劑的總濃度為20～100g/L，根據(jù)實際需要和工藝要求，還可以加入添加劑，所述添加劑包括：適量穩(wěn)定劑、適量抗氧化劑和微量表面活性劑，上述各組分混合后形成的酸性錫置換液的pH值為0.8～2.0；

酸性錫置換液中的二價錫鹽，是置換錫的來源，本發(fā)明中，所述Sn²⁺可以由氯化亞錫、烷基磺酸錫或硫酸亞錫提供，其與銅的反應過程為：

2Cu+Sn²⁺→2Cu⁺+Sn

含有Sn²⁺的酸性錫置換液中的酸用來維持鍍液的酸性，適宜的酸度有助于形成顆粒規(guī)則、排列較緊密的鍍層，此外還有助于防止Sn²⁺的水解和可能存在的Sn⁴⁺的水解，以免鍍液渾濁，游離態(tài)的酸還能提高鍍液的均鍍性；

本發(fā)明中，所述酸可以為甲酸、乙酸、檸檬酸、羥基乙酸、乳酸、蘋果酸、酒石酸、磷酸、鹽酸、磺酸和對甲苯磺酸中任一種或其任意組合；

本發(fā)明中，所述配位劑以及輔助配位劑，主要用于降低銅離子的電位，使得線路板上銅錫的置換反應得以順利進行。其中：

所述配位劑為硫脲、酒石酸、檸檬酸和氨羧絡合物中任一種或者其任意組合；

所述輔助配位劑為酒石酸、檸檬酸、丙二酸或葡萄糖酸；輔助配位劑主要用于抑制Sn²⁺的水解，增加溶液的穩(wěn)定性，并改善鍍層外觀；

本發(fā)明中，所述添加劑包括穩(wěn)定劑、抗氧化劑和表面活性劑中任一種或者其任意組合，抗氧化劑主要用來抑制Sn²⁺被氧化為有毒的Sn⁴⁺，防止Sn⁴⁺的水解產(chǎn)物錫酸的生成和出現(xiàn)膠狀的沉淀物，優(yōu)選地，所述穩(wěn)定劑為有機羧酸，所述抗氧化劑為苯二酚類或氨羧類化合物；表面活性劑有助于提高化學鍍錫層附著力，抑制針孔產(chǎn)生，使鍍層平滑致密，提高耐蝕性，非離子型表面活性劑更適合錫的置換，優(yōu)選地，所述表面活性劑為烷基酚聚氧乙烯類、脂肪酸聚氧乙烯類、聚氧烯烴共聚類或多元醇類中任一種。

本發(fā)明中，所述溶液二(氧提供體溶液)中氧提供體指可提供氧的物質(zhì)，用以氧化錫層， 使得金屬錫層變成其氫氧化物，本發(fā)明采用過氧化物。

本發(fā)明中，所述溶液三(有機硅烷溶液)為有機硅烷的水溶性醇溶液，作為優(yōu)選方式，其質(zhì)量百分比為2～5％，且有機硅烷的C原子數(shù)在4～20之間時效果佳。

基于上述化學鍍處理體系，本發(fā)明的步驟B中化學鍍具體操作如下：

將步驟A制得覆銅板經(jīng)過所述酸性錫置換液處理，以在銅層表面形成一層薄錫層；優(yōu)選地，處理溫度為40℃～80℃，處理時間為0.5～5分鐘；

其中，在將步驟A制得的覆銅基板經(jīng)過酸性錫置換液處理之前還應依次進行堿性清潔和酸性清潔。

進一步地，還包括將制得的覆蓋有薄錫層的線路板經(jīng)過所述氧提供體溶液處理，使得表面錫層氧化或羥基化；然后再將表面錫層氧化或羥基化的基板經(jīng)過所述有機硅烷溶液處理，形成與表面氧化或羥基化的錫層互連的有機硅烷層；

優(yōu)選地，氧提供體溶液處理溫度為35℃～45℃，處理時間為15～35秒；

優(yōu)選地，有機硅烷溶液處理溫度為25℃～35℃，處理時間為20～100秒。

將經(jīng)過上述處理操作印制電路板在加熱的條件下進行層壓，有機硅烷和有機樹脂之間發(fā)生化學反應進行互連，以此便可將無機錫層和有機層之間互聯(lián)成一體，達到增加附著力的效果。

相比于現(xiàn)有技術，本發(fā)明具有以下有益效果：

1、本發(fā)明提供了一種印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，以化學鍍薄錫代替電鍍錫鉛，構(gòu)建了前處理→鉆孔→內(nèi)層圖形轉(zhuǎn)移→沉銅加厚→化學鍍錫→去膜處理→內(nèi)層蝕刻→得到目的圖形為基本工序的印制電路板內(nèi)層圖形制作方法，減少了退錫鉛、白化增強層壓表面結(jié)合力等工序，在蝕刻形成線路的同時能夠達到增強層壓表面結(jié)合力的目的。

2、本發(fā)明使用純錫層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的錫鉛層，減少了對環(huán)境的污染，本發(fā)明符合歐洲頒布的RoHS(關于在電子電器設備中禁止使用某些有害物質(zhì))指令、WEEE(消費性產(chǎn)品中禁止特定有害物質(zhì))指令以及中國政府頒布的《電子信息產(chǎn)品污染防治管理辦法》；此外，本發(fā)明降低了對電鍍工藝的依賴性，開發(fā)出了低成本、高可靠、環(huán)境友好的印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法。

3、本發(fā)明通過在印制電路板的銅線路表面覆蓋一層錫層，并通過一種氧提供溶液提高將錫氧化，提高與樹脂的粘合力，此外，有機硅烷處理后使得錫銅表面吸附一層有機硅烷。有機硅烷一方面與錫銅產(chǎn)生化學鍵的作用，另外一方面與有機樹脂發(fā)生化學作用，從而保證在不提高線路粗糙度的情況下有效地提高線路的附著力，為精細線路信號與高頻信號傳輸提供了可行的解決方案。

附圖說明

圖1為利用本發(fā)明制作印制線路板圖形的流程示意圖；

圖1中的圖1-a為印制電路板導通孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1中的圖1-b為印制電路板貼覆負相干膜的示意圖；

圖1中的圖1-c為印制電路板電鍍加厚形成的線路銅層和電鍍加厚形成的導通孔內(nèi)銅層的示意圖；

圖1中的圖1-d為印制電路板化學鍍純錫層的示意圖；

圖1中的圖1-e為印制電路板去膜處理后的示意圖；

圖1中的圖1-f為印制電路板蝕刻銅層示意圖；

其中，1為銅層，2為印制電路板絕緣基材，3為負相干膜掩膜圖形，4為加厚形成的線路銅層和電鍍加厚形成的導通孔內(nèi)銅層；5為純錫層。

圖2為本發(fā)明化學鍍純錫層的流程示意圖，其中，5為純錫層，501為無機錫層，6為有機硅烷層。

具體實施方式

以下結(jié)合說明書附圖及具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明：

實施例1：

化學鍍純錫層的處理體系：

制備堿性清潔溶液：稱取10克磷酸氫二鈉、10克檸檬酸三鈉和10克碳酸鈉，加入到200ml去離子水中，攪拌溶解，加熱至40℃恒溫待用；

制備酸性清潔溶液：按照5％的濃硫酸和5％的濃縮除油液的比例配制成200ml酸性清潔 溶液，加熱至40℃恒溫待用。

溶液一(酸性錫置換液)的制備：

稱取3克對苯二酚加入燒杯中，用少量去離子水溶解；另取燒杯加入20克鹽酸，再加入少量去離子水，攪拌均勻后加入5克氯化亞錫，混合均勻形成氯化亞錫溶液；在攪拌條件下將所述氯化亞錫溶液加入對苯二酚溶液中，再依次加入4克檸檬酸和18克硫脲于該燒杯中，根據(jù)需要可加入適量其他添加劑，調(diào)節(jié)溶液的pH值至1.2，加去離子水至250ml，配制得酸性錫置換液；

溶液二制備：量取適量質(zhì)量分數(shù)為30％的雙氧水溶液，置于燒杯中待用；

溶液三的制備：將甲醇和去離子水互溶形成溶液，所述溶液中甲醇質(zhì)量分數(shù)為95％，然后加入醋酸調(diào)節(jié)pH為4.5～5.5，攪拌下加入γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷，使上述有機硅烷的濃度達到2％。

實施例2：

一種層壓表面結(jié)合力增強型印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，包括以下步驟：

步驟A：

在雙面覆銅基板上采用激光鉆孔的方法開設內(nèi)層孔(如圖1-a所示，其中，1為銅層，2為印制電路板絕緣基材)，并通過等離子清洗機清洗孔的內(nèi)部的毛刺、膠渣、鉆污；將經(jīng)過鉆孔處理和圖形轉(zhuǎn)移的覆銅基板放置在化學鍍產(chǎn)線上，通過一系列化學處理在絕緣孔璧及板銅面上，沉積一層厚薄均勻(優(yōu)選為0.5～1.0μm)的金屬銅，再將其放置在電鍍生產(chǎn)線上通過電鍍的方式將孔壁和板面銅加厚至目標厚度(優(yōu)選為10～20μm)，實現(xiàn)內(nèi)層孔金屬化，形成導通孔；

將上述處理所得基板貼覆光致干膜后(如圖1-b所示，其中3為負相干膜掩膜圖形)，采用激光直接成像或者照相底版成像的方法使沒有圖形部分的干膜發(fā)生光化學反應，干膜參與光化學反應的物質(zhì)主要為光聚合單體和光引發(fā)劑，在紫外線照射下，光引發(fā)劑吸收紫外線能量產(chǎn)生游離基，游離基進一步引發(fā)光聚合單體交聯(lián)生成體型聚合物，這種體型聚合物不溶于后續(xù)的顯影液，而未曝光部分沒有發(fā)生光化學反應，因此可以經(jīng)過顯影去除未發(fā)生光化學反應的干膜，在基板上實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移；

通過化電鍍加厚所述覆銅板上的線路銅層和導通孔的銅層(如圖1-c所示，其中，4為電鍍加厚形成的線路銅層和電鍍加厚形成的導通孔內(nèi)銅層)；

步驟B：通過化學鍍在步驟A制得的金屬化通孔和線路銅上形成純錫層5作為抗蝕刻層(如圖1-d所示，其中，5為純錫層)；具體操作如下：

將步驟A制得覆銅基板依次經(jīng)過實施例1制得的堿性清潔溶液、酸性清潔溶液和酸性錫置換液的處理，以在銅層表面形成一層薄錫層；優(yōu)選地，在酸性錫置換液中處理溫度為60℃，處理時間為40秒；

步驟C：對步驟B所得基板進行去膜處理以清除膜層使得線路銅質(zhì)露出(如圖1-e所示)，再進行堿性蝕刻去除多余銅質(zhì)(如圖1-f所示)，最終在印制電路板上制得目標圖形。

實施例3：

一種層壓表面結(jié)合力增強型印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，包括以下步驟：

步驟A：

在雙面覆銅基板上采用激光鉆孔的方法開設內(nèi)層孔，并通過等離子清洗機清洗孔的內(nèi)部的毛刺、膠渣、鉆污；將經(jīng)過鉆孔處理和圖形轉(zhuǎn)移的覆銅基板放置在化學鍍產(chǎn)線上，通過一系列化學處理在絕緣孔璧及板銅面上，沉積一層厚薄均勻(優(yōu)選為0.5～1.0μm)的金屬銅，再將其放置在電鍍生產(chǎn)線上通過電鍍的方式將孔壁和板面銅加厚至目標厚度(優(yōu)選為10～20μm)，實現(xiàn)內(nèi)層孔金屬化，形成導通孔；

將上述處理所得基板貼覆光致干膜后，采用激光直接成像或者照相底版成像的方法使沒有圖形部分的干膜發(fā)生光化學反應，干膜參與光化學反應的物質(zhì)主要為光聚合單體和光引發(fā)劑，在紫外線照射下，光引發(fā)劑吸收紫外線能量產(chǎn)生游離基，游離基進一步引發(fā)光聚合單體交聯(lián)生成體型聚合物，這種體型聚合物不溶于后續(xù)的顯影液，而未曝光部分沒有發(fā)生光化學反應，因此可以經(jīng)過顯影去除未發(fā)生光化學反應的干膜，在基板上實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移；

在所述覆銅板上通過電鍍加厚圖形轉(zhuǎn)移后形成的線路銅層和導通孔內(nèi)銅層；

步驟B：通過化學鍍在步驟A制得的金屬化通孔和線路銅上形成純錫層5作為抗蝕刻層；具體包括以下操作：

步驟B1：將步驟A制得覆銅板依次經(jīng)過實施例1制得的堿性清潔溶液、酸性清潔溶液和 酸性錫置換液的處理，以在銅層表面形成一層薄錫層；優(yōu)選地，在組分3中處理溫度為60℃，處理時間為40秒；

步驟B2：將步驟B1制得覆蓋有薄錫層的線路板經(jīng)過實施例1制得氧提供體溶液處理，使得表面錫層氧化或羥基化；優(yōu)選地，處理溫度為40℃，處理時間為25秒；

步驟B3：將步驟B2制得線路板經(jīng)過實施例1中制得有機硅烷溶液處理，形成有機硅烷層，以實現(xiàn)表面錫層氧化或羥基化(無機錫層)和有機硅烷之間互連；優(yōu)選地，處理溫度為30℃，處理時間為60秒；

步驟C：對步驟B所得基板進行去膜處理以清除膜層使得線路銅質(zhì)露出，然后進行堿性蝕刻去除多余銅質(zhì)，最終在印制電路板上制得目標圖形。

將本實施例的印制電路板在250℃下與聚酰亞胺薄膜壓合1小時后取出，用拉力測試儀來檢測其抗剝離強度，本實施例制得的化學鍍純錫層印制電路板測得的剝離強度為6.7N/cm。

實施例4：

一種普通印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，包括以下步驟：

步驟A：

取與實施例3相同尺寸的雙面覆銅基板進行同實施例3的鉆孔處理，具體操作為：在雙面覆銅基板上采用激光鉆孔的方法開設內(nèi)層孔，并通過等離子清洗機清洗孔的內(nèi)部的毛刺、膠渣、鉆污，將經(jīng)過前處理和鉆孔處理的覆銅板放置在化學鍍產(chǎn)線上，通過一系列化學處理在絕緣孔璧及板銅面上，沉積一層厚薄均勻(優(yōu)選為0.5～1.0μm)的金屬銅，再將其放置在電鍍生產(chǎn)線上通過電鍍的方式將孔壁和板面銅加厚至目標厚度(優(yōu)選為10～20μm)，實現(xiàn)內(nèi)層孔金屬化，形成導通孔；

將上述處理所得基板貼覆光致干膜后，采用激光直接成像或者照相底版成像的方法使沒有圖形部分的干膜發(fā)生光化學反應，再經(jīng)過顯影去除未發(fā)生光化學反應的干膜，獲得與照相底版一致的電路圖形基板，本實施例制得的電路圖形基板上與實施例2中電路圖形基板相同；

同實施例3，通過電鍍加厚所述覆銅板上的線路銅和金屬化通孔的銅層至達到對應參數(shù)；

步驟B：將步驟A制得覆銅基板依次經(jīng)過實施例1制得的堿性清潔溶液和酸性清潔溶液的處理，不經(jīng)過酸性錫置換液處理，得到作為對比例的印制電路板；

步驟C：對步驟B所得基板進行去膜處理以清除膜層使得線路銅質(zhì)露出，再進行堿性蝕刻去除多余銅質(zhì)，最終在印制電路板上制得目標圖形。

通過將本實施例的印制電路板在250℃下與聚酰亞胺薄膜壓合1小時后取出，用拉力測試儀來檢測其抗剝離強度，本實施例制得的純銅線路印制電路板測得的剝離強度為4.3N/cm。

通過實施例2與實施例3的對比結(jié)果，本發(fā)明實施例2的抗剝離強度與普通純銅線路印制電路板相比較高，而且本發(fā)明制得的印制電路板能夠滿足高頻印制精細線路的要求。

實施例5：

一種層壓表面結(jié)合力增強型印制電路板內(nèi)層圖形的制作方法，包括以下步驟：

步驟A：

在雙面覆銅基板上采用激光鉆孔的方法開設內(nèi)層孔，并通過等離子清洗機清洗孔的內(nèi)部的毛刺、膠渣、鉆污，將經(jīng)過前處理和鉆孔處理的覆銅板放置在化學鍍產(chǎn)線上，通過一系列化學處理在絕緣孔璧及板銅面上，沉積一層厚薄均勻(優(yōu)選為0.5～1.0μm)的金屬銅，再將其放置在電鍍生產(chǎn)線上通過電鍍的方式將孔壁和板面銅加厚至目標厚度(優(yōu)選為10～20μm)，實現(xiàn)內(nèi)層孔金屬化，形成導通孔；

將上述處理所得基板涂覆光致干膜后，采用激光直接成像或者照相底版成像的方法使沒有圖形部分的干膜發(fā)生光化學反應，再經(jīng)過顯影去除未發(fā)生光化學反應的干膜，獲得與照相底版一致的電路圖形基板；

通過電鍍加厚所述覆銅板上的線路銅和金屬化通孔的銅層；

步驟B：通過化學鍍在步驟A制得的金屬化通孔和線路銅上形成純錫層作為抗蝕刻層(如圖2所示)；具體包括以下操作：

步驟B1：將步驟A制得覆銅板依次經(jīng)過實施例1制得的堿性清潔溶液、酸性清潔溶液和酸性錫置換液的處理，以在銅層表面形成一層薄且均勻的純錫層5；優(yōu)選地，在酸性錫置換液中處理溫度為60℃，處理時間為40秒；

步驟B2：將步驟B制得覆蓋有純錫層5的線路板經(jīng)過所述氧提供體溶液處理，使得表面錫層氧化或羥基化形成無機錫層501；優(yōu)選地，處理溫度為40℃，處理時間為25秒；

步驟B3：將步驟C制得線路板經(jīng)過所述有機硅烷溶液處理形成有機硅烷層6，由于有機 硅烷具有雙親性，因此可以實現(xiàn)表面無機錫層501(錫層氧化或羥基化)和有機硅烷層6之間互連；優(yōu)選地，處理溫度為30℃，處理時間為60秒；

步驟C：對步驟B所得基板進行去膜處理以清除膜層使得線路銅質(zhì)露出，再進行堿性蝕刻去除多余銅質(zhì)，最終在印制電路板上制得目標圖形；

步驟D：將本發(fā)明實施得到的至少兩個印制電路板按順序疊板并進行壓合處理得到多層印制電路板，其中，任意兩個相鄰的印制電路板之間均為半固化片。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種印制電路板同時蝕刻線路和層間增強的制作方法，在保證印制電路板可靠性的同時，減少了傳統(tǒng)圖形電鍍蝕刻方法制作印制電路板的工序，降低了印制電路制造成本。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領域的技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思得前提下，可以作出各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的專利保護范圍之內(nèi)。