技術特征：

1.一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的低通濾波電路，其特征在于，包括：阻變元件M、第一電容C1、運算放大器A、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3、第四PMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7和第八PMOS管M8；

所述阻變元件M的正極與所述運算放大器A的正向輸入端相連，所述阻變元件M的負極用于與信號輸入端Vin相連；

所述第一電容C1的一端與所述運算放大器A的正向輸入端相連，所述第一電容C1的另一端接地；

所述運算放大器A的負向輸入端與輸出端相連構成電壓跟隨器，所述運算放大器A的輸出端作為信號輸出端；

所述第一NMOS管M1的漏極與所述第二NMOS管M2的源極相連，所述第一NMOS管M1的柵極與脈沖輸入端PWL相連，所述第一NMOS管M1的源極與襯底相連并接地；

所述第二NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的柵極相連并與所述阻變元件的負極相連，所述第二NMOS管的源極與襯底相連；

所述第三PMOS管的漏極與所述第四PMOS管的源極相連，所述第三PMOS管的柵極與脈沖輸入端PWL相連，所述第三PMOS管的源極與襯底相連并接地；

所述第四PMOS管的漏極與所述第四PMOS管的柵極相連并與阻變元件的負極相連，所述第四PMOS管的源極與其襯底相連；

所述第五NMOS管的漏極與所述第六NMOS管的源極相連，所述第五NMOS管的柵極接地，所述第五NMOS管的源極與其襯底相連并與脈沖輸入端相連；

所述第六NMOS管的漏極與所述第六NMOS管的柵極相連并與阻變元件的正極相連，所述第六NMOS管的源極與其襯底相連；

所述第七PMOS管的漏極與所述第八PMOS管的源極相連，所述第七PMOS管的柵極接地，所述第七PMOS管的源極與其襯底相連并與脈沖輸入端相連；

所述第八PMOS管的漏極與所述第八PMOS管的柵極相連并與阻變元件的正極相連，所述第八PMOS管的源極與其襯底相連。

2.如權利要求1所述的低通濾波電路，其特征在于，所述第二NMOS管、第四PMOS管、第六NMOS管、第八PMOS管可替換為二極管，所述第二NMOS管和第六NMOS管的漏極與二極管的正極對應，所述第二NMOS管和第六NMOS管的源極與二極管的負極對應，所述第四PMOS管和第八PMOS管的源極與二極管的正極對應，所述第四PMOS管和第八PMOS管的漏極與二極管的負極對應；所述第一NMOS管、第三PMOS管、第五NMOS管、第七PMOS管可替換為壓控開關，所述第一NMOS管、第三PMOS管、第五NMOS管、第七PMOS管的柵極與壓控開關的電壓控制端對應，所述第一NMOS管、第三PMOS管、第五NMOS管、第七PMOS管漏極和源極之間的導電溝道和壓控開關的電流通路對應。

3.如權利要求1所述的低通濾波電路，其特征在于，所述阻變元件M為具有閾值電壓特性的憶阻器，信號輸入端Vin輸入信號；當脈沖輸入端PWL為零時，所述憶阻器工作在模擬工作模式，其兩端的電壓差介于正向閾值電壓Vtp和負向閾值電壓Vtn之間，憶阻器的阻值不會發(fā)生改變；當脈沖輸入端PWL輸入脈沖時，憶阻器工作在編程工作模式，通過脈沖對其阻值進行編程操作。

4.如權利要求1所述的低通濾波電路，其特征在于，所述低通濾波電路的特征角頻率特征頻率其中，R為憶阻器的阻值，C為第一電容C1的電容值。

5.一種基于權利要求1-4任一項所述的低通濾波電路的操作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S11：通過在所述信號輸入端Vin施加信號電壓，同時在所述脈沖輸入端施加零電壓，使得所述的憶阻器低通濾波電路正常工作，信號輸出端Vo正常輸出；

S12：通過給脈沖輸入端施加正向脈沖使得第一NMOS管和第七PMOS管導通，電流由脈沖輸入端PWL經(jīng)第七PMOS管、第八PMOS管從正向流經(jīng)阻變元件M后再經(jīng)第二NMOS管、第一NMOS管流到地端；從而改變了所述阻變元件M的阻值；

S13：通過給脈沖輸入端施加負向脈沖使得第三PMOS管和第六NMOS管導通，電流由地端經(jīng)第三PMOS管、第四PMOS管從負向流經(jīng)阻變元件M后再經(jīng)第六NMOS管、第五NMOS管留到脈沖信號的輸入端；從而改變了所述阻變元件M的阻值。

6.一種基于憶阻器的帶寬可調(diào)的高通濾波電路，其特征在于，包括：阻變元件M、第一電容C、運算放大器A、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三PMOS管M3和第四PMOS管M4；

所述阻變元件M的正極接地，所述阻變元件M的負極與所述運算放大器A的正向輸入端相連；

所述第一電容C的一端作為信號輸入端Vin，所述第一電容C的另一端與所述阻變元件M的負極相連；

所述運算放大器A的負向與所述運算放大器A的輸出端相連構成電壓跟隨器，所述運算放大器A的輸出端作為信號輸出端Vout；

所述第一NMOS管M1的漏極與所述第二NMOS管M2的源極相連，所述第一NMOS管M1的柵極接地，所述第一NMOS管M1的源極與其襯底相連并與脈沖輸入端PWL相連；

所述第二NMOS管M2的漏極與所述第二NMOS管M2的柵極相連并與阻變元件M的負極相連，所述第二NMOS管M2的源極與其襯底相連；

所述第三PMOS管M3的漏極與所述第四PMOS管M4的源極相連，所述第三PMOS管M3的柵極接地，所述第三PMOS管M3的源極與其襯底相連并與脈沖輸入端PWL相連；

所述第四PMOS管M4的漏極與所述第四PMOS管M4的柵極相連并與所述阻變元件M的正極相連，所述第四PMOS管M4的源極與其襯底相連。

7.如權利要求6所述的高通濾波電路，其特征在于，所述第二NMOS管、第四PMOS管可替換為二極管，所述第二NMOS管的漏極與二極管的正極對應，所述第二NMOS管的源極與二極管的負極對應，所述第四PMOS管的源極與二極管的正極對應，所述第四PMOS管的漏極與二極管的負極對應；所述第一NMOS管、第三PMOS管可替換為壓控開關，所述第一NMOS管、第三PMOS管的柵極與壓控開關的電壓控制端對應，所述第一NMOS管、第三PMOS管漏極和源極之間的導電溝道和壓控開關的電流通路對應。

8.如權利要求6所述的高通濾波電路，其特征在于，所述阻變元件M為具有閾值電壓特性的憶阻器，信號輸入端Vin輸入信號；當脈沖輸入端PWL為零時，憶阻器工作在模擬工作模式，其兩端的電壓差介于正向閾值電壓Vtp和負向閾值電壓Vtn之間，憶阻器的阻值不會發(fā)生改變；當脈沖輸入端PWL輸入脈沖時，憶阻器工作在編程工作模式，通過脈沖對其阻值進行編程操作。

9.如權利要求6所述的高通濾波電路，其特征在于，所述高通濾波電路的特征角頻率特征頻率其中R為憶阻器的阻值，C為第一電容C的電容值。

10.一種基于權利要求6-9任一項所述的高通濾波電路的操作方法，其特征在于，包括以下步驟：

S11：通過在所述信號輸入端Vin施加信號電壓，同時在所述脈沖輸入端施加零電壓，使得所述的憶阻器高通濾波電路正常工作，信號輸出端Vo正常輸出；

S12：通過給脈沖輸入端施加正向脈沖使得第三PMOS管導通，電流由脈沖輸入端PWL經(jīng)第三PMOS管、第四PMOS管從負向流經(jīng)阻變元件M后流到地端；從而改變了所述阻變元件M的阻值；

S13：通過給脈沖輸入端施加負向脈沖使得第一NMOS管導通，電流由地端從正向流經(jīng)阻變元件M后再經(jīng)第二NMOS管、第一NMOS管留到脈沖信號的輸入端；從而改變了所述阻變元件M的阻值。