一種基于憶阻器的三維結(jié)構(gòu)存儲器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于憶阻器的三維結(jié)構(gòu)存儲器。
【背景技術(shù)】
[0002]摩爾定律表明半導(dǎo)體芯片上集成的晶體管的數(shù)量每18個(gè)月會翻一番。但是，隨著單位面積上集成的晶體管數(shù)目越來越多，晶體管的尺寸越來越小，接近物理極限，另外，集成數(shù)量越多的晶體管，其發(fā)熱量越大，易導(dǎo)致芯片無法正常工作，這些問題使得摩爾定律面臨著巨大的挑戰(zhàn)。越來越多科學(xué)家認(rèn)為，隨著更多集成數(shù)量的晶體管，見證半導(dǎo)體工業(yè)長達(dá)半個(gè)世紀(jì)的“摩爾定律”將迎來物理極限的大考驗(yàn)。因此采用傳統(tǒng)COMS器件作為存儲器邏輯單元并采用交叉桿陣列設(shè)計(jì)的存儲器在進(jìn)一步大幅提高存儲容量上將受到極大的限制，有鑒于此，發(fā)明人提出了一種基于憶阻器的三維結(jié)構(gòu)存儲器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于憶阻器的三維結(jié)構(gòu)存儲器，它具有結(jié)構(gòu)簡單、存儲容量大和能耗低的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一種基于憶阻器的三維結(jié)構(gòu)存儲器，包括存儲器基體、控制電路和地址緩沖裝置，所述控制電路設(shè)置于存儲器基體內(nèi)，所述地址緩沖裝置與控制電路電性連接，還包括地址譯碼裝置及與地址譯碼裝置電性連接的陣列存儲裝置，所述地址譯碼裝置與地址緩沖裝置電性連接，所述陣列存儲裝置還連接有放大電路，所述放大電路連接有輸出緩沖器。
[0005]進(jìn)一步的，所述陣列存儲裝置包括若干個(gè)三維存儲片，所述若干個(gè)三維存儲片以矩陣串連或并聯(lián)，所述三維存儲片包括若干個(gè)憶阻器存儲單元，若干個(gè)憶阻器存儲單元以三維堆棧架構(gòu)。
[0006]進(jìn)一步的，所述憶阻器存儲單元的尺寸為30nm x 30nm。
[0007]進(jìn)一步的，所述地址緩沖裝置包括X向地址緩沖器、Y向地址緩沖器和Z向地址緩沖器，所述X向地址緩沖器、Y向地址緩沖器和Z向地址緩沖器分別與控制電路電性連接。
[0008]優(yōu)選的是，所述地址譯碼裝置包括X向譯碼器、Y向譯碼器和Z向譯碼器，所述X向譯碼器與X向地址緩沖器電性連接，所述Y向譯碼器與Y向地址緩沖器電性連接，所述Z向譯碼器與Z向地址緩沖器電性連接，X向譯碼器、Y向譯碼器和Z向譯碼器分別與控制電路電性連接。
[0009]進(jìn)一步的，所述憶阻器存儲單元包括從上至下依次設(shè)置的上電極、存儲介質(zhì)層、下電極和用于引導(dǎo)出下電極的下電極引導(dǎo)層。
[0010]優(yōu)選的是，所述存儲介質(zhì)層包括從上至下依次疊加的N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層，所述N型半導(dǎo)體層通過金屬Pt納米線與上電極電連接，所述P型半導(dǎo)體層通過金屬Pt納米線與下電極電連接。
[0011]進(jìn)一步的，所述N型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層分別可為Ag、T1、Cu、Ta、W、Pt、Au、TiW和氧化石墨烯中的任意一種材料制成。
[0012]優(yōu)選的是，所述N型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層的厚度為60~300nm之間。
[0013]本發(fā)明的有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的一種基于憶阻器的三維結(jié)構(gòu)存儲器，包括存儲器基體、控制電路和地址緩沖裝置，所述控制電路設(shè)置于存儲器基體內(nèi)，所述地址緩沖裝置與控制電路電性連接，還包括地址譯碼裝置及與地址譯碼裝置電性連接的陣列存儲裝置，所述地址譯碼裝置與地址緩沖裝置電性連接，所述陣列存儲裝置還連接有放大電路，所述放大電路連接有輸出緩沖器；本三維結(jié)構(gòu)存儲器采用憶阻器作為存儲介質(zhì)，利用憶阻器的堆棧特性，實(shí)現(xiàn)大容量的存儲，而且，由于憶阻器的能耗低，使整體的存儲器能耗大幅下降，本存儲器還具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2為本發(fā)明的憶阻器的反應(yīng)機(jī)理示意圖之一。
[0016]圖3為本發(fā)明的憶阻器的反應(yīng)機(jī)理示意圖之二。
[0017]圖4為本發(fā)明的憶阻器的電流電壓(IV)曲線示意圖。
[0018]附圖標(biāo)記包括:
上電極一 1，存儲介質(zhì)層一2，下電極一3，下電極引導(dǎo)層一4.。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0020]參見圖1至圖4，一種基于憶阻器的三維結(jié)構(gòu)存儲器，包括存儲器基體、控制電路和地址緩沖裝置，所述控制電路設(shè)置于存儲器基體內(nèi)，所述地址緩沖裝置與控制電路電性連接，還包括地址譯碼裝置及與地址譯碼裝置電性連接的陣列存儲裝置，所述地址譯碼裝置與地址緩沖裝置電性連接，所述陣列存儲裝置還連接有放大電路，所述放大電路連接有輸出緩沖器；本存儲器的工作原理是:數(shù)據(jù)輸入至地址緩沖裝置，在控制電路的控制下，地址緩沖裝置對數(shù)據(jù)的傳輸速度進(jìn)行轉(zhuǎn)換，然后通過地址譯碼裝置對數(shù)據(jù)進(jìn)行譯碼，數(shù)據(jù)譯碼后由控制電路將數(shù)據(jù)傳送給陣列存儲裝置進(jìn)行存儲；當(dāng)需要讀取存儲的數(shù)據(jù)時(shí)，控制電路發(fā)出讀取指令，地址譯碼裝置根據(jù)指令進(jìn)行尋址，然后將陣列存儲裝置中對應(yīng)存儲的數(shù)據(jù)取出，數(shù)據(jù)傳輸至放大電路，最后輸出至輸出緩沖器由相應(yīng)的端口輸出即可。由于本三維結(jié)構(gòu)存儲器采用憶阻器作為存儲介質(zhì)，利用憶阻器的堆棧特性，實(shí)現(xiàn)大容量的存儲，憶阻器能提供海量存儲能力，對于半節(jié)距為1nm的憶阻器設(shè)備其存儲容量可以高達(dá)llOGB/cm2，而且，由于憶阻器的能耗低，單位能耗值lpj/bit以下，使整體的存儲器能耗大幅下降，本存儲器還具有結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)。
[0021 ] 在本技術(shù)方案中，所述陣列存儲裝置包括若干個(gè)三維存儲片，所述若干個(gè)三維存儲片以矩陣串連或并聯(lián)，所述三維存儲片包括若干個(gè)憶阻器存儲單元，若干個(gè)憶阻器存儲單元以三維堆棧架構(gòu)。也就是說將若干個(gè)憶阻器以三維架構(gòu)堆棧，這樣，當(dāng)數(shù)據(jù)寫入時(shí)，數(shù)據(jù)以三維的方式存儲至三維存儲片；如當(dāng)前的三維存儲片數(shù)據(jù)存滿后，在控制電路的作用下，數(shù)據(jù)繼續(xù)寫入至另一三維存儲片中。
[0022]現(xiàn)有的晶體管最新制程工藝在45nm x 45nm，而在本技術(shù)方案中，所述憶阻器存儲單元的尺寸為30nm X 30nm ;該尺寸為平面長寬尺寸，這種憶阻器存儲單元相對于晶體管來說具有更尚的集成度。
[0023]進(jìn)一步的說，所述地址緩沖裝置包括X向地址緩沖器、Y向地址緩沖器和Z向地址緩沖器，所述X向地址緩沖器、Y向地址緩沖器和Z