本發(fā)明涉及PCB板技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種線路板盲孔填銅工藝。
背景技術(shù)：
印制電路板，簡稱PCB(printed circuit board)，其以絕緣板為基材，切成一定尺寸，其上至少附有一個導電圖形，并布有孔(如元件孔、緊固孔、金屬化孔等)，用來代替以往裝置電子元器件的底盤，并實現(xiàn)電子元器件之間的相互連接。由于這種板是采用電子印刷術(shù)制作的，故被稱為“印刷”電路板。
過孔是PCB板中重要的元素，它可以起到電氣連接，固定或定位器件的作用。過孔可以分為盲孔、埋孔和通孔三大類。其中，盲孔指位于PCB板的頂層和底層表面，具有一定深度用于表層線路和下面的內(nèi)層線路的連接，孔的深度與孔徑通常有一定的比率。通孔是孔穿過整個PCB板，可用于實現(xiàn)內(nèi)部互連或作為元件的安裝定位孔。通孔在工藝上好實現(xiàn)，成本低，所以一般PCB板均使用通孔。
目前，如果需要在PCB板上同時設(shè)計通孔和盲孔，且盲孔需要填孔時，一般采取如下工藝：外層壓板-鐳射鉆孔-沉銅閃鍍-水平填孔-減銅-機械鉆孔-沉銅閃鍍—全板電鍍。即生成過程中，通孔和盲孔是分開制作的，這樣的流程工序多，耗時耗力；且兩次沉銅閃鍍會導致電鍍后PCB板上面銅的均勻性較差。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明為了避免現(xiàn)有技術(shù)的不足之處而提供了一種線路板盲孔填銅工藝，該生產(chǎn)工藝能夠?qū)崿F(xiàn)通孔和盲孔合鍍，即生產(chǎn)流程優(yōu)化為通盲孔合鍍，減少了PCB板的生產(chǎn)流程，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
根據(jù)本發(fā)明所提供的一種線路板盲孔填銅工藝，依次包括以下步驟：1)外層壓板；2)鐳射鉆孔，得到盲孔；3)機械鉆孔，得到通孔；4)沉銅閃鍍，對盲孔和通孔進行沉銅閃鍍；5)垂直連續(xù)電鍍(VCP垂直填孔)，對沉銅閃鍍后的盲孔進行填孔。
其中，鐳射鉆孔后，所得盲孔的底銅厚度為6±1μm；沉銅閃鍍后，孔口周圍的面銅厚度為12±3um；VCP垂直填孔后，孔口周圍的面銅厚度為26±-4um。
優(yōu)選地，步驟3)中，所述通孔的厚徑比≤4：1。
優(yōu)選地，步驟5)中的垂直連續(xù)電鍍(VCP垂直填孔)依次包括以下步驟：除油、第一次水洗、微蝕、第二次水洗、酸浸、鍍銅填孔、第三次水洗、酸洗、第四次水洗、烘干。
優(yōu)選地，除油步驟中，除油劑的溫度為48-52℃，浸泡時間為3-5min。
優(yōu)選地，微蝕步驟中，所用微蝕液包括濃度為70-100g/L的過硫酸鈉和濃度為20-40ml/L的H2SO4；控制微蝕液的溫度為31-35℃，微蝕量為0.6-1.0μm。
優(yōu)選地，酸浸步驟中，用濃度為85-115ml/L的H2SO4進行浸泡,浸泡時間為1-2min。
優(yōu)選地，鍍銅填孔步驟中，電鍍液包括CuSO4·5H2O4、H2SO4、載運劑、整平劑和光亮劑；其中，CuSO4·5H2O4的濃度為170-210g/L，H2SO4的濃度為45-55ml/L，載運劑的濃度為30-40ml/L，整平劑的濃度為4.5-12ml/L，光亮劑的濃度為2-4ml/L。
其中，載運劑、整平劑和光亮劑均為PCB板電鍍工藝中常規(guī)的試劑。
優(yōu)選地，鍍銅填孔步驟中，電鍍溫度為21-26℃，電鍍時間為45-60min，電流密度為1.4-2.0ASD。
優(yōu)選地，除油步驟中，除油缸中需要啟動超聲波發(fā)生裝置。
優(yōu)選地，進行除油、第一次水洗、微蝕、第二次水洗、酸浸這五個步驟時，各缸體均需啟動氣振裝置。
本發(fā)明所提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：
(1)本發(fā)明所提供的線路板盲孔填銅工藝，該生產(chǎn)工藝能夠?qū)崿F(xiàn)通孔和盲孔合鍍，即生產(chǎn)流程優(yōu)化為通盲孔合鍍，減少了PCB板的生產(chǎn)流程，從而提高了生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本；且僅進行一次沉銅閃鍍即可，能夠保證電鍍后，面銅的均勻性較好。
(2)本發(fā)明所提供的線路板盲孔填銅工藝，通孔的厚徑比≤4：1，因為當通孔的厚徑比較高時，通孔深鍍能力較差，導致通孔孔銅厚度無法滿足客戶要求，而當通孔的厚徑比≤4：1時，VCP垂直填孔可以同時兼顧通盲孔的要求。
(3)本發(fā)明所提供的線路板盲孔填銅工藝，在VCP垂直填孔工藝中，除油時，除油缸中設(shè)計超聲波，且進行除油、第一次水洗、微蝕、第二次水洗、酸浸這五個步驟時，各缸體均設(shè)計氣振，這樣的設(shè)計使得盲孔里面的藥水交換得更好，從而優(yōu)化填孔效果。
(4)本發(fā)明所提供的線路板盲孔填銅工藝，VCP垂直填孔能力優(yōu)異，VCP鍍銅層厚度在12-15um,盲孔填孔Dimple值≤15um,通孔深鍍能力80％，填孔合格率(按SET計算)≥99.5％。
(5)本發(fā)明所提供的線路板盲孔填銅工藝，垂直連續(xù)電鍍(VCP垂直填孔)的鍍銅填孔步驟中，電鍍液采用高銅低酸的配比，使得盲孔孔內(nèi)有足夠濃度的銅離子，電鍍效果好；且電流密度設(shè)置為1.4-2.0ASD，設(shè)置合理，因為電流密度過小填孔能力會變差，電流密度過大會產(chǎn)生填孔空洞。
具體實施方式
下面，結(jié)合具體實施方式，對本發(fā)明做進一步描述：
實施例1
一種線路板盲孔填銅工藝，依次包括以下五個步驟：
1)外層壓板；2)鐳射鉆孔，得到盲孔；3)機械鉆孔，得到通孔；4)沉銅閃鍍，對盲孔和通孔進行沉銅閃鍍；5)VCP垂直填孔，對沉銅閃鍍后的盲孔進行填孔。
其中，步驟5)的VCP垂直填孔的生產(chǎn)流程依次如下：除油、第一次水洗、微蝕、第二次水洗、酸浸、鍍銅填孔、第三次水洗、酸洗、第四次水洗、烘干。
具體地，除油步驟中，除油劑的型號為AL-Chelate，控制除油劑的溫度為48℃,浸泡3min。微蝕步驟中，所用微蝕液包括濃度為90g/L的過硫酸鈉和濃度為30ml/L的H2SO4；控制微蝕液的溫度為31℃，微蝕量為0.6μm。酸浸步驟中，利用90ml/L的H2SO4進行浸泡，浸泡時間為2min。鍍銅填孔步驟中，電鍍液包括CuSO4·5H2O4、H2SO4、載運劑、整平劑和光亮劑；其中，CuSO4·5H2O4的濃度為170g/L，H2SO4的濃度為45ml/L，載運劑的濃度為30ml/L，整平劑的濃度為4.5ml/L，光亮劑的濃度為2ml/L，電鍍溫度為21℃，電鍍時間為45min，電流密度為1.4ASD。
完成上述工藝后，對填孔能力進行測試?？傻茫琕CP鍍銅層厚度為12μm,盲孔填孔Dimple值為14um,通孔深鍍能力88％，填孔合格率為(按SET計算)99.5％。
實施例2
一種線路板盲孔填銅工藝，依次包括以下五個步驟：
1)外層壓板；2)鐳射鉆孔，得到盲孔；3)機械鉆孔，得到通孔；4)沉銅閃鍍，對盲孔和通孔進行沉銅閃鍍；5)VCP垂直填孔，對沉銅閃鍍后的盲孔進行填孔。
其中，步驟5)的VCP垂直填孔的生產(chǎn)流程依次如下：除油、第一次水洗、微蝕、第二次水洗、酸浸、鍍銅填孔、第三次水洗、酸洗、第四次水洗、烘干。
具體地，除油步驟中，除油劑的型號為AL-Chelate，控制除油劑的溫度為50℃,浸泡4min。微蝕步驟中，所用微蝕液包括濃度為70g/L的過硫酸鈉和濃度為40ml/L的H2SO4；控制微蝕液的溫度為33℃，微蝕量為0.8μm。酸浸步驟中，利用100ml/L的H2SO4進行浸泡，浸泡時間為1.5min。鍍銅填孔步驟中，電鍍液包括CuSO4·5H2O4、H2SO4、載運劑、整平劑和光亮劑；其中，CuSO4·5H2O4的濃度為190g/L，H2SO4的濃度為50ml/L，載運劑的濃度為40ml/L，整平劑的濃度為8ml/L，光亮劑的濃度為3ml/L，電鍍溫度為23℃，電鍍時間為50min，電流密度為1.8ASD。
完成上述工藝后，對填孔能力進行測試?？傻茫琕CP鍍銅層厚度為13μm,盲孔填孔Dimple值為11um,通孔深鍍能力為90％，填孔合格率為(按SET計算)99.6％。
實施例3
一種線路板盲孔填銅工藝，依次包括以下五個步驟：
1)外層壓板；2)鐳射鉆孔，得到盲孔；3)機械鉆孔，得到通孔；4)沉銅閃鍍，對盲孔和通孔進行沉銅閃鍍；5)VCP垂直填孔，對沉銅閃鍍后的盲孔進行填孔。
其中，步驟5)的VCP垂直填孔的生產(chǎn)流程依次如下：除油、第一次水洗、微蝕、第二次水洗、酸浸、鍍銅填孔、第三次水洗、酸洗、第四次水洗、烘干。
具體地，除油步驟中，除油劑的型號為AL-Chelate，控制除油劑的溫度為52℃,浸泡5min。微蝕步驟中，所用微蝕液包括濃度為80g/L的過硫酸鈉和濃度為25ml/L的H2SO4；控制微蝕液的溫度為35℃，微蝕量為1μm。酸浸步驟中，利用115ml/L的H2SO4進行浸泡，浸泡時間為1min。鍍銅填孔步驟中，電鍍液包括CuSO4·5H2O4、H2SO4、載運劑、整平劑和光亮劑；其中，CuSO4·5H2O4的濃度為200g/L，H2SO4的濃度為55ml/L，載運劑的濃度為40ml/L，整平劑的濃度為11ml/L，光亮劑的濃度為4ml/L，電鍍溫度為25℃，電鍍時間為60min，電流密度為2ASD。
完成上述工藝后，對填孔能力進行測試。可得，VCP鍍銅層厚度為15μm,盲孔填孔Dimple值為10um,通孔深鍍能力為91％，填孔合格率為(按SET計算)99.3％。
對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應該屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。