專利名稱：壓電晶體振蕩元件的電極及其應(yīng)用與制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電極及其應(yīng)用與制造方法，尤其是涉及一種用于壓電晶體振蕩元件的電極、采用該電極的壓電晶體振蕩元件及各自的制造方法。
背景技術(shù)：
壓電晶體振蕩元件可分為壓電晶體與壓電晶體振蕩器，一般所知的石英晶體或石英振蕩器皆屬此類。壓電晶體是使用壓電晶片所制造的電子被動元件，而壓電晶體振蕩器是電子主動元件。壓電晶體振蕩元件具備振蕩時高頻率、高精度和高穩(wěn)定度特征，可于電路系統(tǒng)中用做周期、頻率、時間等主要參考依據(jù)，目前廣泛運用于頻率選擇與控制器件等各類電子產(chǎn)品或系統(tǒng)之上，舉凡軍事、機械、通訊、電子、醫(yī)療，消費及汽車等市場，都有使用壓電晶體振蕩元件的各類應(yīng)用產(chǎn)品。
壓電晶體振蕩元件結(jié)構(gòu)中，主要是在壓電晶體的晶片的兩面的各個表面鍍上電極，經(jīng)由外加電壓而產(chǎn)生頻率振蕩，一般而言，當上述的電極使用的材料不同時，對于整體的振蕩器電性與熱穩(wěn)定性皆有顯著的影響，其中，因為電極是可為多層的結(jié)構(gòu)，內(nèi)層結(jié)構(gòu)通常為鎳、鉻、金、鋁等金屬，而有關(guān)于外層結(jié)構(gòu)材料的種類與應(yīng)用，已有許多的文獻提出相關(guān)的說明，例如，臺灣專利第I494627號中提供以銀、釟-銀、鋁或是銅所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)；臺灣第I441174號中提供以金、銀、以金或是銀為主成分的金屬所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)；美國專利第6744183號中提供以金、鋁、鋅、銅、錫所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)；美國專利第6619785號中提供以鋁-銅、鋁-鎳、鉻、金所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)；美國專利第6609785號中提供以鋁、鎳、銦、金所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)；美國專利第6556103號中提供以鋁、銀、金所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)；美國專利第6545395號中提供以鉑、釟-銀、鎳所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)；美國專利第6541898號中提供以金、鋁、鋅、銅、錫所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)美國專利第5235238號中提供以金、鉑、釟、鋅、銅、鎳、鈷、鐵、銀、或是其他合金、碳材、有機導(dǎo)電材料或是導(dǎo)電陶瓷所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)；美國專利第4218631號中提供以金、鋁、銀所構(gòu)成的電極結(jié)構(gòu)?；谏鲜龅膶＠麅?nèi)容而言，并未對于電極結(jié)構(gòu)所使用的材料加以明確地定義其中的組成成分，然而，在實際的應(yīng)用中，材料特性對于元件表現(xiàn)的關(guān)是隨著精確的材料組成比例改變而有不同程度的影響，舉例而言，對于純金的金屬電極而言，雖可提供良好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性與熱穩(wěn)定性，但其電學(xué)性質(zhì)的控制則顯得較為不足，對于純銀的金屬電極而言，雖可提供良好的電學(xué)特性，但其物理、化學(xué)穩(wěn)定性與熱穩(wěn)定性卻又相對地降低，而對于金-銀二元金屬的電極而言，其中，當金的含量不同時，所形成的金-銀二元金屬的相變化溫度、延展性、電阻率等等材料特性皆有所不同，因此，由不同組成所構(gòu)成的合金材料所形成的電極結(jié)構(gòu)，具有完全不同的電性與熱穩(wěn)定性，進而影響到元件頻率訊號的控制能力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要是解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的熱穩(wěn)定性與化學(xué)穩(wěn)定性差，導(dǎo)電性能不好等的技術(shù)問題，而提出一種壓電晶體振蕩元件的電極，以使壓電晶體振蕩元件可具有較為穩(wěn)定的電性與熱穩(wěn)定性的表現(xiàn)。
本發(fā)明也提供一種制造該壓電晶體振蕩元件的電極的方法。
本發(fā)明還提供一種應(yīng)用該壓電晶體振蕩元件電極的振蕩元件，該振蕩元件所提供電極的特殊性能，解決了現(xiàn)有振蕩元件穩(wěn)定性、導(dǎo)電性差等技術(shù)問題。
本發(fā)明也提供一種制造該壓電晶體振蕩元件的方法。
本主發(fā)明主要提出一種壓電晶體振蕩元件的電極，其中，此電極為以在鉻或是鎳上形成一金銀合金的電極結(jié)構(gòu)，其中，金銀合金組成為重量百分率1～40wt.％的金原子。利用金銀合金良好的熱穩(wěn)定性以提高電極的熱穩(wěn)定性與其電性表現(xiàn)，因而使得壓電晶體振蕩元件可具有較佳及高可靠性的頻率特性。
所述的電極的結(jié)構(gòu)由至少二層的薄膜所構(gòu)成，其可藉由蒸鍍或是濺鍍制程以形成在一壓電晶片上，其中，壓電晶片的材料可為石英，而電極結(jié)構(gòu)中的第一層薄膜為鎳或鉻所構(gòu)成的金屬薄膜，第二層薄膜則為金銀合金所構(gòu)成的合金金屬薄膜，其中金原子的重量百分率控制在1～40wt.％之間；且，本發(fā)明更提供一種壓電晶體振蕩器，其利用一基底以承載一雙面鍍有電極的壓電晶片，且，電極的結(jié)構(gòu)由至少二層的薄膜所構(gòu)成，其中，基底的材料可為陶瓷，晶片的材料可為石英，而電極結(jié)構(gòu)中的第一層薄膜形成于基底上，且其為鎳或鉻所構(gòu)成的金屬薄膜，第二層薄膜則形成于第一層薄膜上，其為金銀合金所構(gòu)成的合金金屬薄膜，此外，在基底上更可設(shè)置至少一積體電路晶片，最終，使用一封套將上述所有的元件封裝在其中以形成完整的壓電晶體振蕩元件，并再藉由至少一導(dǎo)線端子以將此壓電晶體振蕩元件與周邊的元件相互連接。
因此，本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)合理，生產(chǎn)方便等特點，尤其是使用的電極材料為以金銀合金覆蓋在鉻金屬或是鎳金屬上方為結(jié)構(gòu)的電極，且其中，在金銀合金中的金原子重量百分率占1～40wt.％，因而使得本發(fā)明的壓電晶體振蕩元件可具有較優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，使得壓電晶體振蕩元件在組裝生產(chǎn)過程中即使歷經(jīng)150～350℃的熱制程后，仍可保持良好的電性表現(xiàn)與頻率控制。


圖1為本發(fā)明壓電晶體振蕩元件的電極結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明壓電晶體振蕩元件的電極結(jié)構(gòu)分解示意圖。
圖3為本發(fā)明壓電晶體振蕩元件的電極實際應(yīng)用在壓電晶體振蕩元件中的結(jié)構(gòu)分解示意圖。
圖4為以純金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在初鍍膜程序中的片電阻等高線圖。
圖5為以純金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在銀膠固化程序中的片電阻等高線圖。
圖6為以純金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在退火程序中的片電阻等高線圖。
圖7為以純金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在老化處理程序中的片電阻等高線圖。
圖8為以純金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在回流程序中的片電阻等高線圖。
圖9為以純銀電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在初鍍膜程序中的片電阻等高線圖。
圖10為以純銀電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在高溫固化程序中的片電阻等高線圖。
圖11為以純銀電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在退火程序中的片電阻等高線圖。
圖12為以純銀電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在老化處理程序中的片電阻等高線圖。
圖13為以純銀電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在回流程序中的片電阻等高線圖。
圖14為以金銀合金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在初鍍膜程序中的片電阻等高線圖。
圖15為以金銀合金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在銀膠固化程序中的片電阻等高線圖。
圖16為以金銀合金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在退火程序中的片電阻等高線圖。
圖17為以金銀合金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在老化處理程序中的片電阻等高線圖。
圖18為以金銀合金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在回流程序中的片電阻等高線圖。
具體實施例方式
下面通過實施例，并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步具體的說明。
對于壓電晶體振蕩元件而言，具有穩(wěn)定性高的電極結(jié)構(gòu)直接關(guān)系到其元件的可靠性，例如，采用熱穩(wěn)定性高的電極材料的壓電晶體振蕩元件可保證該壓電晶體振蕩元件在較高溫的操作環(huán)境下，仍可保持優(yōu)異的電性特征與穩(wěn)定的頻率輸出。因此，本發(fā)明揭示一種壓電晶體振蕩元件的電極，以使得壓電晶體振蕩元件可具有更穩(wěn)定的頻率控制能力。
如圖1、圖2所示分別為本發(fā)明的壓電晶體振蕩元件的電極結(jié)構(gòu)示意圖與電極結(jié)構(gòu)分解示意圖。在圖1中可看出一晶片電極20包括一壓電晶片26，于此壓電晶片26的上下兩表面上先形成有一金屬電極薄膜22，并在金屬電極薄膜22上接續(xù)形成合金金屬薄膜24以將金屬電極薄膜22覆蓋。而其中，上述的壓電晶片26的材料可為石英，金屬電極薄膜22的材料可依據(jù)不同的產(chǎn)品需求而選自于鉻或是鎳，合金金屬薄膜24的材料可依據(jù)不同產(chǎn)品需求而選擇一種金銀合金，其中含有重量百分率介于1～40wt.％的金原子。在本實施例中，金屬電極薄膜22的材料為鉻，合金金屬電極薄膜24的材料則是以含有金銀的合金金屬薄膜，此金、銀的合金金屬薄膜同時保留有金和銀的特征，其中金原子的含量介在1～40wt.％的重量百分率。
上述合金金屬電極薄膜24中的金，除了可提供其本身所具有的高抗氧化性、高耐腐蝕性、低化學(xué)反應(yīng)性等等的特性外，更由于金具有較為優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，使得所形成的合金金屬電極薄膜24的表面型態(tài)在較高的溫度下操作也不至于因受熱而產(chǎn)生變異，且金可與金屬電極薄膜22中的鉻有相當強的附著力；此外，在本實施例中，合金金屬電極薄膜24中另一種成分為銀，由于銀是導(dǎo)電性最佳的金屬，因此可提高合金金屬電極薄膜24的電性表現(xiàn)，例如較低的電阻率。故，綜合上述可知，含有金、銀的合金金屬薄膜在常溫下，由于金、銀本身性質(zhì)的影響，具有相當高的物理、化學(xué)穩(wěn)定性與良好的電學(xué)性質(zhì)，而在高溫的操作下，由于成分中含有金，使得合金金屬電極薄膜24可具有良好的熱穩(wěn)定性而不會在表面上產(chǎn)生嚴重的型態(tài)變化，例如電極薄膜表面粗糙度的變化、電極薄膜表面氧化的反應(yīng)程度，因而使得反比于電極薄膜厚度的片電阻可具有較小幅度的變動，因此確保了合金金屬電極薄膜24在高溫熱制造可具有較穩(wěn)定且良好的電性特性，同時，較輕微的氧化反應(yīng)程度降低了電極薄膜重量的變化量，則可使得整體壓電晶體振蕩元件對于頻率的控制可更為精準。除此之外，就制造成本而言，由于銀的成本較金為低，因此，在不影響金的特性表現(xiàn)前提下，加入適當?shù)你y以形成金銀合金不但可提供最佳的電極表現(xiàn)，更可同時達成降低成本的目標。
上述的金屬電極薄膜22與合金金屬電極薄膜24，可采用由蒸鍍或是濺鍍的方法形成在壓電晶片26上，在上述的實施例中，針對合金金屬電極薄膜24中金原子含量介于1～40wt.％的重量百分率的要求，靶材中金原子的含量則可占重量百分率約0.1～50wt.％之間，且利用薄膜蒸鍍機或是濺鍍機對已形成有金屬電極薄膜22的壓電晶片26進行蒸鍍或是濺鍍，便可完成晶片電極20的制造。
圖3所示，該圖為本發(fā)明的壓電晶體振蕩元件的電極實際應(yīng)用在壓電晶體振蕩元件中的結(jié)構(gòu)分解示意圖。首先，此壓電晶體振蕩元件具有一上封套10與下封套50，在上封套10與下封套50之間包括有一晶片電極20、積體電路晶片30、基底40，且，晶片電極20由一壓電晶片26在上下兩表面上同時形成一金屬電極薄膜22與一合金金屬電極薄膜24所構(gòu)成。其中，上述的上封套10與下封套50可由金屬所構(gòu)成，且為了與外部的周邊元件(未繪示于圖中)連接，更可利用數(shù)個導(dǎo)電端子(未繪示于圖中)以做為連接的媒介；壓電晶片26的材料可為石英；積體電路晶片30為半導(dǎo)體晶片；基底40的材料可為陶瓷；金屬電極薄膜的材料可依據(jù)不同的產(chǎn)品需求而選擇鉻或是鎳；合金金屬電極薄膜24的材料可依據(jù)不同產(chǎn)品需求而選擇金、銀或是其他金屬或合金。而在本實施例中，金屬電極薄膜的材料為鉻，合金金屬電極薄膜24的材料則是以含有金、銀的合金金屬薄膜，此金、銀的合金金屬薄膜同時保留有金與銀的特征，且其成分組成以金為主要成份，其中金原子的含量介在1～40wt.％的重量百分率。
而相較于一般習(xí)知的壓電晶體振蕩元件，由于本發(fā)明的壓電晶體振蕩元件中所使用的電極為以特定比例的金、銀所構(gòu)成，其具有較為穩(wěn)定的高溫特性與電學(xué)性質(zhì)，以下，則以實際的熱處理測試實驗之數(shù)據(jù)，來說明本發(fā)明的壓電晶體振蕩元件的電極所能達成的功效。
制程熱處理測試實驗中依序以初鍍膜(As-deposited)、銀膠固化(curing)、退火(anneal)、老化處理(aging)、回流(reflow)等程序進行，且熱處理測試實驗的操作溫度范圍介于150～350℃之間。首先，請同時參考圖1與圖4、圖5、圖6、圖7、圖8所示，其中，圖4、圖5、圖6、圖7、圖8分別為以純金電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在初鍍膜、高溫固化、退火、老化處理、回流程序中的片電阻等高線圖，且，上述純金電極薄膜直接形成在一鉻電極薄膜上。而由圖4至圖8之比較可發(fā)現(xiàn)，純金電極薄膜自初鍍膜程序至最終的回流程序下的片電阻分布情形，由圖4圖與圖5可知，當由初鍍膜至高溫固化程序的片電阻分布情形發(fā)生相當大的改變，再，接續(xù)觀察在圖5、圖6、圖7、圖8中的純金電極薄膜在經(jīng)過高溫固化、退火、老化處理與回流的程序后之片電阻的分布變化情形可發(fā)現(xiàn)，純金電極薄膜在完成高溫固化與退火后的片電阻變化較不明顯，但在接續(xù)的老化處理程序完成后，相較于退火后的片電阻分布再次出現(xiàn)較為明顯的變化，而最終，在回流程序完成后，相較于老化處理程序的片電阻分布而言，回流程序后的片電阻分布仍是有輕微的改變，同時，請再次參考圖4圖與圖8所示，發(fā)現(xiàn)此純金電極薄膜的片電阻分布在整個熱處理的測試實驗的前、后，呈現(xiàn)完全不同的分布情形。
接續(xù)，請同時參考圖9、圖10、圖11、圖12、圖13所示，其中，圖9、圖10、圖11、圖12、圖13分別為以純銀電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在初鍍膜、高溫固化、退火、老化處理、回流程序中的片電阻等高線圖，且，上述之純銀電極薄膜亦直接形成在一鉻電極薄膜上。而由第圖9至圖13比較可發(fā)現(xiàn)，純銀電極薄膜自初鍍膜程序至最終的回流程序下的片電阻分布情形，由圖9、圖10與圖11可知，當由初鍍膜經(jīng)高溫固化至退火程序的片電阻分布情形發(fā)生相當大的改變，再，接續(xù)觀察在圖11、圖12、圖13中的純金電極薄膜在經(jīng)過退火、老化處理與回流的程序后之片電阻的分布變化情形可發(fā)現(xiàn)，純銀電極薄膜在完成退火后的片電阻分布情形，再經(jīng)過老化處理、回流程序后的片電阻分布情形之變化則較不明顯，然而，最終在回流程序完成后，相較于最初的初鍍膜程序的片電阻分布而言，請再次參考圖9與圖13所示，發(fā)現(xiàn)此純銀電極薄膜的片電阻分布在整個熱處理的測試實驗的前、后，呈現(xiàn)完全不同的分布情形。
請再繼續(xù)參考圖1、圖2與圖14、圖15、圖16、圖17、圖18所示，其中，圖14、圖15、圖16、圖17、圖18分別為以金銀合金所形成的電極薄膜為電極材料的壓電晶體振蕩元件在初鍍膜、銀膠固化、退火、老化處理、回流程序中的片電阻等高線圖，且，上述金銀合金電極薄膜24亦直接形成在一鉻電極薄膜22上。而由圖14至圖18之比較可發(fā)現(xiàn)，金銀合金電極薄膜24自初鍍膜程序至最終的回流程序下的片電阻分布情形，由圖14與圖15可知，當由初鍍膜至高溫固化程序的片電阻分布情形發(fā)生些許的改變，再，接續(xù)觀察在圖15、圖16、圖17、圖18中的金銀合金電極薄膜24在經(jīng)過高溫固化、退火、老化處理與回流的程序后之片電阻的分布變化情形可發(fā)現(xiàn)，金銀合金電極薄膜24在完成高溫固化后的退火、老化處理與回流程序中，其片電阻的變化程度更趨于平緩，最終，請再次參考圖14與圖17所示，發(fā)現(xiàn)此金銀合金電極薄膜24的片電阻分布在整個熱處理的測試實驗的前、后，雖有部分的改變，但其變化的程度相當?shù)木徍汀?br> 綜合上述，無論是上述的純金電極薄膜或是純銀電極薄膜，在經(jīng)過初鍍膜、銀膠固化、退火、老化處理、回流的熱處理程序后，相較于金銀合金電極薄膜的片電阻分布情形而言，純金電極薄膜或是純銀電極薄膜的片電阻分布情形在每個步驟中皆發(fā)生明顯的改變，且所獲得的數(shù)據(jù)具有較高的標準差，主要的原因可能是因為上述的純金電極薄膜或純銀電極薄膜在最初形成時，其結(jié)構(gòu)即不夠穩(wěn)定或是不完整，而在此前提下又使電極薄膜再經(jīng)過熱處理便容易造成電極薄膜晶粒結(jié)構(gòu)改變、電極薄膜電阻率改變等因素的發(fā)生，導(dǎo)致片電阻產(chǎn)生嚴重的變化，此外，亦可能同時因為在高溫的操作條件下，使得純金電極薄膜或純銀電極薄膜下方的鉻電極薄膜因高溫而產(chǎn)生部分的鉻離子經(jīng)由兩薄膜之間的介面擴散至純金電極薄膜或純銀電極薄膜中，導(dǎo)致部分的純金電極薄膜或純銀電極薄膜出現(xiàn)薄膜剝離的現(xiàn)象，最終，由于累積上述種種的因素，因而引起純金電極薄膜或是純銀電極薄膜的片電阻產(chǎn)生了嚴重變化。然而，相較于上述具有純金電極薄膜或是純銀電極薄膜的壓電晶體振蕩元件在高溫下的穩(wěn)定度表現(xiàn)，由本發(fā)明所提供的金銀合金電極薄膜所構(gòu)成的壓電晶體振蕩元件之高溫表現(xiàn)明顯地穩(wěn)定許多，也因此，本發(fā)明的壓電晶體振蕩元件的電極可使元件在較高溫的條件下操作時，仍可保持電極薄膜穩(wěn)定的表面型態(tài)，進而使得電極薄膜的片電阻趨向一定值而提高壓電晶體振蕩元件對于頻率控制的能力。
以上所述實施例是為了進一步說明本發(fā)明的特點，其目的在于便于普通技術(shù)人員能了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，而非限定本發(fā)明的專利范圍，因此，凡其他未脫離本發(fā)明所揭示的精神所完成的等效替換或修改，仍應(yīng)包含在所述的申請專利范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種壓電晶體振蕩元件的電極，包括第一薄膜及第二薄膜，第二薄膜形成于第一薄膜之上，其特征在于所述的第二薄膜的主要成分由含重量百分率介于1～40wt.％金原子之合金所組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電晶體振蕩元件的電極，其特征在于所述的第二薄膜為一合金金屬薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要2所述的壓電晶體振蕩元件的電極，其特征在于所述的合金金屬薄膜的成分包括銀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電晶體振蕩元件的電極，其特征在于所述的第一薄膜為一金屬薄膜，且形成于一晶片上，所述的金屬薄膜的材料為鉻或鎳，所述的晶片的材料為石英。
5.一種權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的壓電晶體振蕩元件的電極制造方法，其特征在于所述的第一薄膜與第二薄膜形成的方法為蒸鍍或濺鍍。
6.一種壓電晶體振蕩元件，包括基底及電極，所述的電極位于基底之上，電極具有一晶片，所述的晶片上形成至少二層薄膜，其特征在于所述的二層薄膜由第一薄膜與第二薄膜所構(gòu)成，第二薄膜的主要成分由含重量百分率占1～40wt.％金原子的合金所組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電晶體振蕩元件，其特征在于所述的第二薄膜為一合金金屬薄膜，該合金金屬薄膜的成分包括銀，所述的第一薄膜為一金屬薄膜，該金屬薄膜的材料為鉻或鎳。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓電晶體振蕩元件，其特征在于所述的基底上至少設(shè)置有一積體電路晶片，該基底的材料為陶瓷，所述的晶片的材料為石英。
9.一種權(quán)利要求6至8中任一權(quán)利要求所述的壓電晶體振蕩元件的制造方法，其特征在于所述的第一薄膜與第二薄膜形成的方法為蒸鍍或濺鍍。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7或8所述的壓電晶體振蕩元件，其特征在于所述的壓電晶體振蕩元件包括一封裝元件的封套，該封套由至少一導(dǎo)線端子與周邊元件連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電極及其應(yīng)用與制造方法，尤其是涉及一種用于壓電晶體振蕩元件的電極、采用該電極的壓電晶體振蕩元件及各自的制造方法。壓電晶體振蕩元件包括基底及電極，所述的電極位于基底之上，電極具有一晶片，所述的晶片上形成至少二層薄膜，第二薄膜的主要成分由含重量百分率占1～40wt.％金原子的合金所組成。第一薄膜與第二薄膜形成的方法為蒸鍍或濺鍍。本發(fā)明的壓電晶體振蕩元件可具有較優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，使得壓電晶體振蕩元件在組裝生產(chǎn)過程中即使歷經(jīng)150～350℃的熱制程后，仍可保持良好的電性表現(xiàn)與頻率控制。
文檔編號H03H3/00GK101060319SQ20071008806
公開日2007年10月24日 申請日期2007年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月2日
發(fā)明者林啟文, 趙岷江, 羅中侖, 沈俊男 申請人:臺晶(寧波)電子有限公司