專利名稱：電子元件的排列方式及電壓控制振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是相關(guān)于一種電子元件的排列方式，尤指一種電子 元件的集成電路布局的排列方式。
背景技術(shù)：
一般電壓控制振蕩器(Voltage Controlled Oscillator,vco)主要以具有奇數(shù)個(gè)反相器的架構(gòu)為其工作主軸，利用每一 個(gè)反相器所須延遲時(shí)間而構(gòu)成其振蕩波形，若有N級(jí)反相器時(shí)， 則周期為2Nxtp(傳遞延遲，propagation - delay),振蕩頻率 為1/( 2Nxtp),利用輸入端所輸入的電壓控制其反相器進(jìn)行內(nèi) 部頻率振蕩后，于其輸出端產(chǎn)生一輸出頻率。請(qǐng)參閱圖1，圖l為已知電壓控制振蕩器內(nèi)多級(jí)反相器的集 成電路布局(Layout)示意圖。如圖l所示，圖l是舉已知電壓控 制振蕩器包含有七級(jí)反相器121 ~ 127為例，七級(jí)反相器121~ 127是依順序排列，由第一個(gè)反相器121、第二個(gè)反相器122…… 排列至第七個(gè)反相器127。而七級(jí)反相器121 ~ 127中每一個(gè)反相器121 ~ 127皆包含一輸入端(1211、 1221......1271)及一輸出端(1212、 1222......1272)，其線路的連接方式依序由第 一個(gè)反相器121的輸出端1212耦接至第二個(gè)反相器122的輸入端 1221、第二個(gè)反相器122的輸出端1222耦-接至第三個(gè)反相器123的輸入端1231......第六個(gè)反相器126的輸出端1262耦4妻至第七個(gè)反相器127的輸入端1271，最后再將第七個(gè)反相器127 的輸出端1272耦接至第一個(gè)反相器121的輸入端1211,以完成 整個(gè)電壓控制振蕩器進(jìn)行頻率振蕩的功能。步影響到電子裝置的特性，例如電阻及電容特性，如圖1所示，第七個(gè)反相器127的輸出端1272 耦接至第一個(gè)反相器121的輸入端1211此段線路的長度，即明 顯大于其他線路的長度，此種情形會(huì)使得第七個(gè)反相器127的 輸出端1272耦接至第一個(gè)反相器121的輸入端1211此段線路所 產(chǎn)生的寄生電阻無法等同于其他任兩個(gè)電子元件之間所產(chǎn)生的 寄生電阻的電阻值，造成相位偏移而使每一 級(jí)反相器的信號(hào)延 遲(delay)不同的問題。因此當(dāng)電壓控制振蕩器內(nèi)含有多級(jí)反相 器時(shí)，由于多級(jí)反相器的輸出特性會(huì)因?yàn)槠浼呻娐凡季值呐?列方式不同而存在著差異，進(jìn)而會(huì)影響到整個(gè)電壓控制振蕩器 的特性而產(chǎn)生相位差不同以及頻率偏移，因此如何改善電壓控 制振蕩器因?yàn)槭褂枚嗉?jí)反相器進(jìn)行頻率振蕩而于集成電路布局 上因?yàn)榫€路的配置所產(chǎn)生信號(hào)間的相位差不同的問題，即成為 改善電壓控制振蕩器的輸出頻率穩(wěn)定的重要課題。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的之一在于提供一種電子元件的排列方 式，可改善以往集成電路布局的接線不匹配而產(chǎn)生電子元件的 特性偏移的問題。本發(fā)明揭露一種電子元件，包含有N個(gè)電子元件，N為奇數(shù)， 其中該N個(gè)電子元件是包含一第 一組電子元件以及一第二組電 子元件，該第一組電子元件是依據(jù)一第一預(yù)定方式進(jìn)行排列， 而其第二組電子元件是依據(jù)一第二預(yù)定方式進(jìn)行排列，其中該 第二組電子元件是相鄰于該第一組電子元件。其中該第一預(yù)定 方式是將該第一組電子元件自第l個(gè)電子元件依奇數(shù)順序由小 至大排列至第N個(gè)電子元件，而該第二預(yù)定方式是將該第二組 元件自該第2個(gè)電子元件依偶數(shù)順序由小至大排列至第N - l個(gè)電子元4牛。本發(fā)明提供一種電子元件的排列方式，其是適用于N個(gè)電 子元件的排列，N為奇數(shù)，其中該N個(gè)電子元件是包含一第一 組電子元件以及一第二組電子元件，該第 一組電子元件是依據(jù) 一第一預(yù)定方式進(jìn)行排列，而其第二組電子元件是依據(jù)一第二 預(yù)定方式進(jìn)行排列，其中該第二組電子元件是相鄰于該第一組 電子元4牛。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該第一組電子元 件是包含該N個(gè)電子元件中的奇數(shù)電子元件，而該第二組電子 元件是包含該N個(gè)電子元件中的偶數(shù)電子元件。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該第一預(yù)定方式 是將該第一組電子元件自第l個(gè)電子元件依奇數(shù)順序由小至大 排列至第N個(gè)電子元件，而該第二預(yù)定方式是將該第二組元件 自該第2個(gè)電子元件依偶數(shù)順序由小至大排列至第N- l個(gè)電子 元件。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該N個(gè)電子元件 中每一個(gè)電子元件皆包含一輸入端及一輸出端，該N個(gè)電子元 件中的一第n個(gè)電子元件的輸入端是耦接于一第n- l個(gè)電子元 件所產(chǎn)生的輸出端，其中l(wèi)^n^N, n為一正整數(shù)，而該第l個(gè) 電子元件的輸入端是耦接于第N個(gè)電子元件的輸出端。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該N個(gè)電子元件 中每一個(gè)電子元件包含有 一第一晶體管，其源極耦接于一電 壓源，其柵極用以接收一第一參考電壓； 一第二晶體管，其漏 極耦接于該第一晶體管的漏極，其柵極用以接收一第二參考電 壓，其源極耦接于一接地端；以及一開關(guān)元件，耦接于該第一 晶體管的漏極以及該第二晶體管的漏極間，用以接收一控制信 號(hào)并根據(jù)該第一參考電壓、第二參考電壓以及該控制信號(hào)，產(chǎn)生一輸出信號(hào)。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，該N個(gè)電于元件中的 一第n個(gè)電子元件所接收的該控制信號(hào)是為一第n- l個(gè)電子元 件所產(chǎn)生的該輸出信號(hào)，lSn^N， n為一正整數(shù)，而該第l個(gè) 電子元件所接收的該控制信號(hào)是為第N個(gè)電子元件所產(chǎn)生的該 輸出信號(hào)。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該第 一 晶體管為 一PMOS晶體管，而該第二晶體管為一NMOS晶體管。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該開關(guān)單元包含 一PMOS開關(guān)，耦接至該第一晶體管的漏極；一NMOS開關(guān)， 耦接至該P(yáng) M O S開關(guān)及該第二晶體管的漏極之間； 一 輸入端， 耦接于該P(yáng)MOS開關(guān)的柵極以及該NMOS開關(guān)的柵極之間，用 以接收該控制信號(hào)；以及一輸出端，耦接于該P(yáng)MOS開關(guān)的漏 極以及該NMOS開關(guān)的漏極之間，用以根據(jù)該第一參考電壓、 第二參考電壓以及該控制信號(hào)產(chǎn)生該輸出信號(hào)。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該N個(gè)電子元件 中每一個(gè)電子元件是為一延遲(delay)元件。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該N個(gè)電子元件 中每一個(gè)電子元件是為一反相器。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式，其中該電子元件的排 列方式是適用于一集成電路布局。本發(fā)明另揭露一種電壓控制振蕩器，其包含N個(gè)電子元件。 N個(gè)電子元件，N為一奇數(shù)，該N個(gè)電子元件耦接于一電壓源， 用以根據(jù)一第一參考電壓、 一第二參考電壓以及一控制信號(hào)產(chǎn) 生一輸出信號(hào)；其中該N個(gè)電子元件是包含一第一組電子元件 以及一第二組電子元件，該第一組電子元件是依據(jù)一第一預(yù)定 方式進(jìn)行排列，而其第二組電子元件是依據(jù)一第二預(yù)定方式進(jìn)行排列，其中該第二組電子元件是相鄰于該第一組電子元件。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，其中該第一組電子元件是包含該N個(gè)電子元件中的奇數(shù)電子元件，而該第二組電子元件 是包含該N個(gè)電子元件中的偶數(shù)電子元件。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，其中該第一預(yù)定方式是將 該第一組電子元件自第l個(gè)電子元件依奇數(shù)順序由小至大排列 至第N個(gè)電子元件，而該第二預(yù)定方式是將該第二組元件自該 第2個(gè)電子元件依偶數(shù)順序由小至大排列至第N- l個(gè)電子元 件。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，其中該N個(gè)電子元件中每 一個(gè)電子元件皆包含一輸入端及一輸出端，該N個(gè)電子元件中 的一第n個(gè)電子元件的輸入端是耦接于一第n- l個(gè)電子元件所 產(chǎn)生的輸出端，其中l(wèi)^n笙N, n為一正整數(shù)，而該第l個(gè)電子 元件的輸入端是耦接于第N個(gè)電子元件的輸出端。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，其中該N個(gè)電子元件中每 一個(gè)電子元件包含有 一第一晶體管，其源極耦接于該電壓源， 其柵極用以接收一第一參考電壓； 一第二晶體管，其漏極耦接 于該第一晶體管的漏極，其柵極用以接收一第二參考電壓，其 源極耦接于一接地端；以及一開關(guān)元件，耦接于該第一晶體管 的漏極以及該第二晶體管的漏極間，用以接收該控制信號(hào)并根 據(jù)該第一參考電壓、第二參考電壓以及該控制信號(hào)，產(chǎn)生一輸 出信號(hào)。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，該N個(gè)電子元件中的一第n 個(gè)電子元件所接收的該控制信號(hào)是為一第n- l個(gè)電子元件所 產(chǎn)生的該輸出信號(hào)，1^n^N, n為一正整數(shù)，而該第l個(gè)電子 元件所接收的該控制信號(hào)是為第N個(gè)電子元件所產(chǎn)生的該輸出 信號(hào)。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，其中該第一晶體管為一PMOS晶體管，而該第二晶體管為一NMOS晶體管。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，其中該開關(guān)單元包含一 PMOS開關(guān)，耦接至該第一晶體管的漏極；一NMOS開關(guān)，耦 接至該P(yáng)MOS開關(guān)及該第二晶體管的漏極之間； 一輸入端，耦 接于該P(yáng)MOS開關(guān)的柵極以及該NMOS開關(guān)的柵極之間，用以 接收該控制信號(hào)；以及一輸出端，耦接于該P(yáng)MOS開關(guān)的漏極 以及該NMOS開關(guān)的漏極之間，用以根據(jù)該第一參考電壓、第 二參考電壓以及該控制信號(hào)產(chǎn)生該輸出信號(hào)。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，其中該N個(gè)電子元件中每 一個(gè)電子元件是為一延遲(delay)元件。本發(fā)明所述的電壓控制振蕩器，其中該N個(gè)電子元件中每 一個(gè)電子元件是為一反相器。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式及電壓控制振蕩器，可 以使電壓控制振蕩器準(zhǔn)確控制輸出相位差，達(dá)成整個(gè)電壓控制 振蕩器級(jí)與級(jí)之間的均勻相位偏移。


圖l為已知電壓控制振蕩器內(nèi)多級(jí)反相器的集成電路布局 示意圖。圖2為本發(fā)明的電子元件的排列方式的示意圖。 圖3為本發(fā)明的電子元件的排列方式中每一個(gè)電子元件的 示意圖。圖4為應(yīng)用本發(fā)明的電子元件排列方式的電壓控制振蕩器 的示意圖。
具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂， 下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明。本發(fā)明為一種電子元件的排列方式，其是適用于N個(gè)電子 元件的排列，N為奇數(shù)。請(qǐng)參閱圖2及圖3，圖2為本發(fā)明的電子 元件的排列方式的示意圖。圖3為本發(fā)明的電子元件的排列方 式中每一個(gè)電子元件的示意圖。如圖2所示，于本實(shí)施例中是 舉N二7為例子，亦即具有7個(gè)電子元件211 ~ 217。該7個(gè)電子元 件211 ~ 217是包含一第一組電子元件10以及一第二組電子元 件20,該第一組電子元件10是依據(jù)一第一預(yù)定方式進(jìn)行排列， 而其第二組電子元件20則依據(jù)一第二預(yù)定方式進(jìn)行排列，其中 第一組電子元件10是包含有7個(gè)電子元件211 ~ 217中的奇數(shù)電 子元件(211、 213、 215、 217)，而第二組電子元件20是包含有 7個(gè)電子元件211 ~ 217中的偶數(shù)電子元件(212、 214、 216),該 第二組電子元件20是相鄰于該第一組電子元件10。第一預(yù)定方 式是將第 一組電子元件IO自第l個(gè)電子元件211依奇數(shù)順序由 小至大排列至第7個(gè)電子元件217，而第二預(yù)定方式是將第二組 元件20自第2個(gè)電子元件212依偶數(shù)順序由小至大排列至第6個(gè) 電子元件216。7個(gè)電子元件211 ~ 217中每一個(gè)電子元件皆具有一輸入端 (2111、 2121……2171)與一輸出端(2112、 2122……2172),分 別耦接于7個(gè)電子元件211 ~ 217中的另兩個(gè)電子元件，該7個(gè)電 子元件211 ~ 217中的一第n個(gè)電子元件的輸入端是耦接于一第 n- l個(gè)電子元件所產(chǎn)生的輸出端，其中l(wèi)^n^N, n為一正整 數(shù)，而第1個(gè)電子元件211的輸入端2111是耦接于第N個(gè)電子元 件217的輸出端2172。本發(fā)明的電子元件211 217的排列方式是適用于一集成電路布局中。7個(gè)電子元件211 ~ 217中的一第n個(gè)電子元件所4妄收的該控制信號(hào)是為該第n- l個(gè)電子元件所產(chǎn)生的該輸出信號(hào)，其中 l^n^7， n為一正整數(shù)，而該第1個(gè)電子元件211所接收的該控 制信號(hào)是為該第N個(gè)電子元件的該輸出信號(hào)，舉11=7為例，第7 個(gè)電子元件211 ~ 217中的第1個(gè)電子元件211所接收的該控制 信號(hào)是為該第7個(gè)電子元件217所產(chǎn)生的該輸出信號(hào)。如圖3所示，N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件30包含有一電 壓源Vdd、 一第一晶體管32、 一第二晶體管34以及一開關(guān)元件 36。于本實(shí)施例中，第一晶體管32為一PMOS晶體管，而第二 晶體管34為一NMOS晶體管。第 一 晶體管32其源極耦接于該電 壓源Vdd,其柵極用以接收一第一參考電壓Vi。第二晶體管34 其漏極耦接于該開關(guān)元件36，其柵極用以接收一第二參考電壓 V2,其源極耦接于一接地端38。開關(guān)元件36耦接于該第 一 晶體管32的漏極以及該第二晶 體管34的漏極間，用以接收一控制信號(hào)Si并根據(jù)該第一參考電壓Vi、第二參考電壓V2以及該控制信號(hào)Sl，產(chǎn)生一輸出信號(hào)S2。其中該開關(guān)單元36包含一PMOS開關(guān)362、 一NMOS開關(guān)364、 一輸入端366以及一輸出端368。 PMOS開關(guān)362耦接至該第一 晶體管32的漏極。NMOS開關(guān)364耦接至該P(yáng)MOS開關(guān)362及該 第二晶體管34的漏極之間。輸入端366耦接于該P(yáng)MOS開關(guān)362 的柵極以及該NMOS開關(guān)364的柵極之間，用以接收該控制信364的漏極之間，用以根據(jù)該第一參考電壓Vi、第二參考電壓V2以及該控制信號(hào)Si產(chǎn)生該輸出信號(hào)S2。于一實(shí)施例中，每一個(gè)電子元件是為一延遲(delay)元件。 于另一實(shí)施例中，每一個(gè)電子元件是為一反相器。請(qǐng)參閱圖2及圖4，圖4為應(yīng)用本發(fā)明的電子元件排列方式 的電壓控制振蕩器的示意圖。如圖4所示，本發(fā)明另提供一種包含有N個(gè)電子元件44的電壓控制振蕩器。N個(gè)電子元件44， N為一奇數(shù)，該N個(gè)電子元件耦接于一電壓源Vdd,該N個(gè)電子元件是用以根據(jù)該第一參考電壓Vi、該第二參考電壓V2以及一控制信號(hào)Si產(chǎn)生一輸出信號(hào)S2，其中該N個(gè)電子元件是包含一 第一組電子元件10以及一第二組電子元件20,該第一組電子元 件10是依據(jù)一第一預(yù)定方式進(jìn)行排列，而其第二組電子元件20 是依據(jù)一第二預(yù)定方式進(jìn)行排列，其中該第二組電子元件20是 相鄰于該第一組電子元件IO。其中每一個(gè)電子元件44因?yàn)榻泳€ 效應(yīng)會(huì)產(chǎn)生寄生電阻Ri RN及寄生電容d Cn，而N個(gè)電子元 件44的排列方式(如圖2所示)可以使每一個(gè)寄生電阻R1 ~ RN 的阻值趨近于相等。如前所述，本發(fā)明的電子元件的排列方式以及應(yīng)用其的電 壓控制振蕩器，利用特定的排列順序進(jìn)行集成電路布局中電子 元件之間的排列，可以使寄生電阻及寄生電容的電阻值趨近于 相等，借此可以有效減少以往依據(jù)順序排列的電子元件產(chǎn)生的 特性偏移的問題，改善多級(jí)電子元件接線時(shí)電阻及電容特性的 匹配，使應(yīng)用的電路更為準(zhǔn)確，此外，本發(fā)明的電子元件的排 列方式應(yīng)用在電壓控制振蕩器的多級(jí)反相器的排列，可以使每 一級(jí)反相器的寄生電阻的阻值趨近于相等，使每一級(jí)反相器的 信號(hào)延遲(delay)相等，而不會(huì)發(fā)生信號(hào)間相位差不同的問題， 借此可以使電壓控制振蕩器準(zhǔn)確控制輸出相位差，達(dá)成整個(gè)電 壓控制振蕩器級(jí)與級(jí)之間的均勻相位偏移。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求 所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。附圖中符號(hào)的簡單說明如下121 ~ 127:反相器20:第二組電子元件30、 44、 211 ~ 127:電子元件32:第一晶體管34:第二晶體管362: PMOS開關(guān)364: NMOS開關(guān)366:輸入端368:輸出端Sl:控制信號(hào)S2:輸出信號(hào)VI:第一參考電壓V2:第二參考電壓R1~RN:寄生電阻C1~CN:寄生電容GND:接地端1211、 1221......1271:2111、 2121......2171:輸入端1212、 1222......1272:2112、 2122......2172:輸出端
權(quán)利要求
1. 一種電子元件的排列方式，其特征在于，其是適用于N個(gè)電子元件的排列，N為奇數(shù)，其中該N個(gè)電子元件是包含一第一組電子元件以及一第二組電子元件，該第一組電子元件是依據(jù)一第一預(yù)定方式進(jìn)行排列，而其第二組電子元件是依據(jù)一第二預(yù)定方式進(jìn)行排列，其中該第二組電子元件是相鄰于該第一組電子元件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子元件的排列方式，其特征在 于，該第一組電子元件是包含該N個(gè)電子元件中的奇數(shù)電子元元件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子元件的排列方式，其特征在 于，該第一預(yù)定方式是將該第一組電子元件自第l個(gè)電子元件 依奇數(shù)順序由小至大排列至第N個(gè)電子元件，而該第二預(yù)定方 式是將該第二組元件自該第2個(gè)電子元件依偶數(shù)順序由小至大 排列至第N- l個(gè)電子元件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子元件的排列方式，其特征在 于，該N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件皆包含一輸入端及一輸 出端，該N個(gè)電子元件中的 一 第n個(gè)電子元件的輸入端是耦接于 一第n- l個(gè)電子元件所產(chǎn)生的輸出端，其中l(wèi)^n^N, n為一 正整數(shù)，而該第1個(gè)電子元件的輸入端是耦接于第N個(gè)電子元件 的輸出端。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子元件的排列方式，其特征在 于，該N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件包含有一第一晶體管，其源極耦接于一電壓源，其柵極用以接收 一第一參考電壓；一第二晶體管，其漏極耦接于該第一晶體管的漏極，其柵極用以接收一第二參考電壓，其源極耦接于一摘-地端；以及一開關(guān)元件，耦接于該第一晶體管的漏極以及該第二晶體 管的漏極間，用以接收一控制信號(hào)并根據(jù)該第一參考電壓、第 二參考電壓以及該控制信號(hào)，產(chǎn)生一輸出信號(hào)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子元件的排列方式，其特征在 于，該N個(gè)電子元件中的一第n個(gè)電子元件所接收的該控制信號(hào) 是為一第n- l個(gè)電子元件所產(chǎn)生的該輸出信號(hào)，lSn^N， n 為一正整數(shù)，而該第1個(gè)電子元件所接收的該控制信號(hào)是為第N 個(gè)電子元件所產(chǎn)生的該輸出信號(hào)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子元件的排列方式，其特征在 于，該第一晶體管為一PMOS晶體管，而該第二晶體管為一 NMOS晶體管。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子元件的排列方式，其特征在 于，該開關(guān)單元包含一PMOS開關(guān)，耦接至該第一晶體管的漏極； 一NMOS開關(guān)，耦接至該P(yáng)MOS開關(guān)及該第二晶體管的漏 極之間；一輸入端，耦接于該P(yáng)MOS開關(guān)的柵極以及該NMOS開關(guān) 的柵極之間，用以接收該控制信號(hào)；以及一輸出端，耦接于該P(yáng)MOS開關(guān)的漏極以及該NMOS開關(guān) 的漏極之間，用以根據(jù)該第一參考電壓、第二參考電壓以及該 控制信號(hào)產(chǎn)生該輸出信號(hào)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子元件的排列方式，其特征在 于，該N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件是為一延遲元件。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子元件的排列方式，其特征 在于，該N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件是為一反相器。
11. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子元件的排列方式，其特征 在于，該電子元件的排列方式是適用于一集成電路布局。
12. —種電壓控制振蕩器，其特征在于，其包含N個(gè)電子 元件，N為一奇數(shù)，該N個(gè)電子元件耦接于一電壓源，用以根 據(jù)一第一參考電壓、 一第二參考電壓以及一控制信號(hào)產(chǎn)生一輸出信號(hào)；其中該N個(gè)電子元件是包含一第一組電子元件以及一第二組電子元件，該第一組電子元件是依據(jù)一第一預(yù)定方式進(jìn) 行排列，而其第二組電子元件是依據(jù)一第二預(yù)定方式進(jìn)行排列， 其中該第二組電子元件是相鄰于該第 一組電子元件。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該第一組電子元件是包含該N個(gè)電子元件中的奇數(shù)電子元件， 而該第二組電子元件是包含該N個(gè)電子元件中的偶數(shù)電子元 件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該第一預(yù)定方式是將該第一組電子元件自第l個(gè)電子元件依奇 數(shù)順序由小至大排列至第N個(gè)電子元件，而該第二預(yù)定方式是 將該第二組元件自該第2個(gè)電子元件依偶數(shù)順序由小至大排列 至第N- l個(gè)電子元件。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件皆包含一輸入端及一輸出 端，該N個(gè)電子元件中的 一 第n個(gè)電子元件的輸入端是耦接于一 第n- l個(gè)電子元件所產(chǎn)生的輸出端，其中l(wèi)當(dāng)n當(dāng)N, n為一正 整數(shù)，而該第1個(gè)電子元件的輸入端是耦接于第N個(gè)電子元件的 輸出端。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件包舍有一第一晶體管，其源極耦接于該電壓源，其柵極用以接收一第一參考電壓；一第二晶體管，其漏極耦接于該第一晶體管的漏極，其柵極用以接收一第二參考電壓，其源極耦接于一接地端；以及一開關(guān)元件，耦接于該第 一 晶體管的漏極以及該第二晶體 管的漏極間，用以接收該控制信號(hào)并根據(jù)該第一參考電壓、第 二參考電壓以及該控制信號(hào)，產(chǎn)生一輸出信號(hào)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該N個(gè)電子元件中的一第n個(gè)電子元件所接收的該控制信號(hào)是 為一第n- l個(gè)電子元件所產(chǎn)生的該輸出信號(hào)，1Sn^N， n為 一正整數(shù)，而該第1個(gè)電子元件所接收的該控制信號(hào)是為第N個(gè) 電子元件所產(chǎn)生的該輸出信號(hào)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該第一晶體管為一PMOS晶體管，而該第二晶體管為一NMOS 晶體管。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該開關(guān)單元包含一PMOS開關(guān)，耦接至該第一晶體管的漏極； 一NMOS開關(guān)，耦接至該P(yáng)MOS開關(guān)及該第二晶體管的漏 極之間；一輸入端，耦接于該P(yáng)MOS開關(guān)的柵才及以及該NMOS開關(guān) 的柵極之間，用以接收該控制信號(hào)；以及一輸出端，耦接于該P(yáng)MOS開關(guān)的漏極以及該NMOS開關(guān) 的漏極之間，用以根據(jù)該第一參考電壓、第二參考電壓以及該 控制信號(hào)產(chǎn)生該輸出信號(hào)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件是為一延遲元件。
21. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電壓控制振蕩器，其特征在于， 該N個(gè)電子元件中每一個(gè)電子元件是為一反相器。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種電子元件的排列方式及電壓控制振蕩器，特別涉及一種電子元件的排列方式，其是適用于N個(gè)電子元件的排列，N為奇數(shù)，該N個(gè)電子元件是包含有一第一組電子元件以及一第二組電子元件，該第一組電子元件是依據(jù)一第一預(yù)定方式進(jìn)行排列，而其第二組電子元件是依據(jù)一第二預(yù)定方式進(jìn)行排列，其中該第二組電子元件是相鄰于該第一組電子元件。本發(fā)明所述的電子元件的排列方式及電壓控制振蕩器，可以使電壓控制振蕩器準(zhǔn)確控制輸出相位差，達(dá)成整個(gè)電壓控制振蕩器級(jí)與級(jí)之間的均勻相位偏移。
文檔編號(hào)H03K3/00GK101262212SQ20071008650
公開日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2007年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月9日
發(fā)明者紀(jì)麗紅, 陳信光 申請(qǐng)人:普誠科技股份有限公司