專利名稱：壓電振蕩器和電壓控制振蕩器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路和壓電振子的壓電振蕩器、以及內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路和壓電振子及其他電子元件的電壓控制振蕩器及它們的制造方法。
近年來，在HDD(硬盤驅(qū)動器)或攜帶式計(jì)算機(jī)等小型信息機(jī)器及攜帶電話和汽車電話等移動通信機(jī)器的小型輕量化非常顯著，從而，它們所使用的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器也要求小型薄型化。另外，與此同時(shí)，這些裝置的電路基板也要求是可以兩面安裝的表面安裝(SMD)式的電路基板。
因此，下面用壓電振子使用晶體振子的

圖19(a)、19(b)的結(jié)構(gòu)圖所示的晶體振蕩器和圖20(a)、20(b)的結(jié)構(gòu)圖所示的電壓控制振蕩器(VCXO)說明現(xiàn)有的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器的一例。
在圖19(a)、19(b)所示現(xiàn)有的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)中，CMOS等IC芯片101利用導(dǎo)電性粘接劑等粘接固定在引線框102的一部分即島部103上，利用Au引線104與輸入輸出用引線端子105連接。另外，將晶體振子片安裝在截面約φ3mm的圓筒形盒內(nèi)的晶體振子106固定在內(nèi)部引線107上，與IC芯片101的柵極端子108及漏極端子109連接。并且，利用傳送模方法等，用環(huán)氧樹脂系列的樹脂模制材料將IC芯片101、晶體振子106和包含輸入輸出用引線端子105的一部分封裝起來，形成晶體振蕩器的樹脂封殼110。
另外，在圖20(a)、20(b)中，現(xiàn)有的電壓控制振蕩器的結(jié)構(gòu)是將裝配著晶體管111和變?nèi)荻O管112等電路元件的基板113用焊錫等焊接固定到金屬殼封裝的管座114上，再將晶體振子115與基板113連接固定。并且，外殼116通常是利用電阻焊等方法氣密封裝的分立式結(jié)構(gòu)。另外，安裝到移動通信機(jī)器等裝置內(nèi)的電路基板上之后，為了進(jìn)行頻率調(diào)整，廣泛使用將微調(diào)電容器等安裝到基板113上，并在外殼116上設(shè)置調(diào)整用的孔的形式。
以上所述的現(xiàn)有的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器內(nèi)部裝有圓筒形盒的直徑約φ3mm的壓電振子，因此，壓電振蕩器和電壓控制振蕩器是大型的，其高度約4.5mm～7mm以上，并且其容積總共約0.5cc～1.0cc，由于其安裝面積和使用的元件高度的限制等原因，向HDD、便攜式計(jì)算機(jī)、攜帶電話及汽車電話等比較小型的電子機(jī)器內(nèi)裝配時(shí)，非常困難。
然而，為了使利用樹脂封裝的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器薄型化，使內(nèi)裝的壓電振子的厚度變薄即可，為此，考慮了如下兩種技術(shù)。
第一，是縮小內(nèi)裝的壓電振子片從而減小圓筒形的壓電振子的直徑的方法。假定求將壓電振子的直徑減小到約φ1.5mm時(shí)的壓電振子片的截面尺寸，則得其尺寸為0.5～0.7(W)×5.6(L)mm。將其與現(xiàn)有的內(nèi)裝在約φ3mm的壓電振子盒內(nèi)的壓電振子片進(jìn)行比較，現(xiàn)有的尺寸為1.8～2.0(W)×5.6(L)mm。但是，為了使晶體等壓電振子片這樣小型化保持其特性，需要高精度的設(shè)計(jì)和加工技術(shù)，現(xiàn)在，由于成本高，還不太適用。
另外，第二種技術(shù)就是如本發(fā)明所示的那樣，通過將壓電振子構(gòu)成為截面呈橢圓或跑道形狀(長圓形)而實(shí)現(xiàn)薄型化的方法。按照該方法，內(nèi)裝的壓電振子片的尺寸可以直接使用現(xiàn)有的尺寸。因此，壓電振子片可以用現(xiàn)有的成本進(jìn)行制造。
使用第二種技術(shù)構(gòu)成壓電振蕩器的例子，詳見特開平4-259104號公報(bào)，其中，介紹了使用其截面的一面具有平面部的壓電振子的小型振蕩器。
然而，在用樹脂封裝壓電振蕩器和電壓控制振蕩器的工序中，注入封裝材料時(shí)對內(nèi)裝的半導(dǎo)體集成電路及壓電振子等施加均勻的注入壓。
特別是壓電振子在盒的內(nèi)部具有中空的結(jié)構(gòu)，壓電振子片安裝在其內(nèi)部。因此，盒整體必須具有不會由于封裝時(shí)的注入壓而變形的結(jié)構(gòu)。這是為了防止盒變形引起壓電振子片與盒內(nèi)表面接觸和防止盒變形產(chǎn)生的應(yīng)力引起內(nèi)部的壓電振子片及固定部等形變。
另外，其變形還隨壓電振子的形狀而異，與圓筒形(現(xiàn)有的圓柱形)相比，使用結(jié)構(gòu)分析軟件等分析截面呈橢圓或跑道形狀的壓電振子時(shí)可知，對于封裝時(shí)的注入壓那樣的均勻的壓力，變形分析結(jié)果不一樣，在橢圓的短軸方向或跑道形狀的平行部(直線部)附近發(fā)生大的變形。并且，在實(shí)際的封裝實(shí)驗(yàn)中也得出證實(shí)這一點(diǎn)的結(jié)果。
另外，當(dāng)構(gòu)成壓電振蕩器和電壓控制振蕩器時(shí)，由于因封裝成形時(shí)的收縮引起的盒的變形隨配置壓電振子的位置而異，所以，對其位置也必須考慮最佳的配置和結(jié)構(gòu)。這是由于封裝成形時(shí)因封裝材料的收縮發(fā)生熱應(yīng)力，而該熱應(yīng)力值隨壓電振蕩器和電壓控制振蕩器的各封裝位置而異的緣故。
然而，按照特開平4-259104號公報(bào)，IC固定在其截面的一面具有平面部的壓電振子的平面部，將該壓電振子和IC配置在壓電振蕩器的大致中央位置，用樹脂進(jìn)行封裝成形。
但是，為了將IC固定在壓電振子的平面部，必須具有大于IC的面積的平面部，如果IC增大，必須與其一致地?cái)U(kuò)大平面部。即，擴(kuò)大壓電振子的平面部，就是跑道形狀的平行部延長，在進(jìn)行上述封裝注入時(shí)對壓電振子的壓力便增大，從而盒的變形更大。
另外，相對于壓電振子，IC一側(cè)的封裝厚度大，所以，成形時(shí)的熱應(yīng)力引起的壓電振子的變形也比相反一側(cè)(未固定IC的一側(cè))大。
如上所述，為了使壓電振子的截面呈橢圓或跑道形狀從而使壓電振蕩器和電壓控制振蕩器實(shí)現(xiàn)薄型化，必須對壓電振子的截面形狀和安裝壓電振子的位置等提出最佳結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。
另外，電壓控制振蕩器也要求壓電振蕩器實(shí)現(xiàn)振蕩頻率的高精度化。本發(fā)明提供一種高精度地并且可以簡單地進(jìn)行該振蕩頻率的調(diào)整的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明就是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題而提出的，目的在于廉價(jià)地提供小型且薄型的高精度的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器。
本發(fā)明第1方面所述的特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路和壓電振子的壓電振蕩器中，半導(dǎo)體集成電路裝配在引線框的島上，利用引線接合法向引線框的內(nèi)部引線端子配線，具有橢圓或跑道形狀(長圓形)的截面的壓電振子與半導(dǎo)體集成電路相鄰地配置，壓電振子的引線與引線框的一部分連接，且與半導(dǎo)體集成電路連接，配置可以從外部控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)的信號輸入用引線端子，并且，除了內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子外，用樹脂將半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和引線框一體地封裝，且通過使用信號輸入用引線端子輸入信號，進(jìn)行振蕩頻率調(diào)整。
本發(fā)明第2方面所述的特征在于在第1方面中，封裝內(nèi)部裝有壓電振子用的上側(cè)和下側(cè)樹脂厚度相等。
本發(fā)明第3方面所述的特征在于在第1方面中，使壓電振子的盒表面露出到壓電振蕩器的外部。
本發(fā)明第4方面所述的特征在于在第1方面中，壓電振子的盒截面的短軸方向或平行部(直線部)比盒截面的其他部分厚。
本發(fā)明第5方面所述的特征在于在第1方面中，使用在240℃～260℃高溫時(shí)的彎曲強(qiáng)度具有2Kg/mm以上強(qiáng)度的封裝材料。
本發(fā)明第6方面所述的特征在于在第1方面中，將支持利用樹脂一體封裝的壓電振蕩器的支持用引線端子設(shè)在引線框上。
本發(fā)明第7方面所述的特征在于在第1、6方面中，將控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)信號輸入用引線端子相對于半導(dǎo)體集成電路與壓電振子平行地配置在裝有壓電振子一側(cè)的相反一側(cè)。
本發(fā)明第8方面所述的特征在于在第7方面中，半導(dǎo)體集成電路在與壓電振子相對的邊以外的三邊上形成輸入輸出點(diǎn)。
本發(fā)明第9方面所述的特征在于在第1方面中，壓電振子是晶體振子。
本發(fā)明第10方面所述的特征在于包括將半導(dǎo)體集成電路裝配到引線框的島上并利用引線接合法向引線框的內(nèi)部引線端子配線的工序、將壓電振子與半導(dǎo)體集成電路相鄰地定位到引線框上并將壓電振子的引線與引線框的一部分連接的工序、除了內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子外用樹脂將半導(dǎo)體集成電路和壓電振子以及引線框一體地封裝工序、切斷聯(lián)結(jié)內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子等的連線的工序、向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序和對內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分進(jìn)行彎曲加工并切斷信號輸入用引線端子和支持用引線端子等從引線框切割分離壓電振蕩器的工序。
本發(fā)明第11方面所述的特征在于在第10方面中，在向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序中，從信號輸入用引線端子和NC端子或OE端子輸入數(shù)據(jù)。
本發(fā)明第12方面所述的特征在于在第10方面中，在向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序中，在將多個(gè)壓電振蕩器與引線框連接的狀態(tài)下進(jìn)行頻率調(diào)整。
本發(fā)明第13方面所述的特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和其他電子元件的電壓控制振蕩器中，半導(dǎo)體集成電路裝配在引線框的島上，利用引線接合法向引線框的內(nèi)部引線端子配線，具有橢圓或跑道形狀(長圓形)的截面的壓電振子與半導(dǎo)體集成電路和電子元件相鄰地配置，壓電振子的引線與引線框的一部分連接，再將電子元件裝配到在引線框上形成的接線部，進(jìn)而與半導(dǎo)體集成電路連接，配置從外部控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)信號輸入用引線端子，并且除了內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用端子外，用樹脂將半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和電子元件一體地封裝，進(jìn)而通過使用信號輸入用引線端子輸入信號，進(jìn)行振蕩頻率調(diào)整。
本發(fā)明第14方面所述的特征在于在第13方面中，封裝內(nèi)部裝有壓電振子的上側(cè)和下側(cè)的樹脂厚度相等。
本發(fā)明第15方面所述的特征在于在第13方面中，使壓電振子的盒表面露出到電壓控制振蕩器的外部。
本發(fā)明第16方面所述的特征在于在第13方面中，壓電振子的盒截面的短軸方向或平行部(直線部)比盒截面的其他部分厚。
本發(fā)明第17方面所述的特征在于在第13方面中，使用在240℃～260℃高溫時(shí)的彎曲強(qiáng)度具有2Kg/mm以上強(qiáng)度的封裝材料。
本發(fā)明第18方面所述的特征在于在13方面中，將支持利用樹脂一體地封裝的壓電振蕩器的支持用引線端子設(shè)在引線框上。
本發(fā)明第19方面所述的特征在于在第13和18方面中，將控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)信號輸入用引線端子相對于半導(dǎo)體集成電路與壓電振子平行地配置在裝有壓電振子的一側(cè)的相反一側(cè)。
本發(fā)明第20方面所述的特征在于在第19方面中，半導(dǎo)體集成電路在與壓電振子相對的邊以外的三邊上形成輸入輸出點(diǎn)。
本發(fā)明第21方面所述的特征在于在第13方面中，壓電振子是晶體振子。
本發(fā)明第22方面所述的特征在于在第13方面中，電子元件是變?nèi)荻O管。
本發(fā)明第23方面所述的特征在于包括將半導(dǎo)體集成電路裝配到引線框的島上并利用引線接合法向引線框的內(nèi)部引線端子配線的工序、將壓電振子與半導(dǎo)體集成電路相鄰地定位到引線框上并將壓電振子的引線與引線框的一部分連接的工序、將電子元件裝配到在引線框上形成的接線部的工序、除了內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子外用樹脂將半導(dǎo)體集成電路和壓電振子以及引線框一體地封裝工序、切斷聯(lián)結(jié)內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子等的連線的工序、向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序和對內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分進(jìn)行彎曲加工并切斷信號輸入用引線端子和支持用引線端子等從引線框切割分離電壓控制振蕩器的工序。
本發(fā)明第24方面所述的特征在于在第23方面中，在向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序中，從信號輸入用引線端子和VC端子輸入數(shù)據(jù)。
本發(fā)明第25方面所述的特征在于在第23方面中，在向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序中，在將多個(gè)電壓控制振蕩器與引線框連接的狀態(tài)下進(jìn)行頻率調(diào)整。
本發(fā)明第26方面所述的特征在于在第22方面中，在半導(dǎo)體集成電路的反相器的輸入輸出端子間具有串聯(lián)的壓電振子和變?nèi)荻O管，將隔直流電容器連接在變?nèi)荻O管和反相器之間，將偏置電阻連接在壓電振子和變?nèi)荻O管與地之間，并且，從變?nèi)荻O管和隔直流電容器之間輸入信號。
圖1是本發(fā)明的壓電振蕩器的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。(a)為平面圖，(b)為剖面圖；圖2是本發(fā)明的壓電振蕩器的電路框圖；圖3是安裝在本發(fā)明的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器內(nèi)的壓電振子的結(jié)構(gòu)圖；(a)是圖3(b)的A-A剖面圖，(b)是側(cè)視圖；圖4是將本發(fā)明的壓電振蕩器配置在傳送模型中的配置圖；(a)是平面圖，(b)是側(cè)視圖，(c)是圖4(a)的A-A剖面圖；圖5是本發(fā)明的壓電振蕩器的頻率調(diào)整工序的結(jié)構(gòu)圖；圖6是本發(fā)明的壓電振蕩器的外觀斜視圖；圖7是本發(fā)明的壓電振蕩器的另一實(shí)施例的電路圖；圖8是本發(fā)明的壓電振蕩器的頻率調(diào)整工序的結(jié)構(gòu)圖；圖9是本發(fā)明的壓電振蕩器的頻率調(diào)整用的理想曲線圖；圖10是本發(fā)明的電壓控制振蕩器的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；(a)是平面圖，(b)是剖面圖；圖11是本發(fā)明的電壓控制振蕩器的電路結(jié)構(gòu)圖；圖12是本發(fā)明的電壓控制振蕩器的電路框圖；圖13是本發(fā)明的電壓控制振蕩器的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；圖14是本發(fā)明的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器的其他實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；圖15是安裝在本發(fā)明的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器內(nèi)的壓電振子的具體的結(jié)構(gòu)圖；(a)是橢圓形狀的實(shí)施例，(b)是跑道形狀的實(shí)施例；圖16是利用結(jié)構(gòu)分析軟件得到的變形分析結(jié)果；(a)是現(xiàn)有例的變形特性，(b)是本實(shí)施例的變形特性；圖17是本發(fā)明的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器使用的封裝材料的特性表；圖18是相對于封裝時(shí)的注入壓的壓電振子盒的變形特性的曲線圖；圖19是現(xiàn)有的壓電振蕩器的結(jié)構(gòu)圖；(a)是平面圖，(b)是剖面圖；圖20是現(xiàn)有的電壓控制振蕩器的結(jié)構(gòu)圖。(a)是平面圖，(b)是剖面圖。
下面，參照附圖以壓電振子使用晶體振子的SOJ(SmallOutline J-Lead Packages)形狀的樹脂封裝的晶體振蕩器和電壓控制振蕩器為例說明本發(fā)明的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器的一個(gè)實(shí)施例。但是，對于本發(fā)明的晶體振蕩器和電壓控制振蕩器的結(jié)構(gòu)來說，由于相同的方面多，所以，對相同的方面將在晶體振蕩器一項(xiàng)中詳細(xì)說明，避免重復(fù)。
圖1、圖2、圖5、圖6、圖7、圖8和圖9分別是第1、2、6、7、8、9、10、11和12方面所述的發(fā)明的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)圖、電路結(jié)構(gòu)圖和表示制造方法的配置圖以及晶體振蕩器使用的晶體振子的結(jié)構(gòu)圖等。
如圖1(a)的平面圖和圖1(b)的剖面圖所示，具有振蕩電路的CMOS半導(dǎo)體集成電路(IC芯片以后簡寫為IC芯片)3利用導(dǎo)電性粘接劑等粘接到由42％Ni和58％Fe構(gòu)成的42合金或由Cu合金系列等高導(dǎo)電性金屬材料構(gòu)成的引線框1的島部2上，IC芯片3的接線點(diǎn)與圍繞在島部2的周圍的內(nèi)部引線端子4利用Au引線接合線5連接。內(nèi)裝矩形AT晶體振子片6的晶體振子7利用電阻點(diǎn)焊或激光焊接等方法固定到利用Au引線接合線5將其引線8與用于使IC芯片3的晶體振子7產(chǎn)生振蕩的XG端子(柵極一側(cè))9及XR端子(漏極一側(cè))10連接的內(nèi)部引線端子11a、11b的中途的固定區(qū)域12a、12b上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)電氣連接。
這里，由于引線8跨越內(nèi)部引線端子11b、11c與固定區(qū)域12a、12b連接，所以，如圖1(b)所示，進(jìn)行彎曲加工，另外，為了使引線8伸長到固定區(qū)域12a、12b，進(jìn)行調(diào)節(jié)引線8的長度并切斷的加工。這樣加工的晶體振子7與IC芯片3相鄰地定位到引線框1上。
另外，確定晶體振子7的位置，使晶體振子7的上下樹脂厚度相等。在本實(shí)施例中，使上下樹脂厚度為約0.4mm。
用于調(diào)整晶體振蕩器13的振蕩頻率的信號輸入用引線端子(分別是D0端子14、D1端子15、D2端子16、D3端子17、D4端子18、D5端子19、D6端子20和控制端子21)設(shè)置在晶體振蕩器13的縱向的側(cè)面(長邊一側(cè))。這樣，在晶體振蕩器13的結(jié)構(gòu)中，信號輸入用引線端子相對于IC芯片3配置在與晶體振子7平行且與晶體振子7相對的一側(cè)。
并且，配置有VSS端子22、VDD端子23、OUT端子24、NC/OE端子25的輸入輸出用的各端子。
另外，進(jìn)行振蕩頻率調(diào)整時(shí)用于支持晶體振蕩器13的支持用引線端子26、27、28、29設(shè)在引線框1上。
這里，如圖2中的電路框圖所示，IC芯片3是內(nèi)部具有振蕩電路30、電容陣列31、寄存器32、PROM33、控制電路34和輸出緩沖器35等并通過從外部輸入頻率調(diào)整數(shù)據(jù)和分頻設(shè)定數(shù)據(jù)等進(jìn)行編程、通過控制電容陣列31改變XG端子9的電容值從而具有調(diào)整來自O(shè)UT端子24的晶體振蕩時(shí)的振蕩頻率的功能的單片半導(dǎo)體元件。
但是，振蕩電路30是內(nèi)部由反饋電阻、CMOS反相器、柵極和漏極的各個(gè)電容構(gòu)成的電路，電容陣列31是由附屬于柵極電容的頻率調(diào)整用的7個(gè)電容構(gòu)成的。另外，寄存器32在振蕩頻率的調(diào)整工序中，具有記錄利用外部的編程輸入的頻率調(diào)整數(shù)據(jù)的功能，PROM33寫入并保存該頻率調(diào)整的數(shù)據(jù)。另外，控制電路34是利用設(shè)定在PROM33或寄存器32內(nèi)的頻率調(diào)整數(shù)據(jù)控制電容陣列31的電路，輸出緩沖器35具有放大來自振蕩電路30的振蕩信號的功能。
本發(fā)明的晶體振蕩器13所需要的IC芯片3的各接線點(diǎn)，如圖1(a)所示，只形成在與晶體振子7相對的邊以外的其余的三個(gè)邊上，各接線點(diǎn)利用Au引線接合線5與內(nèi)部引線端子4連接。
另外，如圖3(a)(圖3(b)的A-A剖面圖)和圖3(b)所示，本發(fā)明的晶體振子7的形狀是截面呈跑道形狀(長圓形)，其結(jié)構(gòu)是將矩形的AT晶體振子片6固定在密封端子36的內(nèi)部引線37上，并利用盒38封裝。這里，AT晶體振子片6可以使用和現(xiàn)有例相同的尺寸。這樣，通過使密封端子36和盒38呈跑道形狀，內(nèi)部便可安裝和現(xiàn)有例相同尺寸的AT晶體振子片6，從而，晶體振子7的尺寸可以實(shí)現(xiàn)非常薄型化，厚度只有約1.5mm。另外，晶體振子7的截面形狀不限于跑道形狀也可以是橢圓形狀。
另外，如圖4(a)的平面圖、圖4(b)的側(cè)視圖和圖4(c)的剖面圖(圖4(a)的A-A剖面)所示，將如上構(gòu)成的引線框1設(shè)置到傳送模具39中，留出內(nèi)部引線端子4和信號輸入用引線端子(分別是D0端子14、D1端子15、D2端子16、D3端子17、D4端子18、D5端子19、D6端子20和控制端子21)的外側(cè)部分，利用傳送模對晶體振蕩器13進(jìn)行樹脂封裝。這里，在本實(shí)施例中，封裝材料注入用的柵極部40配置在晶體振蕩器13的短邊一側(cè)，通過使封裝材料與晶體振子7的盒頂部41沖擊，可以使封裝材料注入時(shí)封裝材料的流動均勻。
在這樣進(jìn)行樹脂封裝之后，切斷聯(lián)結(jié)輸入輸出用的各端子和信號輸入用引線端子(分別是D0端子14、D1端子15、D2端子16、D3端子17、D4端子18、D5端子19、D6端子20和控制端子21)等的接線等。從而可以獲得具有多個(gè)(本實(shí)施例為10個(gè))與引線框1呈連接狀態(tài)的圖5所示結(jié)構(gòu)的晶體振蕩器13。在該狀態(tài)下，晶體振蕩器13利用支持用引線端子26、27、28、29與引線框1連接。這里，支持用引線端子26、27、28、29分別是獨(dú)立的，與其他輸入輸出用的端子及信號輸入用引線端子不連接。
并且，圖5中的黑色圓點(diǎn)符號表示進(jìn)行頻率調(diào)整時(shí)使用的針探頭等的接觸位置。由于晶體振蕩器13這樣被支持著，所以，在將多個(gè)晶體振蕩器與引線框1連接的狀態(tài)下可以進(jìn)行頻率調(diào)整加工。另外，還可以同時(shí)對多個(gè)進(jìn)行頻率調(diào)整。因此，頻率調(diào)整工序可以成排地進(jìn)行，從而可以制造廉價(jià)的晶體振蕩器。
然后，將經(jīng)過上述頻率調(diào)整后的晶體振蕩器13與引線框1切割分離。在該切割分離工序中，首先，通過對VSS端子22、VDD端子23、OUT端子24、NC/OE端子25的輸入輸出用的各端子進(jìn)行彎曲加工，切斷信號輸入用引線端子(分別是D0端子14、D1端子15、D2端子16、D3端子17、D4端子18、D5端子19、D6端子20和控制端子21)，最后切斷聯(lián)結(jié)支持用引線端子26、27、28、29和引線框1的部分，將晶體振蕩器13分離下來，便可得到圖6所示的SOJ式的晶體振蕩器。
如果采用上述結(jié)構(gòu)，則晶體振蕩器的高度約2.0mm，并且其容積約0.2cc，可以獲得小型并且薄型化的晶體振蕩器。
另外，由于晶體振子的截面形狀的緣故，晶體振子周圍的樹脂厚度是均勻的，提高了封裝時(shí)的封裝材料的填充度，從而可以得到不會發(fā)生封裝開裂等現(xiàn)象的可靠性高的晶體振蕩器。
以上說明的晶體振蕩器是可以調(diào)整振蕩頻率的高精度的晶體振蕩器，但是，同樣也可以構(gòu)成只具有圖7所示振蕩電路的通用CMOS電路的晶體振蕩器。
下面，詳細(xì)說明具有圖5所示結(jié)構(gòu)的晶體振蕩器的振蕩頻率的調(diào)整方法。
如圖8所示，在將多個(gè)晶體振蕩器13與引線框1聯(lián)結(jié)的狀態(tài)下，設(shè)定頻率調(diào)整器42，自動地按照以下順序調(diào)整振蕩頻率。
使設(shè)定在頻率調(diào)整器42上的針探頭43等與晶體振蕩器13的各端子接觸。并且，將電壓加到VDD端子23和VSS端子22上，使內(nèi)裝的晶體振子7發(fā)生振蕩。這里，將圖9所示的理想曲線的最小(MIN)數(shù)據(jù)輸入頻率調(diào)整器42的計(jì)數(shù)器。然后，將晶體振蕩器13的控制端子21設(shè)定為高電平，將NC/OE端子25設(shè)定為低電平。這時(shí)，電容陣列31從PROM33切換到寄存器32，寄存器32成為動作狀態(tài)。并且，從NC/OE端子25輸入N個(gè)脈沖。通過該操作在寄存器32中設(shè)定數(shù)據(jù)N。并且，監(jiān)視從OUT端子24輸出的振蕩頻率(F1)。如果該振蕩頻率(F1)與圖9所示的目標(biāo)頻率(F0)一致，頻率調(diào)整即告結(jié)束，頻率不同時(shí)，就反復(fù)進(jìn)行上述操作。
通過將根據(jù)以上頻率監(jiān)視的結(jié)果確定的數(shù)據(jù)寫入PROM33，保存振蕩頻率的頻率調(diào)整結(jié)果。即，通過使以二進(jìn)制形式表示的數(shù)據(jù)與D0端子14～D6端子20對應(yīng)，切斷數(shù)據(jù)為0的端子PROM33中構(gòu)成的熔絲，進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫入。另外，熔絲的切斷是通過對VDD端子23＝GND將寫入電壓加到該端子上進(jìn)行的。
圖8是頻率調(diào)整的一個(gè)實(shí)施例，這里，使針探頭43接觸的方向不限于本實(shí)施例，可以從任何方向進(jìn)行接觸。另外，壓電振蕩器向頻率調(diào)整器42設(shè)定的方向，不論是封殼的正面或反面都可以。
另外，上述制造工序的流程是一個(gè)例子，對其順序沒有特別限制。
圖10、圖11和圖12分別是第13、14、18、19、20、21、22、23、24、25和26方面所述的發(fā)明的電壓控制振蕩器的結(jié)構(gòu)圖、電路結(jié)構(gòu)圖和框圖。
如圖10(a)的平面圖和圖10(b)的剖面圖所示，CMOSIC芯片53利用導(dǎo)電性粘接劑等粘接到由42％Ni和58％Fe構(gòu)成的42合金或由Cu合金系列等高導(dǎo)電性金屬材料構(gòu)成的引線框51的島部52上，IC芯片53的接線點(diǎn)與圍繞在島部52的周圍的內(nèi)部引線端子54利用Au引線接合線55連接。內(nèi)裝矩形AT晶體振子片56的晶體振子57利用電阻點(diǎn)焊或激光焊接等方法固定到利用Au引線接合線55將其引線58與用于使IC芯片53的晶體振子57產(chǎn)生振蕩的XG端子(柵極一側(cè))59及XR端子(漏極一側(cè))60連接的內(nèi)部引線端子61、62的中途的固定區(qū)域63、64上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)電氣連接。
這里，由于晶體振子57的引線58跨越內(nèi)部引線端子60、65，與固定區(qū)域63、64連接，所以，如圖10(b)所示的那樣，進(jìn)行彎曲加工，另外，為了使引線58伸長到固定區(qū)域63、64，進(jìn)行調(diào)節(jié)引線8的長度并切斷的加工。這樣加工的晶體振子57便被定位到引線框51上了。
本實(shí)施例的晶體振子57的形狀和在晶體振蕩器一項(xiàng)所述的圖3中的晶體振子7相同，截面具有跑道形狀(長圓形)，其結(jié)構(gòu)是將矩形AT晶體振子片固定在密封端子的內(nèi)部引線上，利用盒封裝。這樣，晶體振子57的尺寸便可采用厚度約1.5mm的非常薄型化的尺寸。
另外，圖11的電路結(jié)構(gòu)圖所示的變?nèi)荻O管66等電子元件如圖10(a)所示，配置在引線框51的接線部67，利用電阻點(diǎn)焊或激光焊接或焊錫焊接或?qū)щ娦哉辰觿┑冗B接固定。
這里，晶體振子57的連接位置和變?nèi)荻O管66的連接位置位于同一直線上，從而例如在制造工序中可以縮短焊接頭的移動等加工時(shí)間等，并且可以簡單地進(jìn)行2個(gè)不同元件的連接固定。
另外，本實(shí)施例的電壓控制振蕩器的振蕩電路如圖11所示，具有反相器、反饋電阻和振蕩用的電容器等。并且，將晶體振子57和變?nèi)荻O管66串聯(lián)在反相器的輸入輸出端子之間。另外，將隔直流電容器連接在變?nèi)荻O管66與反相器之間，將偏置電阻連接在壓電振子57和變?nèi)荻O管66與地之間。并且，從變?nèi)荻O管66和隔直流電容器之間輸入控制電壓或調(diào)制信號，改變變?nèi)荻O管66的電容量，從而改變振蕩頻率。
另外，如上述晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)所示，信號輸入用引線端子和支持用引線端子分別同樣地配置。
并且，配置VSS端子、VDD端子69、OUT端子70、VC端子71的輸入輸出端子。
如圖12的電路框圖所示，IC芯片53是內(nèi)部具有振蕩電路72、電容陣列73、寄存器74、PROM75、控制電路76和輸出緩沖器77等并通過從外部輸入頻率調(diào)整數(shù)據(jù)和分頻設(shè)定數(shù)據(jù)等進(jìn)行編程、控制電容陣列73改變XG端子59的電容值從而具有調(diào)整來自O(shè)UT端子70的晶體振蕩時(shí)的振蕩頻率的功能的單片半導(dǎo)體元件。
另外，在IC芯片53的內(nèi)部形成內(nèi)裝電阻78。該內(nèi)裝電阻78是VC端子71的輸入電阻，該電阻與晶體振子57和變?nèi)荻O管66連接。
并且，將如上構(gòu)成的引線框設(shè)定到傳送模具上，留出內(nèi)部引線端子54和信號輸入用引線端子的外側(cè)部分，利用傳送模對電壓控制振蕩器進(jìn)行樹脂封裝。
并且，振蕩頻率的調(diào)整方法和晶體振蕩器相同。但是，不同點(diǎn)是在晶體振蕩器中使用NC/OE端子進(jìn)行調(diào)整，而在電壓控制振蕩器中使用VC端子71進(jìn)行調(diào)整。
另外，圖13是本發(fā)明第11方面所述的另一實(shí)施例，是使用芯片形狀的變?nèi)荻O管79的電壓控制振蕩器。利用導(dǎo)電性粘接劑等將變?nèi)荻O管79固定到接線部80，用引線接合線81進(jìn)行配線。
如果采用上述結(jié)構(gòu)，則電壓控制振蕩器的高度約2.0mm，其容積約0.2cc，可以獲得小型并且薄型化的電壓控制振蕩器。
另外，由于晶體振子的截面形狀的緣故，晶體振子周圍的樹脂的厚度均勻，提高了封裝時(shí)的封裝材料的填充度，從而可以獲得不會發(fā)生封裝開裂等現(xiàn)象的可靠性高的電壓控制振蕩器。
在本實(shí)施例的電壓控制振蕩器中，通過使VC端子的電位在1.2V～1.8V的范圍內(nèi)改變，可以使振蕩頻率相對于中心頻率發(fā)生正負(fù)20ppm的變化。
圖14是本發(fā)明第3和第5方面所述的另一實(shí)施例，是使橢圓或跑道形狀(長圓形)的晶體振子82具有露出到封殼83的外部的結(jié)構(gòu)的晶體振蕩器和電壓控制振蕩器。
如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，則晶體振蕩器和電壓控制振蕩器更薄型化，其高度與內(nèi)裝晶體振子的厚度相等，約1.5mm。
另外，由于晶體振子的盒直接與大氣中的空氣接觸，所以，提高了放熱效果，可以防止IC芯片發(fā)生的熱向晶體振子內(nèi)部傳導(dǎo)。
圖15和圖16是本發(fā)明第4和第16方面所述的晶體振子盒的具體實(shí)施例。圖15(a)是晶體振子的盒91的截面具有橢圓形狀的實(shí)施例，圖15(b)是晶體振子的盒92的截面具有跑道形狀(長圓形)的實(shí)施例。
在圖15(a)中，盒91的壁厚不均勻，橢圓的短軸方向93的厚度是長軸方向94的約1.5～2倍。在本實(shí)施例中，短軸方向93的厚度設(shè)計(jì)為約0.15mm～0.2mm，長軸方向94的厚度設(shè)計(jì)為約0.1mm。并且，短軸方向93和長軸方向94通過連續(xù)的曲面連接。
另外，在圖15(b)中，同樣，盒92的壁厚也不均勻，跑道形狀的平行部95的厚度是圓弧部96的約1.5～2倍。這時(shí)，同樣也將平行部95的厚度設(shè)計(jì)為約0.15mm～0.2mm，而圓弧部96的厚度設(shè)計(jì)為約0.1mm。并且，平行部95和圓弧部96通過連續(xù)的曲面連接。
這樣，通過只使盒91或92上進(jìn)行樹脂封裝時(shí)由于注入壓而變形的部分加厚，便可確保結(jié)構(gòu)力學(xué)上足夠的強(qiáng)度，從而可以提供所需最低限度大小的壓電振子。另外，還可使形成盒所需要的材料為最少限度的材料，從而可以廉價(jià)地加工盒。
使用結(jié)構(gòu)分析軟件對上述盒進(jìn)行變形分析的結(jié)果，盒的變形約為現(xiàn)有例的1/4以下。圖16是具有跑道形狀的盒92的結(jié)構(gòu)分析的結(jié)果。該分析是對向盒外施加均勻的壓力時(shí)盒的變形的狀態(tài)進(jìn)行的分析。圖16(a)是現(xiàn)有例的變形狀態(tài)，圖16(b)是本實(shí)施例的變形狀態(tài)。
通過使用上述那樣的盒，可以抑制橢圓的短軸方向93或跑道形狀的平行部95的變形，從而可以提供可靠性高的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器。
另外，圖17是本發(fā)明第5和第17方面所述的實(shí)施例，是壓電振蕩器和電壓控制振蕩器使用的封裝材料的特性表。在本實(shí)施例中使用的封裝樹脂在240℃～260℃左右的高溫時(shí)的彎曲強(qiáng)度約為2.5Kg/mm，現(xiàn)有的封裝樹脂高溫時(shí)的彎曲強(qiáng)度約為1.2Kg～1.5Kg/mm。這樣，通過使用彎曲強(qiáng)度高的封裝材料，對于將壓電振蕩器和電壓控制振蕩器安裝到基板等上時(shí)的回流應(yīng)力有效果。特別是像本實(shí)施例的壓電振子的形狀為橢圓或跑道形狀那樣樹脂與壓電振子的緊密接觸的面積大的情況，回流時(shí)在盒界面容易發(fā)生剝離或封裝開裂，為了防止發(fā)生這些現(xiàn)象，使用彎曲強(qiáng)度高的封裝材料。
另外，圖18是相對于封裝時(shí)的注入壓的晶體振子的盒的變形曲線。該曲線是一般的壓縮應(yīng)力(注入壓)和形變曲線圖，在圖18的彈性形變區(qū)域(彈性限度內(nèi))，在封裝材料注入時(shí)即使盒發(fā)生變形，在封裝結(jié)束之后，變形可以復(fù)原。但是，當(dāng)超過該彈性形變區(qū)域施加使盒發(fā)生塑性形變的力時(shí)，變形就不能復(fù)原。在本實(shí)施例中，根據(jù)封裝時(shí)使用的傳送模封裝機(jī)和封裝模具等條件，在彈性形變區(qū)域內(nèi)確定可以封裝的注入壓。例如，在傳送模封裝機(jī)的壓頭部，該值設(shè)定為約18Kg/cm。另外，在本實(shí)施例中，盒材料使用Fe-Ni系列的42合金，根據(jù)與該材料對應(yīng)的應(yīng)力與形變的關(guān)系確定最佳的封裝注入壓。
這樣，通過在盒的彈性形變區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝，可以防止發(fā)生永久形變即盒的塑性形變。
在上述實(shí)施例中，說明了壓電振蕩器和電壓控制振蕩器的形狀為SOJ形狀的封殼的情況，但是，除此之外，封殼形狀也可以是SOP(Small Outline Packages)等形狀。
按照第1方面所述的發(fā)明，通過將具有橢圓或跑道形狀(長圓形)的截面的壓電振子與半導(dǎo)體集成電路相鄰地裝配到引線框上并用樹脂進(jìn)行封裝，便可獲得表面安裝式小型且薄型的壓電振蕩器。另外，由于壓電振子周圍的樹脂的厚度均勻，所以，封裝時(shí)可以均勻地填充封裝材料，從而可以獲得不會發(fā)生封殼開裂等現(xiàn)象的可靠性高的壓電振蕩器。
按照第2方面所述的發(fā)明，通過使內(nèi)裝壓電振子的上側(cè)和下側(cè)的樹脂厚度相等，加到壓電振子盒上的封裝時(shí)的應(yīng)力變得均勻，從而可以防止壓電振子盒發(fā)生變形。另外，由于壓電振子周圍的樹脂的厚度均勻，所以，封裝時(shí)可以均勻地填充封裝材料，從而可以獲得不會發(fā)生封殼開裂等現(xiàn)象的可靠性高的壓電振蕩器。
按照第3方面所述的發(fā)明，通過使具有橢圓或跑道形狀(長圓形)的截面的壓電振子露出到壓電振蕩器的外部，可以獲得更薄型的壓電振蕩器。另外，還具有將壓電振蕩器內(nèi)部發(fā)生的熱向外部放熱的效果。
按照第4方面所述的發(fā)明，在壓電振子的盒呈橢圓形狀時(shí)，通過使短軸方向的厚度比長軸方向的厚度厚，在采用跑道形狀時(shí)，通過使平行部的厚度比圓弧部的厚度厚，與現(xiàn)有例相比，可以更加抑制盒的形變。另外，可以進(jìn)行對壓電振子的盒內(nèi)部無影響的品質(zhì)高的封裝加工，從而，可以提供合格率高的壓電振蕩器。
按照第5方面所述的發(fā)明，通過使用在高溫時(shí)的彎曲強(qiáng)度大于2Kg/mm的封裝材料，可以提供不會發(fā)生界面剝離和封殼開裂等現(xiàn)象的質(zhì)量高、可靠性高的壓電振蕩器。
按照第6方面所述的發(fā)明，通過將支持壓電振蕩器的支持用引線端子設(shè)在引線框上，可在將壓電振蕩器聯(lián)結(jié)在引線框上的狀態(tài)下進(jìn)行頻率調(diào)整和電氣特性檢查等，從而可以實(shí)現(xiàn)使制造和檢查線成為一條流水線。
按照第7方面所述的發(fā)明，通過將控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)的信號輸入用引線端子相對于半導(dǎo)體集成電路與壓電振子平行地配置在裝有壓電振子一側(cè)的相反一側(cè)，可用所需最低限度的空間構(gòu)成壓電振蕩器，從而可以構(gòu)成小型且薄型的壓電振蕩器。另外，通過將信號輸入用引線端子在封裝盒的側(cè)面配置成一排，可簡單地進(jìn)行振蕩頻率的頻率調(diào)整。
按照第8方面所述的發(fā)明，通過在半導(dǎo)體集成電路與壓電振子相對的邊以外的3個(gè)邊上形成輸入輸出用的接線，可用所需最低限度的空間構(gòu)成壓電振蕩器，從而可以構(gòu)成小型且薄型的壓電振蕩器。
按照第9方面所述的發(fā)明，通過使用晶體振子作為壓電振子，可以廉價(jià)地提供小型且薄型、精度和可靠性高的壓電振蕩器。
按照第10方面所述的發(fā)明，采用將半導(dǎo)體集成電路和壓電振子實(shí)際裝配到引線框上并用樹脂進(jìn)行封裝的工序和使用信號輸入用引線端子進(jìn)行頻率調(diào)整的工序，可以共同使用現(xiàn)有的壓電振蕩器等的生產(chǎn)線，從而可以廉價(jià)地提供可靠性高的小型且薄型的壓電振蕩器。
按照第11方面所述的發(fā)明，通過從信號輸入用引線端子和NC端子或OE端子輸入數(shù)據(jù)，可以與輸出端子共用。
按照第12方面所述的發(fā)明，通過在將多個(gè)壓電振蕩器聯(lián)結(jié)在引線框上的狀態(tài)下進(jìn)行頻率調(diào)整，可以同時(shí)調(diào)整多個(gè)壓電振蕩器的頻率，從而可以縮短壓電振蕩器的制造及檢查工序的周期。
按照第13方面所述的發(fā)明，通過將具有橢圓或跑道形狀(長圓形)的截面的壓電振子與半導(dǎo)體集成電路和電子元件相鄰地裝配到引線框上并用樹脂進(jìn)行封裝，便可獲得表面安裝式小型且薄型的電壓控制振蕩器。另外，由于壓電振子周圍的樹脂的厚度均勻，所以，封裝時(shí)可以均勻地填充封裝材料，從而可以獲得不會發(fā)生封殼開裂等現(xiàn)象的可靠性高的電壓控制振蕩器。
按照第14方面所述的發(fā)明，通過使封裝內(nèi)部裝有壓電振子的上側(cè)和下側(cè)的樹脂厚度相等，加到壓電振子盒上的封裝時(shí)的應(yīng)力變得均勻，從而可以防止壓電振子盒發(fā)生變形。另外，由于壓電振子周圍的樹脂的厚度均勻，所以，封裝時(shí)可以均勻地填充封裝材料，從而可以獲得不會發(fā)生封殼開裂等現(xiàn)象的可靠性高的電壓控制振蕩器。
按照第15方面所述的發(fā)明，通過使具有橢圓或跑道形狀(長圓形)的截面的壓電振子露出到電壓控制振蕩器的外部，可以獲得更薄型的電壓控制振蕩器。另外，還具有將電壓控制振蕩器內(nèi)部發(fā)生的熱向外部放熱的效果。
按照第16方面所述的發(fā)明，在壓電振子的盒采用橢圓形結(jié)構(gòu)時(shí)，通過使短軸方向的厚度比長軸方向的厚度厚，在采用跑道形狀時(shí)，通過使平行部的厚度比圓弧部的厚度厚，與現(xiàn)有例相比，可以更加抑制盒的形變。另外，可以進(jìn)行對壓電振子的盒內(nèi)部無影響的品質(zhì)高的封裝加工，從而，可以提供合格率高的電壓控制振蕩器。
按照第17方面所述的發(fā)明，通過使用在高溫時(shí)的彎曲強(qiáng)度大于2Kg/mm的封裝材料，可以提供不會發(fā)生界面剝離和封殼開裂等現(xiàn)象的質(zhì)量高、可靠性高的電壓控制振蕩器。
按照第18方面所述的發(fā)明，通過將支持電壓控制振蕩器的支持用引線端子設(shè)在引線框上，可在將電壓控制振蕩器聯(lián)結(jié)在引線框上的狀態(tài)下進(jìn)行頻率調(diào)整和電氣特性檢查等，從而可以實(shí)現(xiàn)使制造和檢查線成為一條流水線。
按照第19方面所述的發(fā)明，通過將控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)的信號輸入用引線端子相對于半導(dǎo)體集成電路與壓電振子平行地配置在裝有壓電振子一側(cè)的相反一側(cè)，可用所需最低限度的空間構(gòu)成電壓控制振蕩器，從而可以構(gòu)成小型且薄型的電壓控制振蕩器。另外，通過將信號輸入用引線端子在封裝盒的側(cè)面配置成一排，可簡單地進(jìn)行振蕩頻率的頻率調(diào)整。
按照第20方面所述的發(fā)明，通過在半導(dǎo)體集成電路與壓電振子相對的邊以外的3個(gè)邊上形成輸入輸出用的接線，可用所需最低限度的空間構(gòu)成電壓控制振蕩器，從而可以構(gòu)成小型且薄型的電壓控制振蕩器。
按照第21方面所述的發(fā)明，通過使用晶體振子作為壓電振子，可以廉價(jià)地提供小型且薄型、精度和可靠性高的電壓控制振蕩器。
按照第22方面所述的發(fā)明，通過使用變?nèi)荻O管作為電子元件，可以廉價(jià)地提供小型且薄型、精度和可靠性高的電壓控制振蕩器。
按照第23方面所述的發(fā)明，采用將半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和電子元件實(shí)際裝配到引線框上并用樹脂進(jìn)行封裝的工序和使用信號輸入用引線端子進(jìn)行頻率調(diào)整的工序，可以共同使用現(xiàn)有的電壓控制振蕩器等的生產(chǎn)線，從而可以廉價(jià)地提供可靠性高的小型薄型的電壓控制振蕩器。
按照第24方面所述的發(fā)明，通過從信號輸入用引線端子和VC端子輸入數(shù)據(jù)，可以與輸出端子共用。
按照第25方面所述的發(fā)明，通過在將多個(gè)電壓控制振蕩器聯(lián)結(jié)在引線框上的狀態(tài)下進(jìn)行頻率調(diào)整，可以同時(shí)調(diào)整多個(gè)電壓控制振蕩器的頻率，從而可以縮短電壓控制振蕩器的制造及檢查工序的周期。
按照第26方面所述的發(fā)明，通過在半導(dǎo)體集成電路的反相器的輸入輸出端子間具有串聯(lián)的壓電振子和變?nèi)荻O管，將隔直流電容器連接在變?nèi)荻O管和反相器之間，將偏置電阻連接在壓電振子和變?nèi)荻O管與地之間，并且，從變?nèi)荻O管和隔直流電容器之間輸入信號，可以使電壓控制振蕩器的振蕩頻率的可變幅度比現(xiàn)有例大。將該可變幅度取大的理由與變?nèi)荻O管的端子間的相位差有關(guān)。
權(quán)利要求
1.一種壓電振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路和壓電振子的壓電振蕩器中，半導(dǎo)體集成電路裝配在引線框的島上，利用引線接合法向引線框的內(nèi)部引線端子配線，具有橢圓或跑道形狀(長圓形)的截面的壓電振子與半導(dǎo)體集成電路相鄰地配置，壓電振子的引線與引線框的一部分連接，且與半導(dǎo)體集成電路連接，配置可以從外部控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)的信號輸入用引線端子，并且，除了內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子外，用樹脂將半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和引線框一體地封裝，且通過使用信號輸入用引線端子輸入信號，進(jìn)行振蕩頻率調(diào)整。
2.按權(quán)利要求1所述的壓電振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路和壓電振子的壓電振蕩器中，封裝內(nèi)部裝有上述壓電振子用的上側(cè)和下側(cè)樹脂厚度相等。
3.按權(quán)利要求1所述的壓電振蕩器，其特征在于使壓電振子的盒表面露出到壓電振蕩器的外部。
4.按權(quán)利要求1所述的壓電振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路和壓電振子的壓電振蕩器中，壓電振子的盒截面的短軸方向或平行部(直線部)比盒截面的其他部分厚。
5.按權(quán)利要求1所述的壓電振蕩器，其特征在于使用在240℃～260℃高溫時(shí)的彎曲強(qiáng)度具有2Kg/mm以上強(qiáng)度的封裝材料。
6.按權(quán)利要求1所述的壓電振蕩器，其特征在于將支持利用樹脂一體封裝的壓電振蕩器的支持用引線端子設(shè)在引線框上。
7.按權(quán)利要求1和6所述的壓電振蕩器，其特征在于將控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)信號輸入用引線端子相對于半導(dǎo)體集成電路與壓電振子平行地配置在裝有壓電振子一側(cè)的相反一側(cè)。
8.按權(quán)利要求7所述的壓電振蕩器，其特征在于半導(dǎo)體集成電路在與壓電振子相對的邊以外的三邊上形成輸入輸出點(diǎn)。
9.按權(quán)利要求1所述的壓電振蕩器，其特征在于壓電振子是晶體振子。
10.一種壓電振蕩器的制造方法，其特征在于包括將半導(dǎo)體集成電路裝配到引線框的島上并利用引線接合法向引線框的內(nèi)部引線端子配線的工序、將壓電振子與半導(dǎo)體集成電路相鄰地定位到引線框上并將壓電振子的引線與引線框的一部分連接的工序、除了內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子外用樹脂將半導(dǎo)體集成電路和壓電振子以及引線框一體地封裝工序、切斷聯(lián)結(jié)內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子等的連線的工序、向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序和對內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分進(jìn)行彎曲加工并切斷信號輸入用引線端子和支持用引線端子等從引線框切割分離壓電振蕩器的工序。
11.按權(quán)利要求10所述的壓電振蕩器的制造方法，其特征在于在向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序中，從信號輸入用引線端子和NC端子或OE端子輸入數(shù)據(jù)。
12.按權(quán)利要求10所述的壓電振蕩器的制造方法，其特征在于在向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序中，在將多個(gè)壓電振蕩器與引線框連接的狀態(tài)下進(jìn)行頻率調(diào)整。
13.一種電壓控制振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和其他電子元件的電壓控制振蕩器中，半導(dǎo)體集成電路裝配在引線框的島上，利用引線接合法向引線框的內(nèi)部引線端子配線，具有橢圓或跑道形狀(長圓形)的截面的壓電振子與半導(dǎo)體集成電路和電子元件相鄰地配置，壓電振子的引線與引線框的一部分連接，再將電子元件裝配到在引線框上形成的接線部，進(jìn)而與半導(dǎo)體集成電路連接，配置從外部控制半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)信號輸入用引線端子，并且除了內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用端子外，用樹脂將半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和電子元件一體地封裝，進(jìn)而通過使用信號輸入用引線端子輸入信號，進(jìn)行振蕩頻率調(diào)整。
14.按權(quán)利要求13所述的電壓控制振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和其他電子元件的電壓控制振蕩器中，封裝內(nèi)部裝有上述壓電振子的上側(cè)和下側(cè)樹脂厚度相等。
15.按權(quán)利要求13所述的電壓控制振蕩器，其特征在于使壓電振子的盒表面露出到電壓控制振蕩器的外部。
16.按權(quán)利要求13所述的電壓控制振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和其他電子元件的電壓控制振蕩器中，壓電振子的盒截面的短軸方向或平行部(直線部)比盒截面的其他部分厚。
17.按權(quán)利要求13所述的電壓控制振蕩器，其特征在于使用在240℃～260℃高溫時(shí)的彎曲強(qiáng)度具有2Kg/mm以上強(qiáng)度的封裝材料。
18.按權(quán)利要求13所述的電壓控制振蕩器，其特征在于將支持利用樹脂一體封裝的壓電振蕩器的支持用引線端子設(shè)在引線框上。
19.按權(quán)利要求13和18所述的電壓控制振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和其他電子元件的電壓控制振蕩器中，將控制上述半導(dǎo)體集成電路的數(shù)據(jù)信號輸入用引線端子相對于半導(dǎo)體集成電路與壓電振子平行地配置在裝有壓電振子一側(cè)的相反一側(cè)。
20.按權(quán)利要求19所述的電壓控制振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和其他電子元件的電壓控制振蕩器中，上述半導(dǎo)體集成電路在與壓電振子相對的邊以外的三邊上形成輸入輸出點(diǎn)。
21.按權(quán)利要求13所述的電壓控制振蕩器，其特征在于壓電振子是晶體振子。
22.按權(quán)利要求13所述的電壓控制振蕩器，其特征在于電子元件是變?nèi)荻O管。
23.一種電壓控制振蕩器的制造方法，其特征在于包括將半導(dǎo)體集成電路裝配到引線框的島上并利用引線接合法向引線框的內(nèi)部引線端子配線的工序、將壓電振子與半導(dǎo)體集成電路相鄰地定位到引線框上并將壓電振子的引線與引線框的一部分連接的工序、將電子元件裝配到在引線框上形成的接線部的工序、除了內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子外用樹脂將半導(dǎo)體集成電路和壓電振子以及引線框一體地封裝工序、切斷聯(lián)結(jié)內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分和信號輸入用引線端子等的連線的工序、向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序和對內(nèi)部引線端子的外側(cè)部分進(jìn)行彎曲加工并切斷信號輸入用引線端子和支持用引線端子等從引線框切割分離電壓控制振蕩器的工序。
24.按權(quán)利要求23所述的電壓控制振蕩器的制造方法，其特征在于在向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序中，從信號輸入用引線端子和VC端子輸入數(shù)據(jù)。
25.按權(quán)利要求23所述的電壓控制振蕩器的制造方法，其特征在于在向信號輸入用引線端子輸入信號并調(diào)整振蕩頻率的工序中，在將多個(gè)電壓控制振蕩器與引線框連接的狀態(tài)下進(jìn)行頻率調(diào)整。
26.按權(quán)利要求22所述的電壓控制振蕩器，其特征在于在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和其他電子元件的電壓控制振蕩器中，在半導(dǎo)體集成電路的反相器的輸入輸出端子間具有串聯(lián)的壓電振子和變?nèi)荻O管，將隔直流電容器連接在變?nèi)荻O管和反相器之間，將偏置電阻連接在壓電振子和變?nèi)荻O管與地之間，并且，從變?nèi)荻O管和隔直流電容器之間輸入信號。
全文摘要
在內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路和壓電振子的壓電振蕩器和內(nèi)裝半導(dǎo)體集成電路、壓電振子和其他電子元件的電壓控制振蕩器中，提供一種小型且薄型的表面安裝式的壓電振蕩器和電壓控制振蕩器。壓電振子使用截面形狀呈橢圓或跑道形狀(長圓形)的壓電振子，利用樹脂封裝半導(dǎo)體集成電路和電子元件而構(gòu)成壓電振蕩器和電壓控制振蕩器。
文檔編號H03B5/36GK1135680SQ9610142
公開日1996年11月13日 申請日期1996年2月14日 優(yōu)先權(quán)日1995年2月15日
發(fā)明者岡學(xué), Y·中島, 菊島正幸, 下平和彥 申請人:精工愛普生株式會社