專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，在該器件中在半導(dǎo)體襯底上形成在把模擬數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換電路(在下文中稱為A/D轉(zhuǎn)換電路)或把數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)的數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換電路(在下文中稱為D/A轉(zhuǎn)換電路)中使用的梯形電阻器。
背景技術(shù)：
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本發(fā)明包含涉及于2005年10月14日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)JP2005-299658的主題，這里引入其全部?jī)?nèi)容作為參考。
在A/D轉(zhuǎn)換電路或D/A轉(zhuǎn)換電路中，已經(jīng)在使用包括彼此串連設(shè)置的多個(gè)電阻器以產(chǎn)生多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓或多個(gè)參考電壓的梯形電阻器。由于集成電路技術(shù)最近的發(fā)展，已經(jīng)生產(chǎn)了這樣的半導(dǎo)體器件，其中通過半導(dǎo)體工藝形成包括梯形電阻器的A/D轉(zhuǎn)換器或D/A轉(zhuǎn)換器。
如圖4A(頂視圖)和圖4B(截面圖)中所示，通過半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的這種已知的梯形電阻器具有這樣的構(gòu)造，其中多條金屬線、多個(gè)接觸、和多個(gè)電阻器元件沿著電流路徑串連連接。即，如圖5中所示，這樣的梯形電阻器設(shè)置成使得，多個(gè)單元電阻器彼此串連連接，其中每個(gè)單元電阻器由金屬線、接觸和電阻器元件(＝2×Rm+2×Rc+Rp，其中“Rm”表示金屬線電阻器，“Rc”表示接觸電阻器，“Rp”表示多晶電阻器(poly resistor))構(gòu)成。另外，從單元電阻器之間提取多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓或多個(gè)參考電壓。當(dāng)使用具有上述結(jié)構(gòu)的梯形電阻器產(chǎn)生多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓或多個(gè)參考電壓時(shí)，根據(jù)金屬線、接觸和電阻器元件的變化確定獲取分壓比的精度。
因此，當(dāng)使用上述梯形電阻器時(shí)，由于金屬線、接觸和電阻器元件的變化，獲取分壓比的精確性較差。
例如，在日本未審查專利申請(qǐng)公開No.5-284031中公開了配置成增加獲取分壓比的精度的梯形電阻器。在該梯形電阻器中，如圖6A中(頂視圖)和圖6B(截面圖)所示，為了防止獲取分壓比的精度由于金屬線和接觸的變化而減小，在主要用作電流路徑的區(qū)域之外的部分提供金屬線和接觸。
近年來，需要對(duì)A/D轉(zhuǎn)換電路或D/A轉(zhuǎn)換電路的分辨率的改善。根據(jù)這種情況，也需要進(jìn)一步提高獲取分壓比的精度。
在日本未審查專利申請(qǐng)No.5-284031中描述的梯形電阻器也能夠阻止獲取分壓比的精度由于金屬線和接觸的變化而減小。然而，為了進(jìn)一步提高分壓比的獲取精度，需要提高獲取電阻器元件部分的電阻的精度。
作為一種提高獲取電阻器元件部分的電阻的精度的方法，考慮了增加電阻器元件面積的方法。然而，具有大面積的電阻器元件抗彎曲應(yīng)力的強(qiáng)度弱。

發(fā)明內(nèi)容
希望提供一種包括梯形電阻器的半導(dǎo)體器件，其能夠阻止由金屬線和接觸的變化導(dǎo)致的獲取分壓比的精度的減小，并且能夠在不減小抗彎曲應(yīng)力強(qiáng)度的情況下提高獲取電阻的精度。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底和在半導(dǎo)體襯底上形成的梯形電阻器。該梯形電阻器包括彼此平行設(shè)置的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電阻器部分；在電阻器部分的縱向方向上以預(yù)定間隔連接電阻器部分的多個(gè)連接部分；和用于提取各個(gè)連接部分處電壓的多個(gè)電壓提取部分。
如上所述，電壓提取部分提供在連接電阻器部分的連接部分處，而不是提供在用作電流路徑的電阻器部分處。由此，可以防止由于金屬線和接觸的變化引起的獲取分壓比的精度減小。另外，由于單元電阻器由多個(gè)電阻器部分形成，可以改善抗彎曲應(yīng)力的強(qiáng)度和獲取電阻的精度。
電阻器部分和連接部分可以由在半導(dǎo)體襯底上形成的相同的多晶硅化物(polysilicide)層形成。
如上所述，由于電阻器部分和連接部分由相同的多晶硅化物層形成，電阻器部分和連接部分可以通過相同的工藝形成在半導(dǎo)體襯底上。
在位于沿著基本與電阻器部分的縱向方向正交的方向的位置處的連接部分處提供的電壓提取部分可以彼此連接。
當(dāng)使用三個(gè)或更多電阻器時(shí)，可以提供多個(gè)連接電阻器部分的連接部分。另外，在該多個(gè)連接部分處提供的電壓提取部分彼此連接。因此，由于與其中為多個(gè)連接部分僅提供一個(gè)電壓提取部分的結(jié)構(gòu)相比，提供了大量的電壓提取部分，可以減小每個(gè)電壓提取端口處的電阻。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底和轉(zhuǎn)換電路，該轉(zhuǎn)換電路把模擬數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)或者把數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)且形成在半導(dǎo)體襯底上。該轉(zhuǎn)換電路包括梯形電阻器。該梯形電阻器包括彼此平行設(shè)置的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電阻器部分，在電阻器部分的縱向方向上以預(yù)定間隔連接電阻器部分的多個(gè)連接部分，以及在各個(gè)連接部分提取電壓的多個(gè)電壓提取部分。
因此，在包括A/D轉(zhuǎn)換電路或D/A轉(zhuǎn)換電路的半導(dǎo)體器件中，在A/D轉(zhuǎn)換電路或D/A轉(zhuǎn)換電路中使用的梯形電阻器的電壓提取部分，提供在連接電阻器部分的連接部分處，而不是提供在用作電流路徑的電阻器部分處。因此，可以防止由于金屬線和接觸的變化引起的獲取分壓比的精度減小。另外，由于單元電阻器由多個(gè)電阻器部分形成，可以改善抗彎曲應(yīng)力的強(qiáng)度和獲取電阻的精度。另外，多個(gè)電阻器部分彼此并聯(lián)連接，且提供多個(gè)電壓提取端口。因此，可以減小每個(gè)電壓提取端口處的電阻。另外，可以減小標(biāo)準(zhǔn)電壓或參考電壓在A/D轉(zhuǎn)換電路或D/A轉(zhuǎn)換電路中的穩(wěn)定時(shí)間，由此增加工作速度。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的A/D轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)；圖2A和2B示出了在圖1中示出的A/D轉(zhuǎn)換電路中提供的梯形電阻器的結(jié)構(gòu)；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的D/A轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)；圖4A和4B示出了在半導(dǎo)體襯底上形成的已知的梯形電阻器的結(jié)構(gòu)；圖5示出了在圖4A和4B中示出的梯形電阻器的結(jié)構(gòu)；和圖6A和6B示出了在半導(dǎo)體襯底上形成的已知梯形電阻器的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，在半導(dǎo)體襯底上形成使用梯形電阻器作為標(biāo)準(zhǔn)電壓或參考電壓的A/D轉(zhuǎn)換電路或D/A轉(zhuǎn)換電路。
使用梯形電阻器作為參考電壓的A/D轉(zhuǎn)換電路可以是閃速A/D轉(zhuǎn)換電路，子區(qū)(subranging)A/D轉(zhuǎn)換電路等等。另外，使用梯形電阻器作為標(biāo)準(zhǔn)電壓的D/A轉(zhuǎn)換電路可以是電阻器梯形D/A轉(zhuǎn)換電路等。
形成在半導(dǎo)體襯底上的A/D轉(zhuǎn)換電路或D/A轉(zhuǎn)換電路，包括梯形電阻器。梯形電阻器包括彼此平行設(shè)置的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電阻器部分，在電阻器部分的縱向方向上以預(yù)定間隔連接多個(gè)電阻器部分的多個(gè)連接部分，和用于提取各個(gè)連接部分的電壓的多個(gè)電壓提取部分。
更具體地，在根據(jù)本實(shí)施例的梯形電阻器中，在與電阻器部分的縱向方向相交的方向上設(shè)置用作電流路徑的所述多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電阻器部分，并且所述連接部分在電阻器部分的縱向方向上以預(yù)定間隔(例如以規(guī)則的間隔)連接所述電阻器部分。因此，連接部分不用作電流路徑。
即，通過提供包括彼此平行設(shè)置的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電阻器部分和多個(gè)連接部分的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，當(dāng)在電阻器部分的縱向方向上施加電壓時(shí)，電阻器部分用作電流路徑，但是連接部分不用作電流路徑。另外，在連接部分處提供電壓提取部分。連接部分不用作電流路徑，因?yàn)楫?dāng)電壓施加在電阻器部分的縱向方向時(shí)，連接在相鄰的電阻器部分之間的連接部分的兩端具有相同或基本相同的電勢(shì)。因此，沒有電流流向連接部分或可忽略量的電流流向連接部分。
由于電壓提取部分設(shè)置在連接電阻器部分的連接部分處，而不是在用作電流路徑的電阻器部分處，可以防止由于金屬線和接觸的變化導(dǎo)致的獲取分壓比的精度的減小。
另外，由于單元電阻器由多個(gè)分開的電阻器部分形成，可以提高抗彎曲應(yīng)力強(qiáng)度和獲取電阻的精度。
希望多個(gè)電阻器部分具有相同的形狀，并且在縱向方向上的該多個(gè)電阻器部分的端部以彼此之間有一定間隔地設(shè)置在與縱向方向交叉的線上。在這種結(jié)構(gòu)的情況下，可以以預(yù)定的間隔在與電阻器部分的縱向方向交叉的線上設(shè)置連接電阻器部分的連接部分。如果交叉方向與和電阻器部分的縱向方向基本正交的方向相同，梯形電阻器可以以矩形或基本正方形的形狀設(shè)置。
另外，電阻器部分和連接部分由相同的多晶硅化物形成。因此，電阻器部分和連接部分可以通過相同的工藝形成在半導(dǎo)體襯底上。
即，在多晶硅化物層形成在半導(dǎo)體襯底上以后，使用抗蝕劑掩膜圖形化多晶硅化物層。因此，電阻器部分和連接部分可以同時(shí)形成在半導(dǎo)體襯底上。
當(dāng)提供三個(gè)或更多電阻器部分時(shí)，在基本與電阻器部分的縱向方向正交的方向上以預(yù)定間隔設(shè)置的連接部分處提供電壓提取部分，電壓提取部分彼此連接。即，在與電阻器部分的縱向方向基本正交的方向上設(shè)置的連接部分處提供的電壓提取部分彼此連接。
如上所述，當(dāng)提供三個(gè)或更多電阻器部分時(shí)，多個(gè)電壓提取部分彼此連接。因此，與其中為多個(gè)連接部分僅提供一個(gè)電壓提取部分的情況相比，由于提供了更多數(shù)量的電壓提取端口，可以減小在每個(gè)電壓提取端口處的電阻。
參考圖1、2A和2B將更加詳細(xì)地描述根據(jù)本實(shí)施例的包括A/D轉(zhuǎn)換電路的半導(dǎo)體器件。圖1示出了A/D轉(zhuǎn)換電路的示意結(jié)構(gòu)，圖2A(頂視圖)和圖2B(截面圖)示出了在半導(dǎo)體襯底上形成的梯形電阻器的結(jié)構(gòu)。
如圖1中所示，A/D轉(zhuǎn)換電路包括梯形電阻器R1，該梯形電阻器R1包括彼此串連設(shè)置的多個(gè)電阻器Ra和提取電阻器Ra上電壓(在下文中，稱作“參考電壓”)V1到V4的多個(gè)參考電壓提取部分(在下文中稱作“分接頭”或“電壓提取部分”)；將梯形電阻器1中參考電壓V1到V4與輸入模擬數(shù)據(jù)進(jìn)行比較的比較器2a到2d；和把從比較器2a到2d輸出的信號(hào)編碼成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的編碼器3。
當(dāng)跨過梯形電阻器1施加標(biāo)準(zhǔn)電壓VRT和VTB時(shí)，跨過每個(gè)電阻器Ra產(chǎn)生(VRT-VRB)/4R的電壓。另外，得到了參考電壓V1(V1＝3(VRT-VRB)/4R+VRB)、參考電壓V2(V2＝2(VRT-VRB)/4R+VRB)、參考電壓V3(V3＝(VRT-VRB)/4R+VRB)和參考電壓V4(V4＝VRB)。
比較器2a將參考電壓V1與模擬數(shù)據(jù)比較，比較器2b將參考電壓V2與模擬數(shù)據(jù)比較，比較器2c將參考電壓V3與模擬數(shù)據(jù)比較，比較器2d將參考電壓V4與模擬數(shù)據(jù)比較。根據(jù)結(jié)果，編碼器3產(chǎn)生數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。如上所述，A/D轉(zhuǎn)換電路根據(jù)模擬數(shù)據(jù)的電壓電平產(chǎn)生數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。
例如，當(dāng)模擬數(shù)據(jù)的電壓Va位于由條件2(VRT-VRB)/4R+VRB＜Va＜3(VRT-VRB)/4R+VRB表示的范圍內(nèi)時(shí)，比較器2a輸出低電平信號(hào)，比較器2b到2d輸出高電平信號(hào)。編碼器3接收這些信號(hào)并產(chǎn)生數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。
將參考圖2A和2B更加詳細(xì)地描述在半導(dǎo)體襯底上形成的梯形電阻器。
作為梯形電阻器1，在半導(dǎo)體襯底上形成多晶硅化物層以后，使用抗蝕劑掩膜圖形化該多晶硅化物層以形成具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的多晶硅化物，如圖2A和2B中所示。
具有網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的多晶硅化物包括多個(gè)電阻器部分10a到10d，和多個(gè)連接部分11a1到11a3、11b1到11b3、11c1到11c3和11d1到11d3。
為了方便，在下面的描述中，連接部分11a1到11a3、11b1到11b3、11c1到11c3和11d1到11d3全部或任意一個(gè)可能稱為(多個(gè))連接部分11。另外，為了方便，在下面的描述中，電阻器部分10a到10d中的任意一個(gè)或者全部可能稱為(多個(gè))電阻器部分10。
電阻器部分10是這樣的區(qū)域，其用作梯形電阻器1的電阻器Ra的組成元件并且當(dāng)電壓施加在電阻器部分10的縱向方向上時(shí)用作電流路徑。另外，如圖2A和2B中所示，電阻器部分10a到10d彼此相距預(yù)定間隔地設(shè)置，并且設(shè)置成使得在縱向方向上的電阻器部分10a到10d的端部位于與縱向方向交叉的線上。另外，電阻器部分10a到10d以相同的細(xì)長(zhǎng)形狀設(shè)置。
另外，如圖2A和2B中所示，連接部分11在電阻器部分10的縱向方向上連接具有規(guī)則間隔D的相鄰電阻器部分10。即，在電阻器部分10a和10b之間，在電阻器部分10b和10c之間，和在電阻器部分10c和10d之間提供彼此相距預(yù)定間隔D的連接部分11。
另外，連接部分11a1到11a3、11b1到11b3、11c1到11c3和11d1到11d3通過接觸12a1到12a3、12b1到12b3、12c1到12c3和12d1到12d3連接到電壓提取部分13a1到13a3、13b1到13b3、13c1到13c3和13d1到13d3。電壓提取部分由金屬線形成。為了方便，在下面的描述中，電壓提取部分13a1到13a3、13b1到13b3、13c1到13c3和13d1到13d3中的任意一個(gè)或全部可以稱為(多個(gè))電壓提取部分13。
另外，連接到位于在與電阻器部分10的縱向方向正交的方向上延伸的線上的連接部分11的電壓提取部分13彼此連接。即，電壓提取部分13a1到13a3彼此連接。相似地，電壓提取部分13b1到13b3彼此連接，電壓提取部分13c1到13c3彼此連接，電壓提取部分13d1到13d3彼此連接。
如上所述，作為梯形電阻器1的單元電阻器的電阻器Ra具有的這樣結(jié)構(gòu)，其中分別具有長(zhǎng)度D的電阻器部分10a到10d的區(qū)彼此并聯(lián)連接，連接部分11位于其間。例如，在圖2A和2B中示出的單位電阻器R中，每一個(gè)都具有長(zhǎng)度D的電阻器部分10a到10d的區(qū)域的一端通過其間的連接部分11b1到11b3彼此連接，所述區(qū)域的另一端通過其間的連接部分11c1到11c3彼此連接。利用其間的接觸12b1到12b3，連接部分11b1到11b3連接到電壓提取部分13b1到13b3，并且利用其間的接觸12c1到12c3，連接部分11c1到11c3連接到電壓提取部分13c1到13c3。
通過下面描述的工藝在半導(dǎo)體襯底上形成梯形電阻器1。即，在半導(dǎo)體襯底上形成圖形化的多晶硅化物層。在多晶硅化物層上形成絕緣層14。然后，在絕緣層14上的連接部分中形成開口。通過在開口處填充金屬在連接部分11處形成電壓提取部分13。在與電流路徑方向正交的方向上彼此相鄰的電壓提取部分13通過金屬線彼此連接。
如上所述，在根據(jù)本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，在連接電阻器部分的連接部分處提供電壓提取部分，而不是在用作電流路徑的電阻器部分處提供。因此，能夠防止由于金屬線和接觸的變化造成的獲取分壓比的精度的減小。另外，單元電阻器由多個(gè)電阻器部分形成。因此，可以增加抗彎曲應(yīng)力強(qiáng)度，還可以改善獲取電阻的精度。另外，多個(gè)電阻器部分彼此并聯(lián)連接，并且提供多個(gè)電壓提取端口。因此，可以減小在每個(gè)電壓提取端口處的電阻，減小了參考電壓在A/D轉(zhuǎn)換電路中的穩(wěn)定時(shí)間，由此增加了工作速度。
在這個(gè)實(shí)施例中，電阻器部分和連接部分由相同的多晶硅化物層形成。然而，電阻器部分和連接部分可以由彼此連接的不同的層形成。另外，在圖6A和6B中示出的多個(gè)梯形電阻器可以彼此平行地設(shè)置。在這種情況下，基本上與梯形電阻器的縱向方向正交放置的電壓提取端口(電壓提取部分)可以彼此連接。
另外，上述具有高精度和減小應(yīng)力的梯形電阻器1也可以用于D/A轉(zhuǎn)換電路，類似于上述A/D轉(zhuǎn)換電路。將參考圖3更加詳細(xì)地描述包括D/A轉(zhuǎn)換電路的半導(dǎo)體器件。圖3示意性地示出了D/A轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)。
D/A轉(zhuǎn)換電路包括梯形電阻器1和開關(guān)部分4，該梯形電阻器1包括彼此串連設(shè)置的多個(gè)電阻器Ra以及提取電阻器Ra上的電壓V1到V4作為標(biāo)準(zhǔn)電壓的電壓提取部分，所述開關(guān)部分4選擇梯形電阻器1的標(biāo)準(zhǔn)電壓V1到V4中一個(gè)。開關(guān)部分4由控制器控制，其未被示出。
當(dāng)跨過梯形電阻器1施加標(biāo)準(zhǔn)電壓VRT和VRB時(shí)，在每個(gè)電阻器Ra上產(chǎn)生(VRT-VRB)/4R的電壓。得到了標(biāo)準(zhǔn)電壓V1(V1＝3(VRT-VRB)/4R+VRB)、標(biāo)準(zhǔn)電壓V2(V2＝2(VRT-VRB)/4R+VRB)、標(biāo)準(zhǔn)電壓V3(V3＝(VRT-VRB)/4R+VRB)和標(biāo)準(zhǔn)電壓V4(V4＝VRB)?？刂破骺刂崎_關(guān)部分4，并且輸出標(biāo)準(zhǔn)電壓V1-V4中的任何一個(gè)作為模擬數(shù)據(jù)。
如上所述，在根據(jù)本實(shí)施例的D/A轉(zhuǎn)換電路中，在圖2A和2B中示出的梯形電阻器1用作標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器。因此，可以防止由于金屬線和接觸的變化引起的分壓比的獲取精度的減小，可以提高抗彎曲應(yīng)力的強(qiáng)度和獲取電阻的精度。另外，多個(gè)電阻器部分彼此并聯(lián)連接，且提供了多個(gè)電壓提取端口。因此，可以減小電壓提取端口的電阻，由此可以減小標(biāo)準(zhǔn)電壓在D/A轉(zhuǎn)換電路中的穩(wěn)定時(shí)間，增加工作速度。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)設(shè)計(jì)需要和其它因素可以作出多種修改、組合和子組合以及變動(dòng)，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求及其等價(jià)物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底；和在半導(dǎo)體襯底上形成的梯形電阻器，其中該梯形電阻器包括彼此平行設(shè)置的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電阻器部分，在電阻器部分的縱向方向上以預(yù)定間隔連接電阻器部分的多個(gè)連接部分，和用以在各個(gè)連接部分處提取電壓的多個(gè)電壓提取部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中電阻器部分和連接部分由在半導(dǎo)體襯底上形成的相同的多晶硅化物層形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件，其中在位于沿著與電阻器部分的縱向方向基本正交的方向的位置處的連接部分處提供的電壓提取部分彼此連接。
4.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底；和把模擬數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)或把數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)且形成在半導(dǎo)體襯底上的轉(zhuǎn)換電路，其中該轉(zhuǎn)換電路包括梯形電阻器，且其中該梯形電阻器包括彼此平行設(shè)置的多個(gè)細(xì)長(zhǎng)電阻器部分，在電阻器部分的縱向方向上以預(yù)定間隔連接電阻器部分的多個(gè)連接部分，和用以在各個(gè)連接部分處提取電壓的多個(gè)電壓提取部分。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體襯底；和在半導(dǎo)體襯底上形成的梯形電阻器。該梯形電阻器包括彼此平行設(shè)置地多個(gè)細(xì)長(zhǎng)的電阻器部分，在電阻器部分的縱向方向上以預(yù)定間隔連接電阻器部分的多個(gè)連接部分，和用以在各個(gè)連接部分處提取電壓的多個(gè)電壓提取部分。
文檔編號(hào)H03M1/78GK1971914SQ20061017195
公開日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月14日
發(fā)明者清水泰秀, 村山茂滿, 工藤孝平, 矢津田宏智 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社