半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型一般涉及電子設(shè)備，并且更具體地涉及半導(dǎo)體、其結(jié)構(gòu)、及其形成半導(dǎo)體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]過去，半導(dǎo)體工業(yè)利用各種方法和結(jié)構(gòu)形成金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管和其它器件。器件的擊穿電壓通常是半導(dǎo)體器件的重要特性，以及各種技術(shù)被利用以提供改善的擊穿電壓。幫助擊穿電壓的一種結(jié)構(gòu)被稱為減小表面電場(RESURF)層。一個問題是這些器件通常需要多個圍繞RESURF層的注入?yún)^(qū)或者摻雜區(qū)。另一個問題是各種區(qū)的摻雜濃度通常必須改變以便提供不同的擊穿電壓。然而，改變摻雜濃度也影響器件的其它參數(shù)。
[0003]因此，具有以下方法和結(jié)構(gòu)是合乎需要的:其改善擊穿電壓、幫助改變擊穿電壓而不改變摻雜濃度、減少形成器件所需摻雜操作的數(shù)量、在一個襯底上促進形成不同擊穿電壓的多個器件、和/或降低器件的成本。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:半導(dǎo)體襯底；第一半導(dǎo)體區(qū)，形成為位于所述半導(dǎo)體襯底上的摻雜區(qū)；漂移區(qū)，形成為在所述第一半導(dǎo)體區(qū)內(nèi)并位于所述半導(dǎo)體襯底上的第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，所述漂移區(qū)具有第一摻雜濃度；第一漏極區(qū)，在所述漂移區(qū)內(nèi)形成為所述第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)，所述第一漏極區(qū)具有大于所述第一摻雜濃度的第二摻雜濃度；在所述第一漏極區(qū)內(nèi)的所述第一導(dǎo)電類型的第二漏極區(qū)，所述第二漏極區(qū)具有大于所述第二摻雜濃度的第三摻雜濃度；在所述第一半導(dǎo)體區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，橫向地間隔遠(yuǎn)離所述漂移區(qū)；在所述體區(qū)中的所述第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)；以及第二導(dǎo)電類型的埋置區(qū)，所述埋置區(qū)位于所述源極區(qū)、所述體區(qū)的至少一部分以及所述漂移區(qū)的至少一部分之下，但不位于所述第一漏極區(qū)和所述第二漏極區(qū)之下。
[0005]本實用新型還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:位于塊狀半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中的第一導(dǎo)電類型的埋置區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中并位于所述埋置區(qū)的第一部分上的所述第一導(dǎo)電類型的體區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中并被間隔遠(yuǎn)離所述體區(qū)的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，包括形成所述漂移區(qū)的至少一部分位于所述埋置區(qū)的第二部分上；以及在所述漂移區(qū)中的所述第二導(dǎo)電類型的第一漏極區(qū)，其中所述第一漏極區(qū)沒有位于所述埋置區(qū)上。
[0006]本實用新型還提供了一種半導(dǎo)體器件，包括:位于塊狀半導(dǎo)體襯底上的半導(dǎo)體區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中的第一導(dǎo)電類型的埋置區(qū)；在所述半導(dǎo)體區(qū)中的第二導(dǎo)電類型的漂移區(qū)，所述漂移區(qū)的至少一部分位于所述埋置區(qū)的第一部分上；以及在所述漂移區(qū)中的所述第二導(dǎo)電類型的第一漏極區(qū)，其中所述第一漏極區(qū)沒有位于所述埋置區(qū)上。
[0007]根據(jù)本實用新型的一方面，所述半導(dǎo)體器件沒有位于所述埋置區(qū)之下以及物理地和電氣地接觸所述埋置區(qū)的另一個摻雜區(qū)。
[0008]根據(jù)本實用新型的一方面，其中所述半導(dǎo)體區(qū)包括在所述半導(dǎo)體區(qū)的表面上并延伸到所述半導(dǎo)體區(qū)中第一距離的場絕緣體，以及其中所述第一漏極區(qū)在所述場絕緣體的開口中并延伸到所述半導(dǎo)體區(qū)中不大于所述第一距離。
[0009]根據(jù)本實用新型的一方面的半導(dǎo)體器件，進一步包括在所述第一漏極區(qū)中的第二漏極區(qū)，其中所述第二漏極區(qū)沒有位于所述埋置區(qū)上。
[0010]根據(jù)本實用新型的一方面，進一步包括所述第一漏極區(qū)延伸到所述半導(dǎo)體區(qū)中以下距離，所述距離不大于鄰近所述第一漏極區(qū)形成的場絕緣體的深度。
【附圖說明】
[0011]圖1示出根據(jù)本實用新型的形成為具有改善的擊穿電壓的半導(dǎo)體器件的實施例的示例的一部分的放大平面圖；
[0012]圖2示出根據(jù)本實用新型的圖1的器件的放大橫截面部分；
[0013]圖3-圖5示出根據(jù)本實用新型的形成圖1和圖2的器件的方法的實施例的示例的各種階段；以及
[0014]圖6示出根據(jù)本實用新型的圖1和圖2的器件的可替代實施例的半導(dǎo)體器件的實施例的示例的放大橫截面部分。
[0015]為圖示(一個或多個)的簡單和清楚起見，在圖中的元件不一定依比例決定，為說明的目的可以放大一些元件，以及在不同的圖中相同的參考數(shù)字表示相同的元件，除非另有說明。另外，為描述的簡單起見可以省略眾所周知的步驟和元件的描述和細(xì)節(jié)。如在此使用的載流元件或者載流電極意味著器件的元件，其攜載通過器件的電流，諸如MOS晶體管的源極或者漏極，或者雙極型晶體管的發(fā)射極或者集電極，或者二極管的陰極或者陽極，并且控制元件或者控制電極意指器件的元件，其控制電流通過器件，諸如MOS晶體管的柵極或者雙極型晶體管的基極。另外，一個載流元件可以以一個方向攜載電流通過器件，諸如攜載電流進入器件，以及第二載流元件可以以相反的方向攜載電流通過器件，諸如攜載電流離開器件。雖然在這里器件被說明為某些N溝道或P溝道器件，或者某些N型或P型摻雜區(qū)，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白根據(jù)本實用新型互補器件也是可能的。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解導(dǎo)電類型指的是通過其導(dǎo)通發(fā)生的結(jié)構(gòu)，諸如通過空穴或者電子的導(dǎo)通，因此，導(dǎo)電類型不指摻雜濃度而是諸如P型或者N型的摻雜類型。本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白，如在此使用的與電路操作有關(guān)的詞在...期間、同時和當(dāng)...的時候不是意指依據(jù)啟動行為因而行為立即發(fā)生的精確的術(shù)語，而是在由啟動行為啟動的反應(yīng)之間可以存在諸如各種傳播延遲的一些小的但合理的延遲(一個或多個)。另外，術(shù)語同時意指某行為至少發(fā)生在啟動行為的期間的一些部分內(nèi)。詞"近似"或"大約"的使用指的是元件值具有期待非常接近于狀態(tài)值或位置的參數(shù)。然而，本領(lǐng)域中眾所周知是總有較小的變化阻止值或位置精確地如所述。在本領(lǐng)域中非常確實的是高達(dá)至少百分之十(10% )(并且對于半導(dǎo)體摻雜濃度高達(dá)百分之二十(20%))的變化是與如精確地描述的理想目標(biāo)合理的變化。當(dāng)關(guān)于信號的狀態(tài)使用時，術(shù)語“指定"意指信號的有效狀態(tài)，以及術(shù)語“否定”意指信號的無效狀態(tài)。實際的信號的電壓值或邏輯狀態(tài)(諸如“I”或者“O”)依賴于是否使用正或者負(fù)邏輯。由此，依賴于是否使用正邏輯或者負(fù)邏輯，指定可以是或者高電壓或者高邏輯或低電壓或者低邏輯，以及依賴于是否使用正邏輯或者負(fù)邏輯，否定可以是或者低電壓或者低狀態(tài)或者高電壓或者高邏輯。在此，使用正邏輯常規(guī)，但本領(lǐng)域技術(shù)人員理解還可以使用負(fù)邏輯常規(guī)。如使用在元件的名字的一部分中的在權(quán)利要求或/和【具體實施方式】中的術(shù)語第一、第二、第三以及類似物，被用于區(qū)分類似的元件以及不一定或者時間地、空間地以排名或者以任何其他的方式描述順序。應(yīng)當(dāng)理解，這樣使用的術(shù)語在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境之下是可互換的，而且在此描述的實施例能夠以除在此描述或者示出的外其它的順序操作。提及“一個實施例”或者“實施例”意指，與實施例結(jié)合描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性被包括在本實用新型的至少一個實施例內(nèi)。因此，在整個本說明書中的各個地方中的短語“在一個實施例中”或者“在實施例中”的出現(xiàn)不一定都指的是同一個實施例，但是在一些情況下可能。此外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員會清楚的，可以在一個或多個實施例中以任何合適的方式結(jié)合特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性。為了附圖的清楚，器件結(jié)構(gòu)的摻雜區(qū)被示出為具有通常直線邊緣和精確的傾斜的角。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，由于摻雜劑的擴散和激活，摻雜區(qū)的邊緣通?？赡懿皇侵本€而角可能不是精確的角度。
[0016]另外，描述可以示出單元式的設(shè)計(其中體區(qū)是多個單元式的區(qū)域)代替單個體設(shè)計(其中體區(qū)包括在拉長的圖形中(典型地在螺旋形的圖形中)形成的單個區(qū)域)。然而，意圖該描述適用于單元式的實現(xiàn)方式和以單個為基礎(chǔ)的實現(xiàn)方式。
【具體實施方式】
[0017]圖1示出形成為具有改善的擊穿電壓的半導(dǎo)體器件10的實施例的示例的一部分的放大平面圖。一個實施例還可以包括:器件10具有改善的減小近面電場(RESURF)區(qū)，其可以幫助提供用于器件10的改善的擊穿電壓。在一個實施例中，器件10可以具有改善的靜電放電性能。另一個實施例可以包括:器件10具有改善的漏極結(jié)構(gòu)?？梢栽诎雽?dǎo)體襯底40上形成器件10的實施例。在一個實施例中，器件10可以形成為MOS晶體管，例如作為LDMOS晶體管，但是，在其它實施例中，可以形成為其它類型的半導(dǎo)體器件。
[0018]如將在下文中進一步看到的，一個實施例可以包括:將器件10的漏極結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)和源極結(jié)構(gòu)形成為以縱向方向沿著結(jié)構(gòu)的長軸延伸一段長度的指狀物。因此，如將在下文中進一步看到的，對于這樣的實施例，在相應(yīng)的源極和柵極結(jié)構(gòu)中，可以存在多于一個源極元件和多于一個柵極元件。
[0019]圖2示出沿著圖1中示出的橫截面線2-2的器件10的放大橫截面部分。該描述參考圖1和圖2。在塊狀半導(dǎo)體襯底41上形成器件10。半導(dǎo)體區(qū)42通常形成為位于襯底41上。在一些實施例中，襯底40可以包括襯底41和區(qū)42。在一個實施例中，可以在襯底41的表面上形成區(qū)42。在半導(dǎo)體區(qū)42內(nèi)形成埋置區(qū)36。在一個實施例中，區(qū)36不延伸到區(qū)42的表面。區(qū)36通常不延伸為接觸或者連接襯底41的表面。然而，在一些實施例中，區(qū)36可以物理地和電氣地接觸襯底41。在大多數(shù)實施例中，區(qū)36不延伸到襯底41中。
[0020]器件10可以包括漂移區(qū)26，其形成在半導(dǎo)體區(qū)42內(nèi)并位于埋置區(qū)36的一部分上。漂移區(qū)26幫助傳輸載流子通過器件10。在一個實施例中，漂移區(qū)26通常從區(qū)42的表面延伸到區(qū)42中足以物理地和電氣地接觸區(qū)36的一部分的距離。一個實施例還可以包括:如通過虛線27示出的，區(qū)26不接觸區(qū)36?？梢栽谄茀^(qū)26內(nèi)形成漏極結(jié)構(gòu)?？梢栽趨^(qū)26內(nèi)形成漏極結(jié)構(gòu)的垂直漏極區(qū)24，以及可以在垂直漏極區(qū)24內(nèi)形成漏極結(jié)構(gòu)的漏極區(qū)23。器件10還