可以包括體區(qū)31，其可以在半導(dǎo)體區(qū)42內(nèi)形成以及橫向地間隔遠(yuǎn)離漂移區(qū)26。一個(gè)實(shí)施例可以包括:區(qū)31可以接觸區(qū)26。區(qū)31也形成為至少位于區(qū)36的一部分上。一個(gè)實(shí)施例可以包括:形成體區(qū)31，所述體區(qū)31從區(qū)42的表面延伸足以物理地和電氣地接觸區(qū)36的一部分的距離。在一些實(shí)施例中，區(qū)36電氣連接到區(qū)31。在另一實(shí)施例中，如由虛線30示出的，區(qū)31可以不物理地接觸區(qū)36。埋置區(qū)36可以被形成為位于區(qū)31和區(qū)26的至少一部分之下?？梢栽隗w區(qū)31內(nèi)形成源極區(qū)34。一個(gè)實(shí)施例可以包括:形成柵極結(jié)構(gòu)或柵極15和49位于區(qū)26和區(qū)31的一部分上以及位于區(qū)26和區(qū)31之間的區(qū)42的一部分上。在一個(gè)實(shí)施例中，可以形成位于區(qū)42的表面的一部分上的柵極15和柵極49。在其它實(shí)施例中，柵極15和柵極49可以具有其它的結(jié)構(gòu)配置，例如柵極可以被形成為垂直地延伸到區(qū)42的一部分中，諸如被形成為溝槽類型的柵極?？梢栽趨^(qū)31內(nèi)形成體接觸區(qū)或體接觸32，以促進(jìn)形成至區(qū)31的低電阻電氣連接。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)32可以電氣連接到源極18和源極34，但是在其它實(shí)施例中可以不電氣連接到源極18和源極34。一個(gè)實(shí)施例可以包括形成鄰近和鄰接源極18和源極34的區(qū)32。在其它實(shí)施例中，區(qū)32可以不鄰接源極18和源極34。一些實(shí)施例可以包括:鄰近以及在一些實(shí)施例中鄰接相應(yīng)的源極18和源極34形成可選的橫向漏極區(qū)(LDD) 19和35?？梢岳脵M向漏極區(qū)19和橫向漏極區(qū)35幫助在位于柵極15和柵極49的絕緣體或間隔物17 (參見圖5)之下的區(qū)31的一部分中形成溝道區(qū)。通常圍繞漏極區(qū)23和垂直漏極區(qū)24形成場(chǎng)絕緣體28。一個(gè)實(shí)施例可以包括形成場(chǎng)板結(jié)構(gòu)14和47，其包括在絕緣體28上的場(chǎng)板導(dǎo)體并電氣連接到區(qū)23。
[0021]參考回圖1，器件10的一個(gè)實(shí)施例可以包括:形成包括矩形或細(xì)長(zhǎng)形狀的漏極區(qū)23的漏極結(jié)構(gòu)以及形成圍繞所述漏極結(jié)構(gòu)的場(chǎng)絕緣體28。場(chǎng)板結(jié)構(gòu)14和47可以被形成為沿著漏極結(jié)構(gòu)的邊的條。在另一實(shí)施例中，結(jié)構(gòu)14和結(jié)構(gòu)47可以在漏極結(jié)構(gòu)的一端處電氣連接在一起，或替代地可以類似于絕緣體28圍繞所述漏極結(jié)構(gòu)。柵極15和柵極49也可以被形成為沿著所述漏極結(jié)構(gòu)的邊延伸的條，以及橫向地間隔遠(yuǎn)離結(jié)構(gòu)14和結(jié)構(gòu)47。在另一實(shí)施例中，柵極15和柵極49可以縱向地以一個(gè)方向圍繞所述漏極結(jié)構(gòu)中的一個(gè)延伸，以便形成柵極15和柵極49之間的電氣和物理連接。在另一個(gè)可替代實(shí)施例中，柵極15和柵極49可以被形成為圍繞所述漏極結(jié)構(gòu)的一個(gè)連續(xù)的結(jié)構(gòu)。相似地，一個(gè)實(shí)施例可以包括將源極18和源極34形成為沿著所述漏極結(jié)構(gòu)的相對(duì)邊的條。在一些實(shí)施例中，源極18和源極34可以橫向地間隔遠(yuǎn)離柵極15和柵極49。在可替代實(shí)施例中，源極18和源極34可以縱向地延伸以及橫向地橫越為物理地和電氣地連接在一起，以及另一個(gè)可替代實(shí)施例可以包括:源極18和源極34可以是圍繞柵極15和柵極49的一個(gè)連續(xù)的柵極結(jié)構(gòu)的部分。
[0022]本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，代替圖1中示出的指狀物形狀，可以用其它幾何形狀形成器件10的結(jié)構(gòu)元件。例如，一個(gè)可替代實(shí)施例可以具有單個(gè)源極，而不是圖1中示出的多個(gè)條或指狀物。例如，器件10的一個(gè)實(shí)施例可以僅包括在虛線60(圖2)的左邊示出的器件10的部分。
[0023]圖3示出形成器件10的方法的實(shí)施例的示例的早期階段的器件10。在襯底41的表面上形成半導(dǎo)體區(qū)42。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)42可以被形成為在襯底41的表面上的外延層。在另一實(shí)施例中，區(qū)42可以被形成為在襯底41內(nèi)的摻雜區(qū)。一個(gè)實(shí)施例可以包括用可變摻雜濃度(諸如離區(qū)42的表面各種不同距離的摻雜濃度)將區(qū)42形成為外延層。例如摻雜分布可以在區(qū)42的中間附近具有峰值濃度，以及摻雜分布可以朝遠(yuǎn)離所述峰值的任一方向減小，諸如朝著襯底41減小以及朝著區(qū)42的表面減小。另一個(gè)實(shí)施例可以包括將區(qū)42形成為多個(gè)外延層。一個(gè)實(shí)施例可以包括形成具有相同導(dǎo)電類型的襯底41和區(qū)42。襯底41的摻雜濃度通常大于區(qū)42的摻雜濃度。一個(gè)實(shí)施例可以包括用大約1E14原子/立方厘米-1E17原子/立方厘米的摻雜濃度形成區(qū)42。在一個(gè)示例實(shí)施例中，諸如對(duì)于大約一百伏(10V)的擊穿電壓，區(qū)42通?？梢杂写蠹s1E15原子/立方厘米的摻雜濃度。隨后，絕緣體28可以形成在區(qū)42的表面上，以及延伸到區(qū)42中距離63?？梢杂啥趸杌蚱渌阎慕^緣材料形成絕緣體28。在一些實(shí)施例中，絕緣體28可以被稱為場(chǎng)氧化物或場(chǎng)絕緣體。在一些實(shí)施例中，可以由眾所周知的方法或技術(shù)形成絕緣體28，包括形成為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，或由硅的局部氧化(LOCOS)形成，或由其它已知的技術(shù)形成。在絕緣體28的形成期間，如由區(qū)42的表面上的薄層示出的，區(qū)42的表面的一部分可以被氧化?？梢猿ニ鲅趸糠只蚩梢圆怀ニ鲅趸糠帧?br>[0024]隨后，可以在區(qū)42內(nèi)形成埋置區(qū)36，在區(qū)36內(nèi)具有開口 38，所述開口 38至少位于將要形成漏極區(qū)23的位置之下。在一個(gè)實(shí)施例中，可以用與區(qū)42的導(dǎo)電類型相同的導(dǎo)電類型形成區(qū)36。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，還可以將區(qū)36形成為通過(guò)距離37間隔開的兩個(gè)單獨(dú)的區(qū)，以形成開口 38，因此區(qū)36的兩個(gè)單獨(dú)的部分可以不物理地連接在一起，但是通常電氣地連接在一起。例如，通過(guò)都電氣地連接到區(qū)31 (圖2，例如物理地和電氣地連接區(qū)31，或通過(guò)單獨(dú)的電氣連接)可以將區(qū)36的兩個(gè)單獨(dú)的部分電氣地連接在一起。
[0025]圖4示出在形成器件10的方法的示例實(shí)施例中的后續(xù)階段的器件10。通常從區(qū)42的表面延伸到區(qū)42中一段距離而形成漂移區(qū)26。在一個(gè)實(shí)施例中，所述距離足以形成接觸區(qū)36的一部分的區(qū)26。可以施加并圖案化掩模以露出將形成區(qū)26的區(qū)42的部分，以及摻雜劑可以被注入并退火以形成區(qū)26。區(qū)26具有與區(qū)42的導(dǎo)電類型相反的導(dǎo)電類型。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)42和埋置區(qū)36的摻雜濃度被選擇以提供區(qū)36中的電荷，該電荷通過(guò)區(qū)26的電荷基本被平衡。器件10的一個(gè)實(shí)施例可以包括將區(qū)26的摻雜濃度形成為基本上等于埋置區(qū)36的摻雜濃度。這幫助增加在高電壓情況期間區(qū)26的耗盡，因此幫助增加擊穿電壓。一個(gè)實(shí)施例可以包括將區(qū)26的摻雜濃度形成為在大約1E16原子/立方厘米和1E18原子/立方厘米之間。一個(gè)實(shí)施例可以包括區(qū)36的摻雜濃度可以是大約1E16原子/立方厘米到大約1E18原子/立方厘米。區(qū)36可以通常具有約2E16原子/立方厘米的摻雜濃度。
[0026]此后，體區(qū)31可以在區(qū)42中形成并從區(qū)26分隔一段距離。一個(gè)實(shí)施例可以包括形成區(qū)31，所述區(qū)31從區(qū)42的表面延伸足夠接觸區(qū)36的深度。區(qū)31可以具有與區(qū)36相同并與區(qū)26相反的導(dǎo)電類型。在一個(gè)實(shí)施例中，可以施加掩模以露出將形成區(qū)31的區(qū)42的部分，以及摻雜劑可以被注入并退火以形成區(qū)31。一個(gè)實(shí)施例可以包括形成區(qū)31的摻雜濃度以提供至區(qū)31的低電阻連接，和/或幫助形成器件10的低導(dǎo)通電阻。
[0027]圖5示出形成器件10的方法的實(shí)施例的示例中的另一個(gè)后續(xù)階段。垂直漏極區(qū)24可以在區(qū)26中形成，從表面延伸到區(qū)26中一段距離。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)24延伸不大于距離63的距離。隨后，可以形成柵極結(jié)構(gòu)15和柵極結(jié)構(gòu)49?？梢栽趯⑿纬蓶艠O結(jié)構(gòu)15和柵極結(jié)構(gòu)49的區(qū)42的表面上形成柵極絕緣體45。一個(gè)實(shí)施例可以包括形成絕緣體45，所述絕緣體45延伸為位于區(qū)26和區(qū)31的至少一部分上?？梢允┘雍蛨D案化導(dǎo)電材料以形成柵極導(dǎo)體16和柵極導(dǎo)體46以及場(chǎng)板導(dǎo)體13和場(chǎng)板導(dǎo)體48。
[0028]可以在區(qū)31中形成可選的橫向漏極區(qū)19和35，使得區(qū)19和區(qū)35的一部分位于至少相應(yīng)的導(dǎo)體16和導(dǎo)體46的外緣之下，以及橫向地延伸遠(yuǎn)離所述外緣。此后，例如可以在導(dǎo)體16、導(dǎo)體13、導(dǎo)體48和導(dǎo)體46的外緣上形成間隔物17以隔離所述導(dǎo)體的邊部分。柵極結(jié)構(gòu)15和柵極結(jié)構(gòu)49的一個(gè)實(shí)施例包括與相應(yīng)的柵極導(dǎo)體16和柵極導(dǎo)體46 —起的絕緣體17。場(chǎng)板結(jié)構(gòu)14和場(chǎng)板結(jié)構(gòu)47的一個(gè)實(shí)施例包括與相應(yīng)的場(chǎng)板導(dǎo)體13和場(chǎng)板導(dǎo)體48—起的絕緣體17?？梢杂砂〒诫s多晶硅、硅化物或金屬的各種導(dǎo)電材料形成柵極導(dǎo)體16和柵極導(dǎo)體46以及場(chǎng)板導(dǎo)體13和場(chǎng)板導(dǎo)體48。
[0029]再次參考圖2，在形成器件10的方法的實(shí)施例的示例中的后續(xù)階段，源極18和源極34可以在區(qū)31內(nèi)形成為摻雜區(qū)，以及從區(qū)42的表面延伸到區(qū)31中，以及漏極區(qū)23可以在區(qū)24內(nèi)形成為摻雜區(qū)，從區(qū)42的表面延伸到區(qū)24中。一個(gè)實(shí)施例可以包括同時(shí)形成源極18、23和34的摻雜區(qū)，以及所述摻雜區(qū)具有與區(qū)26相同的導(dǎo)電類型。源極18和源極34以及區(qū)24的摻雜濃度可以近似相等。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)24的摻雜濃度小于區(qū)23的摻雜濃度，并大于區(qū)26的摻雜濃度。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)24的摻雜濃度在約1E17原子/立方厘米和約1E19原子/立方厘米之間。在一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)23的摻雜濃度可以不少于約1E18原子/立方厘米。一個(gè)實(shí)施例可以包括將區(qū)23的摻雜濃度形成為通常約1E19原子/立方厘米至1E21原子/立方厘米。此后，體接觸區(qū)32可以在區(qū)31內(nèi)形成為摻雜區(qū)，并從區(qū)42的表面延伸到區(qū)31中。體接觸區(qū)32通常具有與區(qū)31相同的導(dǎo)電類型和較高的摻雜濃度以便形成至區(qū)31的低電阻電氣連接。
[0030]隨后可以形成電極54、電極55和電極56以提供至部分器件10的電氣連接?？梢酝ㄟ^(guò)圖案化導(dǎo)電材料以電氣地將源極18和源極34連接在一起并將源極18和源極34連接至體接觸32來(lái)形成電極54?？梢酝ㄟ^(guò)圖案化導(dǎo)電材料以將柵極結(jié)構(gòu)15和柵極結(jié)構(gòu)49電氣地連接在一起來(lái)形成電極55。可以通過(guò)圖案化導(dǎo)電材料以將場(chǎng)結(jié)構(gòu)14和場(chǎng)結(jié)構(gòu)47電氣地連接在一起并將場(chǎng)結(jié)構(gòu)14和場(chǎng)