圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)框架類封裝倒裝工藝采用芯片凸點(diǎn)與框架引腳相聯(lián)接，通電性能容易產(chǎn)生導(dǎo)熱性能差，接觸電阻偏高等問(wèn)題，并且測(cè)試易出現(xiàn)接觸電阻的特性阻抗變化，形成導(dǎo)線之間的互感現(xiàn)象等異常，很難區(qū)分是凸點(diǎn)制作工藝的問(wèn)題還是倒裝組裝的問(wèn)題，并且銅框架與基板封裝基板的表面覆蓋導(dǎo)線區(qū)連結(jié)因材料接合問(wèn)題，易導(dǎo)致可焊性與耐熱性的異常。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]在下文中給出關(guān)于本實(shí)用新型的簡(jiǎn)要概述，以便提供關(guān)于本實(shí)用新型的某些方面的基本理解。應(yīng)當(dāng)理解，這個(gè)概述并不是關(guān)于本實(shí)用新型的窮舉性概述。它并不是意圖確定本實(shí)用新型的關(guān)鍵或重要部分，也不是意圖限定本實(shí)用新型的范圍。其目的僅僅是以簡(jiǎn)化的形式給出某些概念，以此作為稍后論述的更詳細(xì)描述的前序。
[0004]本實(shí)用新型提供一種減少電阻的特性阻抗變化和導(dǎo)線之間的互感現(xiàn)象，提升可焊性、耐熱性和穩(wěn)定性的圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]本實(shí)用新型提供一種圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0006]芯片載體層，裝載多個(gè)圓片級(jí)芯片，上表面設(shè)置有多個(gè)焊墊；
[0007]再布線層，固定在所述芯片載體層的上表面，所述再布線層的下表面覆蓋所述多個(gè)焊墊；
[0008]封裝基板，固定在所述再布線層的上表面；所述再布線層的上表面覆蓋設(shè)置在所述封裝基板下表面的導(dǎo)線區(qū)基板。
[0009]本實(shí)用新型提供的圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)在焊墊表面形成再布線層作為芯片電性輸出裝置，在第二再布線層表面形成金屬鎳鈀金薄膜，替代引線框架結(jié)構(gòu)，將第二再布線層聯(lián)接延伸至封裝基板的表面覆蓋導(dǎo)線區(qū)基板，工藝可操作性強(qiáng)，易實(shí)現(xiàn)；通過(guò)替代引線框架，減少接觸電阻的特性阻抗變化，有效降低導(dǎo)線之間的互感現(xiàn)象，提升封裝結(jié)構(gòu)中的電路信號(hào)品質(zhì)及系統(tǒng)穩(wěn)定度；通過(guò)金屬鎳鈀金薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)置，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)越的耐晶須性，可焊性，延展性與耐熱性。
【附圖說(shuō)明】
[0010]參照下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的說(shuō)明，會(huì)更加容易地理解本實(shí)用新型的以上和其它目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。附圖中的部件只是為了示出本實(shí)用新型的原理。在附圖中，相同的或類似的技術(shù)特征或部件將采用相同或類似的附圖標(biāo)記來(lái)表示。
[0011]圖1為本實(shí)用新型圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖2為本實(shí)用新型圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)一種實(shí)施方式中在填充層上表面形成第二再布線層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖3為本實(shí)用新型圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)一種實(shí)施方式中在第二再布線層表面覆蓋金屬鎳鈀金薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0015]101芯片載體層
[0016]102 焊墊
[0017]201第一再布線層
[0018]202連接線層
[0019]301第二再布線層
[0020]302填充層
[0021]303金屬鎳鈀金薄膜
[0022]401接合層
[0023]402封裝基板
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面參照附圖來(lái)說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施例。在本實(shí)用新型的一個(gè)附圖或一種實(shí)施方式中描述的元素和特征可以與一個(gè)或更多個(gè)其它附圖或?qū)嵤┓绞街惺境龅脑睾吞卣飨嘟Y(jié)合。應(yīng)當(dāng)注意，為了清楚的目的，附圖和說(shuō)明中省略了與本實(shí)用新型無(wú)關(guān)的、本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的部件和處理的表示和描述。
[0025]圖1為本實(shí)用新型圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]如圖1所示，在本實(shí)施方式中，本實(shí)用新型圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)包括:
[0027]芯片載體層101，裝載多個(gè)圓片級(jí)芯片，上表面設(shè)置有多個(gè)焊墊102 ;
[0028]再布線層，固定在芯片載體層101的上表面，所述再布線層的下表面覆蓋所述多個(gè)焊墊102 ；
[0029]封裝基板402，固定在所述再布線層的上表面；所述再布線層的上表面覆蓋設(shè)置在封裝基板402下表面的導(dǎo)線區(qū)基板。
[0030]其中，所述再布線層的再布線制材為銅，所述再布線層由銅再布線組成。
[0031]圖2為本實(shí)用新型圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)一種實(shí)施方式中在填充層上表面形成第二再布線層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]優(yōu)選地，所述再布線層包括:
[0033]第一再布線層201，與芯片載體層101的上表面固定連接，覆蓋所述多個(gè)焊墊102 ；
[0034]填充層302，填充于芯片載體層101和第一再布線層201的上表面；
[0035]第二再布線層301，固定在填充層302的上表面，與封裝基板402的下表面固定連接，覆蓋所述導(dǎo)線區(qū)基板；
[0036]連接線層202，連接第一再布線層201和第二再布線層301。
[0037]圖3為本實(shí)用新型圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)一種實(shí)施方式中在第二再布線層表面覆蓋金屬鎳鈀金薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]優(yōu)選地，所述再布線層還包括覆蓋在第二再布線層301表面的金屬鎳鈀金薄膜303，金屬鎳鈀金薄膜303用于保護(hù)第二再布線層301。
[0039]優(yōu)選地，封裝基板402和第二再布線層301之間還設(shè)有用于固定連接的接合層401。
[0040]具體地，所述接合層401為焊錫膏。
[0041]優(yōu)選地，芯片載體層101以硅為載體裝載多個(gè)分拆開(kāi)的圓片級(jí)芯片。
[0042]封裝本實(shí)用新型所提出的圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)的封裝工藝步驟包括:
[0043]SlO:用銅再布線在芯片載體層101的上表面形成第一再布線層201覆蓋多個(gè)焊墊102，在芯片載體層101和第一再布線層201之上填充形成填充層302 ;
[0044]S20:利用光敏材料等輔助形成填充層302上的開(kāi)口，并在開(kāi)口中形成連接線層202，在填充層302的表面形成第二再布線層301 ；
[0045]S30:通過(guò)電解化學(xué)鍍工藝，在第二再布線層301表面形成金屬鎳鈀金薄膜303，用于保護(hù)第二再布線層301 ;通過(guò)圓片切割工藝，將一顆顆圓片級(jí)芯片尺寸封裝產(chǎn)品分拆開(kāi)，以硅作為載體形式裝載在芯片載體層101 ;
[0046]S40:通過(guò)接合層401印刷的方法，將第二再布線層301聯(lián)接延伸至封裝基板402的表面覆蓋導(dǎo)線區(qū)基板，并通過(guò)接合層401連接邊緣延伸部與封裝基板402的表面而將第二再布線層301固定于封裝基板402上。
[0047]綜上所述，本實(shí)用新型提供的圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)在焊墊表面形成再布線層作為芯片電性輸出裝置，在第二再布線層表面形成金屬鎳鈀金薄膜，替代引線框架結(jié)構(gòu)，將第二再布線層聯(lián)接延伸至封裝基板的表面覆蓋導(dǎo)線區(qū)基板，工藝可操作性強(qiáng)，易實(shí)現(xiàn)；通過(guò)替代引線框架，減少接觸電阻的特性阻抗變化，有效降低導(dǎo)線之間的互感現(xiàn)象，提升封裝結(jié)構(gòu)中的電路信號(hào)品質(zhì)及系統(tǒng)穩(wěn)定度；通過(guò)金屬鎳鈀金薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)置，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)越的耐晶須性，可焊性，延展性與耐熱性。
[0048]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 芯片載體層，裝載多個(gè)圓片級(jí)芯片，上表面設(shè)置有多個(gè)焊墊； 再布線層，固定在所述芯片載體層的上表面，所述再布線層的下表面覆蓋所述多個(gè)焊墊； 封裝基板，固定在所述再布線層的上表面；所述再布線層的上表面覆蓋設(shè)置在所述封裝基板下表面的導(dǎo)線區(qū)基板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述再布線層包括: 第一再布線層，與所述芯片載體層的上表面固定連接，覆蓋所述多個(gè)焊墊； 填充層，填充于所述芯片載體層和所述第一再布線層的上表面； 第二再布線層，固定在所述填充層上表面，與所述封裝基板的下表面固定連接，覆蓋所述導(dǎo)線區(qū)基板； 連接線層，連接所述第一再布線層和所述第二再布線層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述再布線層還包括覆蓋在所述第二再布線層表面的金屬鎳鈀金薄膜，所述金屬鎳鈀金薄膜用于保護(hù)所述第二再布線層。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝基板和所述第二再布線層之間還設(shè)有用于固定連接的接合層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片載體層以硅為載體裝載多個(gè)分拆開(kāi)的圓片級(jí)芯片。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種圓片級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：芯片載體層，裝載多個(gè)圓片級(jí)芯片，上表面設(shè)置有多個(gè)焊墊；再布線層，固定在所述芯片載體層的上表面，所述再布線層的下表面覆蓋所述多個(gè)焊墊；封裝基板，固定在所述再布線層的上表面；所述再布線層的上表面覆蓋設(shè)置在所述封裝基板下表面的導(dǎo)線區(qū)基板。本實(shí)用新型通過(guò)替代引線框架，減少接觸電阻的特性阻抗變化，有效降低導(dǎo)線之間的互感現(xiàn)象，提升封裝結(jié)構(gòu)中的電路信號(hào)品質(zhì)及系統(tǒng)穩(wěn)定度；通過(guò)金屬鎳鈀金薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)置，實(shí)現(xiàn)更優(yōu)越的耐晶須性，可焊性，延展性與耐熱性。
【IPC分類】H01L23/488, H01L23/495
【公開(kāi)號(hào)】CN204680667
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520369391
【發(fā)明人】高國(guó)華
【申請(qǐng)人】南通富士通微電子股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月30日
【申請(qǐng)日】2015年6月1日