專利名稱：電荷泵電路及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的范例性實(shí)施例一般涉及電荷泵電路及其方法，尤其涉及可以控制電流的電荷泵電路及其方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的鎖相環(huán)(PLL)電路可以包括一鑒相器、一電荷泵電路、一作為低通濾波器(LPF)實(shí)現(xiàn)的環(huán)路濾波器以及一壓控振蕩器(VCO)。鑒相器可以檢測(cè)參考時(shí)鐘信號(hào)和從VCO輸出的反饋時(shí)鐘信號(hào)之間的相差。電荷泵電路可以響應(yīng)鑒相器的輸出信號(hào)利用電荷為環(huán)路濾波器充電，或者可選的，可以從環(huán)路濾波器放電荷。VCO可以響應(yīng)與充滿環(huán)路濾波器的電荷對(duì)應(yīng)的電壓輸出反饋時(shí)鐘信號(hào)，其可以與參考時(shí)鐘信號(hào)同步(例如鎖定)。作為一種選擇，電荷泵電路可以配置在延遲鎖定環(huán)(DLL)電路中。
圖1示出了傳統(tǒng)電荷泵電路100的電路。參考圖1，電荷泵電路100可以包括恒流源105和135、PMOS晶體管110和115、具有電壓增益為1的緩沖器120、NMOS晶體管125和130以及反相器140和145。
參考圖1，PMOS晶體管110和115可分別響應(yīng)上行信號(hào)UP和/UP執(zhí)行開(kāi)關(guān)操作。NMOS晶體管125和130可分別響應(yīng)下行信號(hào)DN和/DN執(zhí)行開(kāi)關(guān)操作。PMOS晶體管115可以響應(yīng)互補(bǔ)上行信號(hào)/UP提供上行電流lup到輸出節(jié)點(diǎn)150。NMOS晶體管130可以響應(yīng)下行信號(hào)DN從輸出節(jié)點(diǎn)150下拉下行電流ldn。
參考圖1，如果輸入給包含在PLL或者DLL電路中的鑒相器的參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前于(例如，不是滯后或者跟隨)輸入給鑒相器的反饋時(shí)鐘信號(hào)，則生成上行信號(hào)UP?；パa(bǔ)上行信號(hào)/UP可以是上行信號(hào)UP的反相信號(hào)。如果參考時(shí)鐘信號(hào)的相位滯后(例如，不是超前)于反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位那么就生成了下行信號(hào)DN?；パa(bǔ)下行信號(hào)/DN可以是下行信號(hào)DN的反相信號(hào)。
參考圖1，PMOS晶體管110、NMOS晶體管125以及緩沖器120可以減少開(kāi)關(guān)操作期間生成的開(kāi)關(guān)噪音。換句話說(shuō)，PMOS晶體管110、NMOS晶體管125以及緩沖器120可以減少當(dāng)PMOS晶體管115和NMOS晶體管130執(zhí)行開(kāi)關(guān)操作時(shí)產(chǎn)生的電荷共享效應(yīng)。
圖2示出了電荷泵電路100操作。尤其是，在圖2的第一操作模式(1)中示出了當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前于反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)的相位超前的情況。在圖2的第一操作模式(1)中，上行信號(hào)UP的脈寬可以大于下行信號(hào)DN的脈寬。上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN的脈寬之間的差PW可與參考時(shí)鐘信號(hào)和反饋時(shí)鐘信號(hào)之間的相差成比例。通過(guò)輸出終端OUT輸出的輸出電流lch可以獲得一個(gè)上行電流lup減去下行電流ldn的值。
在圖2的第二操作模式(2)中，示出了當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)的相位滯后反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)的相位滯后情況。在圖2的第二操作模式(2)中，電荷泵電路100可以與相位超前情況類似的工作模式操作。在圖2的第二操作模式(2)中，示出了參考時(shí)鐘信號(hào)的相位基本上與反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位相同的同相情況。因此，上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN可以被并行(例如同時(shí))激活，上行信號(hào)UP的脈寬基本上等于下行信號(hào)DN的脈寬。通過(guò)輸出終端OUT輸出的輸出電流lch可以獲得一個(gè)上行電流lup減去下行電流ldn的值。
參考圖2，在上行電流lup和下行電流ldn可以并發(fā)產(chǎn)生(例如相應(yīng)于同相的情況)的時(shí)間間隔內(nèi)，輸出電流lch可以不是精確的“0”，而是基于上行電流lup和下行電流ldn之間的失配“失配”(例如，暫時(shí)的不對(duì)稱)的偏移“0”。偏移可以是由晶體管的有限的輸出電阻、產(chǎn)生在切換操作期間的電荷共享效應(yīng)和/或晶體管大小失配(例如不相等)引起的。
圖3的電路圖示出了另一傳統(tǒng)電荷泵電路200。參考圖3，電荷泵電路200包括PMOS晶體管205和210，NMOS晶體管215，220，225和230以及恒流源235和240。
參考圖3，響應(yīng)上行信號(hào)UP工作的NMOS晶體管220可以控制上行電流lup作為輸出節(jié)點(diǎn)245的電源。響應(yīng)下行信號(hào)DN工作的NMOS晶體管230，可以控制下行電流ldn從輸出節(jié)點(diǎn)245下拉。由于圖3的上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN與圖1示出的一致，簡(jiǎn)明起見(jiàn)省略了對(duì)此的詳細(xì)描述。
圖4示出了圖3的電荷泵電路200的操作圖。參考圖4，第一操作(1)示出了相位超前情況，其中參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前于反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位。在圖4的第一操作(1)，上行信號(hào)UP的脈寬可大于下行信號(hào)DN的脈寬。上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN的脈寬之間的不同PW可與參考時(shí)鐘信號(hào)和反饋時(shí)鐘信號(hào)之間的相差成比例。從輸出終端OUT輸出的輸出電流lch獲得一個(gè)上行電流lup減去下行電流ldn的值。
參考圖4，第二操作(2)示出了相位滯后情況，其中參考時(shí)鐘信號(hào)相位滯后反饋時(shí)鐘信號(hào)相位，電荷泵電路200可以與相位超前情況的操作模式類似。在圖4的第二操作(2)，參考時(shí)鐘信號(hào)的相位可以與反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位相同，上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN可被同時(shí)激活，上行信號(hào)UP的脈寬可以與下行信號(hào)DN的脈寬相等。通過(guò)輸出終端OUT輸出的輸出電流lch獲得一個(gè)從上行電流lup減去下行電流ldn的值。
參考圖4，上行電流lup和下行電流ldn被并發(fā)(例如同時(shí))生成或者“激活”(例如相應(yīng)于同相情況的時(shí)間間隔)時(shí)產(chǎn)生了時(shí)間間隔。然而，類似于圖2，輸出電流lch可以不是精確的“0”，而是基于上行電流lup和下行電流ldn之間的“失配”(例如，暫時(shí)的不對(duì)稱)的的偏移“0”。偏移可以由晶體管的有限的輸出電阻、產(chǎn)生在開(kāi)關(guān)操作期間的電荷共享效應(yīng)和/或晶體管大小失配(例如不相等)引起。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例集中在電荷泵電路，其包括響應(yīng)第一信號(hào)提供第一電流到輸出節(jié)點(diǎn)以增加輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平的第一開(kāi)關(guān)晶體管、響應(yīng)第二信號(hào)從輸出節(jié)點(diǎn)下拉第二電流以減少輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平的第二開(kāi)關(guān)晶體管、以及一當(dāng)?shù)谝缓偷诙娏魍瑫r(shí)產(chǎn)生時(shí)可以減少第一和第二電流量的控制器。
本發(fā)明的另一實(shí)施例集中在控制電流的方法，其包括響應(yīng)第一信號(hào)提供第一電流到輸出節(jié)點(diǎn)以增加輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平、響應(yīng)第二信號(hào)從輸出節(jié)點(diǎn)下拉第二電流以減少輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平、以及當(dāng)?shù)谝缓偷诙娏魍瑫r(shí)產(chǎn)生時(shí)減少第一和第二電流量。


附圖可以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，在此引入作為本發(fā)明的一部分。附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，與其描述一起解釋本發(fā)明的原理。
圖1的電路圖示出了傳統(tǒng)的電荷泵電路。
圖2示出了電荷泵電路的操作。
圖3的電路圖示出了另一傳統(tǒng)的電荷泵電路。
圖4示出了圖3的電荷泵電路的操作。
圖5的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電荷泵電路。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖5的電荷泵電路的操作。
圖7的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電荷泵電路。
圖8的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電荷泵電路。
圖9的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的電荷泵電路。
圖10的方塊圖示出了包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電荷泵電路的鎖相環(huán)(PLL)電路。
圖11的方塊圖示出了包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電荷泵電路的延遲鎖定環(huán)(DLL)電路。
具體實(shí)施例方式
在此公開(kāi)了本發(fā)明的詳細(xì)示意實(shí)施例。然而，為了描述本發(fā)明的實(shí)施例在此公開(kāi)的特定結(jié)構(gòu)和功能細(xì)節(jié)只是代表性的。但是本發(fā)明的實(shí)施例可以體現(xiàn)在替代形式中并且不應(yīng)當(dāng)限定在此處描述的實(shí)施例中。
因此，本發(fā)明的實(shí)施例可以受不同的修改和替代形式的影響，其中具體的實(shí)施例在附圖中通過(guò)實(shí)施例示出并且將進(jìn)行詳細(xì)描述。然而應(yīng)當(dāng)理解，并不能限制在本發(fā)明公開(kāi)的特殊形式的實(shí)施例，相反地，本發(fā)明實(shí)施例覆蓋了所有落在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有的修改，等價(jià)物以及替代物。類似的數(shù)字可以參考圖中描述的類似元件。
應(yīng)當(dāng)理解，雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二等等可以在此使用來(lái)描述不同的元件，但這些元件不應(yīng)當(dāng)受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)只是用于區(qū)別不同的元件。例如，第一元件也可以定義為第二元件，類似的，第二元件可以定義為第一元件，在不偏離本發(fā)明的范圍內(nèi)。在此使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任一或者所有結(jié)合。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件被稱做“連接”或“耦合”到另一元件時(shí)，可以是指該元件被直接連接或者耦合到其它元件或者存在介入元件。相反地，當(dāng)元件被稱做“直接連接”或者“直接耦合”到另一元件時(shí)，是指其間沒(méi)有其它介入的元件。其它用于描述元件間關(guān)系的詞應(yīng)當(dāng)以類似方式理解(例如“中間”對(duì)“直接中間”，“鄰接”對(duì)“直接鄰接”等等)。
在此引入的術(shù)語(yǔ)只是為了描述特殊的實(shí)施例，并不是限制本發(fā)明的實(shí)施例。在此引入并且使用的單數(shù)形式“一”“一個(gè)”和“該”試圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文中清除的指出來(lái)。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”，當(dāng)使用的時(shí)候，指的是限定的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件但并不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其中的組的出現(xiàn)。
除非另有限定，在此使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))和本發(fā)明所屬的領(lǐng)域技術(shù)人員平時(shí)理解的術(shù)語(yǔ)都具有相同的意義。進(jìn)一步理解例如使用在詞典中定義的術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)解釋為與相關(guān)技術(shù)上下文中出現(xiàn)的含義一致的意義而不能解釋為理想的或者過(guò)度正式的含義除非在此另有定義。
圖5的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電荷泵電路300。在圖5的實(shí)施例中，電荷泵電路300包括第一和第二電流源305和335(例如恒流源)，第一到第四開(kāi)關(guān)晶體管310、315、320和325，具有給定電壓增益(例如一)的緩沖器330以及反相器340和345。上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN可以輸入給電荷泵電路300。當(dāng)輸入給包括在鎖相環(huán)(PLL)電路或者延遲鎖定環(huán)(DLL)電路中的鑒相器的參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前輸入給鑒相器的反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生上行信號(hào)UP。當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)的相位滯后于反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生了下行信號(hào)DN。
在圖5所示的實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)晶體管310可以響應(yīng)上行信號(hào)UP為輸出節(jié)點(diǎn)350提供上行電流lup。上行電流lup可以通過(guò)第一電流源305提供。第一電流源305可以提供等于ls的電流。例如，如果互補(bǔ)上行信號(hào)/UP，其可以通過(guò)反相器340反相上行信號(hào)UP之后獲得，被激活時(shí)第一開(kāi)關(guān)晶體管310可以工作。在實(shí)例中，第一開(kāi)關(guān)晶體管310可以是一PMOS晶體管。
在圖5所示的實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管315可以響應(yīng)下行信號(hào)DN從輸出節(jié)點(diǎn)350下拉下行電流ldn。下行電流ldn可以通過(guò)第二電流源335提供。第二電流源335可以提供等于ls的電流。在實(shí)例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管315可以是一NMOS晶體管。
在圖5所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管320、第四開(kāi)關(guān)晶體管325以及緩沖器330可以包括在一控制器中。如果上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，控制器可以響應(yīng)上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN減少上行電流lup和下行電流ldn的量。在實(shí)例中，上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生的情況與參考時(shí)鐘信號(hào)相位基本與反饋時(shí)鐘信號(hào)相位相同時(shí)的情況相應(yīng)。
在圖5所示的范例性實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管320可以控制第一電流源305的電流ls的一部分，其可以響應(yīng)下行信號(hào)DN提供上行電流lup到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)355。在實(shí)例中，如果在反相器345反相下行信號(hào)DN之后獲得的反相信號(hào)/DN被激活，第三開(kāi)關(guān)晶體管320可以控制由第一電流源305提供的電流ls的一部分到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)355。因此如果上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，則第三開(kāi)關(guān)晶體管320可以減少上行電流lup。
在圖5所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管320可以大于第一開(kāi)關(guān)晶體管310。由于第三開(kāi)關(guān)晶體管320的溝道寬度可以大于第一開(kāi)關(guān)晶體管310的溝道寬度，所以，流經(jīng)第三開(kāi)關(guān)晶體管320的電流量大于流經(jīng)第一開(kāi)關(guān)晶體管310的電流量。在實(shí)例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管320可以是一PMOS晶體管。
在圖5所示的實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管325可以響應(yīng)上行信號(hào)UP提供第二電流源335的電流ls的一部分到第二電流源335，其中，第二電流源335可以提供下行電流ldn。例如，當(dāng)上行信號(hào)UP被激活時(shí)(例如設(shè)定到第一邏輯電平和第二邏輯電平的其中一個(gè)，例如分別為較高邏輯電平和較低邏輯電平)，第四開(kāi)關(guān)晶體管325可以提供給第二電流源335電流ls的一部分。因此，如果上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，第四開(kāi)關(guān)晶體管325可以減少下行電流ldn。
在圖5所示的實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管325可以大于第二開(kāi)關(guān)晶體管315。由于第四開(kāi)關(guān)晶體管325的溝道寬度大于第二開(kāi)關(guān)晶體管315的溝道寬度，流經(jīng)第四開(kāi)關(guān)晶體管325的電流量比流經(jīng)第二開(kāi)關(guān)晶體管315的電流量更高。在實(shí)例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管325可以是一NMOS晶體管。
在圖5所示的實(shí)施例中，如果上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，使用響應(yīng)下行信號(hào)DN工作的第三開(kāi)關(guān)晶體管320和響應(yīng)上行信號(hào)UP工作的第四開(kāi)關(guān)晶體管325可以減少上行電流lup和下行電流ldn的電流電平。因此，可以減少?gòu)妮敵鼋K端OUT輸出的輸出電流lch的偏移，該偏移為上行電流lup減去下行電流ldn獲得的值。
在圖5所示的實(shí)施例中，緩沖器330包括一連接到輸出節(jié)點(diǎn)350的輸入終端以及連接到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)355的輸出終端。緩沖器330，第三開(kāi)關(guān)晶體管320以及第四開(kāi)關(guān)晶體管325可以減少開(kāi)關(guān)操作期間產(chǎn)生的切換噪音。例如，緩沖器330，第三開(kāi)關(guān)晶體管320以及第四開(kāi)關(guān)晶體管325可以減少當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)晶體管310和第二開(kāi)關(guān)晶體管315執(zhí)行開(kāi)關(guān)操作時(shí)產(chǎn)生的電荷共享效應(yīng)。
圖6示出了根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例圖5的電荷泵電路300的操作。
在圖6的實(shí)施例中，第一操作(1)指的是相位超前情況，其中參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前于反饋時(shí)鐘信號(hào)相位。在圖6的實(shí)施例的第一操作(1)中，上行信號(hào)UP的脈寬大于下行信號(hào)DN的脈寬。上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN之間的脈寬差PW與參考時(shí)鐘信號(hào)和反饋時(shí)鐘信號(hào)之間的相差成比例。通過(guò)輸出終端OUT輸出的輸出電流lch獲得上行電流lup減去下行電流ldn的值。
在圖6所示的實(shí)例中，第二操作(2)指的是相位滯后情況，其中參考時(shí)鐘信號(hào)的相位滯后反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位?？梢约僭O(shè)電荷泵電路300，在第二操作(2)(例如相位滯后情況)中，可以以與第一操作(1)(例如相位超前情況)類似的方式工作。
在圖6所示的實(shí)施例中，在第二操作(2)中，參考時(shí)鐘信號(hào)的相位可基本上與反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位相同。上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN可以并發(fā)(例如同時(shí))激活，上行信號(hào)UP的脈寬可基本上等于下行信號(hào)DN的脈寬。通過(guò)輸出終端OUT輸出的輸出電流lch獲得上行電流lup減去下行電流ldn的值。
在圖6所示的實(shí)例中，上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)產(chǎn)生的時(shí)間間隔中(例如其中時(shí)間間隔與同相情況相應(yīng))(例如在第一操作(1)或者第二操作(2)的其中一個(gè)操作)，輸出電流lch可以不是精確的“0”，但是可以是相對(duì)低的偏移。在實(shí)施例中，與圖5和6中的實(shí)施例相關(guān)聯(lián)的相對(duì)低偏移可以小于與圖2和4中所示的在背景技術(shù)中討論的傳統(tǒng)輸出電流lch相關(guān)聯(lián)的偏移。與圖5和6中實(shí)施例關(guān)聯(lián)的較小偏移可以減少產(chǎn)生在PLL電路和/或DLL電路輸出中產(chǎn)生的噪音。
圖7的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的電荷泵電路400。
在圖7所示的實(shí)例中，電荷泵電路400包括第一和第二電流源405和435(例如恒流源)，第一到第四開(kāi)關(guān)晶體管410、415、420和425，具有給定電壓增益(例如一)的緩沖器430以及反相器440和445。上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN可以輸入給電荷泵電路400。當(dāng)輸入給包括在PLL電路或者DLL電路中的鑒相器的參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前輸入給鑒相器的反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生上行信號(hào)UP。當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)的相位滯后于反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生了下行信號(hào)DN。
在圖7所示的實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)晶體管410可以響應(yīng)上行信號(hào)UP為輸出節(jié)點(diǎn)450提供(提供電源)上行電流lup。上行電流lup可以通過(guò)第一電流源405提供(例如具有等于ls的電流電平)。在實(shí)施例中，如果通過(guò)反相器440互補(bǔ)上行信號(hào)UP之后獲得的互補(bǔ)上行信號(hào)/UP被激活(例如，設(shè)置為第一邏輯電平)，第一開(kāi)關(guān)晶體管410可以工作(例如激活或開(kāi)啟)。在實(shí)例中，第一開(kāi)關(guān)晶體管410可以是一PMOS晶體管。
在圖7所示的實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管415可以響應(yīng)下行信號(hào)DN從輸出節(jié)點(diǎn)450下拉下行電流ldn。下行電流ldn可以通過(guò)第二電流源435提供(例如等于ls的電流電平)。在實(shí)例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管415可以是一NMOS晶體管。
在圖7所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管420、第四開(kāi)關(guān)晶體管425以及緩沖器430可以包括在一控制器中。如果上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，控制器可以響應(yīng)上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN減少上行電流lup和下行電流ldn的電流電平。在實(shí)例中，上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生的情況與參考時(shí)鐘信號(hào)相位基本上與反饋時(shí)鐘信號(hào)相位相同時(shí)的情況相應(yīng)。
在圖7所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管420可以控制第一電流源405的電流ls的一部分，其可以響應(yīng)下行信號(hào)DN提供上行電流lup到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)455。例如，當(dāng)反相器445反相下行信號(hào)DN之后獲得的反相信號(hào)/DN被激活時(shí)，第三開(kāi)關(guān)晶體管420可以控制電流ls的一部分。因此，當(dāng)上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生時(shí)第三開(kāi)關(guān)晶體管420可以減少上行電流lup。
在圖7所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管420的閾值電壓大于第一開(kāi)關(guān)晶體管410的閾值電壓。因此第三開(kāi)關(guān)晶體管420流過(guò)的電流量大于流過(guò)第一開(kāi)關(guān)晶體管410的電流量。在實(shí)例中，第三開(kāi)關(guān)晶體420可以是一PMOS晶體管。
在圖7所示的實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管425可以響應(yīng)上行信號(hào)UP提供第二電流源435的電流ls的一部分到第二電流源435，其中，第二電流源435可以提供下行電流ldn。例如，當(dāng)上行信號(hào)UP被激活時(shí)(例如設(shè)定到第一邏輯電平，例如一較高邏輯電平或者邏輯“1”，或者第二邏輯電平，例如較低邏輯電平或者邏輯“0”) ，第四開(kāi)關(guān)晶體管425可以提供給電流1s的一部分。因此，當(dāng)上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生時(shí)，第四開(kāi)關(guān)晶體管425可以減少下行電流ldn。
在圖7所示的實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管425的閾值電壓低于第二開(kāi)關(guān)晶體管415的閾值電壓。因此，流過(guò)第四開(kāi)關(guān)晶體管425的電流量比流過(guò)第二開(kāi)關(guān)晶體管415的電流量更高。在實(shí)例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管425可以是一NMOS晶體管。
在圖7所示的實(shí)施例中，如果上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，使用響應(yīng)下行信號(hào)DN工作的第三開(kāi)關(guān)晶體管420和響應(yīng)上行信號(hào)UP工作的第四開(kāi)關(guān)晶體管425可以減少上行電流lup和下行電流ldn的電流電平。因此，可以減少?gòu)妮敵鼋K端OUT輸出的輸出電流lch的偏移，該偏移為上行電流lup減去下行電流ldn獲得的值。
在圖7所示的實(shí)施例中，緩沖器430包括一連接到輸出節(jié)點(diǎn)450的輸入終端以及連接到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)455的輸出終端。緩沖器430，第三開(kāi)關(guān)晶體管420以及第四開(kāi)關(guān)晶體管425可以減少(例如至最小)開(kāi)關(guān)操作期間產(chǎn)生的切換噪音。例如，緩沖器430，第三開(kāi)關(guān)晶體管420以及第四開(kāi)關(guān)晶體管425可以減少當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)晶體管410和第二開(kāi)關(guān)晶體管415執(zhí)行開(kāi)關(guān)操作時(shí)產(chǎn)生的電荷共享效應(yīng)。因?yàn)殡姾杀秒娐?00的操作基本上與圖6所示的電荷泵電路300相同，為簡(jiǎn)明起見(jiàn)詳細(xì)描述在此省略。
圖8的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的電荷泵電路500。在圖8所示的實(shí)例中，電荷泵電路500包括PMOS晶體管505和510(例如配置為了形成電流鏡像電路)，第一到第四開(kāi)關(guān)晶體管515、520、525和530，第一和第二電流源535和540(例如恒流源)。上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN可以輸入給電荷泵電路500。當(dāng)輸入給包括在PLL電路或者DLL電路中的鑒相器的參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前輸入給鑒相器的反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生上行信號(hào)UP。當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)的相位滯后于反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生了下行信號(hào)DN。
在圖8所示的實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)晶體管515可以響應(yīng)上行信號(hào)UP為輸出節(jié)點(diǎn)545提供(提供電源)上行電流lup。上行電流lup可以通過(guò)第一電流源535提供(例如具有等于ls的電流電平)。在實(shí)例中，第一開(kāi)關(guān)晶體管515可以是一NMOS晶體管。
在圖8所示的實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管520可以響應(yīng)下行信號(hào)DN從輸出節(jié)點(diǎn)545下拉下行電流ldn。下行電流ldn可以通過(guò)第二電流源540提供(例如等于ls的電流電平)。在實(shí)例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管520可以是一NMOS晶體管。
在圖8所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管525和第四開(kāi)關(guān)晶體管530可以包括在一控制器中。如果上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，控制器可以響應(yīng)上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN減少上行電流lup和下行電流ldn的電流電平。在實(shí)例中，上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生的情況與參考時(shí)鐘信號(hào)相位基本上與反饋時(shí)鐘信號(hào)相位相同時(shí)的情況相應(yīng)。
在圖8所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管525可以響應(yīng)下行信號(hào)DN提供第一電流源535的電流ls的一部分，第一電流源可以提供上行電流lup，。例如，當(dāng)下行信號(hào)DN被激活時(shí)(例如設(shè)定為第一邏輯電平，例如一較高邏輯電平或者邏輯“1”)第三開(kāi)關(guān)晶體管525可以提供電流ls的一部分。因此，當(dāng)上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生時(shí)第三開(kāi)關(guān)晶體管535可以減少上行電流lup。
在圖8所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管525大于第一開(kāi)關(guān)晶體管515。因此，由于第三開(kāi)關(guān)晶體管525的溝道寬度大于第一開(kāi)關(guān)晶體管515的溝道寬度，流過(guò)第三開(kāi)關(guān)晶體管525的電流量大于流過(guò)第一開(kāi)關(guān)晶體管515的電流量。在實(shí)例中，第三開(kāi)關(guān)晶體525可以是一NMOS晶體管。
在圖8所示的實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管530可以響應(yīng)上行信號(hào)UP提供第二電流源540的電流ls的一部分到第二電流源540，其中第二電流源540可以提供下行電流ldn。例如，當(dāng)上行信號(hào)UP被激活時(shí)(例如設(shè)定到第一邏輯電平，例如一較高邏輯電平或者邏輯“1”)，第四開(kāi)關(guān)晶體管530可以提供電流ls的一部分。因此，當(dāng)上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生時(shí)，第四開(kāi)關(guān)晶體管530可以減少下行電流ldn。
在圖8所示的實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管530大于第二開(kāi)關(guān)晶體管520。因此由于第四開(kāi)關(guān)晶體管530的溝道寬度大于第二開(kāi)關(guān)晶體管520的溝道寬度，流過(guò)第四開(kāi)關(guān)晶體管530的電流量比流過(guò)第二開(kāi)關(guān)晶體管520的電流量更高。在實(shí)例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管530可以是一NMOS晶體管。
在圖8所示的實(shí)施例中，如果上行電流lup和下行電流并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，使用響應(yīng)下行信號(hào)DN工作的第三開(kāi)關(guān)晶體管525和響應(yīng)上行信號(hào)UP工作的第四開(kāi)關(guān)晶體管530可以減少上行電流lup和下行電流ldn的電流電平。因此，可以減少?gòu)妮敵鼋K端OUT輸出的輸出電流lch的偏移，該偏移為上行電流lup減去下行電流ldn獲得的值。因?yàn)殡姾杀秒娐?00的操作基本上與圖6所示的電荷泵電路300的操作相同，簡(jiǎn)明起見(jiàn)在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
圖9的電路圖示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的電荷泵電路600。在圖9所示的實(shí)例中，電荷泵電路600包括PMOS晶體管605和610(例如其可以形成電流鏡像電路)，第一到第四開(kāi)關(guān)晶體管615、620、625和630，第一和第二電流源635和640(例如恒流源)。上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN可以輸入給電荷泵電路600。當(dāng)輸入給包括在PLL電路或者DLL電路中的鑒相器的參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前輸入給鑒相器的反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生上行信號(hào)UP。當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)的相位滯后于反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生了下行信號(hào)DN。
在圖9所示的實(shí)施例中，第一開(kāi)關(guān)晶體管615可以響應(yīng)上行信號(hào)UP為輸出節(jié)點(diǎn)645提供(提供電源)上行電流lup。上行電流lup可以通過(guò)第一電流源635提供(例如具有等于ls的電流電平)。在實(shí)例中，第一開(kāi)關(guān)晶體管615可以是一NMOS晶體管。
在圖9所示的實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管620可以響應(yīng)下行信號(hào)DN從輸出節(jié)點(diǎn)645下拉下行電流ldn。下行電流ldn可以通過(guò)第二電流源640提供(例如等于ls的電流電平)。在實(shí)例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管620可以是一NMOS晶體管。
在圖9所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管625，第四開(kāi)關(guān)晶體管630可以包括在一控制器中。如果上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，控制器可以響應(yīng)上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN減少上行電流lup和下行電流ldn的電流電平。在實(shí)例中，上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生的情況與參考時(shí)鐘信號(hào)相位基本上與反饋時(shí)鐘信號(hào)相位相同時(shí)的情況相應(yīng)。
在圖9所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管625可以響應(yīng)下行信號(hào)DN提供第一電流源635的電流ls的一部分，第一電流源635可以提供上行電流lup。例如，當(dāng)下行信號(hào)DN被激活時(shí)(例如設(shè)定為諸如較高邏輯電平或者邏輯“1”的第一邏輯電平)，第三開(kāi)關(guān)晶體管625可以提供電流ls的一部分。因此，當(dāng)上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生時(shí)第三開(kāi)關(guān)晶體管635可以減少上行電流lup。
在圖9所示的實(shí)施例中，第三開(kāi)關(guān)晶體管625的閾值電壓低于第一開(kāi)關(guān)晶體管615的閾值電壓。因此，流過(guò)第三開(kāi)關(guān)晶體管625的電流量大于流過(guò)第一開(kāi)關(guān)晶體管625的電流數(shù)。在實(shí)例中，第三開(kāi)關(guān)晶體625可以是一NMOS晶體管。
在圖9所示的實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管630可以響應(yīng)上行信號(hào)UP提供第二電流源640的電流ls的一部分到第二電流源640，其中第二電流源640可以提供下行電流ldn。例如，當(dāng)上行信號(hào)UP被激活時(shí)，第四開(kāi)關(guān)晶體管630可以提供給電流ls的一部分。因此，當(dāng)上行電流lup和下行電流ldn并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生時(shí)，第四開(kāi)關(guān)晶體管630可以減少下行電流ldn。
在圖9所示的實(shí)施例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管630閾值電壓低于第二開(kāi)關(guān)晶體管620的閾值電壓。因此流過(guò)第四開(kāi)關(guān)晶體管630的電流量比流過(guò)第二開(kāi)關(guān)晶體管620的電流量更高。在實(shí)例中，第四開(kāi)關(guān)晶體管630可以是一NMOS晶體管。
在圖9所示的實(shí)施例中，如果上行電流lup和下行電流并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，使用響應(yīng)下行信號(hào)DN工作的第三開(kāi)關(guān)晶體管625和響應(yīng)上行信號(hào)UP工作的第四開(kāi)關(guān)晶體管630可以減少上行電流lup和下行電流ldn的電流電平。因此，可以減少?gòu)妮敵鼋K端OUT輸出的輸出電流lch的偏移，該偏移為上行電流lup減去下行電流ldn獲得的值。進(jìn)一步，因?yàn)殡姾杀秒娐?00的操作實(shí)質(zhì)與圖6所示的電荷泵電路300的操作相同，簡(jiǎn)明起見(jiàn)在此省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
圖10的方塊圖示出了包括根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電荷泵電路710的PLL電路700。在圖10的實(shí)施例中，PLL電路700可以包括一鑒相器705，電荷泵電路710，環(huán)路濾波器715以及壓控振蕩器(VCO)720。
在圖10的實(shí)施例中，當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK的相位超前反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK的相位時(shí)，鑒相器705可以產(chǎn)生一上行信號(hào)UP，可替代的，當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK相位滯后反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK相位時(shí)可以產(chǎn)生下行信號(hào)DN。
在圖10的實(shí)施例中，電荷泵電路710包括實(shí)施例電荷泵電路300，400，500和/或600中的其中任一電路，其在上面已經(jīng)詳細(xì)描述。電荷泵電路710可以響應(yīng)上行信號(hào)UP為與輸出終端連接的輸出節(jié)點(diǎn)提供(提供電源)上行電流，可替代的，可以響應(yīng)下行信號(hào)DN從輸出節(jié)點(diǎn)下拉下行電流。如果上行電流和下行電流并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，電荷泵電路710響應(yīng)上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN減少上行電流和下行電流的量。在實(shí)例中，上行電流和下行電流并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生的情況與參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK的相位基本上與反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK相位相同的情況相應(yīng)。
在圖10的實(shí)例中，環(huán)路濾波器715可以低通濾波電荷泵電路710的輸出終端的電壓并且可以產(chǎn)生控制電壓(例如一直流(DC)電壓)。VCO 720為了響應(yīng)環(huán)路濾波器715的控制電壓可以產(chǎn)生反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK，其可以與參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK同步。
在圖10的實(shí)施例中，因?yàn)镻LL電路700包括電荷泵電路710，其當(dāng)上行電流和下行電流并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生時(shí)可以減少輸出電流的偏移，從VCO 720輸出的反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK的噪音可以減小。
圖11的方塊圖示出了包括根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的電荷泵電路815的DLL電路800。在圖11的實(shí)施例中，DLL電路800可以包括一可變延遲電路805，一鑒相器810，一電荷泵電路815以及一環(huán)路濾波器820。
在圖11的實(shí)施例中，當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK的相位超前反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK的相位時(shí)，鑒相器810可以產(chǎn)生上行信號(hào)UP，可替代的，當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK的相位滯后反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK的相位時(shí)，可以產(chǎn)生下行信號(hào)DN。
在圖11的實(shí)施例中，電荷泵電路815包括實(shí)施例電荷泵電路300，400，500和/或600中的其中任一電路，其在上面已經(jīng)詳細(xì)描述。電荷泵電路815可以響應(yīng)上行信號(hào)UP為與輸出終端連接的輸出節(jié)點(diǎn)提供(提供電源)上行電流，可替代的，可以響應(yīng)下行信號(hào)DN從輸出節(jié)點(diǎn)下拉下行電流。如果上行電流和下行電流并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生，電荷泵電路815響應(yīng)上行信號(hào)UP和下行信號(hào)DN減少上行電流和下行電流的電流電平。在實(shí)例中，上行電流和下行電流并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生的情況與參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK的相位實(shí)質(zhì)與反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK相位相同的情況相應(yīng)。
在圖11的實(shí)例中，環(huán)路濾波器820可以低通濾波電荷泵電路815的輸出終端的電壓并且可以產(chǎn)生控制電壓(例如一DC電壓)?？勺冄舆t電路805可以響應(yīng)控制電壓延遲參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK并且產(chǎn)生反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK，其可以與參考時(shí)鐘信號(hào)RCLK同步。因?yàn)镈LL電路800包括電荷泵電路815，其當(dāng)上行電流和下行電流并發(fā)(例如同時(shí))產(chǎn)生時(shí)可以減少輸出電流的偏移，從可變延遲電路805輸出的反饋時(shí)鐘信號(hào)FCLK的噪音可以減小。
上面描述了本發(fā)明的實(shí)施例，明顯可以以不同方式變換。例如，當(dāng)上述實(shí)施例電荷泵電路配置在PLL電路和DLL電路中時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明其它實(shí)施例可以使用在任何已知的電子設(shè)備中作為電荷泵電路。另外，應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述的第一和第二邏輯電平分別與較高電平和較低電平相對(duì)。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，可替代的第一和第二邏輯電平/狀態(tài)可以分別相應(yīng)于較低電平和較高電平。
這樣的變換并不認(rèn)為是偏離本發(fā)明實(shí)施例的精神和范圍，所有這樣的修改對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)都是顯而易見(jiàn)的，所有對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的這些修改都試圖包括在附屬權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電荷泵電路，包括響應(yīng)第一信號(hào)提供第一電流到輸出節(jié)點(diǎn)以增加輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平的第一開(kāi)關(guān)晶體管；響應(yīng)第二信號(hào)從輸出節(jié)點(diǎn)下拉第二電流以減少輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平的第二開(kāi)關(guān)晶體管；當(dāng)?shù)谝缓偷诙娏鞑l(fā)產(chǎn)生時(shí)減少第一和第二電流的控制器。
2.如權(quán)利要求1的電荷泵電路，其中，當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)的相位超前反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生第一信號(hào)，當(dāng)參考時(shí)鐘信號(hào)的相位滯后反饋時(shí)鐘信號(hào)的相位時(shí)產(chǎn)生第二信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1的電路，其中，控制器包括響應(yīng)第二信號(hào)，控制第一電流源的一部分電流到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的第三開(kāi)關(guān)晶體管，第一電流源提供第一電流；響應(yīng)第一信號(hào)，提供第二電流源的一部分電流到第二電流源的第四開(kāi)關(guān)晶體管，第二電流源提供第二電流；包括連接到輸出節(jié)點(diǎn)的輸入終端和連接到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的輸出終端的緩沖器，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)位于第三和第四開(kāi)關(guān)晶體管之間。
4.如權(quán)利要求3的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第一開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度，第四開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第二開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度。
5.如權(quán)利要求3的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第一開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓，第四開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第二開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓。
6.如權(quán)利要求1的電路，其中，控制器包括響應(yīng)第二信號(hào)，控制第一電流源的一部分電流到第一電流源的第三開(kāi)關(guān)晶體管，第一電流源提供第一電流；響應(yīng)第一信號(hào)，提供第二電流源的一部分電流到第二電流源的第四開(kāi)關(guān)晶體管，第二電流源提供第二電流。
7.如權(quán)利要求6的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第一開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度，第四開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第二開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度。
8.如權(quán)利要求6的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第一開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓，第四開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第二開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓。
9.一種鎖相環(huán)電路，包括如權(quán)利要求1的電荷泵電路；用于生成第一信號(hào)和第二信號(hào)以及為電荷泵電路提供該第一和第二信號(hào)的鑒相器；低通濾波輸出節(jié)點(diǎn)的電壓和產(chǎn)生控制電壓的環(huán)路濾波器；響應(yīng)控制電壓產(chǎn)生與參考時(shí)鐘信號(hào)同步的反饋時(shí)鐘信號(hào)的壓控振蕩器。
10.如權(quán)利要求9的電路，其中，控制器包括響應(yīng)第二信號(hào)，控制第一電流源的一部分電流到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的第三開(kāi)關(guān)晶體管，第一電流源提供第一電流；響應(yīng)第一信號(hào)，提供第二電流源的一部分電流到第二電流源的第四開(kāi)關(guān)晶體管，第二電流源提供第二電流；以及包括連接到輸出節(jié)點(diǎn)的輸入終端和連接到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的輸出終端的緩沖器，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)位于第三和第四開(kāi)關(guān)晶體管之間。
11.如權(quán)利要求10的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第一開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度，第四開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第二開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度。
12.如權(quán)利要求10的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第一開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓，第四開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第二開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓。
13.如權(quán)利要求9的電路，其中，控制器包括響應(yīng)第二信號(hào)，控制第一電流源的一部分電流到第一電流源的第三開(kāi)關(guān)晶體管，第一電流源提供第一電流；響應(yīng)第一信號(hào)，提供第二電流源的一部分電流到第二電流源的第四開(kāi)關(guān)晶體管，第二電流源提供第二電流。
14.如權(quán)利要求13的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第一開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度，第四開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第二開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度。
15.如權(quán)利要求13的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第一開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓，第四開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第二開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓。
16.一種延遲鎖定環(huán)環(huán)電路，包括如權(quán)利要求1的電荷泵電路；用于生成第一信號(hào)和第二信號(hào)以及為電荷泵電路提供該第一和第二信號(hào)的鑒相器；低通濾波輸出節(jié)點(diǎn)的電壓和產(chǎn)生控制電壓的環(huán)路濾波器；響應(yīng)控制電壓以延遲參考時(shí)鐘信號(hào)并且產(chǎn)生與參考時(shí)鐘信號(hào)同步的反饋時(shí)鐘信號(hào)的可變延遲電路。
17.如權(quán)利要求16的電路，其中，控制器包括響應(yīng)第二信號(hào)，控制第一電流源的一部分電流到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的第三開(kāi)關(guān)晶體管，第一電流源提供第一電流；響應(yīng)第一信號(hào)，提供第二電流源的一部分電流到第二電流源的第四開(kāi)關(guān)晶體管，第二電流源提供第二電流；以及包括連接到輸出節(jié)點(diǎn)的輸入終端和連接到內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的輸出終端的緩沖器，內(nèi)部節(jié)點(diǎn)位于第三和第四開(kāi)關(guān)晶體管之間。
18.如權(quán)利要求17的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第一開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度，第四開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第二開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度。
19.如權(quán)利要求17的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第一開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓，第四開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第二開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓。
20.如權(quán)利要求16的電路，其中，控制器包括響應(yīng)第二信號(hào)，控制第一電流源的一部分電流到第一電流源的第三開(kāi)關(guān)晶體管，第一電流源提供第一電流；響應(yīng)第一信號(hào)，提供第二電流源的一部分電流到第二電流源的第四開(kāi)關(guān)晶體管，第二電流源提供第二電流。
21.如權(quán)利要求20的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第一開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度，第四開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度大于第二開(kāi)關(guān)晶體管的溝道寬度。
22.如權(quán)利要求20的電路，其中，第三開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第一開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓，第四開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓低于第二開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓。
23.一種控制電流的方法，包括響應(yīng)第一信號(hào)，提供第一電流到輸出節(jié)點(diǎn)以增加輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平；響應(yīng)第二信號(hào)，從輸出節(jié)點(diǎn)下拉第二電流以減少輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平；當(dāng)?shù)谝缓偷诙娏鞑l(fā)產(chǎn)生時(shí)減少第一和第二電流的量。
24.執(zhí)行如權(quán)利要求23的方法的電荷泵電路。
全文摘要
提供了一種電荷泵電路及其方法。實(shí)例電荷泵包括響應(yīng)第一信號(hào)提供第一電流到輸出節(jié)點(diǎn)以增加輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平的第一開(kāi)關(guān)晶體管，響應(yīng)第二信號(hào)從輸出節(jié)點(diǎn)下拉第二電流以減少輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平的第二開(kāi)關(guān)晶體管以及當(dāng)?shù)谝缓偷诙娏鞑l(fā)產(chǎn)生時(shí)減少第一和第二電流的量的控制器。實(shí)例方法包括響應(yīng)第一信號(hào)提供第一電流到輸出節(jié)點(diǎn)以增加輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平，響應(yīng)第二信號(hào)從輸出節(jié)點(diǎn)下拉第二電流以減少輸出節(jié)點(diǎn)的電流電平以及當(dāng)?shù)谝缓偷诙娏鞑l(fā)產(chǎn)生時(shí)減少第一和第二電流的量。
文檔編號(hào)H03L7/089GK1972129SQ200610171948
公開(kāi)日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月14日
發(fā)明者樸文淑, 金圭現(xiàn) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社