專利名稱:環(huán)氧玻璃纖維布基材ito線路板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，包括用環(huán)氧玻璃纖維布為基材制成的基板和涂覆在該基板上的ITO(氧化銦錫)薄膜層；所述ITO薄膜層上印有電路圖形并在其上直接以ITO材料設(shè)置方阻圖形。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，能夠大大增強(qiáng)天線的吸波功能；同時(shí)ITO薄膜層上直接設(shè)置方阻圖形，從而不需要焊接電阻元件，保證了方阻的一致性和穩(wěn)定性，大大提升天線的性能。
【專利說明】環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及印制電路板【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種以環(huán)氧玻璃纖維布為基材的ITO(氧化銦錫)線路板。

【背景技術(shù)】
[0002]在機(jī)載雷達(dá)裝置、相控陣系統(tǒng)、遙感衛(wèi)星等上應(yīng)用的大型印制電路饋電板、微帶天線和天線陣等，需要部分小型印制電路天線，同時(shí)在這些天線電路中需要使用電阻元件?，F(xiàn)有技術(shù)通常采用傳統(tǒng)覆銅板制板工藝，即在環(huán)氧玻纖布基板表面設(shè)置一層銅箔作為導(dǎo)電層；而電阻元件為現(xiàn)成或特制的電阻類產(chǎn)品，以焊接方式設(shè)置在覆銅板的電路層。由于現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)成本、元器件成本偏高，不利于小型天線的批量。同時(shí)現(xiàn)有技術(shù)中電阻類產(chǎn)品的一致性和穩(wěn)定性存在無法得到保證，從而大大影響了天線的性能。
[0003]故，針對(duì)目前現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，實(shí)有必要進(jìn)行研宄，以提供一種方案，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實(shí)用新型提供了一種能夠在線路板上直接設(shè)置方阻的環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，以解決上述問題。
[0005]為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:
[0006]一種環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，包括基層及ITO(氧化銦錫)薄膜層，所述基層為采用環(huán)氧玻璃纖維布為基材制成的基板；所述ITO薄膜層涂覆在所述基層上，所述ITO薄膜層上形成有電路圖形，并且所述ITO薄膜層還在所述電路圖形中對(duì)應(yīng)電阻圖形形成有電阻。
[0007]優(yōu)選地，所述電阻的材質(zhì)為ITO材料。
[0008]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對(duì)應(yīng)的電阻圖形通過蝕刻工藝形成所述電阻。
[0009]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對(duì)應(yīng)的電阻圖形通過濺射工藝形成所述電阻。
[0010]優(yōu)選地，所述ITO薄膜層通過濺射工藝形成在所述基層上。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用本實(shí)用新型的上述方案，由于ITO材料具有良好的屏蔽性能，大大增強(qiáng)了天線的吸波功能；同時(shí)ITO薄膜層上直接設(shè)置方阻圖形，從而不需要焊接電阻元件，保證了方阻的一致性和穩(wěn)定性，大大提升天線的性能。

【附圖說明】

[0012]圖1是本實(shí)用新型環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0014]相反，本實(shí)用新型涵蓋任何由權(quán)利要求定義的在本實(shí)用新型的精髓和范圍上做的替代、修改、等效方法以及方案。進(jìn)一步，為了使公眾對(duì)本實(shí)用新型有更好的了解，在下文對(duì)本實(shí)用新型的細(xì)節(jié)描述中，詳盡描述了一些特定的細(xì)節(jié)部分。對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來說沒有這些細(xì)節(jié)部分的描述也可以完全理解本實(shí)用新型。
[0015]參見圖1，所示為本實(shí)用新型環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板的剖面圖，包括基層I及ITO (氧化銦錫)薄膜層2，所述基層為采用環(huán)氧玻璃纖維布為基材制成的基板；所述ITO薄膜層2涂覆在所述基層I上，所述ITO薄膜層2上形成有電路圖形，并且所述ITO薄膜層2還在所述電路圖形中對(duì)應(yīng)電阻圖形形成有電阻3。
[0016]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，對(duì)應(yīng)電阻圖形所形成的電阻3直接由薄膜層的材質(zhì)ITO材料形成。
[0017]所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對(duì)應(yīng)的電阻圖形通過蝕刻或?yàn)R射工藝形成所述電阻3。
[0018]ITO(氧化銦錫)具有電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明的特性，同時(shí)具有良好的屏蔽性能，作為EMI屏蔽的透明傳導(dǎo)鍍膜應(yīng)用廣泛。環(huán)氧玻璃纖維布基材的基板I上以濺射工藝涂覆ITO (氧化銦錫)薄膜層2，相對(duì)于傳統(tǒng)覆銅板(環(huán)氧玻璃纖維布上設(shè)置一層銅箔)，具備更優(yōu)的屏蔽性能，在天線中使用本實(shí)用新型的環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，能夠大大增加天線的吸波功能。
[0019]ITO薄膜層2作為導(dǎo)電層，其作用類似于現(xiàn)有技術(shù)中的銅箔層。通過光刻膠掩膜蝕刻工藝將電路圖形印制在ITO薄膜層2上。由于ITO材料的電阻率遠(yuǎn)大于銅等金屬，故可以在ITO薄膜層2上直接設(shè)置方阻3，。即在線路圖形的電阻元件位置，根據(jù)其阻值的大小在制備時(shí)沉積與其阻值相對(duì)應(yīng)的方阻圖形，實(shí)際方阻圖形可以根據(jù)ITO材料的電阻率計(jì)算得出。在ITO薄膜層2上直接形成方阻3，大大提升了方阻的一致性和穩(wěn)定性，同時(shí)不需要焊接電阻元件，大大提升天線的性能。
[0020]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，其特征在于:包括基層及ITO薄膜層，其中，所述ITO薄膜層由氧化銦錫材料制成，所述基層為采用環(huán)氧玻璃纖維布為基材制成的基板；所述ITO薄膜層涂覆在所述基層上，所述ITO薄膜層上形成有電路圖形，并且所述ITO薄膜層還在所述電路圖形中對(duì)應(yīng)電阻圖形形成有電阻。2.如權(quán)利要求1所述的環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，其特征在于:所述電阻的材質(zhì)為ITO材料。3.如權(quán)利要求2所述的環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，其特征在于:所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對(duì)應(yīng)的電阻圖形通過蝕刻工藝形成所述電阻。4.如權(quán)利要求2所述的環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，其特征在于:所述ITO薄膜層在所述電路圖形中對(duì)應(yīng)的電阻圖形通過濺射工藝形成所述電阻。5.如權(quán)利要求1所述的環(huán)氧玻璃纖維布基材ITO線路板，其特征在于:所述ITO薄膜層通過濺射工藝形成在所述基層上。
【文檔編號(hào)】H05K1-02GK204272479SQ201420597064
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