1.一種開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：
上管和下管，所述上管的源極與所述下管的漏極相連，并形成第一節(jié)點(diǎn)，所述第一節(jié)點(diǎn)與所述開關(guān)電源的功率開關(guān)管相連，所述上管的漏極與預(yù)設(shè)電源相連，所述下管的源極接地；
電流源偏置模塊，所述電流源偏置模塊的輸出端與所述上管的柵極相連；
電壓反饋模塊，所述電壓反饋模塊的輸入端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連；
控制模塊，所述控制模塊的第一輸入端輸入所述功率開關(guān)管的控制信號，所述控制模塊的第二輸入端與所述電壓反饋模塊的輸出端相連，所述控制模塊的第一輸出端與所述電流源偏置模塊的第一輸入端相連，所述控制模塊的第二輸出端與所述電流源偏置模塊的第二輸入端相連，所述控制模塊的第三輸出端與所述下管的柵極相連。
2.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電壓反饋模塊包括：
第一電阻，所述第一電阻的一端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連；
第二電阻，所述第二電阻的一端與所述第一電阻的另一端相連，并形成第二節(jié)點(diǎn)，第二節(jié)點(diǎn)與所述控制模塊的第二輸入端相連，所述第二電阻的另一端接地。
3.如權(quán)利要求2所述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電流源偏置模塊包括：
第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的柵極與所述控制模塊的第一輸出端相連，所述第二NMOS管的柵極與所述控制模塊的第二輸出端相連，所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極相連，并形成第三節(jié)點(diǎn)，所述第三節(jié)點(diǎn)與所述上管的柵極相連；
第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第三NMOS管、所述第四NMOS管和所述第五NMOS管組成電流鏡，所述第三NMOS管的漏極與所述第一NMOS管的源極相連，所述第四NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的源極相連，所述第五NMOS管的漏極與電流源相連，所述第三NMOS管的源極、所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的源極均接地。
4.如權(quán)利要求3所述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述控制模塊包括：
比較器，所述比較器的負(fù)輸入端與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，所述比較器的正輸入端輸入?yún)⒖茧妷海?/p>
邏輯處理模塊，所述邏輯處理模塊的輸入端輸入所述控制信號，所述邏輯處理模塊的第一輸出端與所述第二NMOS管的柵極相連，所述邏輯處理模塊的第二輸出端與所述下管的柵極相連；
與門，所述與門的第一輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述與門的第二輸入端與所述邏輯處理模塊的第一輸出端相連，所述與門的輸出端與所述第一NMOS管的柵極相連。
5.如權(quán)利要求3所述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，還包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的柵極與所述上管的柵極相連，所述第一PMOS管的漏極與所述預(yù)設(shè)電源相連，所述第一PMOS管的源極與所述第三節(jié)點(diǎn)相連。
6.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述上管為PMOS管，所述下管為NMOS管。
7.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述控制信號為PWM信號。
8.如權(quán)利要求7所述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述控制模塊的第二輸出端的輸出信號與所述控制信號同相，所述控制模塊的第三輸出端的輸出信號與所述控制信號互為反相。
9.一種開關(guān)電源裝置，其特征在于，包括：如權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路。