本實(shí)用新型涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路和一種開關(guān)電源裝置。

背景技術(shù)：

開關(guān)電源具有體積小，效率高以及電流大的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于手機(jī)充電器、適配器等電源方案中。隨著市場(chǎng)的發(fā)展，對(duì)轉(zhuǎn)換效率和待機(jī)功耗的要求越來越高，同時(shí)對(duì)成本的要求也越來越嚴(yán)格。

開關(guān)電源的基本工作原理如圖1所示，開關(guān)電源的控制芯片通過控制功率開關(guān)管(MOS管)來實(shí)現(xiàn)變壓器次級(jí)能量的傳遞。具體地，通過控制MOS管的工作頻率和導(dǎo)通的占空比，即通過控制MOS管的柵極電壓控制MOS管的導(dǎo)通或關(guān)斷，可以控制次級(jí)線圈的輸出電壓和電流。因此，MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)關(guān)系到功率開關(guān)管的工作效率。

相關(guān)技術(shù)中，MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)如圖2所示，上管為PMOS管，下管為NMOS管,當(dāng)控制芯片啟動(dòng)之前，MOS管Q的初始狀態(tài)為關(guān)斷；開關(guān)電源系統(tǒng)工作時(shí)，MOS管Q驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)輸入信號(hào)來控制上管和下管的導(dǎo)通和關(guān)斷，進(jìn)而控制MOS管Q。當(dāng)輸入信號(hào)為高時(shí)，邏輯處理模塊控制下管關(guān)閉，同時(shí)控制上管導(dǎo)通，這樣就實(shí)現(xiàn)了MOS管Q的導(dǎo)通；當(dāng)輸入信號(hào)為低時(shí)，邏輯處理模塊控制上管關(guān)閉，同時(shí)控制下管導(dǎo)通，這樣就實(shí)現(xiàn)了MOS管Q的關(guān)閉。

上述技術(shù)中，一般采用高壓厚柵工藝，即PMOS管和NMOS管的柵極均可耐高壓。雖然上述驅(qū)動(dòng)方法比較容易實(shí)現(xiàn)，但與薄柵工藝相比，高壓厚柵工藝制造流程相對(duì)復(fù)雜，成本相對(duì)較高。而且上述驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)由于上管是PMOS管，輸出的驅(qū)動(dòng)電壓即為開關(guān)電源控制芯片的電源電壓，該電源電壓一般可能達(dá)到30甚至40V，而功率開關(guān)管Q的柵極耐壓可能只有20V，因此需要增加鉗位電路對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓鉗位，增加了驅(qū)動(dòng)電路的復(fù)雜性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本實(shí)用新型的第一個(gè)目的在于提出一種開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路。該柵極驅(qū)動(dòng)電路在控制信號(hào)為高電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管的柵極電壓保持在一個(gè)穩(wěn)定的電壓值附近，且節(jié)能效果好，成本低。

本實(shí)用新型的第二個(gè)目的在于提出一種開關(guān)電源裝置。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型第一方面提出了一種開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括：上管和下管，所述上管的源極與所述下管的漏極相連，并形成第一節(jié)點(diǎn)，所述第一節(jié)點(diǎn)與所述開關(guān)電源的功率開關(guān)管相連，所述上管的漏極與預(yù)設(shè)電源相連，所述下管的源極接地；電流源偏置模塊，所述電流源偏置模塊的輸出端與所述上管的柵極相連；電壓反饋模塊，所述電壓反饋模塊的輸入端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連；控制模塊，所述控制模塊的第一輸入端輸入所述功率開關(guān)管的控制信號(hào)，所述控制模塊的第二輸入端與所述電壓反饋模塊的輸出端相連，所述控制模塊的第一輸出端與所述電流源偏置模塊的第一輸入端相連，所述控制模塊的第二輸出端與所述電流源偏置模塊的第二輸入端相連，所述控制模塊的第三輸出端與所述下管的柵極相連。

根據(jù)本實(shí)用新型的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，通電壓反饋模塊檢測(cè)功率開關(guān)管柵極的電壓，通過控制模塊根據(jù)功率開關(guān)管柵極電壓控制電流源偏置模塊產(chǎn)生不同大小的電流，以控制功率開關(guān)管的柵極電容充電過程。由此，在控制信號(hào)為高電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管的柵極電壓保持在一個(gè)穩(wěn)定的電壓值附近，且節(jié)能效果好。

另外，本實(shí)用新型上述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路還可以具有如下附加的技術(shù)特征：

具體地，所述電壓反饋模塊包括：第一電阻，所述第一電阻的一端與所述第一節(jié)點(diǎn)相連；第二電阻，所述第二電阻的一端與所述第一電阻的另一端相連，并形成第二節(jié)點(diǎn)，第二節(jié)點(diǎn)與所述控制模塊的第二輸入端相連，所述第二電阻的另一端接地。

具體地，所述電流源偏置模塊包括：第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的柵極與所述控制模塊的第一輸出端相連，所述第二NMOS管的柵極與所述控制模塊的第二輸出端相連，所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的漏極相連，并形成第三節(jié)點(diǎn)，所述第三節(jié)點(diǎn)與所述上管的柵極相連；第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，所述第三NMOS管、所述第四NMOS管和所述第五NMOS管組成電流鏡，所述第三NMOS管的漏極與所述第一NMOS管的源極相連，所述第四NMOS管的漏極與所述第二NMOS管的源極相連，所述第五NMOS管的漏極與電流源相連，所述第三NMOS管的源極、所述第四NMOS管的源極和所述第五NMOS管的源極均接地。

具體地，所述控制模塊包括：比較器，所述比較器的負(fù)輸入端與所述第二節(jié)點(diǎn)相連，所述比較器的正輸入端輸入?yún)⒖茧妷?；邏輯處理模塊，所述邏輯處理模塊的輸入端輸入所述控制信號(hào)，所述邏輯處理模塊的第一輸出端與所述第二NMOS管的柵極相連，所述邏輯處理模塊的第二輸出端與所述下管的柵極相連；與門，所述與門的第一輸入端與所述比較器的輸出端相連，所述與門的第二輸入端與所述邏輯處理模塊的第一輸出端相連，所述與門的輸出端與所述第一NMOS管的柵極相連。

進(jìn)一步地，所述柵極驅(qū)動(dòng)電路，還包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的柵極與所述上管的柵極相連，所述第一PMOS管的漏極與所述預(yù)設(shè)電源相連，所述第一PMOS管的源極與所述第三節(jié)點(diǎn)相連。

其中，所述上管為PMOS管，所述下管為NMOS管。

可選地，所述控制信號(hào)為PWM信號(hào)。

可選地，所述控制模塊的第二輸出端的輸出信號(hào)與所述控制信號(hào)同相，所述控制模塊的第三輸出端的輸出信號(hào)與所述控制信號(hào)互為反相。

進(jìn)一步地，本實(shí)用新型提出了一種開關(guān)電源裝置，其包括本實(shí)用新型上述的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路。

本實(shí)用新型的開關(guān)電源裝置，通過上述開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，在控制信號(hào)為高電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管的柵極電壓保持在一個(gè)穩(wěn)定的電壓值附近，以及在控制信號(hào)為低電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管關(guān)斷，且節(jié)能效果好，成本低。

附圖說明

本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是相關(guān)技術(shù)中開關(guān)電源的系統(tǒng)電路圖；

圖2是相關(guān)技術(shù)中開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路圖；

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路圖；

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路圖；

圖5是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的信號(hào)時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，旨在用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。

下面參考附圖描述本實(shí)用新型實(shí)施例的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)電源裝置。

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，該開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路包括：上管Q1、下管Q2、電流源偏置模塊10、電壓反饋模塊20和控制模塊30。

其中，上管Q1的源極與下管Q2的漏極相連，并形成第一節(jié)點(diǎn)a，第一節(jié)點(diǎn)a與開關(guān)電源的功率開關(guān)管Q3相連，上管Q1的漏極與預(yù)設(shè)電源VDD相連，下管Q2的源極接地。電流源偏置模塊10的輸出端與上管Q1的柵極相連。電壓反饋模塊20的輸入端與第一節(jié)點(diǎn)a相連?？刂颇K30的第一輸入端輸入功率開關(guān)管的控制信號(hào)，控制模塊30的第二輸入端與電壓反饋模塊20的輸出端相連，控制模塊30的第一輸出端與電流源偏置模塊10的第一輸入端相連，控制模塊30的第二輸出端與電流源偏置模塊10的第二輸入端相連，控制模塊30的第三輸出端與下管Q2的柵極相連。

在本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例中，控制模塊30的第二輸出端的輸出信號(hào)與控制信號(hào)同相，控制模塊30的第三輸出端的輸出信號(hào)與控制信號(hào)互為反相。

其中，控制信號(hào)可以是PWM信號(hào)，是由開關(guān)電源控制器內(nèi)部產(chǎn)生。

在本實(shí)用新型的實(shí)施例中，上管Q1為PMOS管，下管Q2為NMOS管，且上管Q1和下管Q2均為高壓薄柵MOS管。

具體地，初始狀態(tài)下，柵極電壓為0，經(jīng)過電壓反饋模塊20反饋的電壓為0。當(dāng)輸入高電平控制信號(hào)時(shí)，控制模塊30的第一輸出端和第二輸出端均輸出高電平，通過電流源偏置模塊10控制上管Q1導(dǎo)通，且上管Q1內(nèi)的電流較大，功率開關(guān)管Q3的柵極電壓由0開始上升。柵極電壓通過電壓反饋模塊20的輸出端輸入至控制模塊30的第二輸入端，當(dāng)柵極電壓增大到一定值時(shí)，控制模塊30的第一輸出端輸出低電平，控制電流源偏置模塊10切斷大部分電流源偏置，使得上管Q1的電流減小，功率開關(guān)管Q3的柵極電壓上升速度變緩。在功率開關(guān)管Q3導(dǎo)通期間，柵極電壓持續(xù)上升，直至關(guān)斷。當(dāng)輸入低電平控制信號(hào)時(shí)，控制模塊30的第三輸出端輸出高電平，控制模塊30的第一輸出端和第二輸出端均輸出低電平，上管Q1的偏置電流徹底關(guān)斷，下管Q2導(dǎo)通，功率開關(guān)管Q3的柵極電壓被下管Q2下拉至0，功率開關(guān)管Q3關(guān)斷。

本實(shí)用新型實(shí)施例的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，通過電壓反饋模塊檢測(cè)功率開關(guān)管柵極的電壓，通過控制模塊根據(jù)功率開關(guān)管柵極電壓控制電流源偏置模塊產(chǎn)生不同大小的電流，以控制功率開關(guān)管的柵極電容充電過程，由此，在控制信號(hào)為高電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管的柵極電壓保持在一個(gè)穩(wěn)定的電壓值附近，且節(jié)能效果好。另外，采用高壓薄柵的PMOS上管和NMOS下管能夠節(jié)約制造成本，進(jìn)而有利于降低開關(guān)電源控制芯片的成本。

在本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例中，如圖4所示，電壓反饋模塊20包括第一電阻R1和第二電阻R2。

其中，第一電阻R1的一端與第一節(jié)點(diǎn)a相連，第二電阻R2的一端與第一電阻R1的另一端相連，并形成第二節(jié)點(diǎn)b，第二節(jié)點(diǎn)b為電壓反饋模塊20的輸出端，第二電阻R2的另一端接地。

如圖4所示，電流源偏置模塊10包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4和第五NMOS管NM5。

其中，第一NMOS管NM1的柵極與控制模塊30的第一輸出端相連，第二NMOS管NM2的柵極與控制模塊30的第二輸出端相連，第一NMOS管NM1的漏極和第二NMOS管NM2的漏極相連，并形成第三節(jié)點(diǎn)c，第三節(jié)點(diǎn)c與上管Q1的柵極相連。第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4和第五NMOS管NM5組成電流鏡，第三NMOS管NM3的漏極與第一NMOS管NM1的源極相連，第四NMOS管NM4的漏極與第二NMOS管NM2的源極相連，第五NMOS管NM5的漏極與電流源Is相連，第三NMOS管NM3的源極、第四NMOS管NM4的源極和第五NMOS管NM5的源極均接地。可以理解，第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4和第五NMOS管NM5組成電流鏡，即為第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4和第五NMOS管NM5，三者的柵極相連，且三者的漏極相連。

如圖4所示，控制模塊30包括比較器cmp、邏輯處理模塊31和與門32。

其中，比較器cmp的負(fù)輸入端與第二節(jié)點(diǎn)b相連，比較器cmp的正輸入端輸入?yún)⒖茧妷簐ref。邏輯處理模塊31的輸入端輸入控制信號(hào)，邏輯處理模塊31的第一輸出端與第二NMOS管NM2的柵極相連，邏輯處理模塊31的第一輸出端即為控制模塊30的第二輸出端，邏輯處理模塊31的第二輸出端與下管Q2的柵極相連，邏輯處理模塊31的第二輸出端即為控制模塊30的第三輸出端。與門32的第一輸入端與比較器cmp的輸出端相連，與門32的第二輸入端與邏輯處理模塊31的第一輸出端相連，與門32的輸出端與第一NMOS管NM1的柵極相連，與門32的輸出端即為控制模塊30的第一輸出端。

其中，比較器cmp負(fù)輸入端輸入的電壓，即為功率開關(guān)管Q3的柵極電壓Vout經(jīng)第一電阻R1和第二電阻R2分壓后的電壓vout2。如圖4所示，開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路還可以包括第一PMOS管Q4，第一PMOS管Q4的柵極與上管Q1的柵極相連，第一PMOS管Q4的漏極與預(yù)設(shè)電源VDD相連，第一PMOS管Q4的源極與第三節(jié)點(diǎn)c相連。

具體而言，如圖4所示，PWM信號(hào)為開關(guān)電源控制器內(nèi)其他模塊產(chǎn)生的用于控制功率開關(guān)管Q3工作頻率和占空比的方波信號(hào)，由于上管Q1(即PMOS管)和下管Q2(即NMOS管)的尺寸一般都較大，故其自身的導(dǎo)通和關(guān)斷需要一定的時(shí)間，如果直接用PWM信號(hào)控制，就會(huì)出現(xiàn)上管Q1和下管Q2同時(shí)導(dǎo)通的情況。此時(shí)，上管Q1和下管Q2直通，即從預(yù)設(shè)電源VDD到地之間產(chǎn)生直接的電流通路，這樣會(huì)帶來不必要的損耗。為了防止這種情況發(fā)生，邏輯處理模塊31將PWM信號(hào)進(jìn)行延時(shí)處理，并輸出ON信號(hào)和OFF信號(hào)，分別控制上管Q1和下管Q2。第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4和第五NMOS管NM5組成電流鏡，用于提供偏置電流，以控制上管Q1的電流。具體可結(jié)合圖5所示的時(shí)序關(guān)系，說明本實(shí)用新型驅(qū)動(dòng)電路的控制過程：

如圖5所示，當(dāng)PWM信號(hào)為高時(shí)，ON信號(hào)為高，ON信號(hào)控制第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2導(dǎo)通，使上管Q1導(dǎo)通，上管Q1的偏置電流是第一NMOS管NM1支路和第二NMOS管NM2支路的總和，功率開關(guān)管Q3的柵極電壓逐漸上升。將檢測(cè)到的vout2(即功率開關(guān)管Q3柵極電壓Vout的分壓)輸入到比較器cmp，并與基準(zhǔn)電壓vref比較，當(dāng)vout2高于基準(zhǔn)電壓vref時(shí)，比較器cmp輸出的CD信號(hào)由高電平翻轉(zhuǎn)為低電平，CD信號(hào)和ON信號(hào)經(jīng)過與門32輸出低電平，控制第一NMOS管NM1關(guān)斷，使得上管Q1的電流減小，僅通過第二NMOS管NM2支路的電流偏置。上管Q1剩下的電流使得功率開關(guān)管Q3柵極電壓繼續(xù)上升，但上升的速度很緩慢。

可以理解，vout2電壓的大小可以直接反應(yīng)功率開關(guān)管Q3柵極電壓Vout的大小。

在本實(shí)用新型的一個(gè)具體示例中，CD信號(hào)翻轉(zhuǎn)時(shí)，Vout大小可以為8V，而一般的功率開關(guān)管Q3的導(dǎo)通閾值為3V左右，當(dāng)柵極電壓達(dá)到8V時(shí)，功率開關(guān)管Q3完全導(dǎo)通。

需要說明的是，一般情況下，功率開關(guān)管Q3有最大導(dǎo)通時(shí)間限制，如20us，只要保證在20us內(nèi)Vout的電壓不上升到20V，即實(shí)現(xiàn)了柵極電壓的限制。

當(dāng)PWM信號(hào)為低時(shí)，ON信號(hào)為低，控制上管Q1關(guān)斷，OFF信號(hào)為高，控制下管Q2導(dǎo)通，使功率開關(guān)管Q3的柵極電壓Vout迅速被拉低至0，功率開關(guān)管Q3關(guān)斷。

綜上，本實(shí)用新型實(shí)施例的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，在控制信號(hào)為高電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管的柵極電壓保持在一個(gè)穩(wěn)定的電壓值附近，以及在控制信號(hào)為低電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管關(guān)斷，且節(jié)能效果好。另外，采用高壓薄柵的PMOS上管和NMOS下管能夠節(jié)約成本，進(jìn)而有利于降低開關(guān)電源控制芯片的成本。

進(jìn)一步地，本實(shí)用新型提出了一種開關(guān)電源裝置，其包括本實(shí)用新型上述實(shí)施例的開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路。

本實(shí)用新型的開關(guān)電源裝置，通過上述開關(guān)電源的柵極驅(qū)動(dòng)電路，在控制信號(hào)為高電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管的柵極電壓保持在一個(gè)穩(wěn)定的電壓值附近，以及在控制信號(hào)為低電平時(shí)能夠使功率開關(guān)管關(guān)斷，且節(jié)能效果好。另外，采用高壓薄柵的PMOS上管和NMOS下管能夠節(jié)約成本，進(jìn)而有利于降低自身控制芯片的成本。

在本實(shí)用新型的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本實(shí)用新型和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本實(shí)用新型的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。

在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通或兩個(gè)元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本實(shí)用新型中的具體含義。

在本實(shí)用新型中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。