本實(shí)用新型涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種過流保護(hù)外圍電路和一種用電設(shè)備。

背景技術(shù)：

功率芯片尤其是智能功率芯片(Intelligent Power Module，簡稱IPM) 以其小體積、負(fù)載電流大和響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于大型用電設(shè)備的驅(qū)動(dòng)控制電路中，為了保證功率芯片的可靠性，通常在其外圍設(shè)置保護(hù)電路，主要是用于限流保護(hù)的作用。

相關(guān)技術(shù)中，如圖1所示，功率芯片的過流保護(hù)電路包括依次串聯(lián)連接于負(fù)載采樣端(采樣模塊102中的P+端)和ITRIP端(連接至功率芯片內(nèi)部的過流保護(hù)模塊)之間的無感電阻R1’和低通濾波模塊104(圖1中所示的電阻R2’和電容C’)，無感電阻R1’電壓經(jīng)過電阻R2’和電容C’組成的低通濾波模塊104輸入到模塊內(nèi)部的ITRIP端(過流保護(hù)端口)。

其中，過流保護(hù)模塊的動(dòng)作電壓多為0.45到0.55V，如果用20mΩ的無感電阻R1’，則保護(hù)電流在22.5A至27.5A，電流保護(hù)誤差較大，尤其是相電流處于電流保護(hù)值的邊緣，這嚴(yán)重影響IPM整機(jī)運(yùn)行時(shí)的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)或相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。

為此，本實(shí)用新型的一個(gè)目的在于提出了一種過流保護(hù)外圍電路。

本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提出了一種用電設(shè)備。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面的實(shí)施例，提出了一種過流保護(hù)外圍電路，包括：參考模塊，用于輸出參考信號(hào)；比較模塊，比較模塊的第一輸入端連接至負(fù)載采樣端，比較模塊的第二輸入端連接至參考模塊的輸出端，比較模塊的輸出端連接至ITRIP端，其中，在比較模塊判定采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較模塊向ITRIP端輸出觸發(fā)信號(hào)，以觸發(fā)功率芯片的內(nèi)部的過流保護(hù)模塊工作。

根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的過流保護(hù)外圍電路，通過在過流保護(hù)外圍電路中設(shè)置參考模塊和比較模塊，在比較模塊在判定負(fù)載采樣端的輸入信號(hào)大于或等于參考信號(hào)的比較結(jié)果時(shí)，比較模塊向ITRIP端輸出觸發(fā)信號(hào)，以觸發(fā)功率芯片的內(nèi)部的過流保護(hù)模塊工作。

本申請與現(xiàn)有技術(shù)中直接將采樣信號(hào)輸出至ITRIP端的技術(shù)方案相比較，參考信號(hào)為一個(gè)固定電信號(hào)值(此處的“固定”是指過流保護(hù)過程中不變，并不限于設(shè)置可調(diào)元件來設(shè)置參考信號(hào))，而不是一個(gè)浮動(dòng)的范圍，負(fù)載采樣端的輸入信號(hào)與一個(gè)固定電信號(hào)值比較，相當(dāng)于通過比較模塊設(shè)置了一個(gè)過流保護(hù)閾值，在負(fù)載采樣端的輸入信號(hào)大于或等于這個(gè)過流保護(hù)閾值時(shí)，比較模塊輸出一個(gè)相應(yīng)的觸發(fā)信號(hào)(通常輸出“1”作為高電平的觸發(fā)信號(hào))，ITRIP端在檢測到“1”信號(hào)時(shí)，功率芯片內(nèi)部的過濾保護(hù)模塊開始工作。

根據(jù)本實(shí)用新型的上述實(shí)施例的過流保護(hù)外圍電路，還可以具有以下技術(shù)特征：

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，比較模塊包括：比較器，比較器的兩個(gè)輸入端分別連接至負(fù)載采樣端和參考模塊的輸出端，比較器的輸出端連接至三極管的基極；三極管，三極管的集電極連接至直流源，三極管的發(fā)射極連接至第一電阻；第一電阻，第一電阻的第一端連接至上三極管的發(fā)射極，第一電阻的第二端接地，第一電阻的第一端還連接至ITRIP端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器的輸出端向三極管的基極輸出基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以導(dǎo)通三極管，第一電阻的負(fù)載電壓作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過設(shè)置比較模塊包括比較器和三極管，并通過上述方式連接，即使負(fù)載采樣端的輸入信號(hào)發(fā)生波動(dòng)，通過比較器能夠輸出固定的觸發(fā)信號(hào)，而不是隨輸入信號(hào)的波動(dòng)而誤觸發(fā)過流保護(hù)模塊工作，進(jìn)而提高了功率芯片在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，還包括：三極管為NPN型三極管或 PNP型三極管。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，三極管為PNP型三極管時(shí)，比較器的負(fù)極輸入端作為第一輸入端連接至負(fù)載采樣端，比較器的正極輸入端作為第二輸入端連接至參考模塊的輸出端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出低電平信號(hào)，比較器輸出的低電平作為基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至PNP型三極管的基極以導(dǎo)通三極管，第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過在采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出低電平信號(hào)，比較器輸出的低電平作為基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至PNP型三極管的基極以導(dǎo)通三極管，第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端，提高了功率芯片在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，三極管為NPN型三極管時(shí)，比較器的正極輸入端作為第一輸入端連接至負(fù)載采樣端，比較器的負(fù)極輸入端作為第二輸入端連接至參考模塊的輸出端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)，比較器輸出的高電平作為基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至NPN型三極管的基極以導(dǎo)通三極管，第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過在采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)，比較器輸出的高電平作為基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至NPN型三極管的基極以導(dǎo)通三極管，第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端，提高了功率芯片在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，還包括：比較器，比較器的兩個(gè)輸入端分別連接至負(fù)載采樣端和參考模塊的輸出端，比較器的輸出端連接至 MOS管的柵極；MOS管，MOS管的源極連接至直流源，MOS管的漏極連接至第一電阻；第一電阻，第一電阻的第一端連接至MOS管的漏極，第一電阻的第二端接地，第一電阻的第一端還連接至ITRIP端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器的輸出端向MOS管的柵極輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以導(dǎo)通MOS管，第一電阻的負(fù)載電壓作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP 端。

在該實(shí)施例中，通過設(shè)置比較模塊包括比較器和MOS管，并通過上述方式連接，即使負(fù)載采樣端的輸入信號(hào)發(fā)生波動(dòng)，通過比較器能夠輸出固定的觸發(fā)信號(hào)，而不是隨輸入信號(hào)的波動(dòng)而誤觸發(fā)過流保護(hù)模塊工作，進(jìn)而提高了功率芯片在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，MOS管為P溝道MOS管或N溝道 MOS管。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，MOS管為N溝道MOS管時(shí)，比較器的負(fù)極輸入端作為第一輸入端連接至負(fù)載采樣端，比較器的正極輸入端作為第二輸入端連接至參考模塊的輸出端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出低電平信號(hào)，比較器輸出的低電平作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至N溝道MOS管的柵極以導(dǎo)通MOS管，第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過在采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出低電平信號(hào)，比較器輸出的低電平作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至N溝道MOS 管的柵極以導(dǎo)通MOS管，第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端，提高了功率芯片在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，MOS管為P溝道MOS管時(shí)，比較器的正極輸入端作為第一輸入端連接至負(fù)載采樣端，比較器的負(fù)極輸入端作為第二輸入端連接至參考模塊的輸出端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)，比較器輸出的高電平作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至P溝道MOS管的柵極以導(dǎo)通MOS管，第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過在采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)，比較器輸出的高電平作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至P溝道MOS 管的柵極以導(dǎo)通MOS管，第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端，提高了功率芯片在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，還包括：濾波模塊，連接至負(fù)載采樣端和比較模塊的第一輸入端之間，用于濾除負(fù)載采樣端的采樣信號(hào)中的交流信號(hào)。

在該實(shí)施例中，通過將濾波模塊連接至負(fù)載采樣端和比較模塊的第一輸入端之間，濾除采樣信號(hào)中的交流信號(hào)，交流信號(hào)包括但不限于浪涌脈沖信號(hào)、白噪聲信號(hào)、散粒噪聲信號(hào)和熱噪聲信號(hào)等。

本實(shí)用新型第二方面實(shí)施例所述的用電設(shè)備，包括本實(shí)用新型第一方面的任一實(shí)施例所述的過流保護(hù)外圍電路，因此該服務(wù)器設(shè)備具有上述任一實(shí)施例所述的過流保護(hù)外圍電路的全部有益效果，在此不再贅述。

本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

附圖說明

圖1示出了相關(guān)技術(shù)中的過流保護(hù)電路的示意圖；

圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的過流保護(hù)外圍電路的示意圖。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是，本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的過流保護(hù)外圍電路的示意圖。

如圖2所示，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的過流保護(hù)外圍電路，用于監(jiān)控采樣模塊202的電信號(hào)，過流保護(hù)外圍電路包括：參考模塊204，用于輸出參考信號(hào)；比較模塊206，比較模塊206的第一輸入端連接至負(fù)載采樣端P+，比較模塊206的第二輸入端連接至參考模塊204的輸出端，比較模塊206的輸出端連接至ITRIP端，其中，在比較模塊206判定采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較模塊206向ITRIP端輸出觸發(fā)信號(hào)，以觸發(fā)功率芯片IPM的內(nèi)部的過流保護(hù)模塊工作。

根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的過流保護(hù)外圍電路，通過在過流保護(hù)外圍電路中設(shè)置參考模塊204和比較模塊206，在比較模塊206在判定負(fù)載采樣端P+的輸入信號(hào)大于或等于參考信號(hào)的比較結(jié)果時(shí)，比較模塊206向 ITRIP端輸出觸發(fā)信號(hào)，以觸發(fā)功率芯片IPM的內(nèi)部的過流保護(hù)模塊工作。

本申請與現(xiàn)有技術(shù)中直接將采樣信號(hào)輸出至ITRIP端的技術(shù)方案相比較，參考信號(hào)為一個(gè)固定電信號(hào)值(此處的“固定”是指過流保護(hù)過程中不變，并不限于設(shè)置可調(diào)元件來設(shè)置參考信號(hào))，而不是一個(gè)浮動(dòng)的范圍，負(fù)載采樣端P+的輸入信號(hào)與一個(gè)固定電信號(hào)值比較，相當(dāng)于通過比較模塊 206設(shè)置了一個(gè)過流保護(hù)閾值，在負(fù)載采樣端P+的輸入信號(hào)大于或等于這個(gè)過流保護(hù)閾值時(shí)，比較模塊206輸出一個(gè)相應(yīng)的觸發(fā)信號(hào)(通常輸出“1”作為高電平的觸發(fā)信號(hào))，ITRIP端在檢測到“1”信號(hào)時(shí)，功率芯片IPM內(nèi)部的過濾保護(hù)模塊開始工作。

根據(jù)本實(shí)用新型的上述實(shí)施例的過流保護(hù)外圍電路，包括但不限于以下實(shí)施方式：

實(shí)施例(1)

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，比較模塊206包括：比較器，比較器的兩個(gè)輸入端分別連接至負(fù)載采樣端P+和參考模塊204的輸出端，比較器的輸出端連接至三極管T的基極b；三極管T，三極管T的集電極c連接至直流源，三極管T的發(fā)射極e極連接至第一電阻R1；第一電阻R1，第一電阻R1的第一端連接至上三極管T的發(fā)射極e極，第一電阻R1的第二端接地，第一電阻R1的第一端還連接至ITRIP端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器的輸出端向三極管T的基極b輸出基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以導(dǎo)通三極管T，第一電阻R1的負(fù)載電壓作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過設(shè)置比較模塊206包括比較器和三極管T，并通過上述方式連接，即使負(fù)載采樣端P+的輸入信號(hào)發(fā)生波動(dòng)，通過比較器能夠輸出固定的觸發(fā)信號(hào)，而不是隨輸入信號(hào)的波動(dòng)而誤觸發(fā)過流保護(hù)模塊工作，進(jìn)而提高了功率芯片IPM在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，還包括：三極管T為NPN型三極管T 或PNP型三極管T。

實(shí)施例(1.1)

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，三極管T為PNP型三極管T時(shí)，比較器的負(fù)極輸入端作為第一輸入端連接至負(fù)載采樣端P+，比較器的正極輸入端作為第二輸入端連接至參考模塊204的輸出端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出低電平信號(hào)，比較器輸出的低電平作為基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至PNP型三極管T的基極b以導(dǎo)通三極管T，第一電阻R1 的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過在采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出低電平信號(hào)，比較器輸出的低電平作為基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至PNP型三極管 T的基極b以導(dǎo)通三極管T，第一電阻R1的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端，提高了功率芯片IPM在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

實(shí)施例(1.2)

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，三極管T為NPN型三極管T時(shí)，比較器的正極輸入端作為第一輸入端連接至負(fù)載采樣端P+，比較器的負(fù)極輸入端作為第二輸入端連接至參考模塊204的輸出端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)，比較器輸出的高電平作為基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至NPN型三極管T的基極b以導(dǎo)通三極管T，第一電阻R1 的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過在采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)，比較器輸出的高電平作為基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至NPN型三極管 T的基極b以導(dǎo)通三極管T，第一電阻R1的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端，提高了功率芯片IPM在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

實(shí)施例(2)

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，還包括：比較器，比較器的兩個(gè)輸入端分別連接至負(fù)載采樣端P+和參考模塊204的輸出端，比較器的輸出端連接至MOS管的柵極；MOS管，MOS管的源極連接至直流源，MOS管的漏極連接至第一電阻R1；第一電阻R1，第一電阻R1的第一端連接至MOS 管的漏極，第一電阻R1的第二端接地，第一電阻R1的第一端還連接至 ITRIP端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器的輸出端向MOS 管的柵極輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以導(dǎo)通MOS管，第一電阻R1的負(fù)載電壓作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過設(shè)置比較模塊206包括比較器和MOS管，并通過上述方式連接，即使負(fù)載采樣端P+的輸入信號(hào)發(fā)生波動(dòng)，通過比較器能夠輸出固定的觸發(fā)信號(hào)，而不是隨輸入信號(hào)的波動(dòng)而誤觸發(fā)過流保護(hù)模塊工作，進(jìn)而提高了功率芯片IPM在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，MOS管為P溝道MOS管或N溝道 MOS管。

實(shí)施例(2.1)

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，MOS管為N溝道MOS管時(shí)，比較器的負(fù)極輸入端作為第一輸入端連接至負(fù)載采樣端P+，比較器的正極輸入端作為第二輸入端連接至參考模塊204的輸出端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出低電平信號(hào)，比較器輸出的低電平作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至N溝道MOS管的柵極以導(dǎo)通MOS管，第一電阻R1的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過在采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出低電平信號(hào)，比較器輸出的低電平作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至N溝道MOS 管的柵極以導(dǎo)通MOS管，第一電阻R1的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端，提高了功率芯片IPM在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

實(shí)施例(2.2)

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，MOS管為P溝道MOS管時(shí)，比較器的正極輸入端作為第一輸入端連接至負(fù)載采樣端P+，比較器的負(fù)極輸入端作為第二輸入端連接至參考模塊204的輸出端，其中，采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)，比較器輸出的高電平作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至P溝道MOS管的柵極以導(dǎo)通MOS管，第一電阻R1的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端。

在該實(shí)施例中，通過在采樣信號(hào)大于或等于參考信號(hào)時(shí)，比較器輸出高電平信號(hào)，比較器輸出的高電平作為柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至P溝道MOS 管的柵極以導(dǎo)通MOS管，第一電阻R1的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為觸發(fā)信號(hào)輸出至ITRIP端，提高了功率芯片IPM在整機(jī)運(yùn)行過程中的可靠性。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，還包括：濾波模塊208，連接至負(fù)載采樣端P+和比較模塊206的第一輸入端之間，用于濾除負(fù)載采樣端P+的采樣信號(hào)中的交流信號(hào)。

濾波模塊208的一種實(shí)施方式如圖2所示，第二電阻R2串聯(lián)與第一電阻R1和比較器的負(fù)極輸入端之間，第二電阻R2的輸出端接有濾波電容C，起到低通濾波的作用。

在該實(shí)施例中，通過將濾波模塊208連接至負(fù)載采樣端P+和比較模塊 206的第一輸入端之間，濾除采樣信號(hào)中的交流信號(hào)，交流信號(hào)包括但不限于浪涌脈沖信號(hào)、白噪聲信號(hào)、散粒噪聲信號(hào)和熱噪聲信號(hào)等。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)說明了本實(shí)用新型的技術(shù)方案，本實(shí)用新型提出了一種新的過流保護(hù)外圍電路，通過在過流保護(hù)外圍電路中設(shè)置參考模塊和比較模塊，在比較模塊在判定負(fù)載采樣端的輸入信號(hào)大于或等于參考信號(hào)的比較結(jié)果時(shí)，比較模塊向ITRIP端輸出觸發(fā)信號(hào)，以觸發(fā)功率芯片的內(nèi)部的過流保護(hù)模塊工作。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。