1.一種過流保護(hù)外圍電路，適用于功率芯片，所述功率芯片的內(nèi)部設(shè)有過流保護(hù)模塊，所述功率芯片的外部設(shè)置的所述過流保護(hù)模塊的驅(qū)動(dòng)端為ITRIP端，所述過流保護(hù)外圍電路設(shè)于所述ITRIP端和負(fù)載采樣端之間，其特征在于，所述過流保護(hù)外圍電路包括：
參考模塊，用于輸出參考信號(hào)；
比較模塊，所述比較模塊的第一輸入端連接至所述負(fù)載采樣端，所述比較模塊的第二輸入端連接至所述參考模塊的輸出端，所述比較模塊的輸出端連接至所述ITRIP端，
其中，在所述比較模塊判定采樣信號(hào)大于或等于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較模塊向所述ITRIP端輸出觸發(fā)信號(hào)，以觸發(fā)所述功率芯片的內(nèi)部的過流保護(hù)模塊工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，所述比較模塊包括：
比較器，所述比較器的兩個(gè)輸入端分別連接至所述負(fù)載采樣端和所述參考模塊的輸出端，所述比較器的輸出端連接至三極管的基極；
所述三極管，所述三極管的集電極連接至直流源，所述三極管的發(fā)射極連接至第一電阻；
所述第一電阻，所述第一電阻的第一端連接至上所述三極管的發(fā)射極，所述第一電阻的第二端接地，所述第一電阻的第一端還連接至所述ITRIP端，
其中，所述采樣信號(hào)大于或等于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較器的輸出端向所述三極管的基極輸出基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以導(dǎo)通所述三極管，所述第一電阻的負(fù)載電壓作為所述觸發(fā)信號(hào)輸出至所述ITRIP端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，
所述三極管為NPN型三極管或PNP型三極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，
所述三極管為所述PNP型三極管時(shí)，所述比較器的負(fù)極輸入端作為所述第一輸入端連接至所述負(fù)載采樣端，所述比較器的正極輸入端作為所述第二輸入端連接至所述參考模塊的輸出端，
其中，所述采樣信號(hào)大于或等于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較器輸出低電平信號(hào)，所述比較器輸出的低電平作為所述基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至所述PNP型三極管的基極以導(dǎo)通所述三極管，所述第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為所述觸發(fā)信號(hào)輸出至所述ITRIP端。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，
所述三極管為所述NPN型三極管時(shí)，所述比較器的正極輸入端作為所述第一輸入端連接至所述負(fù)載采樣端，所述比較器的負(fù)極輸入端作為所述第二輸入端連接至所述參考模塊的輸出端，
其中，所述采樣信號(hào)大于或等于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較器輸出高電平信號(hào)，所述比較器輸出的高電平作為所述基極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至所述NPN型三極管的基極以導(dǎo)通所述三極管，所述第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為所述觸發(fā)信號(hào)輸出至所述ITRIP端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，還包括：
比較器，所述比較器的兩個(gè)輸入端分別連接至所述負(fù)載采樣端和所述參考模塊的輸出端，所述比較器的輸出端連接至MOS管的柵極；
所述MOS管，所述MOS管的源極連接至直流源，所述MOS管的漏極連接至第一電阻；
所述第一電阻，所述第一電阻的第一端連接至所述MOS管的漏極，所述第一電阻的第二端接地，所述第一電阻的第一端還連接至所述ITRIP端，
其中，所述采樣信號(hào)大于或等于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較器的輸出端向所述MOS管的柵極輸出柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以導(dǎo)通所述MOS管，所述第一電阻的負(fù)載電壓作為所述觸發(fā)信號(hào)輸出至所述ITRIP端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，
所述MOS管為P溝道MOS管或N溝道MOS管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，
所述MOS管為所述N溝道MOS管時(shí)，所述比較器的負(fù)極輸入端作為所述第一輸入端連接至所述負(fù)載采樣端，所述比較器的正極輸入端作為所述第二輸入端連接至所述參考模塊的輸出端，
其中，所述采樣信號(hào)大于或等于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較器輸出低電平信號(hào)，所述比較器輸出的低電平作為所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至所述N溝道MOS管的柵極以導(dǎo)通所述MOS管，所述第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為所述觸發(fā)信號(hào)輸出至所述ITRIP端。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，
所述MOS管為所述P溝道MOS管時(shí)，所述比較器的正極輸入端作為所述第一輸入端連接至所述負(fù)載采樣端，所述比較器的負(fù)極輸入端作為所述第二輸入端連接至所述參考模塊的輸出端，
其中，所述采樣信號(hào)大于或等于所述參考信號(hào)時(shí)，所述比較器輸出高電平信號(hào)，所述比較器輸出的高電平作為所述柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出至所述P溝道MOS管的柵極以導(dǎo)通所述MOS管，所述第一電阻的負(fù)載電壓為高電平信號(hào)，并且作為所述觸發(fā)信號(hào)輸出至所述ITRIP端。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的過流保護(hù)外圍電路，其特征在于，還包括：
濾波模塊，連接至所述負(fù)載采樣端和所述比較模塊的第一輸入端之間，用于濾除所述負(fù)載采樣端的采樣信號(hào)中的交流信號(hào)。
11.一種用電設(shè)備，其特征在于，包括：
如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的過流保護(hù)外圍電路。