一種簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括：信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、電源端、接地端、兩二極管、兩電阻、一功率場(chǎng)效應(yīng)管、一溝道MOS管，所述信號(hào)輸入端連接一二極管正極，二極管負(fù)極連接功率場(chǎng)效應(yīng)管，功率場(chǎng)效應(yīng)管一端連接到電源端；信號(hào)輸入端連接另一二極管負(fù)極，二極管正極連接溝道MOS管，溝道MOS管一端連接接地端；功率場(chǎng)效應(yīng)管與溝道MOS管相連接并作為信號(hào)輸出端，其中每一個(gè)二極管兩端分別并聯(lián)一電阻。本發(fā)明的有益效果是：該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、芯片成本低、易于大規(guī)模開(kāi)發(fā)推廣使用。
【專利說(shuō)明】一種簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電路，特別涉及一種簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子集成發(fā)展，集成小芯片的應(yīng)用也越來(lái)越適用于電子技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域，低成本簡(jiǎn)易的電路設(shè)計(jì)可以大大減少電子器件的開(kāi)發(fā)成本。一般功率場(chǎng)效應(yīng)管的最高柵源電壓為20V左右，所以在24V應(yīng)用中要保證柵源電壓不能超過(guò)20V，增加了電路的復(fù)雜程度。但在12V或更低電壓的應(yīng)用中，電路就可以大大簡(jiǎn)化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:提供一種電路簡(jiǎn)單、開(kāi)發(fā)成本低、便于推廣使用的低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括:信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、電源端、接地端、兩二極管、兩電阻、一功率場(chǎng)效應(yīng)管、一溝道MOS管，所述信號(hào)輸入端連接一二極管正極，二極管負(fù)極連接功率場(chǎng)效應(yīng)管，功率場(chǎng)效應(yīng)管一端連接到電源端；信號(hào)輸入端連接另一二極管負(fù)極，二極管正極連接溝道MOS管，溝道MOS管一端連接接地端；功率場(chǎng)效應(yīng)管與溝道MOS管相連接并作為信號(hào)輸出端，其中每一個(gè)二極管兩端分別并聯(lián)一電阻。
[0005]作為優(yōu)選方案，所述功率場(chǎng)效應(yīng)管為IRF9540。
[0006]作為優(yōu)選方案，所述溝道MOS管為IRF540N溝道MOS管。
[0007]作為優(yōu)選方案，所述二極管為IN4148高頻開(kāi)關(guān)二極管。
[0008]作為優(yōu)選方案，信號(hào)輸入端前端連接一施密特觸發(fā)器。所述施密特觸發(fā)器為555施密特觸發(fā)器。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:通過(guò)R3，R4向柵極電容充電使場(chǎng)效應(yīng)管延緩導(dǎo)通；而通過(guò)二極管直接將柵極電容放電使場(chǎng)效應(yīng)管立即截止，從而避免了共態(tài)導(dǎo)通。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、芯片成本低、易于大規(guī)模開(kāi)發(fā)推廣使用。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]現(xiàn)在結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。這些實(shí)施例應(yīng)理解為僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。在閱讀了本發(fā)明的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種修改，這些等效的變化和修飾同樣落入本發(fā)明所限定的保護(hù)范圍。[0012]如圖1所示的具體實(shí)施例，包括:信號(hào)輸入端IN、信號(hào)輸出端OUT、電源端POWER、接地端、兩二極管Dl，D2、兩電阻R3，R4、一功率場(chǎng)效應(yīng)管Q2、一溝道MOS管Q1，所述信號(hào)輸入端連接一二極管正極，二極管負(fù)極連接功率場(chǎng)效應(yīng)管，功率場(chǎng)效應(yīng)管一端連接到電源端；信號(hào)輸入端連接另一二極管負(fù)極，二極管正極連接溝道MOS管，溝道MOS管一端連接接地端；功率場(chǎng)效應(yīng)管與溝道MOS管相連接并作為信號(hào)輸出端，其中每一個(gè)二極管兩端分別并聯(lián)一電阻。由于場(chǎng)效應(yīng)管柵極電容的存在，通過(guò)R3, R4向柵極電容充電使場(chǎng)效應(yīng)管延緩導(dǎo)通；而通過(guò)二極管直接將柵極電容放電使場(chǎng)效應(yīng)管立即截止，從而避免了共態(tài)導(dǎo)通。這個(gè)電路要求在信號(hào)輸入端IN輸入的是邊緣陡峭的方波脈沖，因此控制信號(hào)從單片機(jī)或者其他開(kāi)路輸出的設(shè)備接入后，要經(jīng)過(guò)施密特觸發(fā)器(比如555)或者輸出的高速比較器才能接到信號(hào)輸入端IN。如果輸入邊緣過(guò)緩，二極管延時(shí)電路也就失去了作用。R3，R4的選取與IN信號(hào)邊沿升降速度有關(guān)，信號(hào)邊緣越陡峭，R3，R4可以選的越小，開(kāi)關(guān)速度也就可以做的越快。
[0013]以上顯示僅描述了本發(fā)明的主要特征和發(fā)明點(diǎn)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制。在不脫離本發(fā)明點(diǎn)和保護(hù)范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化，這些變化和改進(jìn)都將落入本發(fā)明要求保護(hù)的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)的范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:包括:信號(hào)輸入端、信號(hào)輸出端、電源端、接地端、兩二極管、兩電阻、一功率場(chǎng)效應(yīng)管、一溝道MOS管，所述信號(hào)輸入端連接一二極管正極，二極管負(fù)極連接功率場(chǎng)效應(yīng)管，功率場(chǎng)效應(yīng)管一端連接到電源端；信號(hào)輸入端連接另一二極管負(fù)極，二極管正極連接溝道MOS管，溝道MOS管一端連接接地端；功率場(chǎng)效應(yīng)管與溝道MOS管相連接并作為信號(hào)輸出端，其中每一個(gè)二極管兩端分別并聯(lián)一電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述功率場(chǎng)效應(yīng)管為IRF9540。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述溝道MOS管為IRF540N 溝道 MOS 管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述二極管為IN4148聞?lì)l開(kāi)關(guān)極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:信號(hào)輸入端前端連接一施密特觸發(fā)器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的簡(jiǎn)易低壓柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述施密特觸發(fā)器為555施密特觸發(fā)器。
【文檔編號(hào)】H02M1/088GK104009617SQ201410209593
【公開(kāi)日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2014年5月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月17日
【發(fā)明者】胡天吉 申請(qǐng)人:蘇州藍(lán)萃電子科技有限公司