封裝基材的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及晶片的電路高密度封裝基材，尤其是這樣一種封裝基材，其具有溝槽，環(huán)繞在中介層(interposer)周?chē)?，提供電路與絕緣層材料的膨脹與收縮的空間，使得封裝單元(晶片安置于高密度封裝基材)不會(huì)因?yàn)椴牧系臒崤蛎浵禂?shù)(CTE)不匹配而變形的問(wèn)題。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所述，美國(guó)專(zhuān)利US8，269，337的截面圖，包含:中介層212、電路重新分布層213、電路增層24、封裝材料22、晶片27。中介層212具有導(dǎo)通金屬210穿過(guò)中介層212。電路重新分布層(redistribut1n layer) 213具有電路與絕緣材料，設(shè)置于中介層212上方，且電性耦合于導(dǎo)通金屬210的上端。電路重新分布結(jié)構(gòu)213與中介層212，統(tǒng)稱(chēng)為電路重新分布結(jié)構(gòu)21。封裝材料22包圍著電路重新分布結(jié)構(gòu)21周邊，電路重新分布層213具有復(fù)數(shù)個(gè)上層焊墊211。電路增層24設(shè)置于封裝材料22與中介層212的下方，電路增層24具有金屬導(dǎo)線(xiàn)與絕緣材料，金屬導(dǎo)線(xiàn)中的上端縱向金屬242電性耦合至導(dǎo)通金屬210的下端，電路增層24具有復(fù)數(shù)個(gè)下層焊墊243，錫鉛球26安置在下層焊墊243下方。晶片27具有底部焊墊272，經(jīng)由錫鉛球271電性耦合于上層焊墊211。下方填充(underfill)材料270填充于晶片27與下方的絕緣材料之間。復(fù)數(shù)個(gè)錫鉛球26，分別安置于下層焊墊243下方。中介層212具有CTE約為3ppm/K ;封裝材料22與下層電路分布層的絕緣材料層具有CTE約為5?15ppm/K ;因此，前述晶片封裝，因?yàn)镃TE不匹配，會(huì)造成封裝內(nèi)部應(yīng)力，產(chǎn)生裂痕而損壞整體封裝產(chǎn)品。一個(gè)可以解決不同材料結(jié)合之間的CTE不匹配問(wèn)題，亟需被開(kāi)發(fā)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]基于現(xiàn)有技藝中，晶片封裝因?yàn)楣杌闹薪閷拥腃TE與絕緣材料的CTE不匹配，容易因?yàn)槔淇s熱脹引起破裂而導(dǎo)致封裝產(chǎn)品的故障，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，希望提供一種可以改善中介層與絕緣材料、封裝材料之間不同材料間的CTE不匹配，導(dǎo)致晶片封裝破裂問(wèn)題的封裝基材。
[0004]根據(jù)實(shí)施例，本實(shí)用新型提供的一種封裝基材，包含電路重新分布結(jié)構(gòu)、封裝材料、電路增層和溝槽，其創(chuàng)新點(diǎn)在于:電路重新分布結(jié)構(gòu)具有復(fù)數(shù)個(gè)上層金屬墊，上層金屬墊具有第一密度，適合晶片安置其上；封裝材料包裹電路重新分布結(jié)構(gòu)周?chē)浑娐吩鰧釉O(shè)置于電路重新分布結(jié)構(gòu)與封裝材料的下方，電路增層具有復(fù)數(shù)個(gè)底面金屬墊；底面金屬墊具有第二密度；第二密度低于第一密度；溝槽包圍電路重新分布結(jié)構(gòu)的周?chē)?br>[0005]封裝基材用以調(diào)和晶片高密度接點(diǎn)與外部PCB低密度接點(diǎn)，例如:晶片高密度接點(diǎn)是以微米u(yù)m技術(shù)制成的產(chǎn)品；外部PCB的低密度接點(diǎn)是以毫米mm技術(shù)制成的產(chǎn)品。由于接點(diǎn)的尺寸不匹配，所以，晶片無(wú)法直接安置在外部PCB上。晶片必須先安置在封裝基材上，構(gòu)成晶片的封裝單元。之后，電路板系統(tǒng)廠(chǎng)商，才可以訂購(gòu)具有晶片的封裝單元，安置于電路板母板上面構(gòu)成一大片電路板模組的一小部分。
[0006]本實(shí)用新型技術(shù)方案中，底面金屬墊具有第二密度配合外部的印刷電路板的低接點(diǎn)密度，適合于一晶片安置于本實(shí)用新型的封裝基材上方構(gòu)成封裝單元，后續(xù)將封裝單元安置于外部的印刷電路板上。
[0007]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)立溝槽，環(huán)繞著上層電路重新分布結(jié)構(gòu)周邊，溝槽可以吸收兩邊不同材料的冷縮熱脹，致使整個(gè)封裝產(chǎn)品不會(huì)因?yàn)椴煌乓?jiàn)間的CTE不匹配所導(dǎo)致的破裂問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是美國(guó)專(zhuān)利US8269337公開(kāi)的電路高密度封裝基材的截面圖。
[0009]圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例一的封裝基材的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例一的溝槽一的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例二的封裝基材的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例二的溝槽二的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例三的封裝基材的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例三的溝槽三的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖8是本實(shí)用新型的溝槽四的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖9是本實(shí)用新型的溝槽五的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖10是本實(shí)用新型的溝槽六的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]其中:100為重新分布結(jié)構(gòu)；104b為底部；106為上方焊墊；200為增層電路；201為電路；202為絕緣材料；204b為抗焊漆；206為焊墊；207為絕緣材料；21為電路重新分布結(jié)構(gòu)；21b為底部；210b為縱向金屬；211為上層金屬墊；212為中介層；213為電路重新分布層；220為溝槽；221為封裝材料的一部分；22為封裝材料；24為電路增層；243為底面金屬墊；22b為底部；24b為抗焊漆；300為封裝材料；304b為底部；320為溝槽；321為封裝材料的一部分。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。這些實(shí)施例應(yīng)理解為僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。在閱讀了本實(shí)用新型記載的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改，這些等效變化和修改同樣落入本實(shí)用新型權(quán)利要求所限定的范圍。
[0020]實(shí)施例一
[0021]如圖2所示，一種封裝基材，包含:電路重新分布層213具有復(fù)數(shù)個(gè)上層金屬墊211，上層金屬墊211具有第一密度，適合晶片安置其上；電路增層24，設(shè)置于中介層212與封裝材料22的下方，中介層212具有底部21b與封裝材料22的底部22b共平面。電路增層24具有復(fù)數(shù)個(gè)底面金屬墊243，底面金屬墊243具有第二密度，適合封裝安置于印刷電路板；所述之第二密度低于第一密度。本封裝上方為晶片方(chip side)適合晶片安置其上；本封裝下方為電路板方(PCB side)適合本封裝安置于外部的印刷電路板上。封裝材料22包裹電路重新分布結(jié)構(gòu)21 ;以及溝槽220，延伸包圍在電路重新分布結(jié)構(gòu)21的周?chē)?。所述之溝?20，具有一個(gè)深度，大于封裝材料22的厚度。封裝材料22具有上表面22a與下表面22b。上表面22a與電路重新分布層213上表面共平面、下表面22b與中介層212下表面共平面?？购钙?4b設(shè)置于下層焊墊243下方裸露下層焊墊243中央?yún)^(qū)域提供后續(xù)錫鉛球設(shè)置用。圖中也