一種陣列基板及其制備方法和顯示器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示器件。陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板的綁定區(qū)設(shè)有綁定區(qū)電極，所述襯底基板的顯示區(qū)設(shè)有信號線，所述綁定區(qū)電極通過綁定連接線與所述信號線連接，所述綁定區(qū)電極以及綁定連接線均采用金屬Mo制成，所述信號線的材質(zhì)包括依次疊加設(shè)置的Mo、Al、Mo三層金屬層。本發(fā)明提供的陣列基板中采用金屬Mo制成綁定區(qū)電極和綁定連接線，提高了綁定區(qū)電極和綁定連接線的抗腐蝕能力和抗機(jī)械劃傷的能力，提高了維修成功率，減少了襯底基板報廢。
【專利說明】
一種陣列基板及其制備方法和顯示器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]⑶G(chip on glass，芯片綁定在玻璃上)產(chǎn)品的外引線綁定工藝是指采用ACF(Anisotropic Conductive Film，各向異性導(dǎo)電膜)將IC綁定在陣列基板上的操作過程。在綁定過程中常因結(jié)合區(qū)異物、ACF壓痕淺等原因造成的產(chǎn)品缺陷需要進(jìn)行重新組裝。重新組裝過程中需要將不良的IC、FPC(Flexible Printed Circuit board，撓性印刷電路板)、PCB(Printed Circuit Board，印制電路板)從玻璃基板上去除下來，通過重新綁定維修設(shè)備，將新的IC、FPC、PCB綁定到玻璃基板上，實現(xiàn)維修的目的。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中維修時需要將ACF從玻璃基板上采用去除液等剝離下來，現(xiàn)有技術(shù)中COG廣品綁定區(qū)電極多米用Mo-Al -Mo材質(zhì)制成，在維修過程中Mo-Al -Mo材質(zhì)的綁定區(qū)電極容易發(fā)生腐蝕、劃傷，導(dǎo)致維修失敗，造成玻璃基板的報廢。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是解決如何降低COG產(chǎn)品維修過程中綁定區(qū)電極的劃傷和腐蝕的技術(shù)問題。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板的綁定區(qū)設(shè)有綁定區(qū)電極，所述襯底基板的顯示區(qū)設(shè)有信號線，所述綁定區(qū)電極通過綁定連接線與所述信號線連接，所述綁定區(qū)電極以及綁定連接線均采用金屬Mo制成，所述信號線的材質(zhì)包括依次疊加設(shè)置的Mo、Al、Mo三層金屬層。
[0008]根據(jù)本發(fā)明，所述信號線為數(shù)據(jù)線。
[0009]根據(jù)本發(fā)明，所述綁定區(qū)電極、綁定連接線以及信號線的厚度相同。
[0010]根據(jù)本發(fā)明，所述信號線與所述綁定連接線之間通過連接段連接，所述連接段包括依次疊加設(shè)置的Mo、Al、Mo三層金屬層。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，所述襯底基板為玻璃基板。
[0012]本發(fā)明還提供了一種上述的陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0013]SI，提供一襯底基板；
[0014]S2，在所述襯底基板的綁定區(qū)依次制作多層Mo金屬層，并在制作一層金屬層后根據(jù)所述綁定區(qū)電極以及綁定連接線的形狀進(jìn)行一次刻蝕，形成所述綁定區(qū)電極以及綁定連接線；在所述襯底基板的顯示區(qū)依次制作Μο、Α1、Μο三層金屬層，并在制作一層金屬層后根據(jù)所述信號線的形狀對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成所述信號線，所述信號線與所述綁定連接線相連接。
[0015]根據(jù)本發(fā)明，所述步驟S2具體包括:在所述襯底基板的綁定區(qū)制作所述綁定區(qū)電極及綁定連接線，在所述襯底基板的顯示區(qū)制作所述信號線，在所述信號線與所述綁定連接線之間依次制作Μο、Α1、Μο三層金屬層，并在制作一層金屬層后對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成第一連接段；
[0016]在所述第一連接段的上方以及所述信號線與所述綁定連接線靠近所述第一連接段的一端設(shè)有連接所述信號線、第一連接段和綁定連接線的第二連接段，所述第二連接段包括依次疊加設(shè)置的Mo、Al、Mo三層金屬。
[0017]根據(jù)本發(fā)明，所述步驟S2具體包括:
[0018]在所述襯底基板的綁定區(qū)制作綁定區(qū)第一Mo金屬層，并根據(jù)所述綁定區(qū)電極及綁定連接線的形狀對其進(jìn)行刻蝕；
[0019]在所述襯底基板的顯示區(qū)制作一層與綁定區(qū)第一Mo金屬層相連接的顯示區(qū)第一Mo金屬層，并根據(jù)所述顯示區(qū)信號線的形狀對其進(jìn)行刻蝕；
[°02°]在所述綁定區(qū)第一 Mo金屬層的上方依次制作綁定區(qū)第二 Mo金屬層和綁定區(qū)第三Mo金屬層，所述綁定區(qū)第二 Mo金屬層和綁定區(qū)第三Mo金屬層靠近所述顯示區(qū)的一端均與所述綁定區(qū)第一Mo金屬層和所述顯示區(qū)第一Mo金屬層的連接處留有間隙，并分別在綁定區(qū)第二 Mo金屬層和綁定區(qū)第三Mo金屬層形成后根據(jù)所述綁定區(qū)電極及綁定連接線的形狀對其進(jìn)行刻蝕，最終在綁定區(qū)形成包括三層Mo金屬的綁定區(qū)電極及綁定連接線；
[0021]在所述顯示區(qū)第一 Mo金屬層的上方依次制作顯示區(qū)Al金屬層和顯示區(qū)第二 Mo金屬層，所述顯示區(qū)Al金屬層和顯示區(qū)第二 Mo金屬層靠近所述綁定區(qū)的一端均與所述綁定區(qū)第一Mo金屬層和所述顯示區(qū)第一Mo金屬層的連接處留有間隙，并分別在顯示區(qū)Al金屬層形成后和顯示區(qū)第二 Mo金屬層形成后根據(jù)信號線的形狀對其進(jìn)行刻蝕，最終在所述顯示區(qū)形成包括依次疊加設(shè)置的Μο、Α1、Μο三層金屬的所述信號線；
[0022]在所述綁定區(qū)第二 Mo金屬層和綁定區(qū)第三Mo金屬層與顯示區(qū)Al金屬層和顯示區(qū)第二 Mo金屬層之間的間隙內(nèi)依次制作一層金屬Al和一層金屬Mo，并在制作一層金屬層后對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成所述綁定連接線與信號線的連接段。
[0023]根據(jù)本發(fā)明，所述金屬層均采用真空磁控濺射工藝制成。
[0024]本發(fā)明還提供了一種顯示器件，包括上述的陣列基板。
[0025](三)有益效果
[0026]本發(fā)明的上述技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點:本發(fā)明實施例提供的陣列基板采用金屬Mo制成綁定區(qū)電極和綁定連接線，金屬Mo的抗腐蝕能力和抗機(jī)械劃傷的能力較強(qiáng)，在需要進(jìn)行維修去除綁定區(qū)電極表面的ACF時，不易損壞綁定區(qū)電極，提高了維修成功率，減少了襯底基板報廢。另外，由于Mo的導(dǎo)電能力小于Al的導(dǎo)電能力，綁定區(qū)電極、綁定連接線與信號線均采用Mo制成會使產(chǎn)品存在殘影不良缺陷的風(fēng)險，且由于Mo的刻蝕速度小于Al的刻蝕速度，若全部采用金屬Mo制作會影響到陣列基板的部分產(chǎn)能。本發(fā)明實施例中信號線采用MoAIMo材質(zhì)保證了信號線的導(dǎo)電性，避免了制作出的產(chǎn)品產(chǎn)生殘影等不良。并且僅綁定區(qū)電極和綁定連接線設(shè)置為Mo，而信號線仍然是采用MoAIMo保證了陣列基板的生產(chǎn)速度，進(jìn)而不會對產(chǎn)能造成影響。
【附圖說明】
[0027]圖1是本發(fā)明實施例一和實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2是本發(fā)明實施例三提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3是圖2中A-A向視圖；
[0030]圖4是本發(fā)明實施例四提供的陣列基板的綁定連接線與信號線連接位置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031 ]圖中:1:襯底基板;2:綁定區(qū)；21:綁定區(qū)電極;22;綁定連接線;3:顯不區(qū)；31:彳目號線;4:連接段;41:第一連接段;42:第二連接段;201:綁定區(qū)第一Mo金屬層;202:綁定區(qū)第二Mo金屬層；203:綁定區(qū)第三Mo金屬層；301:顯不區(qū)第一Mo金屬層；302:顯不區(qū)Al金屬層；303:顯示區(qū)第二 Mo金屬層。
【具體實施方式】
[0032]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033]實施例一
[0034]本發(fā)明實施例提供了一種如圖1所示的陣列基板，包括襯底基板I，本實施例中襯底基板I優(yōu)選為玻璃基板，襯底基板I的綁定區(qū)2設(shè)有綁定區(qū)電極21，襯底基板I的顯示區(qū)3設(shè)有信號線31，具體地，信號線31可以為數(shù)據(jù)線或柵線，由于與數(shù)據(jù)線連接的綁定區(qū)電極腐蝕較為嚴(yán)重，本實施例中顯示區(qū)的信號線優(yōu)選為數(shù)據(jù)線。綁定區(qū)電極21通過綁定連接線22與信號線31連接，綁定區(qū)電極21以及綁定連接線22均采用金屬Mo制成，信號線31的材質(zhì)包括依次疊加設(shè)置的Mo、Al、Mo三層金屬層。
[0035]與現(xiàn)有的陣列基板上綁定區(qū)電極與信號線均采用MoAIMo制成相比，本發(fā)明實施例中的陣列基板中采用金屬Mo制成綁定區(qū)電極21和綁定連接線22，金屬Mo的抗腐蝕能力和抗機(jī)械劃傷的能力較強(qiáng)，在需要進(jìn)行維修去除綁定區(qū)電極21表面的ACF時，不易損壞綁定區(qū)電極21，提高了維修成功率，減少了襯底基板I的報廢。另外，由于Mo的導(dǎo)電能力小于Al的導(dǎo)電能力，綁定區(qū)電極21、綁定連接線22與信號線31均采用Mo制成會使產(chǎn)品存在殘影不良缺陷的風(fēng)險，且由于Mo的刻蝕速度小于Al的刻蝕速度，若全部采用金屬Mo制作會影響到陣列基板的部分產(chǎn)能。本發(fā)明實施例中信號線31采用MoAIMo材質(zhì)保證了信號線31的導(dǎo)電性，避免了制作出的產(chǎn)品產(chǎn)生殘影等不良。并且僅綁定區(qū)電極21和綁定連接線22設(shè)置為Mo，而信號線31仍然是采用MoAIMo保證了陣列基板的生產(chǎn)速度，進(jìn)而不會對產(chǎn)能造成影響。
[0036]進(jìn)一步地，本實施例中綁定區(qū)電極21、綁定連接線22以及信號線31的厚度相同。設(shè)置為相同的厚度便于陣列基板的制作，并且提高了整體的導(dǎo)電性能。
[0037]進(jìn)一步地，本實施例中的信號線31與綁定連接線22之間通過連接段4連接，連接段4包括依次疊加設(shè)置的Μο、Α1、Μο三層金屬層。由于信號線31與綁定連接線22采用不同材質(zhì)制成，兩者之間通過連接段4連接能夠增強(qiáng)信號線與綁定連接線之間的導(dǎo)電性。
[0038]實施例二
[0039]本發(fā)明實施例二提供了一種實施例一中的陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0040]SI，提供一襯底基板I;
[0041]S2，在襯底基板I的綁定區(qū)2依次制作多層Mo金屬層，并在制作一層金屬層后根據(jù)綁定區(qū)電極21以及綁定連接線22的形狀進(jìn)行一次刻蝕，形成綁定區(qū)電極21以及綁定連接線22;在襯底基板I的顯示區(qū)3依次制作Μο、Α1、Μο三層金屬層，并在制作一層金屬層后根據(jù)信號線31的形狀對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成信號線31，信號線31與綁定連接線22相連接。
[0042]具體地，在襯底基板I的綁定區(qū)2逐層制作三層Mo金屬層，并在制作每層金屬層后根據(jù)綁定區(qū)電極21以及綁定連接線22的形狀進(jìn)行一次刻蝕，經(jīng)三次刻蝕后形成由設(shè)定厚度Mo金屬制成的綁定區(qū)電極21以及綁定連接線22。在襯底基板I的顯示區(qū)3制作一層Mo金屬層，并在Mo金屬層形成后根據(jù)信號線31的形狀對Mo金屬層進(jìn)行刻蝕，在Mo金屬層的上方制作Al金屬層，并在Al金屬層形成后根據(jù)信號線31的形狀對Al金屬層進(jìn)行刻蝕，在Al金屬層完成后在Al金屬層的上方制作Mo金屬層，并在Mo金屬層形成后根據(jù)信號線31的形狀對Mo金屬層進(jìn)行刻蝕，經(jīng)三次刻蝕后形成依次疊加設(shè)置的Μο、Α1、Μο三層金屬層制成的信號線。本實施例中顯示區(qū)3的每層金屬層制作時均直接與綁定區(qū)2的三層金屬層連接，制備工藝簡單。
[0043]具體地，本實施例中的金屬層的制作均采用真空磁控濺射工藝。采用真空磁控濺射工藝金屬層的沉積速度快，能夠提高生產(chǎn)效率。
[0044]實施例三
[0045]本實施例三與實施例二相同的技術(shù)內(nèi)容不重復(fù)描述，實施例二公開的內(nèi)容也屬于本實施例三公開的內(nèi)容，本實施例三是對具體步驟S2的進(jìn)一步優(yōu)化:如圖2和圖3所示，在襯底基板I的綁定區(qū)2制作綁定區(qū)電極21及綁定連接線22，在襯底基板I的顯示區(qū)3制作信號線31，在信號線31與綁定連接線22之間依次制作Μο、Α1、Μο三層金屬層，并在制作一層金屬層后對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成第一連接段41。第一連接段41的制作過程同上述信號線的制作過程，均為每制作一層金屬層后，對每層金屬層進(jìn)行刻蝕，三層金屬層依次進(jìn)行制作刻蝕，最終得到連接信號線31和綁定連接線22的第一連接段41。在第一連接段41形成后，在第一連接段41的上方以及信號線31、綁定連接線22靠近第一連接段41的一端的上方設(shè)置有第二連接段42，第二連接段42將信號線31、第一連接段41和第二連接段42連接在一起，第二連接段42包括依次疊加設(shè)置的Μο、Α1、Μο三層金屬，第二連接段42的制造過程同上述第一連接段41的制作過程，均為均為每制作一層金屬層后，對每層金屬層進(jìn)行刻蝕，三層金屬層依次進(jìn)行制作刻蝕。
[0046]由于綁定連接線22與信號線31的材質(zhì)不同，兩者直接連接容易出現(xiàn)連接不良的缺陷，因此，本實施例中采用分別制作綁定連接線和信號線，然后在兩者的連接處設(shè)置第一連接段和第二連接段，增大了綁定連接線和信號線接頭處的接觸面積，保證了良好的導(dǎo)電性。
[0047]實施例四
[0048]本實施例四與實施例二相同的技術(shù)內(nèi)容不重復(fù)描述，實施例二公開的內(nèi)容也屬于本實施例四公開的內(nèi)容，本實施例四是對具體步驟S2的進(jìn)一步優(yōu)化:如圖4所示，在襯底基板I的綁定區(qū)2制作綁定區(qū)第一 Mo金屬層201，并根據(jù)綁定區(qū)電極21及綁定連接線22的形狀對其進(jìn)行刻蝕；
[0049]在襯底基板I的顯示區(qū)3制作一層與綁定區(qū)第一Mo金屬層201相連接的顯示區(qū)第一Mo金屬層301，并根據(jù)顯示區(qū)信號線31的形狀對其進(jìn)行刻蝕；
[0050]在綁定區(qū)第一Mo金屬層201的上方依次制作綁定區(qū)第二 Mo金屬層202和綁定區(qū)第三Mo金屬層203，綁定區(qū)第二 Mo金屬層202和綁定區(qū)第三Mo金屬層203靠近顯示區(qū)3的一端均與綁定區(qū)第一Mo金屬層201和顯示區(qū)第一Mo金屬層301的連接處留有間隙，并分別在綁定區(qū)第二 Mo金屬層202形成后和綁定區(qū)第三Mo金屬層203形成后根據(jù)綁定區(qū)電極21及綁定連接線22的形狀對金屬層進(jìn)行刻蝕，最終在綁定區(qū)2形成包括三層Mo金屬的綁定區(qū)電極21及綁定連接線22;
[0051 ] 在顯示區(qū)第一 Mo金屬層301的上方依次制作顯示區(qū)Al金屬層302和顯示區(qū)第二 Mo金屬層303，顯示區(qū)Al金屬層302和顯示區(qū)第二 Mo金屬層303靠近綁定區(qū)2的一端均與綁定區(qū)第一Mo金屬層201和顯示區(qū)第一Mo金屬層301的連接處留有間隙，并分別在顯示區(qū)Al金屬層302形成后和顯示區(qū)第二 Mo金屬層303形成后根據(jù)信號線31的形狀對金屬層進(jìn)行刻蝕，最終在顯示區(qū)3形成包括依次疊加設(shè)置的Μο、Α1、Μο三層金屬的信號線31;
[0052]在綁定區(qū)第二 Mo金屬層202和綁定區(qū)第三Mo金屬層203與顯示區(qū)Al金屬層302和顯示區(qū)第二 Mo金屬層303之間的間隙內(nèi)依次制作一層金屬Al和一層金屬Mo，并在制作一層金屬層后對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，最終形成綁定連接線22與信號線31的連接段4。如圖4虛線框中所示，綁定連接線22與信號線31之間的連接段4仍然是包括依次疊加設(shè)置的Μο、Α1、Μο三層金屬層。
[0053]實施例五
[0054]本發(fā)明實施例三還提供了一種顯示器件，包括實施例一中的陣列基板。顯示器件可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、數(shù)碼相框等任何具有顯示功能的產(chǎn)品。
[0055]最后應(yīng)說明的是:以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制;盡管參照前述實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，其特征在于:包括襯底基板，所述襯底基板的綁定區(qū)設(shè)有綁定區(qū)電極，所述襯底基板的顯示區(qū)設(shè)有信號線，所述綁定區(qū)電極通過綁定連接線與所述信號線連接，所述綁定區(qū)電極以及綁定連接線均采用金屬Mo制成，所述信號線的材質(zhì)包括依次疊加設(shè)置的Mo、Al、Mo三層金屬層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于:所述信號線為數(shù)據(jù)線。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于:所述綁定區(qū)電極、綁定連接線以及信號線的厚度相同。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于:所述信號線與所述綁定連接線之間通過連接段連接，所述連接段包括依次疊加設(shè)置的Mo、Al、Mo三層金屬層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于:所述襯底基板為玻璃基板。6.—種如權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: SI，提供一襯底基板； S2，在所述襯底基板的綁定區(qū)依次制作多層Mo金屬層，并在制作一層金屬層后根據(jù)所述綁定區(qū)電極以及綁定連接線的形狀進(jìn)行一次刻蝕，形成所述綁定區(qū)電極以及綁定連接線；在所述襯底基板的顯示區(qū)依次制作Μο、Α1、Μο三層金屬層，并在制作一層金屬層后根據(jù)所述信號線的形狀對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成所述信號線，所述信號線與所述綁定連接線相連接。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括:在所述襯底基板的綁定區(qū)制作所述綁定區(qū)電極及綁定連接線，在所述襯底基板的顯示區(qū)制作所述信號線，在所述信號線與所述綁定連接線之間依次制作Μο、Α1、Μο三層金屬層，并在制作一層金屬層后對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成第一連接段； 在所述第一連接段的上方以及所述信號線與所述綁定連接線靠近所述第一連接段的一端設(shè)有連接所述信號線、第一連接段和綁定連接線的第二連接段，所述第二連接段包括依次疊加設(shè)置的Mo、Al、Mo三層金屬。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述步驟S2具體包括: 在所述襯底基板的綁定區(qū)制作綁定區(qū)第一 Mo金屬層，并根據(jù)所述綁定區(qū)電極及綁定連接線的形狀對其進(jìn)行刻蝕； 在所述襯底基板的顯示區(qū)制作一層與綁定區(qū)第一 Mo金屬層相連接的顯示區(qū)第一 Mo金屬層，并根據(jù)所述顯示區(qū)信號線的形狀對其進(jìn)行刻蝕； 在所述綁定區(qū)第一 Mo金屬層的上方依次制作綁定區(qū)第二 Mo金屬層和綁定區(qū)第三Mo金屬層，所述綁定區(qū)第二 Mo金屬層和綁定區(qū)第三Mo金屬層靠近所述顯示區(qū)的一端均與所述綁定區(qū)第一 Mo金屬層和所述顯示區(qū)第一 Mo金屬層的連接處留有間隙，并分別在綁定區(qū)第二 Mo金屬層和綁定區(qū)第三Mo金屬層形成后根據(jù)所述綁定區(qū)電極及綁定連接線的形狀對其進(jìn)行刻蝕，最終在綁定區(qū)形成包括三層Mo金屬的綁定區(qū)電極及綁定連接線； 在所述顯示區(qū)第一 Mo金屬層的上方依次制作顯示區(qū)Al金屬層和顯示區(qū)第二 Mo金屬層，所述顯示區(qū)Al金屬層和顯示區(qū)第二 Mo金屬層靠近所述綁定區(qū)的一端均與所述綁定區(qū)第一Mo金屬層和所述顯示區(qū)第一Mo金屬層的連接處留有間隙，并分別在顯示區(qū)Al金屬層形成后和顯示區(qū)第二 Mo金屬層形成后根據(jù)信號線的形狀對其進(jìn)行刻蝕，最終在所述顯示區(qū)形成包括依次疊加設(shè)置的Μο、Α1、Μο三層金屬的所述信號線； 在所述綁定區(qū)第二 Mo金屬層和綁定區(qū)第三Mo金屬層與顯示區(qū)Al金屬層和顯示區(qū)第二Mo金屬層之間的間隙內(nèi)依次制作一層金屬Al和一層金屬Mo，并在制作一層金屬層后對金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成所述綁定連接線與信號線的連接段。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于:所述金屬層均采用真空磁控濺射工藝制成。10.一種顯示器件，其特征在于:包括如權(quán)利要求1-5任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK105870131SQ201610232731
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年4月14日
【發(fā)明人】郝西魁, 張正元, 劉明輝, 丁紅杰, 程雪連, 李明偉
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司