薄膜晶體管基底、其制造方法、顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】提供了一種薄膜晶體管(TFT)基底、包括TFT基底的顯示裝置、制造TFT基底的方法和制造顯示裝置的方法。所述薄膜晶體管(TFT)基底包括：基底；TFT，在基底上；以及絕緣層，包括至少一個(gè)虛設(shè)孔，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔在TFT的上部區(qū)域和TFT的外圍區(qū)域中的一個(gè)或更多個(gè)中，在至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋的材料是與絕緣層的材料不同的絕緣材料。
【專利說明】薄膜晶體管基底、其制造方法、顯示裝置及其制造方法
[0001 ] 于2015年2月9日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的且題為“Thin Film TransistorSubstrate,Display Apparatus Including Thin Film Transistor Substrate,Methodof Manufacturing Thin Film Transistor Substrate,and Method of ManufacturingDisplay Apparatus”(薄膜晶體管基底、包括薄膜晶體管基底的顯示裝置、制造薄膜晶體管基底的方法及制造顯示裝置的方法)的第10-2015-0019663號韓國專利申請通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例涉及薄膜晶體管(TFT)基底、包括所述TFT基底的顯示裝置、制造TFT基底的方法和制造所述顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]薄膜晶體管(TFT)基底可以指的是至少一個(gè)TFT形成在基底上的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^使用所述TFT基底來制造顯示裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]可以通過提供一種薄膜晶體管(TFT)基底來實(shí)現(xiàn)實(shí)施例，所述TFT基底包括:基底；TFT，在基底上；以及絕緣層，包括至少一個(gè)虛設(shè)孔，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔在TFT的上部區(qū)域和TFT的外圍區(qū)域中的一個(gè)或更多個(gè)中，在至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋的材料是與絕緣層的材料不同的絕緣材料。
[0005 ]絕緣層可以包括其中填埋導(dǎo)電材料的至少一個(gè)接觸孔。
[0006]至少一個(gè)虛設(shè)孔可以具有與至少一個(gè)接觸孔的寬度基本相同的寬度。
[0007]TFT可以包括在基底上的有源圖案和與有源圖案的至少一部分疊置的柵電極，TFT基底還可以包括通過在至少一接觸孔中填埋的導(dǎo)電材料電連接到有源圖案的導(dǎo)電層，絕緣層可以是在柵電極與導(dǎo)電層之間的層間絕緣層。
[0008]TFT基底還可以包括覆蓋絕緣層和導(dǎo)電層的平坦化層。平坦化層的一部分可以填埋在至少一個(gè)虛設(shè)孔中。
[0009]TFT基底還可以包括在有源圖案與柵電極之間的柵極絕緣層。至少一個(gè)虛設(shè)孔可以包括穿透柵極絕緣層并延伸到基底的上表面的第一虛設(shè)孔。
[0010]至少一個(gè)虛設(shè)孔可以包括延伸到柵電極的上表面的第二虛設(shè)孔。
[0011]TFT基底還可以包括:第一柵極絕緣層，在有源圖案與柵電極之間，第一柵極絕緣層包括氧化硅；以及第二柵極絕緣層，在第一柵極絕緣層與柵電極之間，第二柵極絕緣層包括氮化硅。
[0012]柵電極可以包括鋁(Al)。
[0013]TFT可以包括在基底上的有源圖案和與有源圖案的至少一部分疊置的柵電極，TFT基底還可以包括:第一導(dǎo)電層，在柵電極上，第一導(dǎo)電層包括與柵電極的至少一部分疊置的上電極；以及第二導(dǎo)電層，包括通過在至少一個(gè)接觸孔中填埋的導(dǎo)電材料電連接到上電極的電源線，電源線將電源電壓施加到上電極。上電極和柵電極可以形成電容器，絕緣層可以是在第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層之間的層間絕緣層。
[0014]TFT基底還可以包括覆蓋絕緣層和第二導(dǎo)電層的平坦化層。平坦化層的一部分可以填埋在至少一個(gè)虛設(shè)孔中。
[0015]TFT基底還可以包括:柵極絕緣層，在有源圖案與柵電極之間；以及介電層，在柵電極與第一導(dǎo)電層之間。至少一個(gè)虛設(shè)孔可以包括穿透柵極絕緣層和介電層并延伸到基底的上表面的第一虛設(shè)孔。
[0016]至少一個(gè)虛設(shè)孔可以包括延伸到上電極的上表面的第二虛設(shè)孔。
[0017]絕緣層可以包括無機(jī)絕緣材料，在至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋的材料可以是有機(jī)絕緣材料。
[0018]虛設(shè)孔可以是圓形、橢圓形或多邊形形狀。
[0019]可以通過提供一種顯示裝置來實(shí)現(xiàn)實(shí)施例，所述顯示裝置包括:薄膜晶體管(TFT)基底；以及在TFT基底上的顯示器件。
[0020]可以通過提供一種制造薄膜晶體管(TFT)基底的方法來實(shí)現(xiàn)實(shí)施例，所述方法包括:在基底上形成TFT;在TFT的上部區(qū)域和TFT的外圍區(qū)域中的一個(gè)或更多個(gè)中形成包括至少一個(gè)虛設(shè)孔的絕緣層；以及在至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋與所述絕緣層的材料不同的絕緣材料。
[0021]形成絕緣層的步驟可以包括:形成絕緣層，使得絕緣層可以包括至少一個(gè)虛設(shè)孔和至少一個(gè)接觸孔，所述方法還可以包括:在至少一個(gè)接觸孔中填埋導(dǎo)電材料。
[0022]形成絕緣層的步驟可以包括:將至少一個(gè)虛設(shè)孔和至少一個(gè)接觸孔形成為具有基本相同的寬度。
[0023]形成TFT的步驟可以包括:在基底上形成有源圖案，并形成柵電極，使得柵電極與有源圖案的至少一部分疊置，在至少一個(gè)接觸孔中填埋導(dǎo)電材料的步驟可以包括:形成通過在至少一個(gè)接觸孔中填埋的導(dǎo)電材料電連接到有源圖案的導(dǎo)電層，形成絕緣層的步驟可以包括:在形成柵電極的步驟與形成導(dǎo)電層的步驟之間形成層間絕緣層。
[0024]所述方法還可以包括:形成覆蓋絕緣層和導(dǎo)電層的平坦化層。平坦化層的一部分填埋在至少一個(gè)虛設(shè)孔中。
[0025]所述方法還可以包括:在形成有源圖案的步驟與形成柵電極的步驟之間形成柵極絕緣層。形成絕緣層的步驟還可以包括:形成穿透柵極絕緣層并延伸到基底的上表面的第一虛設(shè)孔。
[0026]形成絕緣層的步驟可以包括:在基底上涂覆絕緣材料；以及形成延伸到柵電極的上表面的第二虛設(shè)孔。
[0027]形成絕緣層的步驟可以包括:形成可包括無機(jī)絕緣材料的絕緣層，在至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋的材料可以是有機(jī)絕緣材料。
[0028]虛設(shè)孔可以是圓形、橢圓形或多邊形形狀。
[0029]可以通過提供一種制造顯示裝置的方法來實(shí)現(xiàn)實(shí)施例，所述方法包括:制備薄膜晶體管(TFT)基底；以及在TFT基底上形成顯示器件。
【附圖說明】
[0030]通過參照附圖對示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，特征對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將變得明顯，在附圖中:
[0031]圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)基底的示例性平面圖；
[0032]圖2示出沿圖1的線I1-1I截取的圖1的TFT基底的示意性剖視圖；
[0033]圖3示出圖1的TFT基底的示意性剖視圖；
[0034I圖4示出根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底的示意性平面圖；
[0035]圖5示出沿圖4的線V-V截取的圖4的TFT基底的示意性剖視圖；
[0036]圖6示出圖4的TFT基底的示意性剖視圖；
[0037]圖7示出圖6的部分VII的概念視圖；以及
[0038]圖8至圖12示出制造圖1的TFT基底的方法的示意性剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]現(xiàn)將在下文參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例；然而，示例實(shí)施例可以以不同的形式實(shí)現(xiàn)并不應(yīng)該解釋為受限于在這里闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開將是徹底的和完整的，并將把示例性實(shí)施方式充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0040]如這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任何和所有組合。當(dāng)諸如“……中的至少一個(gè)(種)”的表達(dá)出現(xiàn)在一列元件之后時(shí)，修飾整列元件而不是修飾該列的個(gè)別元件。附圖中的同樣的附圖標(biāo)號表示同樣的元件，因此將不重復(fù)它們的描述。
[0041]將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種組件，但是這些組件不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些組件僅用于將一個(gè)組件與另一組件區(qū)分開。如在這里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。
[0042]還將理解的是，在這里使用的術(shù)語“包括”和/或“包含”表明存在陳述的特征或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其他特征或組件。將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱為“形成在”另一層、區(qū)域或組件“上”時(shí)，該層、區(qū)域或組件可以直接地或間接地形成在所述另一層、區(qū)域或組件上。即，例如，可以存在中間層、區(qū)域或組件。
[0043]附圖中的組件的尺寸可以為了便于解釋而被夸大。換言之，因?yàn)楦綀D中的組件的尺寸和厚度為了便于解釋而被隨意示出，故下面的實(shí)施例不限于此。
[0044]在下面的示例中，X軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個(gè)軸，且可以以更廣泛的含義來解釋。例如，X軸、y軸和z軸可以彼此垂直，或可以表示彼此不垂直的三個(gè)方向。
[0045]當(dāng)特定實(shí)施例可以以不同方式實(shí)施時(shí)，可以以與所描述的順序不同的順序來執(zhí)行具體工藝順序。例如，兩個(gè)連續(xù)描述的工藝可以基本上同時(shí)執(zhí)行或以與所描述的順序相反的順序執(zhí)行。
[0046]圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)基底I的示意性平面圖。圖2示出沿圖1的線I1-1I截取的圖1的TFT基底I的示意性剖視圖。
[0047]參照圖1和圖2，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底I可以包括基底100、TFT Tl以及可包括第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的絕緣層IL。
[0048]基底100可以由各種材料(例如，玻璃材料、金屬材料或諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚酰亞胺的塑料材料)形成?；?00可以包括其中設(shè)置有多個(gè)像素PXL的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域。
[0049]可以顯示圖像的至少一個(gè)像素PXL可以設(shè)置在基底100上。當(dāng)有多個(gè)像素PXL時(shí)，像素PXL可以以矩陣形式布置。為了便于描述，在本示例性實(shí)施例中僅示出一個(gè)像素PXL。在實(shí)施例中，如圖1中所示，像素PXL可以是矩形形狀。在實(shí)施例中，像素PXL的形狀可以以各種方式修改。像素PXL可以具有不同的尺寸。例如，具有不同顏色的像素PXL可以根據(jù)每個(gè)像素PXL的顏色而具有不同的尺寸或形狀。
[0050]像素PXL可以包括布線部分、連接到布線部分的TFT Tl和TFT T2、連接到TFT Tl和TFT T2的有機(jī)發(fā)光器件(OLED)以及電容器Cst，布線部分可以包括柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和驅(qū)動(dòng)電壓線DVL。
[0051]柵極線GL可以沿一個(gè)方向延伸，數(shù)據(jù)線DL可以沿與柵極線GL相交的另一方向延伸。驅(qū)動(dòng)電壓線DVL可以沿與數(shù)據(jù)線DL基本相同的方向延伸。柵極線GL可以將掃描信號傳輸?shù)絋FT Tl和TFT T2，數(shù)據(jù)線DL可以將數(shù)據(jù)線號傳輸?shù)絋FT Tl和TFT T2，驅(qū)動(dòng)電壓線DVL可以將驅(qū)動(dòng)電壓供給到TFT Tl和TFT T2。
[0052]TFT Tl可以被稱為可控制OLED的驅(qū)動(dòng)TFT Tl,TFT T2可以被稱為切換驅(qū)動(dòng)TFT Tl的開關(guān)TFT T2。根據(jù)示例性實(shí)施例，像素PXL可以包括例如兩個(gè)TFT Tl和TFT T2。像素PXL可以包括一個(gè)TFT和一個(gè)電容器，或可以包括三個(gè)或更多個(gè)TFT和兩個(gè)或更多個(gè)電容器。
[0053]驅(qū)動(dòng)TFTTl可以包括第一柵電極gl、第一源電極Si和第一漏電極dl。第一柵電極gl可以連接到開關(guān)TFT T2，第一源電極Si可以連接到驅(qū)動(dòng)電壓線DVL，第一漏電極dl可以連接到OLED。
[0054]至少一個(gè)虛設(shè)孔可以形成在驅(qū)動(dòng)TFTTl的上部區(qū)域或外圍區(qū)域中。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以形成在絕緣層IL中。根據(jù)實(shí)施例，第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以延伸到位于絕緣層IL下方的層。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以不電連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl或不電連接到TFT Tl周圍的任何器件或布線，第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2中填埋的材料可以是與用于形成第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2所在的絕緣層IL的材料不同的絕緣材料。
[0055]開關(guān)TFTT2可以包括第二柵電極g2、第二源電極s2和第二漏電極d2。第二柵電極g2可以連接到柵極線GL，第二源電極s2可以連接到數(shù)據(jù)線DL。第二漏電極d2可以連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的柵電極(S卩，第一柵電極gl)。開關(guān)TFT T2可以根據(jù)施加到柵極線GL的掃描信號將施加到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)津?qū)動(dòng)TFT Tl。
[0056]顯示器件可以布置在TFT基底I上。在示例性實(shí)施例中，OLED可以布置為根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示器件。液晶顯示器(LCD)可以布置為顯示器件。OLED可以包括發(fā)射層EML以及可彼此面對的第一電極ELl和第二電極EL2，其中，發(fā)射層EML設(shè)置于第一電極ELl和第二電極EL2之間。第一電極ELl可以連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的第一漏電極dl。共電壓可以施加到第二電極EL2，發(fā)射層EML可以通過根據(jù)驅(qū)動(dòng)TFT Tl的輸出信號發(fā)光來顯示圖像。
[0057]電容器Cst可以連接到驅(qū)動(dòng)TFTTl的第一柵電極gl與第一源電極Si之間的區(qū)域，且可以對輸出到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的第一柵電極gl的數(shù)據(jù)信號予以填充和維持。
[0058]在下文中，參照圖2，將根據(jù)堆疊順序描述根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底I。
[0059]根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底I可以包括可具有絕緣性能的基底100 JFT Tl和TFTT2以及電容器Cst可以堆疊在基底100上。IXD或OLED可以布置在TFT基底I上。本示例性實(shí)施例公開了OLED可以布置在TFT基底I上的示例。
[0060]參照圖2，緩沖層BFL可以設(shè)置在基底100上。緩沖層BFL可以使基底100的上表面平坦化或阻止雜質(zhì)在驅(qū)動(dòng)TFT TI中擴(kuò)散。緩沖層BFL可以由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅形成?？梢愿鶕?jù)基底100的材料和制造條件省略緩沖層BFL。
[0061]第一有源圖案Actl可以設(shè)置在緩沖層BFL上。第一有源圖案Actl可以由半導(dǎo)體材料形成并可以包括非晶硅、多晶硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料。第一有源圖案Act I可以用作驅(qū)動(dòng)TFT TI的有源層。第一有源圖案Ac11可以包括源區(qū)SA、漏區(qū)DA和設(shè)置在源區(qū)SA與漏區(qū)DA之間的溝道區(qū)CA。第一有源圖案Actl的源區(qū)SA和漏區(qū)DA可以用η型或P型雜質(zhì)摻雜。
[0062]柵極絕緣層GI可以設(shè)置在第一有源圖案Actl上。柵極絕緣層GI可以由例如氧化硅和/或氮化硅形成，第一有源圖案Actl可以與第一柵電極gl絕緣。
[0063]根據(jù)本示例性實(shí)施例，柵極絕緣層GI可以具有多層結(jié)構(gòu)。如圖2中所示，柵極絕緣層GI可以包括第一柵極絕緣層GIl和第二柵極絕緣層GI2。柵極絕緣層GI可以形成為多層結(jié)構(gòu)以防止當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)柵極絕緣層GI被蝕刻。
[0064]第一柵極絕緣層GIl可以設(shè)置在第一有源圖案Actl與第一柵電極gl之間，并可以包括氧化硅。第二柵極絕緣層GI2可以設(shè)置在第一柵極絕緣層GIl與第一柵電極gl之間，并可以包括氮化硅。第二柵極絕緣層GI2可以形成在第一柵極絕緣層GIl上方。與包括氧化硅的第一柵極絕緣層GIl相比，包括氮化硅的第二柵極絕緣層GI2可以相對更耐抗蝕刻溶液(對蝕刻溶液相對更具有耐抗性)，當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)，柵極絕緣層GI可以較少地被損壞。
[0065]第一柵電極gl可以設(shè)置在柵極絕緣層GI上。第一柵電極gl可以與第一有源圖案Actl的至少一部分疊置。第一柵電極gl可以設(shè)置為覆蓋第二柵極絕緣層GI2的可與第一有源圖案Actl的溝道區(qū)CA對應(yīng)的區(qū)域?？紤]到導(dǎo)電性，可以通過使用金屬材料來形成第一柵電極gl。根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一柵電極gl可以包括鋁(Al) Al可以提供比其他金屬材料更好的制造余限(margin)，且Al可以用于制造可以顯示高分辨率圖像的TFT基底。
[0066]絕緣層IL可以設(shè)置在第一柵電極gl上以覆蓋第一柵電極gl。絕緣層IL可以被稱為層間絕緣層IL。此層間絕緣層IL可以形成為氧化硅或氮化硅的單層或多層。
[0067]層間絕緣層IL可以包括其中填埋導(dǎo)電材料的至少一個(gè)接觸孔。在接觸孔CNTl中填埋的導(dǎo)電材料可以被視為可形成驅(qū)動(dòng)TFT TI的第一源電極sI和第一漏電極dl的導(dǎo)電層CL。OLED的第一電極ELl和驅(qū)動(dòng)TFT TI可以通過在接觸孔CNTI中填埋的導(dǎo)電材料彼此電連接。
[0068]層間絕緣層IL可以包括在驅(qū)動(dòng)TFTTl的外圍區(qū)域中的至少一個(gè)第一虛設(shè)孔DH1。第一虛設(shè)孔DHl可以穿透柵極絕緣層GI并延伸到基底100的上表面。第一虛設(shè)孔DHl的位置可以不限制于圖1和圖2中示出的位置。任何數(shù)量的第一虛設(shè)孔DHl可以位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中的任何地方。圖1示出第一虛設(shè)孔DHl可以是正方形形狀。在實(shí)施例中，第一虛設(shè)孔DHl可以是圓形、橢圓形或多邊形形狀。
[0069]第一虛設(shè)孔DHl中填埋的材料可以與層間絕緣層IL的材料不同。在層間絕緣層IL上的平坦化層PL可以填埋在第一虛設(shè)孔DHl中。第一虛設(shè)孔DHl可以不電連接到TFT基底I中的任何布線或器件。第一虛設(shè)孔DHl的寬度Wl可以與接觸孔CNTl的寬度W3基本相同。
[0070]第一源電極Si和第一漏電極dl(S卩，導(dǎo)電層CL)可以設(shè)置在層間絕緣層IL上。參照圖1，第一源電極Si和第一漏電極dl分別可以通過在柵極絕緣層GI和層間絕緣層IL中形成的接觸孔CNTl接觸第二有源圖案Act2的源區(qū)和漏區(qū)。第二源電極s2和第二漏電極d2分別可以通過在柵極絕緣層GI和層間絕緣層IL中形成的接觸孔CNT2接觸第一有源圖案Actl的源區(qū)SA和漏區(qū)DA。
[0071]第一源電極Si和第一漏電極dl中的每個(gè)可以形成為由選自于Al、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中的至少一種導(dǎo)電材料形成的單層或所述導(dǎo)電材料的多層。
[0072]第一柵電極gl的一部分和驅(qū)動(dòng)電壓線DVL的一部分分別是第一電容器電極Cl和第二電容器電極C2。具有層間絕緣層IL設(shè)置在其間的第一電容器電極Cl和第二電容器電極C2可以形成電容器Cst。第一電容器電極Cl可以被視為電容器Cst的上電極，第二電容器電極C2可以被視為電容器Cs t的下電極。
[0073]平坦化層PL可以設(shè)置在第一源電極Si和第一漏電極dl上。平坦化層PL可以設(shè)置為覆蓋層間絕緣層IL和導(dǎo)電層CL。平坦化層PL可以由例如有機(jī)絕緣材料(諸如丙烯酰類材料或苯并環(huán)丁烯(BCB))形成。平坦化層PL可以用作可保護(hù)驅(qū)動(dòng)TFT Tl和開關(guān)TFT T2的保護(hù)層，或可以用作可使驅(qū)動(dòng)TFT Tl和開關(guān)TFT T2的上表面平坦化的平坦化層。
[0074]根據(jù)本示例性實(shí)施例，平坦化層PL的一部分可以填埋在第一虛設(shè)孔DHl中。如上所述，平坦化層PL可以由例如有機(jī)絕緣材料形成，第一虛設(shè)孔DHl可以不電連接到TFT基底I的任何布線或器件。
[0075]驅(qū)動(dòng)TFTTl的性能可以通過可位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中的第一虛設(shè)孔DHl來修改。例如，當(dāng)執(zhí)行退火時(shí)，第一有源圖案Actl的界面中的氫離子可以快速地?cái)U(kuò)散到外部(例如，因?yàn)樵隍?qū)動(dòng)TFT TI的外圍區(qū)域中形成的第一虛設(shè)孔DHl) ο當(dāng)大量的氫離子擴(kuò)散到外部時(shí)，例如，由于第一虛設(shè)孔DHl，所以界面陷阱密度(Dit)值可以增大，驅(qū)動(dòng)TFT Tl的迀移率可以減小。因此，可以修改驅(qū)動(dòng)TFT TI的性能。關(guān)于上面的描述，TFT的性能可以根據(jù)TFT的作用通過調(diào)整第一虛設(shè)孔DHl的位置和數(shù)量而容易地修改。
[0076]顯示器件可以設(shè)置在TFT基底I上。根據(jù)本示例性實(shí)施例，OLED可以設(shè)置為顯示器件。OLED可以包括第一電極ELl、第二電極EL2和可設(shè)置在第一電極ELl與第二電極EL2之間的可包括發(fā)射層EML的中間層。
[0077]OLED的第一電極ELl可以設(shè)置在平坦化層PL上。第一電極ELl可以是像素電極。第一電極ELI可以通過在平坦化層PL中形成的接觸孔CNT3電連接到驅(qū)動(dòng)TFT TI的第一漏電極
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[0078]第一電極ELl可以通過使用高逸出功材料來形成。如果基底100是相對于基底100沿向下方向顯示圖像的底部發(fā)射型，則第一電極ELl可以形成為由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)和氧化銦錫鋅(ITZO)形成的透明導(dǎo)電層。根據(jù)示例性實(shí)施例，如果基底100是相對于基底100沿向上方向顯示圖像的頂部發(fā)射型，則第一電極ELl可以形成為由八8、1%^1、？1?(1^11、祖、則、&或(>形成的金屬反射膜或由11'0、120、2110或打20形成的透明導(dǎo)電層。
[0079]相對于每個(gè)像素限定發(fā)射區(qū)域的像素限定層TOL可以設(shè)置在基底100上?？梢孕纬上袼叵薅▽覶OL，使得可以覆蓋像素的邊界并可以暴露第一電極ELl的上表面。
[0080]發(fā)射層EML可以設(shè)置在第一電極ELl的可由像素限定層PDL暴露的部分上，第二電極EL2可以設(shè)置在發(fā)射層EML上。
[0081]根據(jù)示例性實(shí)施例，下公共層可以設(shè)置在第一電極ELl與發(fā)射層EML之間，上公共層可以設(shè)置在發(fā)射層EML與第二電極EL2之間。下公共層和上公共層可以用作載流子傳輸層，并可以共同地堆疊在每個(gè)像素上。下公共層可以包括空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)，上公共層可以包括電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)。根據(jù)本示例性實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝浑姌OELl是像素電極時(shí)，下公共層、上公共層和發(fā)射層EML可以以下面的順序堆疊在第一電極ELl上:HIL、HTL、發(fā)射層EML、ETL、EIL和第二電極EL2。在實(shí)施例中，可以修改下公共層和上公共層。
[0082]第二電極EL2可以設(shè)置為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為透明電極時(shí)，第二電極EL2可以包括上述的透明導(dǎo)電材料。當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為反射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括金屬反射膜。第二電極EL2可以設(shè)置在基底100的整個(gè)表面上。
[0083]當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為(半)透明電極時(shí)，第二電極EL2可以包括由低逸出功金屬(例如，1^丄&、1^/^、1^/^1^1^8、1%和它們的組合中的一種)形成的層以及由11'0、120、ZnO和In2O3形成的(半)透明導(dǎo)電層。當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為反射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括由1^工&、1^/^、1^/^1^1^8、1^和它們的組合中的一種形成的層。在實(shí)施例中，可以以各種方式修改第二電極EL2的結(jié)構(gòu)和材料。
[0084]包封層可以形成在第二電極EL2上。包封層可以通過堆疊多個(gè)無機(jī)層或交替堆疊有機(jī)層和無機(jī)層來形成。
[0085]根據(jù)示例性實(shí)施例，包封基底可以設(shè)置在第二電極EL2上?；?00可以由包封基底密封。
[0086]圖1中示出的平面圖僅是示例?？梢愿鶕?jù)設(shè)計(jì)修改TFT基底I。
[0087]圖3示出圖1的TFT基底I的示意性剖視圖。在圖3中，TFT基底I不僅包括第一虛設(shè)孔DH1，而且還包括第二虛設(shè)孔DH2。參照圖1和圖3，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底I可以包括基底100、TFT Tl以及可以包括第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的絕緣層IL。
[0088]緩沖層BFL可以設(shè)置在基底100上，第一有源圖案ActI可以設(shè)置在緩沖層BFL上。第一有源圖案Actl可以由半導(dǎo)體材料形成并可以包括非晶硅、多晶硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料。第一有源圖案Actl可以用作驅(qū)動(dòng)TFT Tl的有源層。第一有源圖案Actl可以包括源區(qū)SA、漏區(qū)DA和設(shè)置在源區(qū)SA與漏區(qū)DA之間的溝道區(qū)CA。第一有源圖案Act I的源區(qū)SA和漏區(qū)DA可以用η型或P型雜質(zhì)摻雜。
[0089]柵極絕緣層GI可以設(shè)置在第一有源圖案Actl上。柵極絕緣層GI可以由例如氧化硅和/或氮化硅形成，第一有源圖案Actl可以與第一柵電極gl絕緣。
[0090]根據(jù)本示例性實(shí)施例，柵極絕緣層GI可以具有多層結(jié)構(gòu)。如圖3中所示，柵極絕緣層GI可以包括第一柵極絕緣層GIl和第二柵極絕緣層GI2。柵極絕緣層GI可以形成為多層結(jié)構(gòu)以防止當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)柵極絕緣層GI被蝕刻。
[0091]第一柵極絕緣層GIl可以設(shè)置在第一有源圖案Actl與第一柵電極gl之間，并可以包括氧化硅。第二柵極絕緣層GI2可以設(shè)置在第一柵極絕緣層GIl與第一柵電極gl之間，并可以包括氮化硅。第二柵極絕緣層GI2可以形成在第一柵極絕緣層GIl上方。與包括氧化硅的第一柵極絕緣層GIl相比，包括氮化硅的第二柵極絕緣層GI2可以相對更耐抗蝕刻溶液，當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)，柵極絕緣層GI可以較少地被損壞。
[0092]第一柵電極gl可以設(shè)置在柵極絕緣層GI上。第一柵電極gl可以與第一有源圖案Actl的至少一部分疊置。第一柵電極gl可以設(shè)置為覆蓋第二柵極絕緣層GI2的可與第一有源圖案Actl的溝道區(qū)CA對應(yīng)的區(qū)域?？紤]到導(dǎo)電性，可以通過使用金屬材料來形成第一柵電極gl。根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一柵電極gl可以包括Al Al可以提供比其他金屬材料更好的制造余限，且Al可以用于制造可以顯示高分辨率圖像的TFT基底。
[0093]絕緣層IL可以設(shè)置在第一柵電極gl上以覆蓋第一柵電極gl。絕緣層IL可以被稱為層間絕緣層IL。此層間絕緣層IL可以形成為氧化硅或氮化硅的單層或多層。
[0094]層間絕緣層IL可以包括其中填埋導(dǎo)電材料的至少一個(gè)接觸孔。在接觸孔CNTl中填埋的導(dǎo)電材料可以被視為可形成驅(qū)動(dòng)TFT TI的第一源電極sI和第一漏電極dl的導(dǎo)電層CL。OLED的第一電極ELl和驅(qū)動(dòng)TFT TI可以通過在接觸孔CNTI中填埋的導(dǎo)電材料彼此電連接。
[0095]層間絕緣層IL可以包括位于驅(qū)動(dòng)TFTTl的外圍區(qū)域中的至少一個(gè)第一虛設(shè)孔DH1。第一虛設(shè)孔DHl的位置可以不限于圖1和圖3中示出的位置。任何數(shù)量的第一虛設(shè)孔DHl可以位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中的任何地方。第一虛設(shè)孔DHl可以穿透柵極絕緣層GI并延伸到基底100的上表面。
[0096]根據(jù)本示例性實(shí)施例，層間絕緣層IL可以包括可形成在驅(qū)動(dòng)TFT Tl的上部中的至少一個(gè)第二虛設(shè)孔DH2。第二虛設(shè)孔DH2可以延伸到第一柵電極gl的上表面。第一柵電極gl的一部分可以通過第二虛設(shè)孔DH2暴露。圖3示出第二虛設(shè)孔DH2可以延伸到第一柵電極gl的上表面并可以位于第一有源圖案Actl上。參照圖1，第二虛設(shè)孔DH2可以實(shí)際上位于第一柵電極gl的可不與第一有源圖案Actl疊置的上部中。
[0097]第二虛設(shè)孔DH2的位置可以不限于圖1和圖3，且任何數(shù)量的第二虛設(shè)孔DH2可以位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl的上部中的任何位置。圖1示出第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以是正方形形狀。在實(shí)施例中，第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的各自的形狀可以是圓形、橢圓形或多邊形形狀。
[0098]在第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2中填埋的材料可以與層間絕緣層IL的材料不同。層間絕緣層IL上的平坦化層PL可以填埋在第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2中。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以不電連接到TFT基底I中的任何布線或器件。第二虛設(shè)孔DH2的寬度W2可以與接觸孔CNTl的寬度W3基本相同。
[0099]第一源電極Si和第一漏電極dl(S卩，導(dǎo)電層CL)可以設(shè)置在層間絕緣層IL上。參照圖1，第一源電極Si和第一漏電極dl分別可以通過在柵極絕緣層GI和層間絕緣層IL中形成的接觸孔CNTl接觸第二有源圖案Act2的源區(qū)和漏區(qū)。第二源電極s2和第二漏電極d2分別可以通過在柵極絕緣層GI和層間絕緣層IL中形成的接觸孔CNT2接觸第一有源圖案Actl的源區(qū)SA和漏區(qū)DA。
[0100]第一源電極Si和第一漏電極dl中的每個(gè)可以形成為由選自于Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和Cu中的至少一種導(dǎo)電材料形成的單層或所述導(dǎo)電材料的多層。
[0101]平坦化層PL可以設(shè)置在第一源電極Si和第一漏電極dl上。平坦化層PL可以設(shè)置為覆蓋層間絕緣層IL和導(dǎo)電層CL。平坦化層PL可以由例如有機(jī)絕緣材料(諸如丙烯酰類有機(jī)材料或苯并環(huán)丁烯(BCB))形成。平坦化層PL可以用作可保護(hù)驅(qū)動(dòng)TFT Tl和開關(guān)TFT T2的保護(hù)層，或可以用作可使驅(qū)動(dòng)TFT Tl和開關(guān)TFT T2的上表面平坦化的平坦化層。
[0102]根據(jù)本示例性實(shí)施例，平坦化層PL的一部分可以填埋在第一虛設(shè)孔DHl中。如上所述，平坦化層PL可以由例如有機(jī)絕緣材料形成，第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以不電連接到TFT基底I的任何布線或器件。
[0103]驅(qū)動(dòng)TFT Tl的性能可以通過可位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中的第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2來調(diào)整。例如，當(dāng)執(zhí)行退火時(shí)，第一有源圖案Actl的界面中的氫離子可以快速地?cái)U(kuò)散到外部(例如，因?yàn)樵隍?qū)動(dòng)TFT TI的外圍區(qū)域中形成的第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2)。當(dāng)大量的氫離子擴(kuò)散到外部時(shí)，例如，由于第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2，所以界面陷阱密度(Dit)值可以增大，并且驅(qū)動(dòng)TFT Tl的迀移率可以減小。因此，可以修改驅(qū)動(dòng)TFT Tl的性能。關(guān)于上面的描述，TFT的性能可以根據(jù)TFT的作用通過調(diào)整第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的各自的位置和數(shù)量而容易地修改。
[0104]顯示器件可以設(shè)置在TFT基底I上。根據(jù)本示例性實(shí)施例，OLED可以設(shè)置為顯示器件。OLED的細(xì)節(jié)與上面參照圖2描述的相同。
[0105]圖4示出根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2的示意性平面圖。圖5示出沿圖4的線V-V截取的圖4的TFT基底2的示意性剖視圖。
[0106]參照圖4和圖5，根據(jù)示例性實(shí)施的TFT基底2可以包括基底100、TFT Tl和可包括虛設(shè)孔DHl的絕緣層IL。
[0107]基底100可以由各種材料(例如，玻璃材料、金屬材料或諸如PET、PEN和聚酰亞胺的塑料材料)形成?；?00可以包括其中設(shè)置有多個(gè)像素PXL的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域。
[0108]可以顯示圖像的至少一個(gè)像素PXL可以設(shè)置在基底100上。當(dāng)有多個(gè)像素PXL時(shí)，像素PXL可以以矩陣形式布置。為了便于描述，在本示例性實(shí)施例中僅示出一個(gè)像素PXL。在實(shí)施例中，如圖1所示，像素P)(L可以是矩形形狀。在實(shí)施例中，像素PXL的形狀可以以各種方式修改。像素PXL可以具有不同尺寸。例如，具有不同顏色的像素PXL可以根據(jù)每個(gè)像素PXL的顏色而具有不同尺寸或形狀。
[0109]像素PXL可以包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、發(fā)射控制TFT T6、存儲電容器Cst和0LED。
[0110]像素PXL可以包括可被施以掃描信號Sn的掃描線10、可被施以前掃描信號Sn-1的前掃描線12、可被施以發(fā)射控制信號En的發(fā)射控制線20、可被施以初始化電壓Vint的初始化電壓線30、可被施以數(shù)據(jù)信號Dm的數(shù)據(jù)線40和可被施以驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線50。掃描線10、前掃描線12、發(fā)射控制線20和初始化電壓線30可以沿行方向延伸，而數(shù)據(jù)線40和驅(qū)動(dòng)電壓線50可以沿列方向延伸。
[0111]像素PXL可以包括有源圖案Act、第一導(dǎo)電層Ml、第二導(dǎo)電層M2、第三導(dǎo)電層M3和第四導(dǎo)電層M4。絕緣層可以設(shè)置在有緣圖案Act、第一導(dǎo)電層Ml、第二導(dǎo)電層M2、第三導(dǎo)電層M3和第四導(dǎo)電層M4之間。像素PXL可以包括中間層和共電極層，中間層可以包括發(fā)射層。
[0112]有源圖案Act可以包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的相應(yīng)的有源圖案(Actl至Act6)。驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6可以沿有源圖案Act布置。
[0113]圖4示出有源圖案Act可以在像素PXL中形成為單個(gè)圖案。在實(shí)施例中，有源圖案Act可以根據(jù)設(shè)計(jì)形成為兩個(gè)或更多個(gè)分隔開的圖案。有源圖案Act可以根據(jù)設(shè)計(jì)具有各種形狀，并包括圖4中示出的彎曲部分。
[Ο? Μ] 第一導(dǎo)電層Ml可以包括前掃描線12、掃描線10和發(fā)射控制線20。第一導(dǎo)電層Ml可以包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的相應(yīng)的柵電極(gl至g6)。
[0115]第二導(dǎo)電層M2可以包括存儲電容器Cst的上電極C2。第三導(dǎo)電層M3可以包括數(shù)據(jù)線40、驅(qū)動(dòng)電壓線50和連接線60。第四導(dǎo)電層M4可以包括初始化電壓線30和第一電極ELI。
[0116]有源圖案Act可以由多晶硅形成并包括可以不用雜質(zhì)摻雜的溝道區(qū)、可以用雜質(zhì)摻雜并形成在溝道區(qū)的兩側(cè)處的源區(qū)和漏區(qū)。雜質(zhì)的類型可以根據(jù)TFT的類型改變。雜質(zhì)可以是η型或P型。有源圖案Act可以包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl的驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl、開關(guān)TFT Τ2的開關(guān)有源圖案Act2、補(bǔ)償TFT T3的補(bǔ)償有源圖案Act3、初始化TFT T4的初始化有源圖案Act4、操作控制TFT T5的操作控制有源圖案Act5和發(fā)射控制TFT T6的發(fā)射控制有源圖案Act6。
[0117]驅(qū)動(dòng)TFT Tl可以包括驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl。驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl可以包括可與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl疊置的溝道區(qū)CAl以及源區(qū)SAl和漏區(qū)DAl。源區(qū)SAl和漏區(qū)DAl可以不與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2疊置。驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl可以是彎曲的。
[0118]可以包括電容器Cst的上電極C2的第二導(dǎo)電層M2可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl上。上電極C2可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl上。電容器Cst中的上電極C2可以與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl的至少一部分疊置。上電極C2可以包括開口 Cst2op，開口 Cst2op可以包括形成在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl與連接線60之間的接觸孔CNTl。在實(shí)施例中，如圖4中所示，開口Cst2op可以是例如四邊形形狀。除了驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl的與開口 Cst2op對應(yīng)的區(qū)域，上電極C2可以與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl完全疊置，電容可以被最大化。
[0119]上電極C2和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以形成電容器Cst。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl還可以用作電容器Cst的下電極。上電極C2可以通過接觸孔CNT2連接到驅(qū)動(dòng)電壓線50。
[0120]至少一個(gè)第一虛設(shè)孔DHl和至少一個(gè)第二虛設(shè)孔DH2可以形成在驅(qū)動(dòng)TFT Tl的上部區(qū)域或外圍區(qū)域中。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以形成在絕緣層IL中，根據(jù)實(shí)施例，第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以延伸到位于絕緣層IL下方的層。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以不電連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl和任何鄰近的器件或布線，第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2中填埋的材料可以是與用于形成第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2所位于的絕緣層IL的材料不同的絕緣材料。
[0121]開關(guān)TFTT2可以包括開關(guān)有源圖案Act2和可以是掃描線10的一部分的開關(guān)柵電極g2。開關(guān)有源圖案Act2可以包括可與開關(guān)柵電極g2疊置的溝道區(qū)以及在溝道區(qū)的兩側(cè)處的源區(qū)SA2和漏區(qū)DA2。源區(qū)SA2可以通過接觸孔CNT3連接到數(shù)據(jù)線40。漏區(qū)DA2可以沿有源圖案Act連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的源區(qū)SAl。
[0122]補(bǔ)償TFTT3可以包括補(bǔ)償有源圖案Act3和可以是掃描線10的一部分的補(bǔ)償柵電極g3。補(bǔ)償有源圖案Act3可以包括可與補(bǔ)償柵電極g3疊置的溝道區(qū)以及在溝道區(qū)的兩側(cè)處的源區(qū)SA3和漏區(qū)DA3。源區(qū)SA3可以沿有源圖案Act連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的漏區(qū)DAl。漏區(qū)DA3可以通過接觸孔CNT4連接到連接線60。補(bǔ)償TFT T3的漏區(qū)DA3可以通過連接線60電連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl。如圖4中所示，補(bǔ)償柵電極g3可以形成為單獨(dú)的雙柵電極，并可以防止電流泄漏。
[0123]初始化TFTT4可以包括初始化有源圖案Act4和可以是前掃描線12的一部分的初始化柵電極g4。初始化有源圖案Act4可以包括可與初始化柵電極g4疊置的溝道區(qū)以及在溝道區(qū)的兩側(cè)處的源區(qū)SA4和漏區(qū)DA4 ο源區(qū)SA4可以通過接觸孔CNT5連接到初始化電壓線30。接觸孔CNT5可以包括通過使用第三導(dǎo)電層M3形成的連接單元、可以使連接單元和源區(qū)SA4連接的接觸孔以及可以使連接單元和初始化電壓線30連接的另一接觸孔。漏區(qū)DA4可以通過接觸孔CNT4連接到連接線60。如圖4中所示，初始化柵電極g4可以形成為單獨(dú)的雙柵電極。
[0124]操作控制TFTT5可以包括操作控制有源圖案Act5和可以是發(fā)射控制線20的一部分的操作控制柵電極g5。操作控制有源圖案Act5可以包括可以與操作控制柵電極g5疊置的溝道區(qū)以及在溝道區(qū)的兩側(cè)處的源區(qū)SA5和漏區(qū)DA5。漏區(qū)DA5可以沿有源圖案Act連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的源區(qū)SAl ο源區(qū)SA5可以通過接觸孔CNT6連接到驅(qū)動(dòng)電壓線50。
[0125]發(fā)射控制TFTT6可以包括發(fā)射控制有源圖案Act6和可以是發(fā)射控制線20的一部分的發(fā)射控制柵電極g6。發(fā)射控制有源圖案Acte可以包括可與發(fā)射控制柵電極g6疊置的溝道區(qū)以及在溝道區(qū)的兩側(cè)處的源區(qū)SA6和漏區(qū)DA6。源區(qū)SA6可以沿有源圖案Act連接到驅(qū)動(dòng)TFT TI的漏區(qū)DAl。漏區(qū)DA6可以通過接觸孔CNT7連接到第一電極ELl。接觸孔CNT7可以包括通過使用第三導(dǎo)電層M3形成的連接單元、可以使連接單元和漏區(qū)DA4連接的接觸孔以及可以使連接單元和第一電極ELl連接的另一接觸孔。
[0126]第一電極ELl可以設(shè)置在上電極C2上，并可以將電流提供到可以包括有機(jī)發(fā)射層并設(shè)置在第一電極ELl上的中間層。施加到中間層的電流可以傳輸?shù)街虚g層上的共電極。
[0127]圖4中示出的平面圖僅是示例?？梢愿鶕?jù)設(shè)計(jì)修改TFT基底2。
[0128]在下文中，參照圖5，將根據(jù)堆疊順序描述根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2。
[0129]參照圖5，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2可以包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、發(fā)射控制TFT T6和基底100，基底100可以是絕緣的且可以在其上堆疊存儲電容器Cst。液晶器件和OLED可以設(shè)置在基底100上。根據(jù)本示例性實(shí)施例，描述OLED可以設(shè)置在基底100上的示例。
[0130]緩沖層BFL可以設(shè)置在基底100上。緩沖層BFL可以使基底100的上表面平坦化或阻止雜質(zhì)在驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2 JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、發(fā)射控制TFT T6中擴(kuò)散。緩沖層BFL可以由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅形成。可以根據(jù)基底100的材料和制造條件省略緩沖層BFL。
[0131]驅(qū)動(dòng)TFT Tl和發(fā)射控制TFT T6可以設(shè)置在緩沖層BFL上。上電極C2可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)TFT Tl上，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2可以形成存儲電容器Cst。
[0132]下柵極絕緣層GIl可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl和發(fā)射控制有源圖案Act6與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和發(fā)射控制柵電極g6之間，驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl和發(fā)射控制有源圖案Acte可以與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和發(fā)射控制柵電極g6絕緣。上柵極絕緣層GI2可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl與上電極C2之間，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以與上電極C2絕緣。上柵極絕緣層GI2可以是驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl與上電極C2之間的介電層。驅(qū)動(dòng)TFT Tl、存儲電容器Cst和發(fā)射控制TFT T6可以由絕緣層IL覆至
ΠΠ ο
[0133]根據(jù)本示例性實(shí)施例，下柵極絕緣層GIl可以具有多層結(jié)構(gòu)。如圖5中所示，下柵極絕緣層GIl可以包括第一柵極絕緣層GIll和第二柵極絕緣層GI12。下柵極絕緣層GIl可以形成為多層結(jié)構(gòu)以防止當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)下柵極絕緣層GIl被蝕刻。
[0134]第一柵極絕緣層GIll可以包括氧化硅，第二柵極絕緣層GI12可以包括氮化硅。第二柵極絕緣層GI12可以形成在第一柵極絕緣層GIll上方。與包括氧化硅的第一柵極絕緣層GIll相比，包括氮化硅的第二柵極絕緣層GI12可以相對更耐抗蝕刻溶液，當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)，下柵極絕緣層GII可以較少地被損壞。
[0135]上柵極絕緣層GI2或?qū)娱g絕緣層IL也可以具有多層結(jié)構(gòu)，并可以由例如氧化硅和/或氮化硅形成。
[0136]根據(jù)本示例性實(shí)施例，考慮到導(dǎo)電性，可以通過使用金屬材料來形成驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl。根據(jù)本示例性實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以包括Al 可以提供比其他金屬材料更好的制造余限，且Al可以用于制造可以顯示高分辨率圖像的TFT基底。
[0137]可以包括存儲電容器Cst的上電極C2的第一導(dǎo)電層CLl可以設(shè)置在第二柵極絕緣層GI12上。圖5的第一導(dǎo)電層CLl可以被視為圖4的第二導(dǎo)電層M2。上電極C2可以與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl的至少一部分疊置。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以用作下電極，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2可以形成存儲電容器Cst。
[0138]絕緣層IL可以設(shè)置在存儲電容器Cst的上電極C2上以覆蓋存儲電容器Cst的上電極C2。絕緣層IL可以被稱為層間絕緣層IL。層間絕緣層IL可以形成為氧化硅或氮化硅的單層或多層。
[0139]暴露存儲電容器Cst的上電極C2的一部分的接觸孔CNT2可以形成在層間絕緣層IL中。暴露發(fā)射控制TFT T6的發(fā)射控制有源圖案Act6的源區(qū)SA6和漏區(qū)DA6的接觸孔CNT可以形成在層間絕緣層IL中。接觸孔CNT可以穿透上柵極絕緣層GI2和下柵極絕緣層GIl并延伸到發(fā)射控制有源圖案Act6的上部。發(fā)射控制TFT T6可以通過接觸孔CNT電連接到OLED的第一電極ELl。
[0140]將電源電壓施加到存儲電容器Cst的上電極C2的電源線50以及可以包括發(fā)射控制TFT T6的源電極s6和漏電極d6的第二導(dǎo)電層CL2可以設(shè)置在層間絕緣層IL上。圖5的第二導(dǎo)電層CL2可以被視為圖4的第三導(dǎo)電層M3。存儲電容器Cst的上電極C2可以通過在接觸孔CNT2中填埋的導(dǎo)電材料電連接到電源線50。電源線50可以被視為驅(qū)動(dòng)電壓線50。接觸孔CNT2可以以各種方式修改。例如，接觸孔CNT2可以多于一個(gè)孔。
[0141]發(fā)射控制TFT T6的漏區(qū)DA6可以通過可穿透下柵極絕緣層GI1、上柵極絕緣層GI2和層間絕緣層IL的接觸孔CNT電連接到漏電極d6。發(fā)射控制TFT T6的源區(qū)SA6可以通過可穿透下柵極絕緣層GI1、上柵極絕緣層GI2和層間絕緣層IL的接觸孔CNT電連接到源電極s6。
[0142]驅(qū)動(dòng)電壓線50以及可以包括源電極s6和漏電極d6的第二導(dǎo)電層CL2可以形成為由選自于例如 Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和 Cu中的至少一種導(dǎo)電材料形成的單層或所述導(dǎo)電材料形成的多層。
[0143]層間絕緣層IL可以包括在驅(qū)動(dòng)TFTTl的外圍區(qū)域中的至少一個(gè)第一虛設(shè)孔DHl。第一虛設(shè)孔DHl可以穿透上柵極絕緣層GI2(其可以是介電層)和下柵極絕緣層GIl，并可以延伸到基底100的上表面。圖4示出第一虛設(shè)孔DHl可以是正方形形狀。在實(shí)施例中，第一虛設(shè)孔DHl可以是圓形、橢圓形或多邊形形狀。第一虛設(shè)孔DHl的位置可以不限于圖4和圖5中示出的位置。任何數(shù)量的第一虛設(shè)孔DHl可以位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中的任何位置。
[0144]根據(jù)本示例性實(shí)施例，在第一虛設(shè)孔DHl中填埋的材料可以與層間絕緣層IL的材料不同。在層間絕緣層IL上的平坦化層PL可以填埋在第一虛設(shè)孔DHl中。第一虛設(shè)孔DHl可以不電連接到TFT基底2中的任何布線或器件。第一虛設(shè)孔DHl的寬度Wl可以與接觸孔CNTl的寬度W3基本相同。
[0145]平坦化層PL可以設(shè)置為覆蓋位于層間絕緣層IL上的源電極s6、漏電極d6和驅(qū)動(dòng)電壓線50。平坦化層PL可以由例如包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物的無機(jī)絕緣材料、或諸如丙烯酰類有機(jī)材料或BCB的有機(jī)絕緣材料形成。平坦化層PL可以用作可保護(hù)驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的保護(hù)層，或可以使驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的上表面平坦化。
[0146]驅(qū)動(dòng)TFTTl的性能可以通過使用驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中的第一虛設(shè)孔DHl來調(diào)整。例如，當(dāng)執(zhí)行退火時(shí)，驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl的界面中的氫離子可以快速地?cái)U(kuò)散到外部(例如，因?yàn)樵隍?qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中形成的第一虛設(shè)孔DHl)。當(dāng)大量的氫離子擴(kuò)散到外部時(shí)，例如，由于第一虛設(shè)孔DHl，所以界面陷阱密度(Dit)值可以增大，并且驅(qū)動(dòng)TFT Tl的迀移率可以減小。因此，可以修改驅(qū)動(dòng)TFT Tl的性能。關(guān)于上面的描述，TFT的性能可以根據(jù)TFT的作用通過調(diào)整第一虛設(shè)孔DHl的位置和數(shù)量而容易地修改。
[0147]顯示器件可以設(shè)置在TFT基底2上。根據(jù)本示例性實(shí)施例，OLED可以設(shè)置為顯示器件。OLED可以包括第一電極ELl、第二電極EL2和可設(shè)置在第一電極ELl與第二電極EL2之間的可包括發(fā)射層EML的中間層。
[0148]OLED的第一電極ELl可以設(shè)置在平坦化層PL上。第一電極ELl可以是像素電極。第一電極ELI可以通過在平坦化層PL中形成的接觸孔CNT7電連接到發(fā)射控制TFT T6的漏電極d60
[0149]第一電極ELl可以通過使用高逸出功材料來形成。如果基底100是相對于基底100沿向下方向顯示圖像的底部發(fā)射型，則第一電極ELl可以形成為由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0和ITZO形成的透明導(dǎo)電層。根據(jù)示例性實(shí)施例，如果基底100是相對于基底100沿向上方向顯示圖像的頂部發(fā)射型，貝lJ第一電極ELl可以形成為由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir或Cr形成的金屬反射膜或由ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透明導(dǎo)電層。
[0150]相對于每個(gè)像素限定發(fā)射區(qū)域的像素限定層TOL可以設(shè)置在基底100上?？梢孕纬上袼叵薅▽覶OL，使得可以覆蓋像素的邊界并暴露第一電極ELl的上表面。
[0151]發(fā)射層EML可以設(shè)置在第一電極ELl的可以由像素限定層PDL暴露的部分上，第二電極EL2可以設(shè)置在發(fā)射層EML上。
[0?52]發(fā)射層EML可以發(fā)射選自于紅光、綠光和藍(lán)光中的一種。根據(jù)不例性實(shí)施例，發(fā)射層EML可以發(fā)射白光，顯示器件可以另外包括紅色濾色器層、綠色濾色器層和藍(lán)色濾色器層以輸出具有各種顏色的圖像。
[0153]根據(jù)示例性實(shí)施例，下公共層可以設(shè)置在第一電極ELl與發(fā)射層EML之間，上公共層可以設(shè)置在發(fā)射層EML與第二電極EL2之間。下公共層和上公共層用作載流子傳輸層，并可以共同地堆疊在每個(gè)像素上。下公共層可以包括HIL和HTL，上公共層可以包括EIL和ETL。根據(jù)本示例性實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝浑姌OELl是像素電極時(shí)，下公共層、上公共層和發(fā)射層EML可以以下面的順序堆疊在第一電極ELl上:HIL、HTL、發(fā)射層EML、ETL、EIL和第二電極EL2。在實(shí)施例中，可以修改下公共層和上公共層。
[0154]第二電極EL2可以堆疊在基底100的整個(gè)表面上方。第二電極EL2可以是透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌OEL2用作透明電極時(shí)，第二電極EL2可以包括由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0和In2O3中的一種以及它們的組合形成的第一層，以及可以形成在第一層上并可以包括L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg中的一種的第二層。第二層可以形成為輔助電極或總電極線。當(dāng)?shù)诙姌O已12用作反射電極時(shí)，1^、0&、1^?/^&、1^?/^1)1、1^和它們的組合中的一種沉積在基底100的整個(gè)表面上。
[0155]包封層可以形成在第二電極EL2上。包封層可以通過堆疊多個(gè)無機(jī)層或交替堆疊有機(jī)層和無機(jī)層來形成。
[0156]根據(jù)示例性實(shí)施例，包封基底可以設(shè)置在第二電極EL2上。基底100可以由包封基底來密封。
[0157]圖6示出圖4的TFT基底的示意性剖視圖。在圖6中，TFT基底2不僅包括第一虛設(shè)孔DHl，而且還包括第二虛設(shè)孔DH2。參照圖4和圖6，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2可以包括基底100JEaTFT Tl、開關(guān)TFT T2JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6以及可以包括第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的絕緣層IL。
[0158]緩沖層BFL可以設(shè)置在基底100上。驅(qū)動(dòng)TFT Tl和發(fā)射控制TFT T6可以設(shè)置在緩沖層BFL上。上電極C2可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)TFT Tl上，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2可以形成電容器Cst0
[0159]下柵極絕緣層GIl可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl和發(fā)射控制有源圖案Act6與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和發(fā)射控制柵電極g6之間，驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl和發(fā)射控制有源圖案Acte可以與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和發(fā)射控制柵電極g6絕緣。上柵極絕緣層GI2可以設(shè)置在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl與上電極C2之間，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以與上電極C2絕緣。上柵極絕緣層GI2可以是驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl與上電極C2之間的介電層。驅(qū)動(dòng)TFT Tl、電容器Cst和發(fā)射控制TFT T6可以被層間絕緣層IL覆至
ΠΠ ο
[0160]根據(jù)本示例性實(shí)施例，下柵極絕緣層GIl可以具有多層結(jié)構(gòu)。如圖6中所示，下柵極絕緣層GIl可以包括第一柵極絕緣層GIll和第二柵極絕緣層GI12。下柵極絕緣層GIl可以形成為多層結(jié)構(gòu)，以防止當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)下柵極絕緣層GIl被蝕刻。
[0161]第一柵極絕緣層GIll可以包括氧化硅，第二柵極絕緣層GI12可以包括氮化硅。第二柵極絕緣層GI12可以形成在第一柵極絕緣層GIll上方。與包括氧化硅的第一柵極絕緣層GIll相比，包括氮化硅的第二柵極絕緣層GI12可以相對更耐抗蝕刻溶液，當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)下柵極絕緣層GIl可以較少地被損壞。
[0162]上柵極絕緣層GI2或?qū)娱g絕緣層IL也可以具有多層結(jié)構(gòu)，并可以由例如氧化硅和/或氮化硅形成。
[0163]根據(jù)本示例性實(shí)施例，考慮到導(dǎo)電性，可以通過使用金屬材料來形成驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl。根據(jù)本示例性實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以包括Al 可以提供比其他金屬材料更好的制造余限，且Al可以用于制造可顯示高分辨率圖像的TFT基底。
[0164]將電源電壓施加到存儲電容器Cst的上電極C2的電源線50以及可以包括發(fā)射控制TFT T6的源電極s6和漏電極d6的第二導(dǎo)電層CL2可以設(shè)置在層間絕緣層IL上。圖6的第二導(dǎo)電層CL2可以被視為圖4的第三導(dǎo)電層M3。電容器Cst的上電極C2可以通過在接觸孔CNT2中填埋的導(dǎo)電材料電連接到電源線50。電源線50可以被視為驅(qū)動(dòng)電壓線50。接觸孔CNT2可以以各種方式修改。例如，接觸孔CNT2可以多于一個(gè)孔。
[0165]發(fā)射控制TFT T6的漏區(qū)DA6可以通過可穿透下柵極絕緣層GI1、上柵極絕緣層GI2和層間絕緣層IL的接觸孔CNT電連接到漏電極d6。發(fā)射控制TFT T6的源區(qū)SA6可以通過可穿透下柵極絕緣層GI1、上柵極絕緣層GI2和層間絕緣層IL的接觸孔CNT電連接到源電極s6。
[0166]驅(qū)動(dòng)電壓線50和可以包括源電極s6和漏電極d6的第二導(dǎo)電層CL2可以形成為由選自于例如 Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和 Cu 中的至少一種導(dǎo)電材料形成的單層或者所述導(dǎo)電材料的多層。
[0167]層間絕緣層IL可以包括在驅(qū)動(dòng)TFTTl的外圍區(qū)域中的至少一個(gè)第一虛設(shè)孔DHl。第一虛設(shè)孔DHl可以穿透上柵極絕緣層GI2(其可以是介電層)和下柵極絕緣層GIl，并可以延伸到基底100的上表面。
[0168]根據(jù)本示例性實(shí)施例，層間絕緣層IL可以包括可形成在驅(qū)動(dòng)TFT Tl的上部中的至少一個(gè)第二虛設(shè)孔DH2。第二虛設(shè)孔DH2可以延伸到上電極C2的上表面。上電極C2的一部分可以通過第二虛設(shè)孔DH2暴露。圖6示出第二虛設(shè)孔DH2可以延伸到上電極C2的上表面并可以位于驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl上。參照圖4，第二虛設(shè)孔DH2可以實(shí)際上位于上電極C2的不與驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl疊置的上部中。
[0169]圖1示出第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以是正方形形狀。在實(shí)施例中，第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以是圓形、橢圓形或多邊形形狀。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的各自的位置不限于圖4和圖6中示出的位置。任何數(shù)量的第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以位于驅(qū)動(dòng)TFT TI的外圍區(qū)域中的任何位置。
[0170]根據(jù)本示例性實(shí)施例，在第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2中填埋的材料可以不同于層間絕緣層IL的材料。層間絕緣層IL上的平坦化層PL可以填埋在第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2中。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以不電連接到TFT基底2中的任何布線或器件。第一虛設(shè)孔DHl的寬度Wl和第二虛設(shè)孔DH2的寬度W2可以與接觸孔CNTl的寬度W3基本相同。
[0171]平坦化層PL可以設(shè)置為覆蓋位于層間絕緣層IL上的源電極s6、漏電極d6和驅(qū)動(dòng)電壓線50。平坦化層PL可以由例如包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物的無機(jī)絕緣材料或諸如丙烯酰類材料或BCB的有機(jī)絕緣材料形成。平坦化層PL可以用作可保護(hù)驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2 JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的保護(hù)層，或可以使驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開關(guān)TFT T2JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFTT6的上表面平坦化。
[0172]驅(qū)動(dòng)TFTTl的性能可以通過使用位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中的第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2來調(diào)整。例如，當(dāng)執(zhí)行退火時(shí)，例如，由于在驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中形成的第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2，驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl的界面中的氫離子可以快速地?cái)U(kuò)散到外部。當(dāng)大量的氫離子擴(kuò)散到外部時(shí)，例如，由于第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2，界面陷阱密度(Dit)值可以增大，并且驅(qū)動(dòng)TFT Tl的迀移率可以減小。因此，可以修改驅(qū)動(dòng)TFTTl的性能。關(guān)于上面的描述，TFT的性能可以根據(jù)TFT的作用通過調(diào)整第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的各自的位置和數(shù)量而容易地修改。
[0173]顯示器件可以設(shè)置在TFT基底2上。根據(jù)本示例性實(shí)施例，OLED可以設(shè)置為顯示器件。OLED的細(xì)節(jié)與上面參照圖5描述的細(xì)節(jié)相同。
[0174]圖7示出圖6的部分VII的概念圖。
[0175]參照圖7，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的TFT基底2的制造工藝期間，可以對層間絕緣層IL圖案化以形成接觸孔CNT以及第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2，然后可以對層間絕緣層IL進(jìn)行退火?？梢栽诶绱蠹s300°C至大約400°C下對層間絕緣層IL進(jìn)行退火大約I小時(shí)或更少。在此工藝期間，層間絕緣層IL中的氫離子通過第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2容易地?cái)U(kuò)散到外部。
[0176]當(dāng)執(zhí)行退火時(shí)，例如，由于在驅(qū)動(dòng)TFTTl的外部區(qū)域中形成的第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2，驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl的界面中的氫離子可以快速地?cái)U(kuò)散到外部。當(dāng)大量的氫離子擴(kuò)散到外部時(shí)，例如，由于第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2，故界面陷阱密度(Dit)值可以增大，并可以減小驅(qū)動(dòng)TFT Tl的迀移率。因此，驅(qū)動(dòng)TFT Tl的性能可以修改。關(guān)于上面的描述，TFT的性能可以根據(jù)TFT的作用通過調(diào)整第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的各自的位置和數(shù)量來容易地修改。
[0177]圖8至圖12示出制造圖1的TFT基底I的方法的示意性剖視圖。
[0178]參照圖8，可以在基底100上形成驅(qū)動(dòng)TFT Tl。
[0179]可以由例如玻璃材料、金屬材料或諸如PET、PEN和聚酰亞胺的塑料材料的各種材料形成基底100?？梢栽诨?00上形成緩沖層BFL。緩沖層BFL可以使基底100的上表面平坦化或阻止雜質(zhì)在驅(qū)動(dòng)TFT Tl中擴(kuò)散?？梢杂衫绲?、氧化硅或氮氧化硅形成緩沖層BFL?？梢愿鶕?jù)基底100的材料和制造條件來省略緩沖層BFL。
[0180]可以在緩沖層BFL上形成第一有源圖案Actl。第一有源圖案Actl可以由半導(dǎo)體材料形成并用作驅(qū)動(dòng)TFT Tl的有源層?？梢酝ㄟ^用η型或P型雜質(zhì)對第一有源圖案Actl的源區(qū)SA和漏區(qū)DA進(jìn)行摻雜來形成源區(qū)SA、漏區(qū)DA和設(shè)置在源區(qū)SA與漏區(qū)DA之間的溝道區(qū)CA。
[0181]可以在第一有源圖案Actl上形成柵極絕緣層GI?？梢杂衫缪趸韬?或氮化硅形成柵極絕緣層GI，第一有源圖案Actl可以與第一柵電極gl絕緣。
[0182]根據(jù)本示例性實(shí)施例，柵極絕緣層GI可以具有多層結(jié)構(gòu)。如圖8中所示，柵極絕緣層GI可以包括第一柵極絕緣層GIl和第二柵極絕緣層GI2。柵極絕緣層GI可以形成為多層結(jié)構(gòu)，以防止當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)柵極絕緣層GI被蝕刻。
[0183]可以在第一有源圖案Actl上形成第一柵極絕緣層GIl，并可以在第一柵極絕緣層GIl上形成第二柵極絕緣層GI2。可以由例如氧化硅形成第一柵極絕緣層GIl。可以由例如氮化硅形成第二柵極絕緣層GI2。可以在第一柵極絕緣層GIl上方形成第二柵極絕緣層GI2。與包括氧化硅的第一柵極絕緣層GIl相比，包括氮化硅的第二柵極絕緣層GI2可以相對更耐抗蝕刻溶液，當(dāng)對第一柵電極gl圖案化時(shí)柵極絕緣層GI可以較少地被損壞。
[0184]可以在第二柵極絕緣層GI2上形成第一柵電極gl，使得第一柵電極gl可以與第一有源圖案Actl的至少一部分疊置。第二柵極絕緣層GI2的第一柵電極gl可以與第一有源圖案Actl疊置的區(qū)域可以用作溝道區(qū)CA?？紤]到導(dǎo)電性，可以使用金屬材料形成第一柵電極gl。根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一柵電極gl可以包括Al 可以提供比其他金屬材料更好的制造余限，且Al可以用于制造可顯示高分辨率圖像的TFT基底。
[0185]可以在第一柵電極gl上形成絕緣層IL以覆蓋第一柵電極gl。絕緣層IL可以被稱為層間絕緣層IL。此層間絕緣層IL可以形成為氧化硅或氮化硅的單層或多層。
[0186]參照圖9，層間絕緣層IL的制造工藝可以包括:在基底100上涂覆絕緣材料;對絕緣材料進(jìn)行圖案化；以及在接觸孔CNTl和TFT Tl的外圍區(qū)域或上部區(qū)域中形成第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2。接觸孔CNTl以及第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以通過使用相同的掩模同時(shí)形成，并具有基本相同的寬度。接觸孔CNTl可以被圖案化，使得第一有源圖案Actl的源區(qū)SA和漏區(qū)DA暴露。第一虛設(shè)孔DHl可以被圖案化，使得第一虛設(shè)孔DHl可以穿透柵極絕緣層GI并可以延伸到基底100的上表面。第二虛設(shè)孔DH2可以延伸到第一柵電極gl的上表面，并且第一柵電極gl的上表面的一部分可以被暴露。
[0187]圖9示出可以在層間絕緣層IL中形成兩個(gè)第一虛設(shè)孔DHl和兩個(gè)第二虛設(shè)孔DH2，并且可以修改第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的各自的位置和數(shù)量。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以具有不同的形狀，例如，圓形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀?？梢杂衫缪趸杌虻璧臒o機(jī)絕緣材料形成層間絕緣層IL。
[0188]參照圖10，可以在其中可以形成接觸孔CNTl以及第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的層間絕緣層IL上形成導(dǎo)電層CL。可以對導(dǎo)電層CL圖案化，使得導(dǎo)電層CL的一部分填埋在接觸孔CNTI中。第一源電極sI和第一漏電極dl可以通過在接觸孔CNTI中填埋的導(dǎo)電層CL分別接觸第一有源圖案ActI的源區(qū)SA和漏區(qū)DAοOLED的第一電極ELl和驅(qū)動(dòng)TFT Tl可以通過在接觸孔CNTI中填埋的導(dǎo)電材料彼此電連接?？紤]到第一源電極s I和第一漏電極d I的導(dǎo)電性，可以將導(dǎo)電層 CL 形成為由選自于 Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W和Cu中的至少一種導(dǎo)電材料形成的單層，或形成為所述導(dǎo)電材料的多層。
[0189]參照圖11，可以將平坦化層PL形成為覆蓋層間絕緣層IL和導(dǎo)電層CL。平坦化層PL的一部分可以填埋在第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2中。平坦化層PL可以由例如丙烯酰類有機(jī)材料或BCB的有機(jī)絕緣材料形成。在第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2中填埋的絕緣材料可以與第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2所位于的層間絕緣層IL的材料不同。第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2可以不電連接到TFT基底I中的任何布線或器件。
[0190]驅(qū)動(dòng)TFTTl的性能可以通過使用位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中的第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2來調(diào)整。例如，氫離子存在第一有源圖案Actl的界面中，當(dāng)執(zhí)行退火時(shí)，例如，由于在驅(qū)動(dòng)TFT Tl的外圍區(qū)域中形成的第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2，所以第一有源圖案Actl的界面中的氫離子可以快速地?cái)U(kuò)散到外部。當(dāng)大量的氫離子擴(kuò)散到外部時(shí)，例如，由于第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2，所以界面陷阱密度(Dit)值可以增大，并且可以減小驅(qū)動(dòng)TFT TI的迀移率。因此，可以修改驅(qū)動(dòng)TFT TI的性能。關(guān)于上面的描述，TFT的性能可以根據(jù)TFT的作用通過調(diào)整第一虛設(shè)孔DHl和第二虛設(shè)孔DH2的各自的位置和數(shù)量而容易地修改。
[0191]參照圖12，可以在TFT基底I上形成顯示器件。根據(jù)本示例性實(shí)施例，OLED可以設(shè)置為顯示器件。
[0192]可以在平坦化層PL上形成OLED的第一電極ELI。第一電極ELl可以是像素電極。第一電極ELI可以通過在平坦化層PL中形成的接觸孔CNT3電連接到驅(qū)動(dòng)TFT TI的第一漏電極
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[0193]可以通過使用高逸出功材料形成第一電極EU。如果基底100是相對于基底100沿向下方向顯示圖像的底部發(fā)射型，則第一電極ELl可以形成為由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0和ITZO形成的透明導(dǎo)電層。根據(jù)示例性實(shí)施例，如果基底100是相對于基底100沿向上方向顯示圖像的頂部發(fā)射型，貝1J第一電極ELl可以形成為由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir或Cr形成的金屬反射膜或由I TO、IZO、ZnO或ITZO形成的透明導(dǎo)電層。
[0194]可以在基底100上形成相對于每個(gè)像素限定發(fā)射區(qū)域的像素限定層TOL?？梢孕纬上袼叵薅▽觬oL，使得可以覆蓋像素的邊界并可以暴露第一電極ELl的上表面。
[0195]可以在第一電極ELl的可由像素限定層PDL暴露的部分上形成發(fā)射層EML。根據(jù)實(shí)施例，可以在第一電極ELl與發(fā)射層EML之間形成包括HIL和HTL的下公共層，可以在發(fā)射層EML與第二電極EL2之間形成包括EIL和ETL的上公共層。在實(shí)施例中，可以修改下公共層和上公共層。
[0196]在上述工藝之后，可以在基底100的整個(gè)表面上方形成第二電極EL2。第二電極EL2可以是面對像素電極的對電極或共電極。第二電極EL2還可以形成為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為(半)透明電極時(shí)，第二電極EL2可以包括由低逸出功金屬(例如，L1、〇&、1^?/^&、1^?/^1、六1)8、1^和它們的組合中的一種)形成的層，以及由11'0、120、2110和In2O3中的一種形成的(半)透明導(dǎo)電層。當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為反射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括由1^工&、1^?/^&、1^?/^1^1^8、1%和它們的組合中的一種形成的層。在實(shí)施例中，第二電極EL2的結(jié)構(gòu)和材料可以以不同方式修改。
[0197]通過總結(jié)和回顧，TFT基底中的TFT可以是可包括晶體硅層的有源層。可以通過使非晶硅層結(jié)晶來形成晶體硅層，可以根據(jù)結(jié)晶方法確定TFT的性能?？梢愿鶕?jù)電路中的TFT的作用來需要TFT的性能的不同范圍。
[0198]在對比TFT基底中，根據(jù)電路中的TFT的作用修改TFT的性能會是不方便的。在包括此TFT基底的顯示裝置中，即使當(dāng)將同樣的電信號施加到多個(gè)像素時(shí)，會顯示具有不同亮度的圖像。
[0199]如上所述，根據(jù)上面的示例性實(shí)施例中的一個(gè)或更多個(gè)，可以提供可調(diào)整TFT的性能(諸如迀移率)的TFT基底、包括此TFT基底的顯示裝置、制造此TFT基底的方法和制造顯示裝置的方法。
[0200]在這里已經(jīng)公開了示例實(shí)施例，盡管采用了具體術(shù)語，但是這些術(shù)語僅以一般性和描述性的含義來使用和解釋，而不是出于限制的目的。在某些情況下，除非另有特別指明，否則如截止到本申請?zhí)峤粫r(shí)的本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的，結(jié)合具體實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件可以單獨(dú)地使用或與結(jié)合其他實(shí)施例描述的特征、特性和/或元件組合來使用。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以作出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底包括: 基底； 薄膜晶體管，在所述基底上；以及 絕緣層，包括至少一個(gè)虛設(shè)孔，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔在所述薄膜晶體管的上部區(qū)域或所述薄膜晶體管的外圍區(qū)域中的一個(gè)或更多個(gè)中， 在所述至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋的材料是與所述絕緣層的材料不同的絕緣材料。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，所述絕緣層包括至少一個(gè)接觸孔，導(dǎo)電材料填埋在所述至少一個(gè)接觸孔中。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基底，其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔與所述至少一個(gè)接觸孔具有相同的寬度。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基底，其中: 所述薄膜晶體管包括在所述基底上的有源圖案和與所述有源圖案的至少一部分疊置的柵電極， 所述薄膜晶體管基底還包括通過在所述至少一接觸孔中填埋的所述導(dǎo)電材料電連接到所述有源圖案的導(dǎo)電層，并且 所述絕緣層是在所述柵電極與所述導(dǎo)電層之間的層間絕緣層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括覆蓋所述絕緣層和所述導(dǎo)電層的平坦化層， 其中，所述平坦化層的一部分填埋在所述至少一個(gè)虛設(shè)孔中。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括在所述有源圖案與所述柵電極之間的柵極絕緣層， 其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔包括穿透所述柵極絕緣層并延伸到所述基底的上表面的第一虛設(shè)孔。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基底，其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔包括延伸到所述柵電極的上表面的第二虛設(shè)孔。8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括: 第一柵極絕緣層，在所述有源圖案與所述柵電極之間，所述第一柵極絕緣層包括氧化娃；以及 第二柵極絕緣層，在所述第一柵極絕緣層與所述柵電極之間，所述第二柵極絕緣層包括氮化硅。9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基底，其中，所述柵電極包括鋁。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基底，其中: 所述薄膜晶體管包括在所述基底上的有源圖案和與所述有源圖案的至少一部分疊置的柵電極，并且 所述薄膜晶體管基底還包括: 第一導(dǎo)電層，在所述柵電極上，所述第一導(dǎo)電層包括與所述柵電極的至少一部分疊置的上電極，其中，所述上電極和所述柵電極形成電容器；以及 第二導(dǎo)電層，包括通過在所述至少一個(gè)接觸孔中填埋的所述導(dǎo)電材料電連接到所述上電極的電源線，所述電源線將電源電壓施加到所述上電極， 其中，所述絕緣層是在所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間的層間絕緣層。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括覆蓋所述絕緣層和所述第二導(dǎo)電層的平坦化層， 其中，所述平坦化層的一部分填埋在所述至少一個(gè)虛設(shè)孔中。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括: 柵極絕緣層，在所述有源圖案與所述柵電極之間；以及 介電層，在所述柵電極與所述第一導(dǎo)電層之間， 其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔包括穿透所述柵極絕緣層和所述介電層并延伸到所述基底的上表面的第一虛設(shè)孔。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管基底，其中，所述至少一個(gè)虛設(shè)孔包括延伸到所述上電極的上表面的第二虛設(shè)孔。14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中: 所述絕緣層包括無機(jī)絕緣材料，并且 在所述至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋的所述材料是有機(jī)絕緣材料。15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，所述虛設(shè)孔是圓形、橢圓形或多邊形形狀。16.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括: 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底；以及 顯示器件，在所述薄膜晶體管基底上。17.—種制造薄膜晶體管基底的方法，所述方法包括: 在基底上形成薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管的上部區(qū)域或所述薄膜晶體管的外圍區(qū)域中的一個(gè)或更多個(gè)中形成包括至少一個(gè)虛設(shè)孔的絕緣層；以及 在所述至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋與所述絕緣層的材料不同的絕緣材料。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中: 形成所述絕緣層的步驟包括:形成所述絕緣層使得所述絕緣層包括所述至少一個(gè)虛設(shè)孔和至少一個(gè)接觸孔，并且 所述方法還包括:在所述至少一個(gè)接觸孔中填埋導(dǎo)電材料。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，形成所述絕緣層的步驟包括:將所述至少一個(gè)虛設(shè)孔和至少一個(gè)接觸孔形成為具有相同的寬度。20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中: 形成所述薄膜晶體管的步驟包括:在所述基底上形成有源圖案，并形成柵電極，使得所述柵電極與所述有源圖案的至少一部分疊置， 在所述至少一個(gè)接觸孔中填埋所述導(dǎo)電材料的步驟包括:形成通過在所述至少一個(gè)接觸孔中填埋的所述導(dǎo)電材料電連接到所述有源圖案的導(dǎo)電層，并且 形成所述絕緣層的步驟包括:在形成所述柵電極的步驟與形成所述導(dǎo)電層的步驟之間形成層間絕緣層。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，所述方法還包括:形成覆蓋所述絕緣層和所述導(dǎo)電層的平坦化層，其中，所述平坦化層的一部分填埋在所述至少一個(gè)虛設(shè)孔中。22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，所述方法還包括:在形成所述有源圖案的步驟與形成所述柵電極的步驟之間形成柵極絕緣層， 其中，形成所述絕緣層的步驟還包括:形成穿透所述柵極絕緣層并延伸到所述基底的上表面的第一虛設(shè)孔。23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成所述絕緣層的步驟包括: 在所述基底上涂覆絕緣材料；以及 形成延伸到所述柵電極的上表面的第二虛設(shè)孔。24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中: 形成所述絕緣層的步驟包括:形成包括無機(jī)絕緣材料的絕緣層，并且 在所述至少一個(gè)虛設(shè)孔中填埋的所述材料是有機(jī)絕緣材料。25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述虛設(shè)孔是圓形、橢圓形或多邊形形狀。26.—種制造顯示裝置的方法，所述方法包括: 制備根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法制造的薄膜晶體管基底；以及 在所述薄膜晶體管基底上形成顯示器件。
【文檔編號】H01L27/12GK105870126SQ201610082176
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月5日
【發(fā)明人】金鉉哲
【申請人】三星顯示有限公司