?116離子數(shù)/每平方厘米。
[0073]作為示例，本實施例還提供一種包含(底柵型)薄膜晶體管101的像素結構，如圖5所示，該像素結構與圖4所示的像素結構除了具有不同類型的薄膜晶體管之外、其它結構相同，同樣也能解決圖4所示的像素結構要解決的技術問題、并取得相同的技術效果。
[0074]本實施例還提供包含(底柵型)薄膜晶體管101的像素結構的制備方法。
[0075]該制備方法在實施例2中薄膜晶體管的制備方法的基礎上，還包括:
[0076]首先，在基板8上按照實施例2中(底柵型)薄膜晶體管的制備方法形成(底柵型)薄膜晶體管，其中，透明層3制成板狀結構、且延伸至覆蓋整個像素區(qū)；
[0077]然后，在(底柵型)薄膜晶體管的上方依次形成鈍化層6、導電層7，導電層7未覆蓋信號電極I和掃描電極2所在的區(qū)域。
[0078]本制備方法的其它步驟與上述包含(頂柵型)薄膜晶體管100的像素結構的制備方法相同，這里不再贅述。
[0079]本實施例中提供的像素結構，由于采用了實施例1或實施例2中的薄膜晶體管，不僅具有上述薄膜晶體管的優(yōu)點，而且該像素結構中將透明層對應著導電層的區(qū)域摻雜，使摻雜區(qū)域具有了現(xiàn)有像素結構中的像素電極的功能，從而使整個像素結構中薄膜晶體管對應的遮光區(qū)面積減小，存儲電容對應的透光區(qū)面積增大，進而增大了像素結構的開口率。
[0080]本實施例中提供的像素結構的制備方法是在實施例1或實施例2中薄膜晶體管的制備方法的基礎上進行的，不僅具有實施例1或實施例2中薄膜晶體管的制備方法的優(yōu)點，而且本制備方法在制備過程中減少了像素電極的制備步驟，使制備方法更加簡單。該制備方法獲得的像素結構同樣具有更大的開口率。
[0081 ] 實施例4:
[0082]本實施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括實施例3中任一種像素結構。
[0083]該陣列基板中的多個像素結構以矩陣形式排列，因為該陣列基板采用的像素結構具有較大的開口率、且制備工藝簡單，所以，該陣列基板能夠具有更高的明亮度和更好的顯示效果。
[0084]實施例5:
[0085]本實施例提供一種顯示裝置，其包括實施例4中的陣列基板。
[0086]顯示裝置可以為:液晶顯示面板、電子紙、OLED面板、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0087]因為該顯示裝置采用的陣列基板能夠具有更高的明亮度和更好的顯示效果，所以，該顯示裝置同樣具有更高的明亮度和更好的顯示效果，能夠給觀看者更好的視覺體驗。
[0088]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【主權項】
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括信號電極、掃描電極、透明層，所述透明層采用兼具電學傳導和光學透明性質的材料形成，所述信號電極、所述掃描電極以及所述透明層彼此之間絕緣設置，所述信號電極與所述掃描電極的正投影面積無重疊，所述信號電極和所述掃描電極均落入所述透明層的正投影面積內，所述信號電極與所述透明層至少局部電性連接。2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層或所述第二絕緣層設置于所述信號電極與所述透明層之間，所述透明層采用摻雜的多晶硅材料形成。3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述透明層對應著所述掃描電極的區(qū)域的摻雜量范圍為11t3?112離子數(shù)/每平方厘米，所述透明層對應著所述信號電極的區(qū)域的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米。4.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述信號電極設置于所述掃描電極的上方，所述透明層設置于所述掃描電極的下方，所述第一絕緣層設置于所述掃描電極與所述透明層之間，所述第二絕緣層設置于所述信號電極與所述掃描電極之間，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層對應開設有通孔，所述信號電極穿過所述通孔與所述透明層電性連接。5.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述信號電極設置于所述透明層的上方，所述掃描電極設置于所述透明層的下方，所述第一絕緣層設置于所述信號電極與所述透明層之間，所述第二絕緣層設置于所述透明層與所述掃描電極之間，所述第一絕緣層對應開設有通孔，所述信號電極穿過所述通孔與所述透明層電性連接。6.—種像素結構，設置于像素區(qū)內，其特征在于，包括權利要求1-5任一所述的薄膜晶體管以及設置在所述薄膜晶體管上方的鈍化層和導電層。7.根據(jù)權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述透明層為板狀結構、且延伸至覆蓋整個所述像素區(qū)，所述導電層設置在所述鈍化層的上方、且未覆蓋所述信號電極和所述掃描電極所在的區(qū)域。8.根據(jù)權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述透明層對應著所述導電層的區(qū)域的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米。9.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求6-8任一所述的像素結構。10.—種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。11.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括形成信號電極、掃描電極、透明層的步驟，其中:所述透明層采用兼具電學傳導和光學透明性質的材料形成，所述信號電極、所述掃描電極以及所述透明層彼此之間絕緣設置，所述信號電極與所述掃描電極的正投影面積無重疊，所述信號電極和所述掃描電極均落入所述透明層的正投影面積內，所述信號電極與所述透明層至少局部電性連接。12.根據(jù)權利要求11所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括:依次形成透明層、第一絕緣層、掃描電極、第二絕緣層、信號電極的步驟，其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層對應開設有通孔，所述信號電極穿過所述通孔與所述透明層連接，所述透明層采用摻雜的多晶硅材料形成。13.根據(jù)權利要求11所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括:依次形成掃描電極、第二絕緣層、透明層、第一絕緣層、信號電極，其中，所述第一絕緣層對應開設有通孔，所述信號電極穿過所述通孔與所述透明層連接，所述透明層采用摻雜的多晶硅材料形成。14.根據(jù)權利要求12或13所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述透明層對應著所述掃描電極的區(qū)域的摻雜量范圍為11t3?112離子數(shù)/每平方厘米，所述透明層對應著所述信號電極的區(qū)域的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米。15.—種像素結構的制備方法，其特征在于，在權利要求11-14任一所述的薄膜晶體管的制備方法的基礎上，還包括: 步驟1:在像素區(qū)內，所述透明層制成板狀結構、且延伸至覆蓋整個所述像素區(qū)； 步驟2:在所述薄膜晶體管的上方依次形成鈍化層、導電層，所述導電層未覆蓋所述信號電極和所述掃描電極所在的區(qū)域。16.根據(jù)權利要求15所述的像素結構的制備方法，其特征在于，所述透明層對應著所述導電層的區(qū)域的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米。
【專利摘要】本發(fā)明屬于顯示技術領域，提供薄膜晶體管及其制備方法、像素結構及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。該薄膜晶體管包括信號電極、掃描電極、透明層，透明層采用兼具電學傳導和光學透明性質的材料形成，信號電極、掃描電極以及透明層彼此之間絕緣設置，信號電極與掃描電極的正投影面積無重疊，信號電極和掃描電極均落入透明層的正投影面積內，信號電極與透明層至少局部電性連接。該薄膜晶體管不僅制備工藝簡單，而且其水平方向的遮光面積較小、運用于像素結構中能夠顯著提高像素結構的開口率?？山鉀Q現(xiàn)有的薄膜晶體管的制備工藝繁多、且其水平方向的遮光面積較大以及現(xiàn)有的像素結構的開口率低的問題。
【IPC分類】H01L21/77, H01L27/12, H01L29/786, H01L21/336
【公開號】CN105576036
【申請?zhí)枴緾N201610006883
【發(fā)明人】張潔, 李付強, 陳小川, 薛海林, 樊君
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2016年1月4日