種薄膜晶體管，該薄膜晶體管相比于現(xiàn)有薄膜晶體管，在制備工藝上減少了漏極的制備步驟、以及漏極與有源層之間的過(guò)孔的制備步驟，使整個(gè)制備工藝更加簡(jiǎn)單;并且其水平方向的面積相應(yīng)減小，運(yùn)用于像素結(jié)構(gòu)中能夠顯著提高像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率。
[0042]薄膜晶體管包括信號(hào)電極、掃描電極、透明層，透明層采用兼具電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明性質(zhì)的材料形成，信號(hào)電極、掃描電極以及透明層彼此之間絕緣設(shè)置，信號(hào)電極與掃描電極的正投影面積無(wú)重疊，信號(hào)電極和掃描電極均落入透明層的正投影面積內(nèi)信號(hào)電極與透明層至少局部電性連接。
[0043]為了實(shí)現(xiàn)信號(hào)電極、掃描電極以及透明層彼此之間絕緣設(shè)置，薄膜晶體管還包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層或第二絕緣層設(shè)置于信號(hào)電極與透明層之間。重要的是，透明層采用摻雜的多晶硅材料形成，將透明層對(duì)應(yīng)著掃描電極和其它區(qū)域相應(yīng)摻雜，使透明層具有現(xiàn)有薄膜晶體管中有源層和漏極的功能。
[0044]具體結(jié)構(gòu)如圖2所示，薄膜晶體管100為頂柵型結(jié)構(gòu)，其中，信號(hào)電極I設(shè)置于掃描電極2的上方，透明層3設(shè)置于掃描電極2的下方，第一絕緣層4設(shè)置于掃描電極2與透明層3之間，第二絕緣層5設(shè)置于信號(hào)電極I與掃描電極2之間，第一絕緣層4和第二絕緣層5對(duì)應(yīng)著信號(hào)電極I的區(qū)域開(kāi)設(shè)有通孔，信號(hào)電極I穿過(guò)通孔與透明層3電性連接。這里的第一絕緣層4可以是層間介質(zhì)層(ILD)，第二絕緣層5可以是現(xiàn)有的柵絕緣層(GI)。
[0045]重要的是，透明層3采用摻雜的多晶硅材料形成。為了清楚說(shuō)明透明層3的摻雜情況，將透明層3對(duì)應(yīng)著信號(hào)電極I的區(qū)域稱為a區(qū)，將透明層3對(duì)應(yīng)著掃描電極2的區(qū)域稱為b區(qū)。
[0046]為了使透明層3對(duì)應(yīng)著信號(hào)電極I的a區(qū)與信號(hào)電極I能夠良好地電導(dǎo)性，設(shè)計(jì)a區(qū)的摻雜量為重?fù)诫s，相應(yīng)的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米;為了使透明層3對(duì)應(yīng)著掃描電極2的b區(qū)具有現(xiàn)有薄膜晶體管中有源層的功能，設(shè)計(jì)b區(qū)的摻雜量為輕摻雜，相應(yīng)的摻雜量范圍為11t3?112離子數(shù)/每平方厘米;為了使透明層3右端的部分區(qū)域具有現(xiàn)有薄膜晶體管中漏極的功能，設(shè)計(jì)透明層3右端的部分區(qū)域的摻雜量也為重?fù)诫s，相應(yīng)的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米;透明層3的其他區(qū)域可以設(shè)計(jì)為輕摻雜，相應(yīng)的摻雜量范圍可以為112?114離子數(shù)/每平方厘米。
[0047]容易理解的是，透明層3上各個(gè)區(qū)域的摻雜量并不局限于以上給出的范圍，只要能夠使透明層3上各個(gè)區(qū)域能夠?qū)崿F(xiàn)其各自的功能即可。
[0048]這樣，透明層3右端的部分區(qū)域便具有了現(xiàn)有薄膜晶體管中漏極的功能，不需要在本實(shí)施例的薄膜晶體管100中再去形成漏極以及連接漏極與有源層的過(guò)孔，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。并且，透明層3采用摻雜的多晶硅材料形成，本身具有透光的性質(zhì)。也就是說(shuō)，薄膜晶體管100中掃描電極2右側(cè)的區(qū)域均能透光，相比于現(xiàn)有薄膜晶體管在水平方向上具有更小的遮光面積，所以，薄膜晶體管100運(yùn)用于像素結(jié)構(gòu)中，能夠顯著提高像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率。
[0049]本實(shí)施例還提供上述薄膜晶體管的制備方法，包括形成信號(hào)電極、掃描電極、透明層的步驟，其中:透明層采用兼具電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明性質(zhì)的材料形成，信號(hào)電極、掃描電極以及透明層彼此之間絕緣設(shè)置，信號(hào)電極與掃描電極的正投影面積無(wú)重疊，信號(hào)電極和掃描電極均落入透明層的正投影面積內(nèi)，信號(hào)電極與透明層至少局部電性連接。
[0050]本實(shí)施例中薄膜晶體管的具體方法包括:依次形成透明層3、第一絕緣層4、掃描電極2、第二絕緣層5、信號(hào)電極I，其中，第一絕緣層4和第二絕緣層5對(duì)應(yīng)開(kāi)設(shè)有通孔，信號(hào)電極I穿過(guò)通孔與透明層3連接。
[0051]透明層3采用摻雜的多晶硅材料形成。并且透明層3對(duì)應(yīng)著信號(hào)電極I的區(qū)域和透明層3右端的部分區(qū)域的摻雜量為重?fù)诫s，相應(yīng)的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米;透明層3上除了上述兩個(gè)重?fù)诫s區(qū)域以外的其他區(qū)域均為輕摻雜，其中，對(duì)應(yīng)著掃描電極2的區(qū)域的摻雜量范圍為11t3?112離子數(shù)/每平方厘米，剩余的其他區(qū)域摻雜量范圍可以為112?114離子數(shù)/每平方厘米。
[0052]這樣，透明層3對(duì)應(yīng)著掃描電極2的區(qū)域具備現(xiàn)有薄膜晶體管中有源層的功能，透明層3右端的部分區(qū)域具備現(xiàn)有薄膜晶體管中漏極的功能。
[0053]本實(shí)施例的薄膜晶體管的制備方法，相比于現(xiàn)有薄膜晶體管的制備方法，在制備過(guò)程中減少了漏極的制備步驟、以及漏極與有源層之間的過(guò)孔的制備步驟，使整個(gè)制備工藝更加簡(jiǎn)單，并且制備而成的薄膜晶體管在水平方向上具有更小的遮光面積。
[0054]實(shí)施例2:
[0055]本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管是實(shí)施例1中薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的底柵型結(jié)構(gòu)，能夠解決實(shí)施例1中薄膜晶體管要解決的技術(shù)問(wèn)題，并能取得相同的技術(shù)效果。
[0056]具體結(jié)構(gòu)如圖3所示，薄膜晶體管101為底柵型結(jié)構(gòu)，其中，信號(hào)電極I設(shè)置于透明層3的上方，掃描電極2設(shè)置于透明層3的下方，第一絕緣層4設(shè)置于信號(hào)電極I與透明層3之間，第二絕緣層5設(shè)置于透明層3與掃描電極2之間，第一絕緣層4對(duì)應(yīng)開(kāi)設(shè)有通孔，信號(hào)電極I穿過(guò)通孔與透明層3電性連接。
[0057]本實(shí)施例薄膜晶體管101中的其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中薄膜晶體管100相應(yīng)的結(jié)構(gòu)相同，這里不再贅述。
[0058]本實(shí)施例還提供上述薄膜晶體管的制備方法，該制備方法能夠解決實(shí)施例1中薄膜晶體管的制備方法要解決的技術(shù)問(wèn)題，并能取得相應(yīng)的技術(shù)效果。
[0059]該制備方法包括:依次形成掃描電極2、第二絕緣層5、透明層3、第一絕緣層4、信號(hào)電極I，其中，第一絕緣層4對(duì)應(yīng)開(kāi)設(shè)有通孔，信號(hào)電極I穿過(guò)通孔與透明層3連接，透明層3采用摻雜的多晶硅材料形成。
[0060]透明層3的摻雜方式與實(shí)施例1中對(duì)應(yīng)的方式相同，這里不再贅述。
[0061 ] 實(shí)施例3:
[0062]本實(shí)施例提供一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于像素區(qū)內(nèi)，該像素結(jié)構(gòu)包括實(shí)施例1或?qū)嵤├?的薄膜晶體管，能夠顯著增大像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率。
[0063]包含(頂柵型)薄膜晶體管100的像素結(jié)構(gòu)如圖4所示，在薄膜晶體管100上方設(shè)置有鈍化層6和導(dǎo)電層7、且導(dǎo)電層7設(shè)置在鈍化層6的上方。導(dǎo)電層7未覆蓋信號(hào)電極I和掃描電極2所在的區(qū)域;透明層3為板狀結(jié)構(gòu)、且延伸至覆蓋整個(gè)像素區(qū)。
[0064]為了使透明層3對(duì)應(yīng)著導(dǎo)電層7的區(qū)域具有現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中像素電極的功能，對(duì)透明層3對(duì)應(yīng)著導(dǎo)電層7的區(qū)域進(jìn)行摻雜工藝處理。
[0065]為了便于說(shuō)明透明層的摻雜情況，這里將透明層3對(duì)應(yīng)著導(dǎo)電層7的區(qū)域稱為c區(qū)。c區(qū)的摻雜量為重?fù)诫s，相應(yīng)的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米;這里也可以是，c區(qū)的摻雜量等于a區(qū)的摻雜量?？傊?，使c區(qū)具有現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中像素電極的功能即可。這樣，導(dǎo)電層7與透明層3的c區(qū)以及兩者之間的鈍化層6共同組成了存儲(chǔ)電容200。
[0066]這樣，上述像素結(jié)構(gòu)中透明層b區(qū)的右側(cè)均可以充當(dāng)存儲(chǔ)電容200的區(qū)域，并且存儲(chǔ)電容200所在的區(qū)域在像素結(jié)構(gòu)中為透光區(qū)域、即有效顯示區(qū)域。上述像素結(jié)構(gòu)相比于現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)(如圖1所示)，薄膜晶體管100對(duì)應(yīng)的遮光區(qū)域(非有效顯示區(qū)域)水平方向的面積減小，存儲(chǔ)電容200對(duì)應(yīng)的透光區(qū)域(有效顯示區(qū)域)水平方向的面積增大，因此，上述像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率增大，運(yùn)用于顯示裝置中能夠獲得更高的明亮度和顯示效果。
[0067]相應(yīng)的，本實(shí)施例還提供上述包含(頂柵型)薄膜晶體管100的像素結(jié)構(gòu)的制備方法。
[0068]該制備方法在實(shí)施例1中薄膜晶體管的制備方法的基礎(chǔ)上，還包括:
[0069]首先，在基板8上依次形成遮光金屬層9和緩沖層10;
[0070]然后，按照實(shí)施例1中(頂柵型)薄膜晶體管的制備方法形成(頂柵型)薄膜晶體管，其中，透明層3制成板狀結(jié)構(gòu)、且延伸至覆蓋整個(gè)像素區(qū)；
[0071]最后，在(頂柵型)薄膜晶體管的上方依次形成鈍化層6、導(dǎo)電層7，導(dǎo)電層7未覆蓋信號(hào)電極I和掃描電極2所在的區(qū)域。
[0072]此外，為了使透明層3對(duì)應(yīng)著導(dǎo)電層7的區(qū)域(c區(qū))具有現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中像素電極的功能，透明層3對(duì)應(yīng)著導(dǎo)電層7的區(qū)域(c區(qū))的摻雜量為重?fù)诫s，相應(yīng)的摻雜量范圍為114