薄膜晶體管和像素結(jié)構(gòu)及制備方法、陣列基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、像素結(jié)構(gòu)及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示領(lǐng)域，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)一般如圖1所示，包括薄膜晶體管001和存儲電容002，薄膜晶體管001包括源極01、漏極02、柵極03以及用于導(dǎo)通源極01與漏極02的有源層04，存儲電容002包括公共電極05和像素電極06。其中，薄膜晶體管001中的源極01和漏極02分別對應(yīng)設(shè)置在有源層04的兩端，并分別通過開設(shè)過孔，使源極01與有源層04電性連接以及漏極02與有源層04電性連接。
[0003]這樣的薄膜晶體管，不僅制備工藝繁多，而且其水平方向的不透光的面積較大。然而，在像素結(jié)構(gòu)中，存儲電容對應(yīng)著像素結(jié)構(gòu)的有效顯示區(qū)，薄膜晶體管因為其包括的源極、漏極、柵極均為不透光結(jié)構(gòu)，所以，薄膜晶體管對應(yīng)著像素結(jié)構(gòu)的區(qū)域為非有效顯示區(qū)、薄膜晶體管水平方向的遮光面積較大將直接導(dǎo)致像素結(jié)構(gòu)的有效顯示區(qū)的面積減小，從而，導(dǎo)致像素結(jié)構(gòu)的開口率較低，降低顯示效果。
[0004]所以，設(shè)計一種制備工藝簡單、且水平方向的遮光面積較小的薄膜晶體管，以及相應(yīng)設(shè)計一種開口率更高的像素結(jié)構(gòu)是亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明針對現(xiàn)有的上述技術(shù)問題，提供一種薄膜晶體管及其制備方法、像素結(jié)構(gòu)及其制備方法、陣列基板、顯示裝置。該薄膜晶體管不僅制備工藝簡單，而且其水平方向的遮光面積較小、運用于像素結(jié)構(gòu)中能夠顯著提高像素結(jié)構(gòu)的開口率;陣列基板和顯示裝置均采用上述像素結(jié)構(gòu)，能夠顯著提高明亮度和顯示效果。
[0006]解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種薄膜晶體管，包括信號電極、掃描電極、透明層，所述透明層采用兼具電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明性質(zhì)的材料形成，所述信號電極、所述掃描電極以及所述透明層彼此之間絕緣設(shè)置，所述信號電極與所述掃描電極的正投影面積無重疊，所述信號電極和所述掃描電極均落入所述透明層的正投影面積內(nèi)，所述信號電極與所述透明層至少局部電性連接。
[0007]優(yōu)選的是，還包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層或所述第二絕緣層設(shè)置于所述信號電極與所述透明層之間，所述透明層采用摻雜的多晶硅材料形成。
[0008]優(yōu)選的是，所述透明層對應(yīng)著所述掃描電極的區(qū)域的摻雜量范圍為11t3?112離子數(shù)/每平方厘米，所述透明層對應(yīng)著所述信號電極的區(qū)域的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米。
[0009]優(yōu)選的是，所述信號電極設(shè)置于所述掃描電極的上方，所述透明層設(shè)置于所述掃描電極的下方，所述第一絕緣層設(shè)置于所述掃描電極與所述透明層之間，所述第二絕緣層設(shè)置于所述信號電極與所述掃描電極之間，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層對應(yīng)開設(shè)有通孔，所述信號電極穿過所述通孔與所述透明層電性連接。
[0010]優(yōu)選的是，所述信號電極設(shè)置于所述透明層的上方，所述掃描電極設(shè)置于所述透明層的下方，所述第一絕緣層設(shè)置于所述信號電極與所述透明層之間，所述第二絕緣層設(shè)置于所述透明層與所述掃描電極之間，所述第一絕緣層對應(yīng)開設(shè)有通孔，所述信號電極穿過所述通孔與所述透明層電性連接。
[0011 ]本發(fā)明提供另一種技術(shù)方案:一種像素結(jié)構(gòu)，設(shè)置于像素區(qū)內(nèi)，包括上述薄膜晶體管以及設(shè)置在所述薄膜晶體管上方的鈍化層和導(dǎo)電層。
[0012]優(yōu)選的是，所述透明層為板狀結(jié)構(gòu)、且延伸至覆蓋整個所述像素區(qū)，所述導(dǎo)電層設(shè)置在所述鈍化層的上方、且未覆蓋所述信號電極和所述掃描電極所在的區(qū)域。
[0013]優(yōu)選的是，所述透明層對應(yīng)著所述導(dǎo)電層的區(qū)域的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米。
[0014]本發(fā)明提供另一種技術(shù)方案:一種陣列基板，包括上述的像素結(jié)構(gòu)。
[0015]本發(fā)明提供另一種技術(shù)方案:一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0016]本發(fā)明提供另一種技術(shù)方案:一種薄膜晶體管的制備方法，包括形成信號電極、掃描電極、透明層的步驟，其中:所述透明層采用兼具電學(xué)傳導(dǎo)和光學(xué)透明性質(zhì)的材料形成，所述信號電極、所述掃描電極以及所述透明層彼此之間絕緣設(shè)置，所述信號電極與所述掃描電極的正投影面積無重疊，所述信號電極和所述掃描電極均落入所述透明層的正投影面積內(nèi)，所述信號電極與所述透明層至少局部電性連接。
[0017]優(yōu)選的是，包括:依次形成透明層、第一絕緣層、掃描電極、第二絕緣層、信號電極的步驟，其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層對應(yīng)開設(shè)有通孔，所述信號電極穿過所述通孔與所述透明層連接，所述透明層采用摻雜的多晶硅材料形成。
[0018]優(yōu)選的是，包括:依次形成掃描電極、第二絕緣層、透明層、第一絕緣層、信號電極，其中，所述第一絕緣層對應(yīng)開設(shè)有通孔，所述信號電極穿過所述通孔與所述透明層連接，所述透明層采用摻雜的多晶硅材料形成。
[0019]優(yōu)選的是，所述透明層對應(yīng)著所述掃描電極的區(qū)域的摻雜量范圍為11t3?112離子數(shù)/每平方厘米，所述透明層對應(yīng)著所述信號電極的區(qū)域的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米。
[0020]本發(fā)明提供另一種技術(shù)方案:一種像素結(jié)構(gòu)的制備方法，在上述的薄膜晶體管的制備方法的基礎(chǔ)上，還包括:
[0021]步驟1:在像素區(qū)內(nèi)，所述透明層制成板狀結(jié)構(gòu)、且延伸至覆蓋整個所述像素區(qū)；
[0022]步驟2:在所述薄膜晶體管的上方依次形成鈍化層、導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層未覆蓋所述信號電極和所述掃描電極所在的區(qū)域。
[0023]優(yōu)選的是，所述透明層對應(yīng)著所述導(dǎo)電層的區(qū)域的摻雜量范圍為114?116離子數(shù)/每平方厘米。
[0024]本發(fā)明提供的薄膜晶體管以及相應(yīng)的薄膜晶體管的制備方法，均采用摻雜的多晶硅材料形成透明層，該透明層具有現(xiàn)有薄膜晶體管中漏極和有源層的功能，因此，相比于現(xiàn)有薄膜晶體管，在制備工藝上減少了漏極的制備步驟、以及漏極與有源層之間的過孔的制備步驟，使整個制備工藝更加簡單;此外，本發(fā)明的薄膜晶體管因為不具有現(xiàn)有薄膜晶體管中的漏極，所以，其水平方向的遮光面積相應(yīng)減小，運用于像素結(jié)構(gòu)中能夠顯著提高像素結(jié)構(gòu)的開口率。
[0025]本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)以及相應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)的制備方法，采用了上述薄膜晶體管、并將透明層對應(yīng)著導(dǎo)電層的區(qū)域摻雜，使摻雜區(qū)域具有了現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)中的像素電極的功能，不僅在制備工藝上減少了像素電極的制備步驟，而且減小了薄膜晶體管對應(yīng)的非有效顯示區(qū)的面積、增大了導(dǎo)電層對應(yīng)的有效顯示區(qū)的面積，即增大了像素結(jié)構(gòu)的開口率。
[0026]本發(fā)明提供的陣列基板和顯示裝置，均采用了上述像素結(jié)構(gòu)，不僅簡化了制備工藝過程，而且能夠顯著提高其明亮度和顯示效果。
【附圖說明】
[0027]圖1為現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0028]圖2為本發(fā)明的實施例1的薄膜晶體管的剖視圖；
[0029]圖3為本發(fā)明的實施例2的薄膜晶體管的剖視圖；
[0030]圖4為本發(fā)明的實施例3的一種像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0031]圖5為本發(fā)明的實施例3的另一種像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0032]其中，附圖標(biāo)記為:
[0033]001、薄膜晶體管;002、存儲電容;O1、源極;02、漏極;03、柵極;04、有源層;05、公共電極;06、像素電極；
[0034]100、(頂柵型)薄膜晶體管；11、(底柵型)薄膜晶體管;200、存儲電容；
[0035]1、信號電極;2、掃描電極;3、透明層;4、第一絕緣層;5、第二絕緣層;6、鈍化層;7、導(dǎo)電層;8、基板;9、遮光金屬層;10、緩沖層；
[0036]a、透明層3對應(yīng)著信號電極I的區(qū)域；
[0037]b、透明層3對應(yīng)著掃描電極2的區(qū)域；
[0038]C、透明層3對應(yīng)著導(dǎo)電層7的區(qū)域。
【具體實施方式】
[0039]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細描述。
[0040]實施例1:
[0041]本實施例提供一