件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向為在其它元件或特征“上”。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0051]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項目的任何及所有組合。
[0052]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0053]現(xiàn)有技術(shù)中所述嵌入式閃存的制備方法如圖1a-1g所示，首先如圖1a所示，提供半導(dǎo)體襯底101，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有氧化物層102以及氮化物層103，并圖案化，以在所述氧化物層102以及氮化物層103中形成淺溝槽，選用淺溝槽氧化物104填充所述淺溝槽，得到如圖1a所示圖案。
[0054]然后，去除所述氮化物層103，得到如圖1b所示的結(jié)構(gòu)。
[0055]接著沉積浮柵材料層105，以覆蓋所述氧化物層102和所述淺溝槽氧化物104，得到如圖1c所示的結(jié)構(gòu)。
[0056]平坦化所述浮柵材料層105和所述淺溝槽氧化物104至較小的厚度，如圖1d所
/Jn ο
[0057]回蝕刻所述淺溝槽氧化物104至所述氧化物層102，以在所述浮柵材料層105中形成開口，如圖1e所示。
[0058]在所述開口以及所述浮柵材料層105的表面沉積ONO材料層106,如圖1f-1g所
/Jn ο
[0059]在所述邏輯工藝和閃存工藝的填充中存在下述矛盾，當(dāng)有源區(qū)關(guān)鍵尺寸較大時，則所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸較小，具有較大的深寬比，在填充過程中會在淺溝槽隔離氧化物中產(chǎn)生孔洞，如圖2a和2b中A所示；但是有源區(qū)關(guān)鍵尺寸較小時，在所述有源區(qū)上形成浮柵結(jié)構(gòu)時則會導(dǎo)致沉積浮柵過程中產(chǎn)生孔洞，如圖2b中B所示。
[0060]因此如何權(quán)衡兩者的工藝窗口同時以避免孔洞的出現(xiàn)成為目前亟需解決的問題。
[0061]實施例1
[0062]執(zhí)行步驟201，提供基底201，在所述基底中形成淺溝槽隔離氧化物204。
[0063]具體地，如圖3a所示，所述基底201至少包括半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。
[0064]在半導(dǎo)體襯底上依次形成氧化物層202和氮化物層203。氧化物層202可以為高溫氧化法得到的，其厚度可以為100-200埃。氧化物層202可以用作隔離層保護半導(dǎo)體襯底免受損傷和污染。
[0065]所述氮化物層203可以是通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的。作為示例，氮化物層203可以是通過氨氣和二氯硅烷在750°C左右的溫度下，采用低壓化學(xué)氣相沉積形成的。氮化物層203不但可以作為半導(dǎo)體襯底刻蝕過程中的掩膜層，還可以作為后續(xù)化學(xué)機械研磨工藝中的阻擋層。
[0066]接著，執(zhí)行干法刻蝕工藝，以依次對氮化物層203、氧化物層202和半導(dǎo)體襯底進行刻蝕以形成溝槽。具體地，可以在氮化物層203上形成具有圖案的光刻膠層(未示出)，以該光刻膠層為掩膜對氮化物層203進行干法刻蝕，以將圖案轉(zhuǎn)移至氮化物層203，并以光刻膠層和氮化物層203為掩膜對氧化物層202和半導(dǎo)體襯底進行刻蝕，以形成溝槽。
[0067]當(dāng)然還可以采用其它方法來形成溝槽，由于該工藝以為本領(lǐng)域所熟知，因此不再做進一步描述。
[0068]在所述溝槽內(nèi)填充淺溝槽隔離氧化物204，具體地，可以在氮化物層203上和溝槽內(nèi)形成淺溝槽隔離材料，所述淺溝槽隔離材料可以為氧化硅、氮氧化硅、氟摻雜玻璃和/或其它現(xiàn)有的低介電常數(shù)材料；執(zhí)行化學(xué)機械研磨工藝并停止在氮化物層203上。
[0069]其中，所述淺溝槽隔離氧化物將所述半導(dǎo)體襯底分成若干相互隔離的有源區(qū)，其中所述有源區(qū)為正常的關(guān)鍵尺寸，在本發(fā)明中沒有必要增加所述有源區(qū)的關(guān)鍵尺寸來增加浮柵的關(guān)鍵尺寸。
[0070]執(zhí)行步驟202，去除所述氮化物層203。
[0071]具體地，如圖3b所示，在該步驟中去除所述氮化物層203的過程中并不需要對所述淺溝槽隔離氧化物204進行回蝕刻，來增加有源區(qū)的關(guān)鍵尺寸和浮柵的關(guān)鍵尺寸，由此增加耦合率。
[0072]去除方法可以選用本領(lǐng)域常用方法，在此不再贅述。
[0073]執(zhí)行步驟203，沉積浮柵材料層205，以覆蓋所述有源區(qū)和所述淺溝槽隔離氧化物204。
[0074]具體地，如圖3c所示，在該步驟中所述浮柵材料層205選用多晶硅材料。
[0075]在該步驟中由于所述有源區(qū)選用常規(guī)尺寸，因此在沉積所述材料層205時具有較好的工藝窗口，能夠避免在沉積過程中產(chǎn)生孔洞，如圖3c所示。
[0076]執(zhí)行步驟204，平坦化所述浮柵材料層。
[0077]具體地，如圖3d所示，在該步驟中沒必要過度的平坦化所述浮柵材料層205，部分浮柵材料層的剩余是可以接受的，具體所述浮柵材料層的剩余厚度可以由淺溝槽隔離氧化物204的厚度決定。
[0078]所述浮柵材料層在所述淺溝槽隔離氧化物204上剩余0-400A。
[0079]執(zhí)行步驟205，回蝕刻所述浮柵材料層205，以減小所述浮柵材料層的厚度，露出部分所述淺溝槽隔離氧化物204。
[0080]具體地，如圖3e所示，在該步驟中，所述回蝕刻選用與所述淺溝槽隔離氧化物204的蝕刻選擇比大于200的方法。
[0081]可選地，所述蝕刻方法可以為干法蝕刻或者濕法蝕刻。
[0082]在該步驟中選用蝕刻時間控制模式，在該步驟中蝕刻剩余的所述浮柵材料層205的厚度有耦合率決定。
[0083]可選地，回蝕刻所述浮柵材料層205至厚度為60-300埃。
[0084]在本發(fā)明中最終形成的“T”形的浮柵結(jié)構(gòu)中底部豎直的” I”部分的高度取決于該步驟的剩余浮柵材料層的厚度。
[0085]執(zhí)行步驟206，回蝕刻露出的所述淺溝槽隔離氧化物204，以減小露出的所述淺溝槽隔離氧化物204的尺寸。
[0086]具體地，如圖3f所示，在該步驟中，在所述回蝕刻步驟之后，所述淺溝槽隔離氧化物204的厚度為100-1000埃。
[0087]在所述回蝕刻之后，暴露、突出浮柵出來的所述淺溝槽隔離氧化物204呈上窄下寬的子彈形狀，如圖3f所示。
[0088]執(zhí)行步驟207，再次沉積所述浮柵材料層205至所述淺溝槽隔離氧化物204的頂部，以包圍所述淺溝槽隔離氧化物204。
[0089]具體地,如圖3g所示,在該步驟中，選用外延法或者選擇性沉積方法再次沉積所述浮柵材料層205，通過所述方法可以避免在沉積過程產(chǎn)生孔洞。
[0090]執(zhí)行步驟208，去除所述淺溝槽隔離氧化物204中關(guān)鍵尺寸減小的部分，以形成開口和位于所述開口之間的T形浮柵。
[0091]具體地，如圖3h所示，在該步驟中，同時去除部分所述浮柵材料層205，以降低所述浮柵材料層205的厚度。
[0092]在有源區(qū)關(guān)鍵尺寸相同的情況下，所述T形浮柵具有更加的頂部關(guān)鍵尺寸，同時具有更好的耦合率以及可靠性。所述T形浮柵頂部的關(guān)鍵尺寸為60-110nm，底部的關(guān)鍵尺寸為 50_75nm。
[0093]所述T形浮柵使浮柵和有源區(qū)之間的距離更大，制備得到器件具有更好的泄露可靠性。
[0094]執(zhí)行步驟209，在所述開口和所述T形浮柵上沉積隔離材料層206 ;在所述隔離材料層上形成控制柵。
[0095]具體地，如圖3i所示，所述隔離材料層選用ONO材料20