沿第一 方向延伸，并且第一電容器電極連接至柵電極232。
[0097] 在基本上整個(gè)基板210上方在柵電極232上形成由絕緣材料形成的層間絕緣層 240。層間絕緣層240具有使半導(dǎo)體層222的兩側(cè)的頂表面露出的第一接觸孔240a和第二 接觸孔240b。第一接觸孔240a和第二接觸孔240b與柵電極232間隔開，并且柵電極232 設(shè)置在第一接觸孔240a與第二接觸孔240b之間。第一接觸孔240a和第二接觸孔240b還 可以形成在柵極絕緣層230中。
[0098] 在層間絕緣層240上形成由導(dǎo)電材料例如金屬形成的源電極252和漏電極254。 另外，在層間絕緣層240上可以形成數(shù)據(jù)線、電源線和第二電容器電極。數(shù)據(jù)線和電源線沿 第二方向延伸。
[0099] 源電極252和漏電極254相對于柵電極232彼此間隔開。源電極252和漏電極 254分別通過第一接觸孔240a和第二接觸孔240b接觸半導(dǎo)體層222的兩側(cè)。數(shù)據(jù)線與柵 極線相交以限定像素區(qū)，并且電源線與數(shù)據(jù)線間隔開。第二電容器電極連接至漏電極254 并且與第一電容器電極交疊以形成層間絕緣層240位于其間作為介電材料的存儲電容器。
[0100] 同時(shí)，半導(dǎo)體層222、柵電極232、源電極252和漏電極254構(gòu)成薄膜晶體管。在基 本上整個(gè)基板210上方在源電極252和漏電極254上形成由絕緣材料形成的鈍化層260。 鈍化層260具有平坦的頂表面并且具有使漏極254露出的漏極接觸孔260a。雖然漏極接觸 孔260a直接形成在第二接觸孔240b上方（參照圖6和圖7)，但漏極接觸孔260a可以與第 二接觸孔240b間隔開。
[0101] 在鈍化層260上形成有由具有相對高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成的第一電極262。 第一電極262設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)中并且通過漏極接觸孔260a接觸漏電極254。例如，第一 電極262可以由透明導(dǎo)電材料（例如氧化銦錫（ITO)和氧化銦鋅（IZO))形成。
[0102] 同時(shí)，第一電極262還可以包括由不透明導(dǎo)電材料形成的反射層。例如，反射層可 以由鋁-鈀-銅（APC)合金形成，并且第一電極262可以具有IT0/APC/IT0三層結(jié)構(gòu)。
[0103] 另外，在鈍化層260上形成輔助電極264并且輔助電極264與第一電極262間隔 開。輔助電極264可以由與第一電極262相同的材料形成。輔助電極264可以沿柵極線沿 其延伸的第一方向、以及沿?cái)?shù)據(jù)線和電源線沿其延伸的第二方向延伸。另外，輔助電極264 可以包括對應(yīng)于每個(gè)像素區(qū)的具有晶格形狀的開口。第一電極262可以設(shè)置在輔助電極 264的開口中。
[0104] 在第一電極262和輔助電極264上形成由絕緣材料形成的堤壩層270。堤壩層270 具有透過孔270a和輔助接觸孔270b。堤壩層270覆蓋第一電極262的邊緣和輔助電極264 的邊緣。透過孔270a使第一電極262露出，并且輔助接觸孔270b使輔助電極264露出。
[0105] 在通過堤壩層270的透過孔270a露出的第一電極262上形成發(fā)光層280a或280b。 第一發(fā)光層280a形成在紅色像素區(qū)或綠色像素區(qū)中，并且第二發(fā)光層280b形成在藍(lán)色像 素區(qū)中。
[0106] 第一發(fā)光層280a包括依次層疊在第一電極262上的空穴注入層281、空穴傳輸層 282、第一發(fā)光材料層283、第二發(fā)光材料層284、電子傳輸層285和電子注入層286。第二發(fā) 光層280b包括依次層疊在第一電極262上的空穴注入層281、空穴傳輸層282、第二發(fā)光材 料層284、電子傳輸層285和電子注入層286。第一發(fā)光材料層283可以為紅色發(fā)光材料層 或綠色發(fā)光材料層，并且第二發(fā)光材料層284可以為藍(lán)色發(fā)光材料層。
[0107] 在此，空穴注入層281、空穴傳輸層282和第一發(fā)光材料層283僅形成在透過孔 270a中，并且第二發(fā)光材料層284、電子傳輸層285和電子注入層286形成在除了輔助接觸 孔270b以外的基本上整個(gè)基板210上方。
[0108] 即，第二發(fā)光材料層284形成在紅色像素區(qū)、綠色像素區(qū)和藍(lán)色像素區(qū)中。在紅色 像素區(qū)和綠色像素區(qū)中，第二發(fā)光材料層284用作空穴阻擋層，并且在藍(lán)色像素區(qū)中，第二 發(fā)光材料層284用作藍(lán)色發(fā)光材料層。
[0109] 同時(shí)，在輔助接觸孔270b中形成殘留層287。在輔助接觸孔270b中，殘留層287 的厚度從其中心部分到邊緣部分增大。殘留層287的邊緣部分的厚度可以為殘留層287的 中心部分厚度的I. 1倍以上。有利地，殘留層287的邊緣部分的厚度可以為殘留層287的 中心部分的厚度的10倍以上。例如，殘留層287的中心部分的厚度可以小于50見。
[0110] 在基本上整個(gè)基板210上方在發(fā)光層280a或280b上形成由具有相對低的功函數(shù) 的導(dǎo)電材料形成的第二電極292。在此，第二電極292可以由鋁（A1)、鎂（Mg)、銀（Ag)或其 合金形成。第二電極292可以具有相對薄的厚度使得光通過其透射。此時(shí)，第二電極292 的透射率可以為約45 %至50%。
[0111] 第二電極292通過輔助接觸孔270b電連接至輔助電極264。第二電極292可以直 接接觸輔助電極264或者通過殘留層287間接接觸輔助電極264。
[0112] 第一電極262、發(fā)光層280a或280b和第二電極292構(gòu)成有機(jī)發(fā)光二極管。第一電 極262用作陽極，并且第二電極292用作陰極。在此，OLED顯示裝置為頂部發(fā)光型，其中來 自發(fā)光層280a或發(fā)光層280b的光通過第二電極292輸出至外部。
[0113] 在根據(jù)本公開的第四實(shí)施方案的OLED顯示裝置中，第二電極292連接至輔助電極 264,并且第二電極292的電阻降低。此時(shí)，第二電極292可以通過簡單工藝連接至輔助電 極264,該工藝?yán)糜袡C(jī)溶劑去除輔助接觸孔270b中的公共層。
[0114] 與圖4的顯示裝置類似，根據(jù)本公開的第四實(shí)施方案的OLED顯示裝置還可以包括 連接至輔助電極264的第一虛擬電極和第二虛擬電極。
[0115] 接著，圖8A至圖8F是在制造根據(jù)本公開的第四實(shí)施方案的顯示裝置的步驟中的 OLED顯示裝置的截面圖。圖8A至圖8F示出了與圖6的紅色像素區(qū)或綠色像素區(qū)對應(yīng)的結(jié) 構(gòu)。在此，將簡化對與第一實(shí)施方案類似的步驟的說明。
[0116] 參照圖8A，通過沉積半導(dǎo)體材料在絕緣基板210上形成半導(dǎo)體材料層，并且利用 掩模通過光刻工藝選擇性地去除半導(dǎo)體材料層，由此形成半導(dǎo)體層222。接著，通過例如化 學(xué)氣相沉積法在基本上整個(gè)基板210上方沉積絕緣材料，在半導(dǎo)體層222上形成柵極絕緣 層 230〇
[0117] 然后，通過沉積導(dǎo)電材料（例如金屬）在柵極絕緣層230上形成第一導(dǎo)電材料層。 具體地，可以經(jīng)由例如濺射法在柵極絕緣層230上形成第一導(dǎo)電材料層。利用掩模通過光 刻工藝選擇性地去除第一導(dǎo)電材料層，由此形成柵電極232。柵電極232與半導(dǎo)體層222相 比具有較窄的寬度并且被設(shè)置成對應(yīng)于半導(dǎo)體層222的中心部分。同時(shí)，第一電容器電極 和柵極線與柵電極232同時(shí)形成。第一電容器電極可以連接至柵電極232,并且柵極線可以 沿第一方向延伸。
[0118] 接著，通過在基本上整個(gè)基板210上方沉積或施加絕緣材料在柵電極232上形成 層間絕緣層240,并且利用掩模通過光刻工藝選擇性地去除層間絕緣層240和柵極絕緣層 230,由此形成第一接觸孔240a和第二接觸孔240b。第一接觸孔240a和第二接觸孔240b 分別使半導(dǎo)體層222的兩側(cè)的頂表面露出。第一接觸孔240a和第二接觸孔240b與柵電極 232間隔開，并且柵電極232設(shè)置在第一接觸孔240a與第二接觸孔240b之間。
[0119] 接著，例如，通過濺射法沉積導(dǎo)電材料在層間絕緣層240上形成第二導(dǎo)電材料層， 并且利用掩模通過光刻工藝選擇性地去除第二導(dǎo)電材料層，由此形成源電極252和漏電極 254。源電極252和漏電極254相對于柵電極232彼此間隔開。源電極252和漏電極254 分別通過第一接觸孔240a和第二接觸孔240b接觸半導(dǎo)體層222的兩側(cè)。
[0120] 同時(shí)，數(shù)據(jù)線、第二電容器電極和電源線與源電極252和漏電極254同時(shí)形成。雖 然在圖中未示出，但數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸并且與柵極線相交以限定像素區(qū)。第二電容器 電極連接至漏電極254,并且電源線與數(shù)據(jù)線間隔開。
[0121] 接著，通過在基本上整個(gè)基板210上方沉積或施加絕緣材料在源電極252和漏電 極254上形成鈍化層260。另外，利用掩模通過光刻工藝選擇性地去除鈍化層260,由此形 成使漏電極254露出的漏極接觸孔260a。
[0122] 接著，可以通過沉積具有相對高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料在鈍化層260上形成第一電 極材料層。具體地，例如，可以通過例如濺射法在鈍化層260上形成第一電極材料層。利用 掩模通過光刻工藝選擇性地去除第一電極材料層，由此形成第一電極262和輔助電極264。 第一電極262設(shè)置在每個(gè)像素區(qū)中并且通過漏極接觸孔260a連接至漏電極254。輔助電極 264與第一電極262間隔開。
[0123] 第一電極262可以包括透明導(dǎo)電層和反射層。透明導(dǎo)電層可以由透明導(dǎo)電材料 (例如氧化銦錫（ITO)和氧化銦鋅（IZO))形成，并且反射層可以由鋁-鈀-銅合金（APC) 形成。例如，第一電極262和輔助電極264可以具有IT0/APC/IT0三層結(jié)構(gòu)。
[0124] 然后，通過沉積或施加絕緣材料在第一電極262和輔助電極264上形成堤壩材料 層（未示出）。利用掩模通過光刻工藝選擇性地去除堤壩材料層，由此形成具有透過孔270a 和輔助接觸孔270b的堤壩層270。堤壩層270覆蓋第一電極262的邊緣和輔助電極264的 邊緣，并且透過孔270a和輔助接觸孔270b分別使第一電極262和輔助電極264露出。
[0125] 參照圖8B，通過利用第一注入設(shè)備297借助于溶液工藝施加空穴注入材料、空穴 傳輸材料和第一發(fā)光材料，在通過透過孔270a露出的第一電極262上依次形成空穴注入層 281、空穴傳輸層282和第一發(fā)光材料層283。溶液工藝可以包括印刷法或涂覆法。例如，溶 液工藝可以包括噴墨印刷法或噴嘴印刷法。
[0126] 在此，圖8B的第一發(fā)光材料層283可以為紅色發(fā)光材料層和綠色發(fā)光材料層中之 一，并且另一發(fā)光材料層可以在下個(gè)像素區(qū)中形成。例如，圖8B的第一發(fā)光材料層283可 以為綠色像素區(qū)的綠色發(fā)光材料層。因而，通過溶液工藝施加發(fā)射綠光的材料在綠色像素 區(qū)中形成綠色發(fā)光材料層283。通過溶液工藝施加發(fā)射紅光的材料可以在紅色像素區(qū)中形 成紅色發(fā)光材料層。形成紅色發(fā)光材料層和綠色發(fā)光材料層的順序可以改變。
[0127] 參照圖8C，通過在基本上整個(gè)基板210上方真空沉積第二發(fā)光材料（即，發(fā)射藍(lán)光 的材料），在第一發(fā)光材料層283上形成第二發(fā)光材料沉積層284a。然后，通過在基本上整 個(gè)基板210上方真空沉積電子傳輸材料和電子注入材料，在第二發(fā)光材料沉積層284a上依 次形成電子傳輸材料層285a和電子注入材料層286。
[0128] 因此，在每個(gè)紅色像素區(qū)和綠色像素區(qū)中，空穴注入層281、空穴傳輸層282、第一 發(fā)光材料層283、第二發(fā)光材料沉積層284a、電子傳輸材料層285a和電子注入材料層286a 依次形成在第一電極262上，并且第二發(fā)光材料沉積層284a、電子傳輸材料層285a和電子 注入材料層286a的公共層依次形成在輔助電極264上。例如，在輔助電極264上的第二 發(fā)光材料沉積層284a、電子傳輸材料層285a和電子注入材料層286a的總厚度可以小于約 SOOAo
[0129] 同時(shí)，在藍(lán)色像素區(qū)中，空穴注入層281、空穴傳輸層282、第二發(fā)光材料沉積層 284a、電子