的邊緣，并且透過孔170a和輔助接觸孔170b分別使第一電極162和輔助電極164露 出。
[0068] 參照圖3D，通過在基本上整個基板110上方真空沉積空穴注入材料和空穴傳輸材 料，在堤壩層170、第一電極162和輔助電極164上依次形成空穴注入材料層181a和空穴 傳輸材料層182a。然后，通過精細金屬掩模選擇性地真空沉積有機發(fā)光材料，在堤壩層170 的透過孔170a中形成發(fā)光材料層183。此時，發(fā)光材料層183可以為紅色發(fā)光材料層、綠色 發(fā)光材料層或藍色發(fā)光材料層中之一，并且可以分別在下個像素區(qū)中依次形成其它發(fā)光材 料層。
[0069] 圖3D的發(fā)光材料層183例如可以為綠色像素區(qū)的綠色發(fā)光材料層。因此，通過第 一精細金屬掩模選擇性地真空沉積發(fā)射綠光的材料在綠色像素區(qū)中形成綠色發(fā)光材料層 183,通過第二精細金屬掩模選擇性地真空沉積發(fā)射紅光的材料在紅色像素區(qū)中形成紅色 發(fā)光材料層，并且通過第三精細金屬掩模選擇性地真空沉積發(fā)射藍光的材料在藍色像素區(qū) 中形成藍色發(fā)光材料層。形成紅色發(fā)光材料層、綠色發(fā)光材料層和藍色發(fā)光材料層的順序 可以改變。
[0070] 參照圖3E，通過在基本上整個基板110上方真空沉積電子傳輸材料和電子注入材 料，在發(fā)光材料層183上依次形成電子傳輸材料層184a和電子注入材料層185a。因此，空 穴注入材料層181a、空穴傳輸材料層182a、發(fā)光材料層183、電子傳輸材料層184a和電子注 入材料層185a依次形成在第一電極162上?？昭ㄗ⑷氩牧蠈?81a、空穴傳輸材料層182a、 電子傳輸材料層184a和電子注入材料層185a依次形成在輔助電極164上。例如，在輔助 電極164上的空穴注入材料層181a、空穴傳輸材料層182a、電子傳輸材料層184a和電子注 入材料層185a的總厚度可以小于約2000 Aa
[0071] 在根據(jù)相關技術的OLED顯示裝置中，利用精細金屬掩模通過真空沉積法在每個 像素區(qū)中形成的空穴注入材料層181a、空穴傳輸材料層182a、電子傳輸材料層184a和電子 注入材料層185a可能導致包括掩模和基板110的對準準確度和大規(guī)模生產(chǎn)的問題。另外， 在根據(jù)相關技術的OLED顯示裝置中，隨著基板的尺寸增大，掩?？赡芟麓埂?br>[0072] 然而，根據(jù)本公開的第一實施方案，空穴注入材料層181a、空穴傳輸材料層182a、 電子傳輸材料層184a和電子注入材料層185a形成在基本上整個基板110上方。參照圖3F， 通過利用注入設備197在輔助接觸孔170b中注入有機溶劑來溶解在輔助接觸孔170b中在 輔助電極164上的空穴注入材料層181a (參照圖3E)、空穴傳輸材料層182a (參照圖3E)、 電子傳輸材料層184a(參照圖3E)和電子注入材料層185a(參照圖3E)的公共層。
[0073] 因而，公共層的材料溶解在有機溶劑中，從而在輔助接觸孔170b中形成公共層溶 液187a。此時，可以通過噴墨印刷法或噴嘴印刷法注入有機溶劑。有機溶劑可以為乙二醇、 4-甲基苯甲醚、苯甲酸乙酯、異丙醇（IPA)、丙酮和N-甲基吡咯烷酮（NMP)中之一。同時， 第一電極162上的空穴注入材料層181a (參照圖3E)、空穴傳輸材料層182a (參照圖3E)、 電子傳輸材料層184a (參照圖3E)和電子注入材料層185a (參照圖3E)分別變?yōu)榭昭ㄗ⑷?層181、空穴傳輸層182、電子傳輸層184和電子注入層185。
[0074] 參照圖3G，干燥公共層溶液187a (參照圖3F)以使有機溶劑和溶解在有機溶劑中 的公共層的材料揮發(fā)掉。另外，由公共層的未揮發(fā)掉的材料在輔助電極164上形成殘留層 187。此時，由于咖啡漬效應或咖啡環(huán)效應殘留層187的厚度從其中心部分到邊緣部分增 大。殘留層187的邊緣部分的厚度可以為殘留層187的中心部分的厚度的I. 1倍以上。有 利地，殘留層187的邊緣部分的厚度可以為殘留層187的中心部分的厚度的約10倍以上。 在此，殘留層187的中心部分的厚度可以小于約200人。
[0075] 例如，可以在小于150攝氏度的溫度下干燥圖3F的公共層溶液187a小于約10分 鐘。有利地，可以在80攝氏度至150攝氏度的溫度下，并且更有利地，在100攝氏度至150 攝氏度的溫度下，干燥公共層溶液187a。在此期間，為了更快干燥，可以在小于約50毫托的 真空下更快地干燥公共層溶液187a。
[0076] 參照圖3H，例如通過濺射法在基本上整個基板110上方沉積具有相對低的功函數(shù) 的導電材料，在電子注入層185和殘留層187上形成第二電極192。第二電極192可以由金 屬材料（例如鋁、鎂和銀）形成。第二電極192具有相對薄的厚度使得光通過其透射。
[0077] 在此，第二電極192通過輔助接觸孔170b電連接至輔助電極164。第二電極192 可以直接接觸輔助電極164或者通過殘留層187間接接觸輔助電極164。雖然第二電極192 通過殘留層187連接至輔助電極164,但第二電極192因殘留層187的中心部分的厚度小于 約200 A而電連接至輔助電極164。
[0078] 空穴注入層181、空穴傳輸層182、發(fā)光材料層183、電子傳輸層184和電子注入層 185形成發(fā)光層180,并且第一電極162、發(fā)光層180和第二電極192構成有機發(fā)光二極管。 第一電極162用作陽極，并且第二電極192用作陰極。在此，OLED顯示裝置為頂部發(fā)光型， 其中來自發(fā)光層180的光通過第二電極192輸出至外部。
[0079] 在根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案的OLED顯示裝置中，輔助電極164連接至第二電極 192,并且第二電極192的電阻降低。此時，輔助電極164通過與第一電極162相同的工藝 形成，而且不需要用于形成輔助電極164的另外的工藝。另外，通過有機溶劑去除在輔助電 極164上的公共層，并可以通過簡單的工藝使輔助電極164與第二電極192彼此電連接。
[0080] 在本公開的第一實施方案中，使輔助接觸孔170b中的電子注入材料層185a (參見 圖3E)、電子傳輸材料層184a(參照圖3E)、空穴傳輸材料層182a(參見圖3E)和空穴傳輸 材料層181a (參見圖3E)完全溶解并且接著進行干燥，從而使第二電極192和輔助電極164 電連接。或者，可以使輔助接觸孔170b中的電子注入材料層185a(參見圖3E)、電子傳輸材 料層184a (參照圖3E)、空穴傳輸材料層182a (參見圖3E)和空穴傳輸材料層18Ia (參見圖 3E)部分溶解并且接著進行干燥，從而使第二電極192與輔助電極164電連接。
[0081] 接著，圖4是根據(jù)本公開的第二實施方案的OLED顯示裝置的截面圖。除了輔助電 極以外，圖4的顯示裝置具有與圖2的顯示裝置相同的結構。相同的附圖標記將用于指代 與圖2的顯示裝置相同的部件，并且將省略對于相同部件的說明。
[0082] 在柵極絕緣層130上形成第一虛擬電極134。第一虛擬電極134可以由與柵電極 132相同的材料并且通過相同的工藝形成。接著，層間絕緣層140覆蓋第一虛擬電極134， 并且層間絕緣層140還包括使第一虛擬電極134露出的第三接觸孔140c。在層間絕緣層 140上形成第二虛擬電極156。第二虛擬電極156與第一虛擬電極134交疊并且通過第三 接觸孔140c接觸第一虛擬電極134。第二虛擬電極156可以由與源電極152和漏電極154 相同的材料并且通過相同的工藝形成。
[0083] 接著，鈍化層160覆蓋第二虛擬電極156并且具有使第二虛擬電極156露出的第 四接觸孔160b。在鈍化層160上形成輔助電極164。輔助電極164與第二虛擬電極156交 疊并且通過第四接觸孔160b接觸第二虛擬電極156。
[0084] 在輔助電極164上形成堤壩層170。堤壩層170具有使輔助電極164露出的輔助 接觸孔170b。通過溶解并干燥公共層在輔助電極164上形成殘留層187。在基本上整個 基板110上方形成第二電極192并且第二電極192通過輔助接觸孔170b電連接至輔助電 極164。第二電極192可以直接接觸輔助電極164或者通過殘留層187間接接觸輔助電極 164〇
[0085] 輔助電極164可以在基板110上方沿第一方向和第二方向延伸并且包括對應于每 個像素區(qū)的具有晶格形狀的開口。第一虛擬電極134可以沿第一方向（即，平行于柵極線） 延伸并且與輔助電極164交疊。第二虛擬電極156可以沿第二方向（即，平行于數(shù)據(jù)線） 延伸并且與輔助電極164交疊。
[0086] 在根據(jù)本公開的第二實施方案的OLED顯示裝置中，還形成第一虛擬電極134和第 二虛擬電極156并且第一虛擬電極134和第二虛擬電極156電連接至輔助電極164和第二 電極192。因此，與第一實施方案相比第二電極192的電阻進一步降低。在此，可以省略第 一虛擬電極134和第二虛擬電極156中之一。
[0087] 接著，圖5為根據(jù)本公開的第三實施方案的OLED顯示裝置的截面圖。除了發(fā)光層 以外，圖5的顯示裝置具有與圖2的顯示裝置相同的結構。相同的附圖標記將用于指代與 圖2的顯示裝置相同的部件，并且將省略對于相同部件的說明。
[0088] 在通過堤壩層170的透過孔170a露出的第一電極162上形成發(fā)光層180a。發(fā)光 層180a包括依次層疊在第一電極162上的空穴注入層181、空穴傳輸層182、白色發(fā)光材料 層183a、電子傳輸層184和電子注入層185。在此，空穴注入層181、空穴傳輸層182、白色 發(fā)光材料層183a、電子傳輸層184和電子注入層185形成在除了輔助接觸孔170b以外的基 本上整個基板110上方。
[0089] 白色發(fā)光材料層183a發(fā)射白光。白色發(fā)光材料層183a可以包括單層或發(fā)射不同 顏色光的多于兩層的發(fā)光材料層。例如，白色發(fā)光材料層183a可以具有紅色發(fā)光材料層、 綠色發(fā)光材料層和藍色發(fā)光材料層的層疊結構。
[0090] 空穴注入層181、空穴傳輸層182、白色發(fā)光材料層183a、電子傳輸層184和電子注 入層185可以在不使用精細金屬掩模的情況下通過依次真空沉積空穴注入材料、空穴傳輸 材料、發(fā)射白光的材料、電子傳輸材料和電子注入材料在基本上整個基板110上方形成。
[0091] 在輔助接觸孔170b中形成殘留層187b。在輔助接觸孔170b中，殘留層187b的厚 度從其中心部分到邊緣部分增大。殘留層187b的邊緣部分的厚度可以為殘留層187b的中 心部分的厚度的I. 1倍以上。有利地，殘留層187b的邊緣部分的厚度可以為殘留層187b 的中心部分的厚度的10倍以上。例如，殘留層187b的中心部分的厚度可以小于300 Λ。
[0092] 根據(jù)本公開的第三實施方案的OLED顯示裝置包括紅色濾色器、綠色濾色器和藍 色濾色器（未示出）。濾色器可以在基板110上方或在之后附接有基板110的對應基板的 上方形成。
[0093] 同時，與圖4的顯示裝置類似，根據(jù)本公開的第三實施方案的OLED顯示裝置還可 以包括連接至輔助電極164的第一虛擬電極和第二虛擬電極。
[0094] 接著，圖6和圖7為根據(jù)本公開的第四實施方案的OLED顯示裝置的截面圖。圖6 示出了對應于紅色像素區(qū)或綠色像素區(qū)的結構，圖7示出了對應于藍色像素區(qū)的結構。在 此，類似的附圖標記將用于指代與第一實施方案類似的部件或相同的部件，并且將簡化對 于相同部件的說明。
[0095] 在絕緣基板210上的每個像素區(qū)中形成半導體層222。在基本上整個基板210上 方形成由絕緣材料形成的柵極絕緣層230。
[0096] 在柵極絕緣層230上形成對應于半導體層222的由導電材料（例如金屬）形成的 柵電極232。另外，在柵極絕緣層230上可以形成柵極線和第一電容器電極。柵極線