一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 常見的顯示面板中，薄膜晶體管（Thin Film Transistor，TFT)陣列基板位于下 層，彩膜基板位于上層。目前，為了實(shí)現(xiàn)窄邊框甚至是無邊框設(shè)計(jì)，會將TFT陣列基板設(shè)置在 顯示面板的上層，而將彩膜基板設(shè)置在顯示面板的下層，從而，可大幅度窄化與PCB電路板 貼合的導(dǎo)電端的邊框，甚至實(shí)現(xiàn)無邊框。
[0003] 然而，針對這種窄邊框或無邊框設(shè)計(jì)，相當(dāng)于將現(xiàn)有的顯示面板倒置，使得TFT陣 列基板靠近出光側(cè)，因而，TFT陣列基板中的金屬信號線，尤其是柵線會對進(jìn)入的外界環(huán)境 光造成反射，特別是外界環(huán)境光較強(qiáng)時(shí)，出光面的反射程度更為嚴(yán)重，從而，就會導(dǎo)致顯示 面板的對比度較差，影響顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中 存在的無邊框顯示裝置的對比度較差的問題。
[0005] 本發(fā)明實(shí)施例采用以下技術(shù)方案：
[0006] -種陣列基板，包括:襯底基板，位于所述襯底基板之上的信號線，還包括：
[0007] 位于所述襯底基板與所述信號線之間的消光層，所述消光層用于在所述陣列基板 位于出光側(cè)時(shí)消減進(jìn)入所述信號線的外界環(huán)境光，其中，所述信號線在所述襯底基板所在 平面內(nèi)的正投影與所述消光層在所述襯底基板所在平面內(nèi)的正投影重合。
[0008] 該實(shí)施例中的消光層能夠消減部分外界環(huán)境光，從而減少進(jìn)入信號線的外界環(huán)境 光，相應(yīng)的，信號線反射出的光線隨之減少，從而改善了由于信號線反射外界環(huán)境光而導(dǎo)致 顯示對比度下降的問題。
[0009] 可選地，所述消光層的材質(zhì)為非晶硅單質(zhì)或摻雜有非晶硅單質(zhì)的半導(dǎo)體混合物。 [0010]在本發(fā)明實(shí)施例中，此類材質(zhì)的消光層能夠有效改善由于信號線反射外界環(huán)境光 而導(dǎo)致顯示對比度下降的問題。
[0011] 可選地，所述消光層的厚度滿足干涉消光公式：
[0012] d=(2n+l)A/4N (1)
[0013] 其中，所述d為消光層的厚度，所述λ為可見光在空氣中的波長，所述N為消光層的 折射率，所述η為自然數(shù)。
[0014] 在本發(fā)明實(shí)施例中，符合該干涉消光原理所限定的厚度的消光層能夠?qū)崿F(xiàn)對外界 環(huán)境光的消減，有效改善由于信號線反射外界環(huán)境光而導(dǎo)致顯示對比度下降的問題。
[0015] 可選地，所述消光層的厚度為34Q人。
[0016] 在本發(fā)明實(shí)施例中，該厚度能夠保證消光層盡可能多的消減外界環(huán)境光，減少進(jìn) 入信號線的環(huán)境光。
[0017] 可選地，所述消光層中至少一表面設(shè)置有多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)。
[0018] 在本發(fā)明實(shí)施例中，消光層的表面設(shè)置的多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)能夠增加漫反射效果，減 少進(jìn)入信號線的外界環(huán)境光。
[0019] 可選地，所述消光層中兩個(gè)表面均設(shè)置有多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)。
[0020] 在本發(fā)明實(shí)施例中，消光層的兩個(gè)表面均設(shè)置有多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)，能夠更為有效增 加漫反射效果，減少進(jìn)入信號線的外界環(huán)境光。
[0021] 可選地，所述信號線為柵線或公共電極線。
[0022]在本發(fā)明實(shí)施例中，能夠很好的解決柵線和公共電極線反射環(huán)境光的問題。
[0023] 一種顯示裝置，包括所述的陣列基板，所述陣列基板位于該顯示裝置的出光面。 [0024]該實(shí)施例中的消光層能夠消減部分外界環(huán)境光，從而減少進(jìn)入信號線的外界環(huán)境 光，相應(yīng)的，信號線反射出的光線隨之減少，從而改善了由于信號線反射外界環(huán)境光而導(dǎo)致 顯示對比度下降的問題。
[0025] -種制備所述的陣列基板的方法，包括：
[0026]提供一襯底基板；
[0027] 利用一次構(gòu)圖工藝，在所述襯底基板之上形成圖案化的消光層和信號線。
[0028] 該實(shí)施例中通過一次構(gòu)圖工藝即可形成消光層和信號線，節(jié)省了工藝流程，簡化 了工藝復(fù)雜度。同時(shí)，制作而成的陣列基板的結(jié)構(gòu)能夠改善由于信號線反射外界環(huán)境光而 導(dǎo)致顯示對比度下降的問題。
[0029] 可選地，利用一次構(gòu)圖工藝，在所述襯底基板之上形成圖案化的消光層和信號線， 具體包括：
[0030] 在所述襯底基板的一表面依次沉積消光膜層和金屬膜層；
[0031] 利用掩膜版對所述金屬膜層進(jìn)行光刻工藝，形成圖案化的信號線；
[0032] 利用所述信號線的圖案，對所述消光膜層進(jìn)行刻蝕，形成與所述信號線相同圖案 的消光層。
[0033] 可選地，在所述襯底基板的一表面依次沉積消光膜層和金屬膜層之前，所述方法 還包括：
[0034] 將所述襯底基板置于真空腔室中，利用等離子氣體對所述襯底基板的一表面進(jìn)行 粗糙化處理，以使得后續(xù)形成的消光層中靠近所述襯底基板的表面具有多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)。
[0035] 可選地，在所述襯底基板的一表面依次沉積消光膜層和金屬膜層，具體包括：
[0036] 在所述襯底基板的一表面沉積消光膜層；
[0037] 將沉積有消光膜層的襯底基板置于真空腔室中，利用等離子氣體對所述消光膜層 進(jìn)行粗糙化處理，以使得所述消光膜層具有多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)；
[0038]在粗糙化處理后的消光膜層之上沉積金屬膜層。
【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其 他的附圖。
[0040] 圖1為本發(fā)明所涉及的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041] 圖2(a)-圖2(c)分別為消光層的三種類型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0044] 圖5(a)-圖5(e)為本發(fā)明步驟42的具體工藝流程圖；
[0045] 圖6為實(shí)例1提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0046] 圖7為實(shí)例2提供的一種陣列基板的制作方法流程圖；
[0047] 圖8為實(shí)例3提供的一種陣列基板的制作方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn) 一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施 例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的 所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0049] 下面通過具體的實(shí)施例對本發(fā)明所涉及的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明包括但 并不限于以下實(shí)施例。
[0050] 如圖1所示，為本發(fā)明所涉及的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板主要包 括:襯底基板11，位于襯底基板11之上的信號線12,此外，還包括:位于襯底基板11與信號線 12之間的消光層13,消光層13用于在陣列基板位于出光側(cè)時(shí)消減進(jìn)入信號線12的外界環(huán)境 光，其中，信號線12在襯底基板所在平面內(nèi)的正投影與消光層13在襯底基板所在平面內(nèi)的 正投影重合。
[0051]此外，該陣列基板還包括:TFT器件、數(shù)據(jù)線以及過孔、像素電極等結(jié)構(gòu)。本發(fā)明未 在圖中示出，因而，并不在此進(jìn)行贅述。
[0052]在本發(fā)明上述陣列基板的方案中，為了改善無邊框顯示面板存在的信號線反射外 界環(huán)境光而導(dǎo)致顯示對比度下降的問題，在襯底基板與信號線之間，設(shè)置一用于在陣列基 板位于出光側(cè)時(shí)消減進(jìn)入信號線的外界環(huán)境光的消光層，以消除信號線靠近出光側(cè)而造成 的反光和視覺暴露。該方案相比于現(xiàn)有技術(shù)中信號線與襯底基板直接接觸的方案而言，通 過消光層消減外界環(huán)境光的方式減少了進(jìn)入信號線的外界環(huán)境光，進(jìn)而，減少了信號線反 射的外界環(huán)境光，提升了顯示面板的顯示對比度，而且，該消光層在襯底基板所在平面內(nèi)的 正投影被信號線在襯底基板所在平面內(nèi)的正投影重合，即該消光層的圖案與信號線的圖案 相同，從而不會影響顯示面板的透過率，在提升顯示對比度的同時(shí)，保證了顯示面板的透過 率，改善了畫面顯示質(zhì)量。
[0053]可選地，為了能夠更好的實(shí)現(xiàn)對進(jìn)入顯示面板的外界環(huán)境光的消減，消光層的材 質(zhì)可選擇顏色較深的非晶硅單質(zhì)或摻雜有非晶硅單質(zhì)的半導(dǎo)體混合物。
[0054]可選地，在本發(fā)明實(shí)施例中，消光層可通過以下方式實(shí)現(xiàn)對外界環(huán)境光的消減： [0055]方式一:干涉消光原理
[0056] 由于各種波長的光都可以在一定的干涉消光條件下消光，在本發(fā)明實(shí)施例中，消 光層的厚度滿足以下干涉消光公式：
[0057] d=(2n+l)A/4N (1)
[0058]其中，所述d為消光層的厚度，所述λ為可見光在空氣中的波長，所述N為消光層的 折射率，所述η為自然數(shù)。
[0059]具體地，可見光的波長λ的取值范圍為：350nm~770nm; η的取值為任意自然數(shù)。針 對外界環(huán)境光，其波長可取值為可見光波長的平均值，例如:550nm左右?？紤]到顯示面板的 厚度的限制，即為了適應(yīng)現(xiàn)有的輕薄需求，η的取值優(yōu)選為0。因而，當(dāng)波長λ取值為550nm，η 取值為〇,當(dāng)消光層的折射率為4時(shí)，消光層的厚度約為340 Α。即該厚度的消光層滿足干涉 消光條件，在外界環(huán)境光進(jìn)入陣列基板時(shí)，可在消光層產(chǎn)生干涉消光現(xiàn)象，減少甚至避免進(jìn) 入信號線的光線，進(jìn)而，也會減小被信號線反射至人眼的光線，從而，提升顯示面板的顯示 對比度，而且，該消光層的圖案與信號線的圖案相同，不會影響信號線所在區(qū)域以外的區(qū)域 的透過率，因而，從整體上改善了顯示效果。
[0000]方式二:漫反射原理
[0061] 考慮到現(xiàn)有的無邊框設(shè)計(jì)中，對比度下降的主要原因在于:信號線大多為金屬材 質(zhì)且表面光滑，很容易對進(jìn)入的光線產(chǎn)生鏡面反射。如圖2(a)所示，而本發(fā)明為了改善這一 問題，設(shè)置了位于信號線22與襯底基板21之間的消光層，該消光層23中至少一表面設(shè)置有 多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)231。其中，凸起結(jié)構(gòu)231的具體形狀不限，可以為三角形、梯形或不規(guī)則圖形， 而且，多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)的形狀可以相同，也可以不同。具體地，消光層的具體結(jié)構(gòu)包括以下三 種類型：
[0062] 類型一:消光層23中靠近信號線22的表面設(shè)置有多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)231，參見圖2(a);
[0063] 類型二:消光層23中遠(yuǎn)離信號線22的表面設(shè)置有多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)231，參見圖2(b); [0064]類型三:消光層23的兩個(gè)表面均設(shè)置有多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)231，參見圖2(c)。
[0065] 無論以上哪種類型，多個(gè)凸起結(jié)構(gòu)的存在使得消光層的表面粗糙，很容易對進(jìn)入 該消光