注傳輸層3上面沉積30nm的電子阻 擋層4,電子阻擋層4的材料采用2-TNATA;電子阻擋層4上沉積30nm的混合發(fā)光層5,混合 發(fā)光層5的材料采用有重原子效應(yīng)的Cu-E-Cl摻雜材料和主體材料CBP混合而成，Cu-E-Cl 的質(zhì)量百分比參雜濃度分別為6%;在電混合發(fā)光層5上沉積40nm空穴阻擋層兼電子傳輸 層6,激子阻擋層6的材料采用TPBi;在空穴阻擋層兼電子傳輸層6上沉積lnm電子注入層 7,電子注入層7的材料采用LiF;最后在電子注入層7上沉積lOOnm陰極層8,陰極層8的 材料采用金屬A1。上述所有薄膜都采用熱蒸發(fā)工藝沉積。各層的厚度使用膜厚監(jiān)控儀器 監(jiān)視。制作成功的器件以氧化銦錫ITO和銀層分別作陽極和陰極，發(fā)光從器件陽極一側(cè)射 出。亮度-電流-電壓曲線通過吉時利-2400電源和校正過的TOPCQN?亮度計BM-7同 時測量獲得。所有的測試都在室溫大氣環(huán)境下進(jìn)行，器件沒有封裝。采用上述的測量方法 測得結(jié)果如下：器件啟亮電壓為3. 5V;器件在12. 6V，電流為412. 27mA/cm2時，達(dá)到最大亮 度4320cd/m2 ;電流在0. 13mA/cm2時最大，電流效率最大，為13. 5cd/A，功率效率也是最大， 為9. 41m/W。在電壓為8V時，EL光譜發(fā)射主均在位于551nm。
[0034] 實施例2:
[0035] 選用圖1所示的器件結(jié)構(gòu)：在本實施例中，采用20Ω/ □的ΙΤ0導(dǎo)電玻璃為襯底， 對其用丙酮、玻璃清潔劑（TFD-7)、去離子水反復(fù)擦洗，再依次用丙酮和去離子水超聲波清 洗。清洗過的ΙΤ0導(dǎo)電玻璃用紫外臭氧處理，然后置于有機電致發(fā)光綜合沉積系統(tǒng)中。首 先在高真空（2~3x10 4帕）下，在透明導(dǎo)電膜ΙΤ0上面沉積一層厚度為5nm空穴注入層 2-TNATA，空穴注傳輸層3的材料采用NPB;然后在空穴注傳輸層3上面沉積30nm的電子阻 擋層4,電子阻擋層4的材料采用2-TNATA;電子阻擋層4上沉積30nm的混合發(fā)光層5,混合 發(fā)光層5的材料采用有重原子效應(yīng)的Cu-E-Cl摻雜材料和主體材料CBP混合而成，Cu-E-Cl 的質(zhì)量百分比參雜濃度分別為8%;在電混合發(fā)光層5上沉積40nm空穴阻擋層兼電子傳輸 層6,激子阻擋層6的材料采用TPBi;在空穴阻擋層兼電子傳輸層6上沉積lnm電子注入層 7,電子注入層7的材料采用LiF;最后在電子注入層7上沉積lOOnm陰極層8,陰極層8的 材料采用金屬A1。上述所有薄膜都采用熱蒸發(fā)工藝沉積。各層的厚度使用膜厚監(jiān)控儀器監(jiān) 視。制作成功的器件以氧化銦錫ΙΤ0和銀層分別作陽極和陰極，發(fā)光從器件陽極一側(cè)射出。 亮度-電流-電壓曲線通過吉時利-2400電源和校正過的TOPCON?亮度計BM-7同時測 量獲得。所有的測試都在室溫大氣環(huán)境下進(jìn)行，器件沒有封裝。采用實施例1所述的測量 方法測得結(jié)果如下：器件啟亮電壓為3. 0V;器件在12. 5V，電流為240. 33mA/cm2時，達(dá)到最 大亮度4320cd/m2;電流在0. 17mA/cm2時最大，電流效率最大，為20. 5cd/A，功率效率也是最 大，為14. 271m/W;在ImA/cm2時，效率為17cd/A，10mA/cm2時，效率為10.Ocd/Α。在電壓從 7V增加到13V時，EL光譜發(fā)射主均在位于552-554nm范圍內(nèi)，峰型也幾乎沒有改變。
[0036] 實施例3:
[0037]選用圖1所示的器件結(jié)構(gòu)：在本實施例中，采用20Ω/ □的ΙΤ0導(dǎo)電玻璃為襯底， 對其用丙酮、玻璃清潔劑（TFD-7)、去離子水反復(fù)擦洗，再依次用丙酮和去離子水超聲波清 洗。清洗過的ΙΤ0導(dǎo)電玻璃用紫外臭氧處理，然后置于有機電致發(fā)光綜合沉積系統(tǒng)中。首 先在高真空（2~3xl04帕）下，在透明導(dǎo)電膜ΙΤ0上面沉積一層厚度為5nm空穴注入層 2-TNATA，空穴注傳輸層3的材料采用NPB;然后在空穴注傳輸層3上面沉積30nm的電子阻 擋層4,電子阻擋層4的材料采用2-TNATA;電子阻擋層4上沉積30nm的混合發(fā)光層5,混合 發(fā)光層5的材料采用有重原子效應(yīng)的Cu-E-Cl摻雜材料和主體材料CBP混合而成，Cu-E-Cl 的質(zhì)量百分比參雜濃度分別為10% ;在電混合發(fā)光層5上沉積40nm空穴阻擋層兼電子傳 輸層6,激子阻擋層6的材料采用TPBi;在空穴阻擋層兼電子傳輸層6上沉積lnm電子注入 層7,電子注入層7的材料米用LiF;最后在電子注入層7上沉積100nm陰極層8,陰極層8 的材料采用金屬A1。上述所有薄膜都采用熱蒸發(fā)工藝沉積。各層的厚度使用膜厚監(jiān)控儀 器監(jiān)視。制作成功的器件以氧化銦錫IT0和銀層分別作陽極和陰極，發(fā)光從器件陽極一側(cè) 射出。亮度-電流-電壓曲線通過吉時利-2400電源和校正過的TOPCON⑧亮度計BM-7 同時測量獲得。所有的測試都在室溫大氣環(huán)境下進(jìn)行，器件沒有封裝。采用實施例1所述 的測量方法測得結(jié)果如下：器件啟亮電壓為3. 5V;器件在13.IV，電流為404. 23mA/cm2時， 達(dá)到最大亮度4808cd/m2 ;電流在0. 13mA/cm2時最大，電流效率最大，為16. 4cd/A，功率效率 也是最大，為11. 41m/W。在電壓為8V時，EL光譜發(fā)射主均在位于553nm。
【主權(quán)項】
1. 一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅（I)配合物的有機電致發(fā)光器件，磷光材 料銅（I)配合物的壽命為0. 62μS，在磷光材料銅（I)配合物的摻雜濃度為6%時，器件 在外加電壓8V時，該器件的電致發(fā)光發(fā)射主峰為551nm，器件的最大電流效率和亮度分別 為了13.5(：(1/^和4900(3(1/1112;在磷光材料銅（1)配合物的摻雜濃度為10%時，器件在外 加電壓8V時，該器件的電致發(fā)光發(fā)射主峰為553nm，器件的最大電流效率和亮度分別為了 16.4〇(1/^和4808(3(1/1112;在磷光材料銅（1)配合物的最佳摻雜濃度為8%時，器件在外加電 壓7-13V時，該器件的電致發(fā)光發(fā)射主峰為552-554nm，器件的最大電流效率和亮度分別為 了 20. 5cd/A和4320cd/m2,比當(dāng)前已經(jīng)報道的Cu⑴磷光配合物的磷光器件的性能都高。其 特征是：該有機電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，依次為在玻璃襯底涂覆層氧化銦錫導(dǎo)電膜的陽 極層（1)、空穴注入層（2)、空穴注傳輸層（3)、電子阻擋層（4)、混合發(fā)光層（5)、空穴阻擋層 兼電子傳輸層（6)、電子注入層（7)、陰極（8);所述的空穴注入層（2)的厚度為1~10nm; 所述的空穴注傳輸層（3)給厚度為10~40nm;所述的電子阻擋層（4)的厚度為3~15nm; 所述的混合混合發(fā)光層的厚度為20~40nm;所述的空穴阻擋層兼電子傳輸層（6)的厚度 為25~40nm;所述的電子注入層（7)的厚度為lnm;陰極層⑶的厚度為100~200nm。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅（I)配合物的有機電 致發(fā)光器件，其特征是：所述的空穴注入層（2)采用的材料為4, 4'，4' ' -三[2-萘基苯基氨 基]三苯基胺（2-TNATA)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅（I)配合物的有 機電致發(fā)光器件，其特征是：所述的電空穴注傳輸層（3)采用的材料為Ν，Ν'-二（1-萘 基）-Ν，Ν，-二苯基-1，1，-聯(lián)苯-4-4，-二胺（ΝΡΒ)。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅（I)配合物的有機電 致發(fā)光器件，其特征是：所述的電子阻擋層（4)采用的材料為4, 4'，4' 三[2-萘基苯基氨 基]三苯基胺（2-ΤΝΑΤΑ)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅（I)配合物的有機電 致發(fā)光器件，其特征是：所述的混合發(fā)光層（5)采用的材料為有重原子效應(yīng)的Cu(I)配合物 [Cu(DPEphos) (PyPPCl)]BF4(Cu-E-Cl，DPEphos和PyPPCl分別表示（2-二苯基膦基）苯基 醚和（5-氯-吡啶）并[1'，2' :2, 3]吡嗪[5, 6-f]l，10-鄰菲羅啉）和4, 4'-二（9-咔 唑）聯(lián)苯（CBP)的混合物，Cu⑴配合物的質(zhì)量百分比參雜濃度分別為6%、8%和10%。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅（I)配合物的有機 電致發(fā)光器件，其特征是：所述的空穴阻擋層兼電子傳輸層（7)采用的材料為1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅（I)配合物的有機電 致發(fā)光器件，其特征是：所述的電子注入層（7)采用的材料為氟化鋰（LiF)。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅（I)配合物的有機電 致發(fā)光器件，其特征是：所述的陰極層（8)采用的材料為金屬鋁（A1)。
【專利摘要】一種基于重原子效應(yīng)的高效磷光材料銅(I)配合物的有機電致發(fā)光器件，屬于由有機小分子材料構(gòu)成的有機電致磷光器件領(lǐng)域。該發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，依次為在玻璃襯底涂覆層氧化銦錫導(dǎo)電膜的陽極層、空穴注入層、空穴注傳輸層、電子阻擋層、混合發(fā)光層、空穴阻擋層兼電子傳輸層、電子注入層、陰極；所述的空穴注入層的厚度為1～10nm；所述的空穴注傳輸層給厚度為10～40nm；所述的電子阻擋層的厚度為3～15nm；所述的混合混合發(fā)光層的厚度為20～40nm；所述的空穴阻擋層兼電子傳輸層的厚度為25～40nm；所述的電子注入層(7)的厚度為1nm；陰極層的厚度為100～200nm。本發(fā)明制作工藝簡單、成本低，可以大部分采用市場銷售有機材料，并且由于采用了薄的多個有機層組合，使器件設(shè)計更為靈活。
【IPC分類】H01L51/54, H01L51/50
【公開號】CN105280828
【申請?zhí)枴緾N201410348231
【發(fā)明人】孔治國, 王秀艷, 周實, 郭勝男, 徐占林
【申請人】吉林師范大學(xué)
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年7月21日