用于處理基板的設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文描述的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及一種基板處理設(shè)備，尤其涉及一種用于清洗基板的基板處理設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]由于半導(dǎo)體器件的高密度、高集成度和高性能，因而電路圖案可按比例迅速縮小。污染物材料，例如顆粒、有機(jī)污染物、金屬污染物和類似的材料可顯著影響器件特性和產(chǎn)量。因此，在半導(dǎo)體制造工藝中，用于清除附著在基板表面上的各種污染物材料的清洗工藝可為非常重要的，基板清洗工藝可在用于制造半導(dǎo)體器件的每個(gè)單元工藝之前或之后被執(zhí)行。
[0003]在公開號(hào)為2011-0116469的韓國專利中，示出了一種基板清洗設(shè)備，該設(shè)備包括具有3階層(step)收集槽的容器。在該基板清洗設(shè)備中，用于清洗工藝的溶液可彼此獨(dú)立地排出，且可分別通過形成在處理容器處的溶液路徑排出。在該基板清洗設(shè)備中，收集槽的入口可上下疊放。所有收集槽可由驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，以調(diào)節(jié)基板和收集槽之間的垂直高度，從而在執(zhí)行工藝時(shí)，使得處理溶液可能不流入選定的收集槽而是流入其他任意的收集槽。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種能夠有效收集處理溶液的基板處理設(shè)備。
[0005]此外，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種能夠在基板處理工藝中，防止處理溶液不流入目標(biāo)收集槽而流入到其他任意收集槽中的基板處理設(shè)備。
[0006]此外，本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供一種具有新結(jié)構(gòu)收集槽的基板處理設(shè)備，上述收集槽能夠在基板處理工藝中獨(dú)立地收集多種處理溶液。
[0007]本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例一方面的目的是提供一種基板處理設(shè)備，該基板處理設(shè)備包括處理容器，所述處理容器在其內(nèi)具有處理空間，且包括圍繞所述處理空間的多個(gè)收集槽，所述收集槽被設(shè)置為使得用于將流體輸入到所述處理空間的入口豎直地疊放在彼此上；支撐單元，所述支撐單元在所述處理空間中支撐基板；溶液供應(yīng)單元，所述溶液供應(yīng)單元將處理溶液供應(yīng)到由所述支撐單元支撐的所述基板；以及升降單元，所述升降單元分別與所述收集槽連接，且分別將所述收集槽升起和降下。所述升降單元的每一個(gè)包括:基部，所述基部具有環(huán)形形狀且與相應(yīng)的收集槽連接；升降載荷，所述升降載荷與所述基部連接；以及驅(qū)動(dòng)器，所述驅(qū)動(dòng)器將所述升降載荷升起和降下。
[0008]所述基部可與所述收集槽的外壁固定連接。所述升降載荷可包括:豎直載荷，所述豎直載荷的長度方向設(shè)置在上、下方向上；以及輪緣(flange)，所述輪緣在遠(yuǎn)離所述支撐單元的方向上從所述豎直載荷延伸。所述驅(qū)動(dòng)器可安裝輪緣上，所述輪緣設(shè)置在各升降單元中與所述驅(qū)動(dòng)器對(duì)應(yīng)的升降單元不同的升降單元上。
[0009]設(shè)置在不同的升降單元上的輪緣可為鄰近于具有所述驅(qū)動(dòng)器的升降單元、且設(shè)置在具有所述驅(qū)動(dòng)器的升降單元下方的升降單元的輪緣。
[0010]所述收集槽可包括:第一收集槽以及圍繞所述第一收集槽的第二收集槽。所述基部可包括:第一基部，所述第一基部固定到所述第一收集槽的外壁上；以及第二基部，所述第二基部置于所述第一基部的內(nèi)部，且固定到所述第二收集槽的外壁上。所述豎直載荷可包括:第一豎直載荷，所述第一豎直載荷與所述第一基部連接，所述第一豎直載荷的長度方向設(shè)置在上、下方向上；以及第二豎直載荷，所述第二豎直載荷與所述第二基部連接，且設(shè)置在從所述支撐單元到所述第一豎直載荷的方向上，所述第二豎直載荷的長度方向設(shè)置在上、下方向上。所述輪緣可包括:第一輪緣，所述第一輪緣在遠(yuǎn)離所述支撐單元的方向上從所述第一豎直載荷延伸。
[0011]所述收集槽還可包括圍繞所述第二收集槽的第三收集槽。所述基部還可包括第三基部，所述第三基部被置于所述第二基部的內(nèi)部，且固定在所述第三收集槽的外壁上。所述豎直載荷還可包括第三豎直載荷，所述第三豎直載荷與所述第三基部連接，且設(shè)置在從所述支撐單元到所述第二豎直載荷的方向上，所述第三豎直載荷的長度方向設(shè)置在上、下方向上。所述輪緣還可包括第二輪緣，所述第二輪緣在遠(yuǎn)離所述支撐單元的方向上從所述第三豎直載荷延伸，且設(shè)置在所述第一輪緣的上方。
[0012]所述驅(qū)動(dòng)器可包括:第一驅(qū)動(dòng)器，所述第一驅(qū)動(dòng)器與所述第一豎直載荷的底面連接，且將所述第一收集槽向上和向下移動(dòng)；以及第二驅(qū)動(dòng)器，所述第二驅(qū)動(dòng)器與所述第二豎直載荷的底面連接，且與所述第一輪緣的上部固定連接以將所述第二收集槽向上和向下移動(dòng)。
[0013]所述收集槽還可包括圍繞所述第二收集槽的第三收集槽，所述基部還可包括第三基部，所述第三基部被置于所述第二基部的內(nèi)部，且固定在所述第三收集槽的外壁上。所述豎直載荷還可包括第三豎直載荷，所述第三豎直載荷與所述第三基部連接，且設(shè)置在從所述支撐單元到所述第二豎直載荷的方向上，所述第三豎直載荷的長度方向設(shè)置在上、下方向上。所述輪緣還可包括第二輪緣，所述第二輪緣在遠(yuǎn)離所述支撐單元的方向上從所述第三豎直載荷延伸，且設(shè)置在所述第一輪緣的上方。所述驅(qū)動(dòng)器還可包括第三驅(qū)動(dòng)器，所述第三驅(qū)動(dòng)器與所述第三豎直載荷的底面連接，且與所述第二輪緣的頂端部固定連接以將所述第三收集槽向上和向下移動(dòng)。
[0014]所述第一基部可包括第一內(nèi)側(cè)壁，所述第一內(nèi)側(cè)壁在長度方向上與所述第一收集槽的外壁的底端部連接；第一外側(cè)壁，所述第一外側(cè)壁在遠(yuǎn)離所述支撐單元的方向上與所述第一內(nèi)側(cè)壁間隔分開，且平行于所述第一內(nèi)側(cè)壁；以及第一底壁，所述第一底壁與所述第一內(nèi)側(cè)壁的底面和所述第一外側(cè)壁的底面連接，且水平設(shè)置。所述第二基部可包括第二內(nèi)側(cè)壁，所述第二內(nèi)側(cè)壁在長度方向上與所述第二收集槽的外壁的底端部連接；第二外側(cè)壁，所述第二外側(cè)壁在遠(yuǎn)離所述支撐單元的方向上與所述第二內(nèi)側(cè)壁間隔分開，且平行于所述第二內(nèi)側(cè)壁；以及第二底壁，所述第二底壁與所述第二內(nèi)側(cè)壁的底面和所述第二外側(cè)壁的底面連接，且水平設(shè)置。所述第三基部可包括第三內(nèi)側(cè)壁，所述第三內(nèi)側(cè)壁在長度方向上與所述第三收集槽的外壁的底端部連接；第三外側(cè)壁，所述第三外側(cè)壁在遠(yuǎn)離所述支撐單元的方向上與所述第三內(nèi)側(cè)壁間隔分開，且平行于所述第三內(nèi)側(cè)壁；以及第三底壁，所述第三底壁與所述第三內(nèi)側(cè)壁的底面和所述第三外側(cè)壁的底面連接，且水平設(shè)置。
[0015]所述第一基部可具有頂端開放的第一空間，且所述第一空間由所述第一內(nèi)側(cè)壁、所述第一外側(cè)壁和所述第一底壁圍成。所述第二基部可具有頂端開放的第二空間，且所述第二空間由所述第二內(nèi)側(cè)壁、所述第二外側(cè)壁和所述第二底壁包圍，所述第三基部可具有頂端開放的第三空間，且所述第三空間由所述第三內(nèi)側(cè)壁、所述第三外側(cè)壁和所述第三底壁圍繞。所述第二基部可置于所述第一空間中，所述第三基部可置于所述第二空間中。
[0016]所述處理容器還可包括基槽，所述基槽圍繞所述收集槽，且以圓形的形式設(shè)置。
[0017]所述收集槽可包括用于將收集的溶液排放到外部的排出管線。
[0018]所述排出管線可從所述收集槽的底面連接到外部，在所述基槽中，排出管線可連接到與設(shè)置所述收集槽的排出管線的位置相對(duì)的位置，且設(shè)置為連接到外部。
[0019]所述基板處理設(shè)備還可包括氣流供應(yīng)單元，所述氣流供應(yīng)單元將下降氣流供應(yīng)到所述處理空間，所述收集槽可包括出口，所述出口通過由所述氣流供應(yīng)單元提供的下降氣流將氣流排出。
[0020]所述基板處理設(shè)備還可包括輔助收集槽，所述輔助收集槽設(shè)置在所述收集槽的外部；以及輔助驅(qū)動(dòng)器，所述輔助驅(qū)動(dòng)器將所述輔助收集槽向上和向下移動(dòng)。
[0021]所述基板處理設(shè)備還可包括輔助輪緣，所述輔助輪緣在遠(yuǎn)離所述支撐單元的方向上從所述第三豎直載荷延伸，且所述輔助驅(qū)動(dòng)器固定連接在所述輔助輪緣上。
【附圖說明】
[0022]根據(jù)以下參照附圖的說明書，上述對(duì)象和特征以及其他對(duì)象和特征將變得明顯，其中，貫穿各附圖，相似的附圖標(biāo)記指代相似的部件，除非另有說明，其中，
[0023]圖1為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的基板處理設(shè)備的平面圖；
[0024]圖2為根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的基板處理設(shè)備的剖面圖；
[0025]圖3為示意性示出圖2的基板處理設(shè)備的處理容器和升降單元的示意圖；
[0026]圖4-圖7為示意性示出升降單元的驅(qū)動(dòng)的示意圖；以及
[0027]圖8為不意性不出圖2的基板處理設(shè)備的另個(gè)實(shí)施例的不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]將參照附圖詳細(xì)描述實(shí)施例。然而，本發(fā)明的構(gòu)思可以各種不同的形式體現(xiàn)，且不應(yīng)當(dāng)被解釋為僅限于示出的實(shí)施例。而是，這些實(shí)施例作為示例被提供，使得對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，該公開是徹底且完整的，并充分地表達(dá)了本發(fā)明構(gòu)思的概念。相應(yīng)地，對(duì)于本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例，并沒有描述已知工藝、構(gòu)件和技術(shù)。除非另有說明，貫穿附圖和書面描述，相似的附圖標(biāo)記表示相似的構(gòu)件，因此將不會(huì)重復(fù)描述。在附圖中，為清楚起見，層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸可能被放大。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等可能在本文中使用以描述各種構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)構(gòu)件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個(gè)區(qū)域、層或部分進(jìn)行區(qū)分。因此，以下所述的第一構(gòu)件、第一組件、第一區(qū)域、第一層和/或第一部分可被稱為第二構(gòu)件、第二組件、第二區(qū)域、第二層和/或第二部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0030]為了便于描述，本文可使用空間相對(duì)術(shù)語，例如“在…下面(beneath) ”、“在…下方(below) ”、“下面的(lower) ”、“在…之下(under) ”、“在…上方(above) ”、“上面的(upper)”等，以描述如附圖中所示的一個(gè)構(gòu)件或特征與另一個(gè)(多個(gè))構(gòu)件或(多個(gè))特征之間的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除附圖中描述的方位以外，空間相對(duì)術(shù)語意圖是包含設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的設(shè)備被倒置，描述為在其他構(gòu)件或特征“下方(below)”或“下面(beneath)”或“之下(under) ”的構(gòu)件將隨之調(diào)整為在其他構(gòu)件或特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語“下方(below)”和“之下(under)”可包含上方和下方兩個(gè)方位。