陣列基板、顯示裝置及可穿戴設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種陣列基板、顯示裝置及可穿戴設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示技術(shù)在各種顯示裝置上得到廣泛的應(yīng)用，目前除通常的電視、電腦、IPAD等外，各種可穿戴設(shè)備上也開(kāi)始采用液晶顯示技術(shù)制作。
[0003]由于人們對(duì)可穿戴設(shè)備各種結(jié)構(gòu)形式的需求，目前市場(chǎng)上的可穿戴設(shè)備的表盤(pán)的形狀五花八門(mén)，除有通常的矩形設(shè)計(jì)外，也有圓形或者其他不規(guī)則形狀。然而，對(duì)于圓形或者其他不規(guī)則形狀的顯示表盤(pán)，在采用通常的像素單元的排布方式布置陣列基板時(shí)，如圖1所示，由于像素單元11通常形成為規(guī)則的矩形區(qū)域，在多個(gè)像素單元排布于陣列基板上形成圓形或其他不規(guī)則形狀的顯示區(qū)域時(shí)，如圖2所示，由于邊緣并非為呈水平或豎直，使得邊緣區(qū)域的設(shè)計(jì)出現(xiàn)鋸齒圖案，從而造成邊緣像素單元的開(kāi)口率及利用率較低、顯示質(zhì)量受到影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明技術(shù)方案的目的是提供一種陣列基板、顯示裝置及可穿戴設(shè)備，解決現(xiàn)有技術(shù)圓形或不規(guī)則形狀顯示區(qū)域的邊緣顯示質(zhì)量較低的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括多個(gè)像素單元，多個(gè)所述像素單元形成顯示區(qū)域，其中每一所述像素單元包括像素電極和與所述像素電極連接的薄膜晶體管，其中，位于所述顯示區(qū)域的邊緣處的所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于靠近所述顯示區(qū)域的邊緣的一側(cè)。
[0006]優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，其中，所述陣列基板包括至少兩個(gè)設(shè)置區(qū)域，每一設(shè)置區(qū)域分別對(duì)應(yīng)所述顯示區(qū)域的其中一邊緣范圍，其中在同一所述設(shè)置區(qū)域中，所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極的設(shè)置方位相同，在不同設(shè)置區(qū)域中，所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極的設(shè)置方位不同。
[0007]優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，其中，所述陣列基板包括四個(gè)設(shè)置區(qū)域，其中第一設(shè)置區(qū)域?qū)?yīng)于所述顯示區(qū)域的左上部的一邊緣范圍，所述第一設(shè)置區(qū)域中，所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于左上方位置；第二設(shè)置區(qū)域?qū)?yīng)于所述顯示區(qū)域的右上部的一邊緣范圍，所述第二設(shè)置區(qū)域中，所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于右上方位置；第三設(shè)置區(qū)域?qū)?yīng)于所述顯示區(qū)域的左下部的一邊緣范圍，所述第三設(shè)置區(qū)域中，所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于左下方位置；第四設(shè)置區(qū)域中對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)域的右下部的一邊緣范圍，所述第四設(shè)置區(qū)域中，所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于右下方位置。
[0008]優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，其中，多個(gè)所述設(shè)置區(qū)域相組合形成為所述顯示區(qū)域的整個(gè)邊緣范圍。
[0009]優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，其中，多個(gè)所述設(shè)置區(qū)域相組合形成為整個(gè)所述顯示區(qū)域。
[0010]優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，其中，所述陣列基板包括位于所述顯示區(qū)域的邊緣處的多個(gè)邊緣像素單元，其中每一所述邊緣像素單元中的像素電極包括形成為所述顯示區(qū)域的一部分邊緣的第一邊緣，所述第一邊緣形成為彎曲弧形，且所述邊緣像素單元中的薄膜晶體管相較于像素電極位于靠近所述顯示區(qū)域的邊緣的一側(cè)。
[0011]優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，其中，多個(gè)所述邊緣像素單元中的像素電極的第一邊緣相組合形成為所述顯示區(qū)域的邊緣。
[0012]優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，其中，所述顯示區(qū)域的邊緣包括至少一圓弧線段。
[0013]優(yōu)選地，上述所述的陣列基板，其中，所述顯示區(qū)域形成為圓形或橢圓形。
[0014]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括如上任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0015]本發(fā)明還提供一種可穿戴設(shè)備，包括如上所述的顯示裝置。
[0016]本發(fā)明具體實(shí)施例上述技術(shù)方案中的至少一個(gè)具有以下有益效果:
[0017]本發(fā)明通過(guò)使陣列基板的顯示區(qū)域邊緣處像素單元的薄膜晶體管向靠近顯示區(qū)域的邊緣處設(shè)置，薄膜晶體管占用顯示區(qū)域邊緣處的位置，以留出更多顯示區(qū)域設(shè)置像素電極，用于圖像顯示，從而解決邊緣位置處像素單元的開(kāi)口率及利用率較低、顯示質(zhì)量受到影響的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1表示現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的排列結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2表示現(xiàn)有技術(shù)顯示區(qū)域?yàn)閳A形區(qū)域上像素單元的排列結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3表示本發(fā)明第一實(shí)施例所述陣列基板依據(jù)薄膜晶體管的設(shè)置方位不同所形成設(shè)置區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4a至圖4d分別表示四個(gè)設(shè)置區(qū)域所設(shè)置像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5a和圖5b表示采用第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)形成顯示區(qū)域與現(xiàn)有技術(shù)的對(duì)比結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6表示本發(fā)明第二實(shí)施例所述陣列基板依據(jù)薄膜晶體管的設(shè)置方位不同所形成設(shè)置區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖7表示本發(fā)明第三實(shí)施例所述陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括多個(gè)像素單元，多個(gè)所述像素單元形成顯示區(qū)域，其中每一所述像素單元包括像素電極和與所述像素電極連接的薄膜晶體管，且位于所述顯示區(qū)域的邊緣處的所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于靠近所述顯示區(qū)域的邊緣的一側(cè)。
[0027]上述結(jié)構(gòu)的陣列基板，通過(guò)使陣列基板的顯示區(qū)域邊緣處像素單元的薄膜晶體管向靠近顯示區(qū)域的邊緣處設(shè)置，薄膜晶體管占用顯示區(qū)域邊緣處的位置，以留出更多顯示區(qū)域設(shè)置像素電極，用于圖像顯示，從而解決邊緣位置處像素單元的開(kāi)口率及利用率較低、顯示質(zhì)量受到影響的問(wèn)題。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例所述陣列基板，可以依據(jù)所述顯示區(qū)域的邊緣處形狀，設(shè)置相對(duì)應(yīng)每一像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極的位置，也可以依據(jù)顯示區(qū)域的總體形狀規(guī)則顯示區(qū)域內(nèi)每一部分區(qū)域內(nèi)像素單元的薄膜晶體管的位置，使位于所述顯示區(qū)域的邊緣處的所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于靠近所述顯示區(qū)域的邊緣的一側(cè)。
[0029]本發(fā)明中，所述顯示區(qū)域的邊緣是指由各個(gè)像素單元組合相構(gòu)成的整體區(qū)域的邊緣。
[0030]具體地，所述陣列基板包括至少兩個(gè)設(shè)置區(qū)域，每一設(shè)置區(qū)域分別對(duì)應(yīng)所述顯示區(qū)域的其中一邊緣范圍，其中在同一所述設(shè)置區(qū)域中，所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極的設(shè)置方位相同，在不同設(shè)置區(qū)域中，所述像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極的設(shè)置方位不同。
[0031]采用上述的設(shè)置方式，本發(fā)明實(shí)施例所述陣列基板的整個(gè)顯示區(qū)域中，薄膜晶體管相較于像素電極所設(shè)置方位具有多種情形，依據(jù)相較于像素電極設(shè)置方位的不同，將陣列基板的整個(gè)顯示區(qū)域劃分為多個(gè)設(shè)置區(qū)域。通過(guò)該種設(shè)置方式，本發(fā)明實(shí)施例所述陣列基板，可以應(yīng)用于形成為圓形、橢圓形或包括至少一圓弧線段邊緣的不規(guī)則形狀的顯示區(qū)域的顯示面板，依據(jù)顯示區(qū)域的形狀，不同區(qū)域范圍中每一像素單元的薄膜晶體管均向靠近顯示區(qū)域的邊緣處設(shè)置，以留出更多顯示區(qū)域設(shè)置像素電極，用于圖像顯示，解決邊緣位置處像素單元的開(kāi)口率及利用率較低、顯示質(zhì)量受到影響的問(wèn)題。
[0032]以下將對(duì)本發(fā)明所述陣列基板的具體實(shí)施結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0033]實(shí)施例一
[0034]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例所述陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。參閱圖3所示，陣列基板10包括多個(gè)像素單元，多個(gè)像素單元形成為顯示區(qū)域，第一實(shí)施例中，顯示區(qū)域形成為圓形，也即多個(gè)像素單元排列形成為圓形的顯示區(qū)域。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，每一像素單元包括薄膜晶體管和與薄膜晶體管連接的像素電極，如圖1所示，薄膜晶體管與陣列基板上縱、橫排列的數(shù)據(jù)線和柵線連接，該像素單元的設(shè)置結(jié)構(gòu)為本領(lǐng)域的常規(guī)技術(shù)，在此不詳細(xì)描述。
[0035]參閱圖3所示，陣列基板10包括至少四個(gè)設(shè)置區(qū)域，分別為:對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)域的左上部的一邊緣范圍的第一設(shè)置區(qū)域110 ;對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)域的右上部的一邊緣范圍的第二設(shè)置區(qū)域120 ;對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)域的左下部的一邊緣范圍的第三設(shè)置區(qū)域130和對(duì)應(yīng)于所述顯示區(qū)域的右下部的一邊緣范圍的第四設(shè)置區(qū)域140。
[0036]其中，在第一設(shè)置區(qū)域110中，如圖4a所示，所設(shè)置每一像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于左上方位置；在第二設(shè)置區(qū)域120中，如圖4b所示，所設(shè)置每一像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于右上方位置；在第三設(shè)置區(qū)域130中，如圖4c所示，所設(shè)置每一像素單元的薄膜晶體管相較于像素電極位于左下方位置；在第四設(shè)置區(qū)域140中，如圖4d所示，所設(shè)置每一像素單元的薄膜晶體管相較于像素電