專利名稱：顯示器的基板組件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器的基板組件及其制作方法，尤其是指一種在顯示器制程中100-260℃加工時(shí)防止水分及氣體釋出，而對(duì)有機(jī)發(fā)光組件產(chǎn)生破壞的全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器的基板組件及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著可攜式電子產(chǎn)品如手機(jī)、數(shù)字相機(jī)或是個(gè)人數(shù)字助理的普及，平面顯示器(FPD)的性能也日益重要。平面顯示器主要包含液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示器及有機(jī)電激顯示器等，目前較為普及的液晶顯示器因液晶本身不會(huì)發(fā)光，需要加裝背光板，而對(duì)于重量體積及成本上有不利的影響。
1987年美國柯達(dá)公司首先發(fā)表有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，在兩片電極間注入有機(jī)小分子材料；其后1990年英國劍橋大學(xué)發(fā)表高分子發(fā)光二極管(PLED)，在近十幾年來，由于各廠商的積極研發(fā)，因此有機(jī)發(fā)光組件的材料、特性及相關(guān)技術(shù)均有大幅突破。由于有機(jī)電激顯示器具有自發(fā)光、較大操作溫度范圍及廣視角的優(yōu)點(diǎn)，因此可望成為主流的平面顯示器。
為了實(shí)現(xiàn)全彩顯示的效果，對(duì)于有機(jī)電激顯示器而言，可以采取下列三種方式(1)分別由紅藍(lán)綠三基色法有機(jī)發(fā)光組件發(fā)光，由調(diào)配不同混光比例，可以實(shí)現(xiàn)全彩顯示，但是對(duì)于有機(jī)發(fā)光組件的制作而言，如何達(dá)成高精細(xì)度是研發(fā)瓶頸。
(2)由白光有機(jī)發(fā)光組件發(fā)光，再由紅藍(lán)綠三基色的彩色濾光片(Colorfilter，CF)產(chǎn)生紅藍(lán)綠三基色，由調(diào)配不同混光比例，可以達(dá)成全彩顯示。此種方式可以利用現(xiàn)有液晶顯示器的彩色濾光片材料，其技術(shù)重點(diǎn)在于白光有機(jī)發(fā)光組件的色彩純度及其色溫。
(3)由藍(lán)光有機(jī)發(fā)光組件發(fā)光，再經(jīng)由紅綠色的色彩轉(zhuǎn)換材料(Colorchange media，CCM)產(chǎn)生紅綠色，配合原有的藍(lán)光即可產(chǎn)生紅藍(lán)綠三基色。此種方式也不須精密地形成有機(jī)發(fā)光組件圖案，唯色彩轉(zhuǎn)換材料的效率是研發(fā)瓶頸。
參見圖1，是一現(xiàn)有的全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器的剖視圖。該全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器10主要包含一玻璃板基板100、位于玻璃板基板100上的一光波長轉(zhuǎn)換層(wavelength conversion layer)110及與其交錯(cuò)的黑色矩陣108、位于光波長轉(zhuǎn)換層110上的一有機(jī)覆蓋層(over coat)112、位于有機(jī)覆蓋層112上的無機(jī)障壁層(barrier layer)114、及位于無機(jī)障壁層114上的有機(jī)發(fā)光組件120。
其中該光波長轉(zhuǎn)換層110可以為彩色濾光片(CF)、色彩轉(zhuǎn)換材料(CCM)或是兩者的組合；而相對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光組件120也須發(fā)白光或是藍(lán)光。
該有機(jī)覆蓋層112的材質(zhì)可以為有機(jī)的聚醯亞胺、丙烯類、異丁烯類、聚酯、聚乙烯對(duì)鹼醯、聚乙烯、聚丙烯或其有機(jī)合成材料加以制作，且可以旋轉(zhuǎn)涂覆(Spin coating)等方法覆蓋在光波長轉(zhuǎn)換層110上。
該無機(jī)障壁層114是以物理氣相沉積法(PVD法)或化學(xué)氣相沉積法(CVD法)在有機(jī)覆蓋層112上沉積，且用來保護(hù)該有機(jī)發(fā)光組件120不會(huì)受到來自光波長轉(zhuǎn)換層110及/或有機(jī)覆蓋層112在升溫加熱時(shí)的水氣(moisture)或是雜質(zhì)氣體(outgas)所影響。
更具體而言，有機(jī)覆蓋層112在形成后，需要進(jìn)行清洗程序，而清洗時(shí)的水分或雜質(zhì)很容易吸附在有機(jī)材質(zhì)覆蓋層112的孔洞中，因此在后續(xù)制程中，水分及雜質(zhì)便會(huì)蒸發(fā)成氣體，進(jìn)而影響有機(jī)發(fā)光組件120。再者，在常用全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器10中，覆蓋層112也為有機(jī)材質(zhì)，因此也會(huì)有水氣或是雜質(zhì)氣體影響有機(jī)發(fā)光組件120，使基板的合格率無法提升。
本申請(qǐng)的發(fā)明人有鑒于上述結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)及制作程序上的不便，乃積極著手進(jìn)行研究，以期可提供一種能夠解決上述常用缺點(diǎn)的全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器的基板組件及其制程，經(jīng)過不斷試驗(yàn)及努力，終于研發(fā)出本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種在顯示器升溫加工時(shí)，可減少水分及氣體釋出量的基板組件及其制程。
為了達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種顯示器的基板組件，包含一透明基板；一光波長轉(zhuǎn)換層，位于該基板之上；一無機(jī)覆蓋層，包覆于該光波長轉(zhuǎn)換層之上；其中該基板組件可以用以承載一有機(jī)發(fā)光組件，以構(gòu)成一顯示器。本發(fā)明顯示器的基板組件是在透明基板及有機(jī)發(fā)光組件之間設(shè)置一具有高透光性的無機(jī)覆蓋層，該無機(jī)覆蓋層的材質(zhì)可以為氧化硅、氮化硅、氧化氮硅、碳化硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鋯、氮化鋯、氧化鋁、氮化鋁、氧化錫、氧化銦、氧化鉛、氧化硼、氧化鈣、SiOXCiHj、SiNyCiHj或是SiOXNyCiHj。
本發(fā)明的制造方法乃是在設(shè)置有彩色濾光片(Color filter)、色彩轉(zhuǎn)換材料(CCM)或其兩者組合的基板上，以SOG法、化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法沉積無機(jī)覆蓋層，再于無機(jī)覆蓋層上設(shè)置有機(jī)電激發(fā)光組件，其中SOG法可以為旋轉(zhuǎn)涂布法，化學(xué)氣相沉積法可以為PECVD、光CVD、Cat-CVD、ICP-CVD或是SWP-CVD，物理氣相沉積法可以為蒸鍍法、濺鍍法、電子束蒸鍍法或是離子束蒸鍍法。此外制作此無機(jī)覆蓋層的操作溫度為20～300℃，壓力為0.0005Torr～1ATM。
本發(fā)明是在基板上設(shè)置無機(jī)覆蓋層，且無機(jī)覆蓋層的結(jié)構(gòu)致密，不易吸收水分及雜質(zhì)，因此可阻絕基板上的彩色濾光片、色彩轉(zhuǎn)換材料或其兩者組合所釋放出的水分及氣體，達(dá)到保護(hù)有機(jī)電激發(fā)光組件的功效。


圖1為一常用的全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器的剖視圖；圖2是依據(jù)本發(fā)明的一較佳具體實(shí)例的全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器的剖視圖；圖3是依據(jù)本發(fā)明的另一較佳具體實(shí)例的全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器的剖視圖；圖4是依據(jù)本發(fā)明的再一較佳具體實(shí)例的全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器的剖視圖；圖5是依據(jù)本發(fā)明的顯示器的制作流程的剖面圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下10有機(jī)電激發(fā)光顯示器100基板 108黑色矩陣
110光波長轉(zhuǎn)換層 112覆蓋層114障壁層120有機(jī)發(fā)光組件20、30、40有機(jī)電激發(fā)光顯示器200、300、400基板208、308、408黑色矩陣210、310、410光波長轉(zhuǎn)換層315、415、419無機(jī)障壁層217、317、417無機(jī)覆蓋層220、320、420有機(jī)發(fā)光組件具體實(shí)施方式
請(qǐng)參看圖2所示，為依據(jù)本發(fā)明的全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器20的剖視圖。該全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器20主要包含一玻璃板基板200、位于玻璃板基板200上的一光波長轉(zhuǎn)換層(wavelength conversion layer)210、位于光波長轉(zhuǎn)換層210上的一無機(jī)覆蓋層217、位于無機(jī)覆蓋層217上的有機(jī)發(fā)光組件220，其中該透明基板200的材質(zhì)可為玻璃(glass)、石英(quartz)、或是塑料(plastic)，或是具有主動(dòng)陣列(AM)，例如薄膜晶體管(TFT)陣列，或是被動(dòng)陣列(PM)的玻璃或塑料基板200。此有機(jī)發(fā)光組件220可以為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)或是高分子發(fā)光二極管(PLED)所構(gòu)成。
其中該無機(jī)覆蓋層217材質(zhì)可以為氧化硅、氮化硅、氧化氮硅、碳化硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鋯、氮化鋯、氧化鋁、氮化鋁、氧化錫、氧化銦、氧化鉛、氧化硼、氧化鈣、SiOXCiHj、SiNyCiHj或是SiOXNyCiHj。該無機(jī)覆蓋層217的厚度較佳為1～50μm，以防止光波長轉(zhuǎn)換層210的水氣在加熱制程中逸至有機(jī)發(fā)光組件220，其中該無機(jī)覆蓋層也可為多層結(jié)構(gòu)。再者，該無機(jī)覆蓋層217也可以使所得結(jié)構(gòu)具有平坦的上表而，以利后續(xù)的有機(jī)發(fā)光組件220組裝過程。該光波長轉(zhuǎn)換層210可以為彩色濾光片(CF)、色彩轉(zhuǎn)換材料(CCM)或是兩者的組合；而相對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光組件220也須為白色或是藍(lán)色。再者，為確保顯示效果，該無機(jī)覆蓋層217的透光度須大于80％。
參見圖3，為本發(fā)明的另一較佳具體實(shí)例，為了確保有機(jī)發(fā)光組件320可確實(shí)防止光波長轉(zhuǎn)換層310的水氣或雜質(zhì)氣體的破壞，及防止制作無機(jī)覆蓋層前清洗程序?qū)τ诠獠ㄩL轉(zhuǎn)換層310的破壞，可以在光波長轉(zhuǎn)換層310上設(shè)置以PVD方式或是CVD方式沉積一無機(jī)障壁層315。此外參見圖4，為本發(fā)明的再一較佳具體實(shí)例，除了在光波長轉(zhuǎn)換層410上設(shè)置一無機(jī)障壁層415，也可以PVD方式或是CVD方式在無機(jī)覆蓋層417上沉積一無機(jī)障壁層419。除了可以確保來自光波長轉(zhuǎn)換層410的水氣及雜質(zhì)氣體不會(huì)破壞有機(jī)發(fā)光組件420外；也可防止制作組件圖案(pattern)時(shí)，蝕刻液對(duì)于透明電極的破壞。惟該無機(jī)障壁層315(或是無機(jī)障壁層415、419)不須有如常用障壁層的厚度，僅需在500×10-10m～5000×10-10m即可確實(shí)達(dá)到所需的果。再者無機(jī)障壁層315(或是無機(jī)障壁層415、419)也以為多層結(jié)構(gòu)。
參見圖5，為依據(jù)本發(fā)明的顯示器20的制作流程剖面圖，其包含下列步驟S100預(yù)備一玻璃板基板或含TFT陣列的玻璃板基板200，并在該玻璃板基板200上形成一光波長轉(zhuǎn)換層210，且光波長轉(zhuǎn)換層210的圖案是以一黑色矩陣208所分隔；S102在光波長轉(zhuǎn)換層210上形成一無機(jī)覆蓋層217；該無機(jī)覆蓋層217材質(zhì)可以為氧化硅、氮化硅、氧化氮硅、碳化硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鋯、氮化鋯、氧化鋁、氮化鋁、氧化錫、氧化銦、氧化鉛、氧化硼、氧化鈣、SiOXCiHj、SiNyCiHj或是SiOXNyCiHj；該無機(jī)覆蓋層217可以利用SOG法、化學(xué)氣相沉積法或是物理氣相沉積法等方式形成，且該無機(jī)覆蓋層217可為多層結(jié)構(gòu)；S104在無機(jī)覆蓋層217上組裝一有機(jī)發(fā)光組件220，該有機(jī)發(fā)光組件220主要包含透明電極/電洞注入層/電洞傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/電子傳輸層/電子注入層/陰極；有機(jī)發(fā)光組件220為常用技術(shù)，因此其結(jié)構(gòu)不在此詳述。
在步驟S102中，以化學(xué)氣相沉積法形成氧化硅(SiOX)無機(jī)覆蓋層217為例，其可在溫度為20～300℃，壓力為0.0005Torr～1ATM的條件下，利用TEOS或是硅烷(silane)等反應(yīng)氣體形成厚度為1～50μm的氧化硅無機(jī)覆蓋層217。
在形成無機(jī)覆蓋層后，還可以進(jìn)行一平坦化制程。另外，為了確保有機(jī)電激發(fā)光組件可確實(shí)防止水氣或雜質(zhì)氣體的破壞，也可加上在無機(jī)覆蓋層上施以無機(jī)障壁層或是先在光波長轉(zhuǎn)換層上設(shè)置無機(jī)障壁層后，再于該無機(jī)障壁層上設(shè)置無機(jī)覆蓋層的步驟(即圖3的無機(jī)障壁層315，及圖4的無機(jī)障壁層415、419)。該保護(hù)層厚度為500×10-10m～5000×10-10m，即可確實(shí)達(dá)到所需的效果。
綜上所述，本發(fā)明利用無機(jī)物的特性制作玻璃基板上的無機(jī)覆蓋層以取代常用結(jié)構(gòu)的有機(jī)覆蓋層及保護(hù)層，且無機(jī)覆蓋層阻斷水分及異物氣體的效果較常用有機(jī)覆蓋層為佳，因此可有效避免有機(jī)電激發(fā)光裝置因?yàn)樗只虍愇餁怏w而導(dǎo)致?lián)p壞，確實(shí)具有產(chǎn)業(yè)上的進(jìn)步性，且本發(fā)明結(jié)構(gòu)未見于現(xiàn)有全彩有機(jī)電激發(fā)光顯示器的基板結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種顯示器的基板組件，其特征在于，包含一透明基板；一光波長轉(zhuǎn)換層，位于該基板之上；一無機(jī)覆蓋層，包覆于該光波長轉(zhuǎn)換層之上；其中該基板組件可以用以承載一有機(jī)發(fā)光組件，以構(gòu)成一顯示器。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器的基板組件，其特征在于，該無機(jī)覆蓋層的厚度為1～50μm。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器的基板組件，其特征在于，還包含一置于光波長轉(zhuǎn)換層上的無機(jī)障壁層。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示器的基板組件，其特征在于，還包含一置于無機(jī)覆蓋層上的無機(jī)障壁層。
5.如權(quán)利要求3或4所述的顯示器的基板組件，其特征在于，該無機(jī)障壁層的厚度為500×10-10m～5000×10-10m。
6.如權(quán)利要求1所述的顯示器的基板組件，其特征在于，該無機(jī)覆蓋層的材質(zhì)可選自由氧化硅、氮化硅、氧化氮硅、碳化硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鋯、氮化鋯、氧化鋁、氮化鋁、氧化錫、氧化銦、氧化鉛、氧化硼、氧化鈣、SiOXCiHj、SiNyCiHj及SiOXNyCiHj所構(gòu)成的集合。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示器的基板組件，其特征在于，該光波長轉(zhuǎn)換層為一彩色濾光片層、一色彩轉(zhuǎn)換材料層或其組合。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示器的基板組件，其特征在于，該無機(jī)覆蓋層可為多層結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求3或4所述的顯示器的基板組件，其特征在于，該無機(jī)障壁層可為多層結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的顯示器的基板組件，其特征在于，該基板材質(zhì)可為玻璃、石英或是塑料。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示器的基板組件，其特征在于，該透明基板為具有如TFT陣列的主動(dòng)陣列、或是被動(dòng)陣列的基板。
12.一種顯示器，其特征在于，包含一透明基板；一光波長轉(zhuǎn)換層，位于該基板之上；一無機(jī)覆蓋層，包覆于該光波長轉(zhuǎn)換層之上；及一有機(jī)發(fā)光組件，位于該無機(jī)覆蓋層之上。
13.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，該無機(jī)覆蓋層的厚度為1～50μm。
14.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，還包含一置于光波長轉(zhuǎn)換層上的無機(jī)障壁層。
15.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，還包含一置于無機(jī)覆蓋層上的無機(jī)障壁層。
16.如權(quán)利要求14或15的顯示器，其特征在于，該無機(jī)障壁層的厚度為500×10-10m～5000×10-10m。
17.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，該無機(jī)覆蓋層的材質(zhì)可選自由氧化硅、氮化硅、氧化氮硅、碳化硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鋯、氮化鋯、氧化鋁、氮化鋁、氧化錫、氧化銦、氧化鉛、氧化硼、氧化鈣、SiOXCiHj、SiNyCiHj及SiOXNyCiHj所構(gòu)成的集合。
18.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，該光波長轉(zhuǎn)換層為一彩色濾光片層、一色彩轉(zhuǎn)換材料層或其組合。
19.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，該無機(jī)覆蓋層可為多層結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求14或15所述的顯示器，其特征在于，該無機(jī)障壁層可為多層結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，此有機(jī)發(fā)光組件可以為有機(jī)發(fā)光二極管或是高分子發(fā)光二極管所構(gòu)成。
22.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，該基板材質(zhì)可為玻璃、石英、或是塑料。
23.如權(quán)利要求12所述的顯示器，其特征在于，該透明基板為具有如TFT陣列的主動(dòng)陣列，或是被動(dòng)陣列的基板。
24.一種顯示器的基板組件制作方法，其特征在于，包含下列步驟預(yù)備一透明基板；在該基板上形成一光波長轉(zhuǎn)換層；及在該光波長轉(zhuǎn)換層上形成一無機(jī)覆蓋層。
25.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該形成無機(jī)覆蓋層步驟可用化學(xué)氣相沉積法，且無機(jī)覆蓋層的厚度為1～50μm。
26.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該形成無機(jī)覆蓋層步驟可用物理氣相沉積法形成，且無機(jī)覆蓋層的厚度為1～50μm。
27.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該形成無機(jī)覆蓋層步驟可用SOG法形成，且無機(jī)覆蓋層的厚度為1～50μm。
28.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該形成無機(jī)覆蓋層步驟是在溫度為20～300℃，壓力為0.0005Torr～1ATM的環(huán)境下進(jìn)行。
29.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該無機(jī)覆蓋層可選自由氧化硅、氮化硅、氧化氮硅、碳化硅、氧化鈦、氮化鈦、氧化鋯、氮化鋯、氧化鋁、氮化鋁、氧化錫、氧化銦、氧化鉛、氧化硼、氧化鈣、SiOXCiHj、SiNyCiHj及SiOXNyCiHj所構(gòu)成的集合。
30.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，還包含一在光波長轉(zhuǎn)換層上形成無機(jī)障壁層的步驟。
31.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，還包含一在無機(jī)覆蓋層上形成無機(jī)障壁層的步驟。
32.如權(quán)利要求30或31所述的基板組件制作方法，其特征在于，該無機(jī)障壁層的厚度為500×10-10m～5000×10-10m。
33.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該光波長轉(zhuǎn)換層為一彩色濾光片層、一色彩轉(zhuǎn)換材料層或其組合。
34.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該無機(jī)覆蓋層可為多層結(jié)構(gòu)。
35.如權(quán)利要求30或31所述的基板組件制作方法，其特征在于，該無機(jī)障壁層可為多層結(jié)構(gòu)。
36.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，在形成無機(jī)覆蓋層后，還可以進(jìn)行一平坦化制程。
37.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該透明基板材質(zhì)可為玻璃、石英或是塑料。
38.如權(quán)利要求24所述的基板組件制作方法，其特征在于，該透明基板為具有如TFT陣列的主動(dòng)陣列或是被動(dòng)陣列的基板。
39.如權(quán)利要求25所述的基板組件制作方法，其特征在于，形成該無機(jī)覆蓋層的步驟可用PECVD、光CVD、Cat-CVD、ICP-CVD或是SWP-CVD。
40.如權(quán)利要求26所述的基板組件制作方法，其特征在于，形成該無機(jī)覆蓋層的步驟可用蒸鍍法、濺鍍法、電子束蒸鍍法或是離子束蒸鍍法。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示器的基板組件及其制作方法，該顯示器的基板組件包含一透明基板；一光波長轉(zhuǎn)換層，位于該基板之上；一無機(jī)覆蓋層，包覆于該光波長轉(zhuǎn)換層之上；其中該基板組件可以用以承載一有機(jī)發(fā)光組件，以構(gòu)成一顯示器。此基板組件是在一包含波長轉(zhuǎn)換層的透明基板及一有機(jī)發(fā)光組件之間設(shè)置一無機(jī)覆蓋層，因此可以在顯示器后續(xù)升溫制程(100－260℃)時(shí)，減少自波長轉(zhuǎn)換層的水分及雜質(zhì)氣體釋出量，并有效保護(hù)該有機(jī)發(fā)光組件。該無機(jī)覆蓋層可以SOG法、化學(xué)氣相沉積法沉積或物理氣相沉積法形成，其中制作該無機(jī)覆蓋層的操作溫度為20～300℃，壓力為0.0005Torr～1ATM。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1652642SQ20041000327
公開日2005年8月10日 申請(qǐng)日期2004年2月3日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月3日
發(fā)明者陳學(xué)文, 鄭啟民, 江建志 申請(qǐng)人:悠景科技股份有限公司