11與溝道33接觸的部分還設置有歐姆接觸層32，該歐姆接觸層32為摻雜的非晶硅薄膜。
[0033]上述金屬層的沉積采用物理氣相沉積中的Sputter方式，Sputter方式是以特定的濺射靶材作為材料源，使用正離子在電場的作用下高速轟擊靶材，溢出的靶材原子和分子在基板30表面沉積，從而得到金屬層，該方式沉積速度快，且與基板30的結(jié)合性能好，由于金屬層的材料容易制成靶材，因此本實施方式中采用Sputter的方式進行沉積。
[0034]上述半導體層的沉積則采用化學氣相沉積中的PECVD方式，該方式是借助微波或射頻使半導體的原子氣體電離，在局部形成等離子體，等離子體化學活性較強，容易沉積出薄膜。該方法更適用于非金屬材料的沉積。
[0035]上述光罩制程則具體包括涂布光阻、曝光、顯影、刻蝕，去光阻等步驟。針對不同材料的光罩制程，其不同之處在于涂布光阻工序中光阻材料的選擇，顯影工序中顯影液的選擇等。光罩制程采用本技術(shù)領(lǐng)域的常規(guī)手段，具體不做贅述。
[0036]S203:在基板上沉積第一絕緣層。
[0037]該第一絕緣層34為TFT柵極絕緣層，為了保證TFT的電學特性，對于該第一絕緣層34的要求較高，因此本實施方式中利用兩次沉積得到該第一絕緣層34，且選擇氮化硅作為第一絕緣層34的材料，沉積方式為PECVD方式，首先第一次慢速沉積得到較薄的氮化硅層，慢速可以使的氮化硅與溝道33之間形成較好的界面，第二次快速沉積得到較厚的氮化硅層，由此形成第一絕緣層34。
[0038]S204:在第一絕緣層上形成間隔設置的多個彩色光阻。
[0039]本實施方式中采用紅綠藍三原色實現(xiàn)一個像素點的顯示，該步驟S204中間隔設置多個彩色光阻35包括紅色光阻、綠色光阻和藍色光阻，且在基板30上以紅色光阻、綠色光阻和藍色光阻的順序依次排列，其他實施方式中也可以其他順序排列。
[0040]由于紅色光阻、藍色光阻和綠色光阻的形成所采用的材料均不同，因此本步驟S204中采用三次重復的光罩制程分別得到以上三個光阻。
[0041]在形成彩色光阻35后，還需要形成柵極36以與源極310、漏極311構(gòu)成TFT，因此在光罩制程形成間隔設置的彩色光阻35時，還需使得源極310、漏極311和溝道33位于兩個相鄰的彩色光阻35之間。
[0042]S205:同一道制程形成柵極和公共電極。
[0043]由于基板30上柵極36和公共電極37在同一方向延伸，且兩者材料相同，因此也是采用同一道制程形成。與源極310和漏極311的形成方式相同，也是采用Sputter方式沉積金屬層，且金屬層可選用Mo/Al、或Mo/Cu等材料，然后對該金屬層采用光罩制程得到柵極36和公共電極37，其中柵極36在兩個相鄰彩色光阻35之間的第一絕緣層34上，公共電極37在彩色光阻35上。本步驟S205完成后柵極35、源極310、漏極311和溝道33構(gòu)成了 TFT。
[0044]S206:在柵極和公共電極上形成第二絕緣層。
[0045]本步驟S206中所形成的第二絕緣層38具有一連通源極310的通孔381。本實施方式中也是采用致密性較好的氮化硅材料，首先通過PECVD方式沉積一氮化硅層，然后通過光罩制程形成通孔381。
[0046]S207:在第二絕緣層上形成像素電極。
[0047]本實施方式中，在第二絕緣層38利用Sputter方式沉積一導電層，該導電層為ITO材料，然后經(jīng)光罩制程得到像素電極39，該像素電極39通過通孔381與源極310接觸，使得源極31的電位傳至像素電極39。該步驟S207完成后，像素電極39與公共電極37之間則形成存儲電容，像素電極39與公共電極37之間間隔一第二絕緣層38，即該存儲電容極板間距較小，因此存儲電容較大，繼而提高顯示面板300的顯示效果。
[0048]請參閱圖4和圖5，圖4是本發(fā)明顯示面板的制造方法第二實施方式的流程示意圖，圖5是圖4所示制造方法第二實施方式制得的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。制造方法的第二實施方式制得顯示面板500，該第二實施方式包括以下步驟。
[0049]S401:提供一基板。
[0050]S402:在基板上形成黑矩陣。
[0051]S403:同一制程在黑矩陣上形成間隔的源極和漏極。
[0052]S404:在源極和漏極之間形成溝道。
[0053]S405:在基板上沉積第一絕緣層。
[0054]S406:在第一絕緣層上形成間隔設置的多個彩色光阻。
[0055]S407:同一道制程形成柵極和公共電極。
[0056]S408:在柵極和公共電極上形成第二絕緣層。
[0057]S409:在第二絕緣層上形成像素電極。
[0058]本第二實施方式與第一實施方式的不同在于步驟S402和步驟S403，其他步驟均類似，對于相同的步驟在此不再贅述。
[0059]對于步驟S402，由于第一實施方式中溝道33形成于源極310和漏極311之間，即源極310和漏極311間隔處的溝道33是直接形成在基板30上的，而基板30為透明基板，在顯示面板300工作時，背光模組產(chǎn)生的光會對基板30上的溝道33產(chǎn)生影響，如步驟S202中所描述的，容易發(fā)生光漏電現(xiàn)象，從而影響電學特性。因此本實施方式步驟S402中在基板51上先涂布一層黑矩陣52，以實現(xiàn)遮光作用，然后再分別形成源極530和漏極531。
[0060]對于步驟S403，在黑矩陣52上形成間隔的源極530和漏極531。由于構(gòu)成黑矩陣52的有機材料容易對金屬制得的源極530和漏極531造成污染，因此黑矩陣52與源極530、漏極531之間還設置有一介電絕緣層(圖未示)，該介電絕緣層可選用氧化硅或氮化硅，由于氮化硅致密性較好，因此優(yōu)先選擇氮化硅。
[0061]請參閱圖6和圖7，圖6是本發(fā)明顯示面板的制造方法第三實施方式的流程示意圖，圖7是圖6所示制造方法第三實施方式制得的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。制造方法的第三實施方式制得顯示面板700，該第三實施方式包括以下步驟。
[0062]S601:提供一基板。
[0063]S602:在基板上依次形成半導體層和金屬層。
[0064]S603:通過光罩制程使金屬層形成源極和漏極，使半導體層形成溝道。
[0065]S604:在基板上沉積第一絕緣層。
[0066]S605:在第一絕緣層上形成間隔設置的多個彩色光阻。
[0067]S606:同一道制程形成柵極和公共電極。
[0068]S607:在柵極和公共電極上形成第二絕緣層。
[0069]S608:在第二絕緣層上形成像素電極。
[0070]本實施方式與第一實施方式的不同在于步驟S602和步驟S603，其他類似的步驟具體不再贅述。
[0071]步驟S602和步驟S603對應于第一實施方式中的步驟S202，本實施方式中選擇使溝道71為更靠近基板70的層。
[0072]具體來說首先在步驟S602中依次形成半導體層和金屬層，然后在步驟S603中通過光罩制程一次得到源極730、漏極731和溝道71，該光罩制程中的光罩采用GTM (GrayTone Mask，灰階光罩)、HTM(Half Tone Mask，半色調(diào)光罩)或 SSM(Single Slit Mask，狹縫光罩)等特殊光罩，因此可以一次形成源極730、漏極730和溝道71，相比于第一實施方式減去了一次光罩制程。在顯影工序后，再分別通過濕刻蝕來刻蝕金屬層以得到源極730和漏極730，通過干刻蝕來刻蝕半導體層以得到溝道71。
[0073]由于本實施方式中溝道71直接形成在基板70上，因此與第二實施方式相同，也可在溝道71和基板70之間形成一黑矩陣。
[0074]區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明顯示面板的制造方法包括步驟，提供一基板，在基板上形成源極、漏極和溝道；在該基板上沉積第一絕緣層；在該絕緣層上形成間隔設置的多個彩色光阻，且源極、漏極和溝道位于兩個相鄰的彩色光阻之間，使得與后續(xù)形成的柵極構(gòu)成TFT單元；同一道制程形成柵極和公共電極，柵極在兩個相鄰彩色光阻之間的第一絕緣層上，公共電極在彩色光阻上，在柵極和公共電極上形成第二絕緣層，