一種顯示面板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在當(dāng)前顯示技術(shù)領(lǐng)域中，COA(Color Filter on Array)技術(shù)發(fā)展迅速，COA即將彩色光阻制作于TFT基板上的工藝技術(shù)，采用該工藝技術(shù)不會(huì)產(chǎn)生像素與彩色光阻的對(duì)位誤差，而且能夠降低寄生電容，且顯示面板可具有較高的分辨率和像素開(kāi)口率。
[0003]請(qǐng)參閱圖1，圖1是采用當(dāng)前COA工藝制得的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖?，F(xiàn)有技術(shù)是在基板11上依次形成柵極12和公共電極13、第一絕緣層14、溝道15、源極/漏極16、彩色光阻17，最后再形成像素電極18，其中彩色光阻增大了公共電極13和像素電極18所形成存儲(chǔ)電容的極板間距，從而導(dǎo)致該顯示面板100中的存儲(chǔ)電容很小，而存儲(chǔ)電容用于保持像素電極18的電壓在預(yù)定時(shí)間內(nèi)維持固定值，若存儲(chǔ)電容過(guò)小，則像素電極18上用于維持電壓的電荷會(huì)快速泄露，導(dǎo)致像素電極18上的電壓過(guò)早降低，影響顯示面板100的顯示效果O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決現(xiàn)有COA工藝制得的顯示面板中存儲(chǔ)電容極板間距較大導(dǎo)致像素電極容易漏電的技術(shù)問(wèn)題。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出一種顯示面板的制造方法，該方法包括步驟:提供一基板，在基板上形成源極、漏極和溝道；在基板上沉積第一絕緣層；在第一絕緣層上形成間隔設(shè)置的多個(gè)彩色光阻，且使得源極、漏極和溝道位于兩個(gè)相鄰的彩色光阻之間；由同一道制程形成柵極和公共電極，且使得柵極形成于兩個(gè)相鄰的彩色光阻之間的第一絕緣層上，公共電極形成于彩色光阻上；在柵極和公共電極上形成第二絕緣層，第二絕緣層具有一連通源極的通孔；在第二絕緣層上形成像素電極，像素電極通過(guò)通孔與源極接觸，像素電極進(jìn)一步與公共電極形成存儲(chǔ)電容。
[0006]其中，形成間隔設(shè)置的多個(gè)彩色光阻的步驟包括:形成多個(gè)紅色光阻、藍(lán)色光阻以及綠色光阻，且在基板上以紅色光阻、綠色光阻以及藍(lán)色光阻的順序依次排列。
[0007]其中，在基板上形成源極、漏極以及溝道的步驟進(jìn)一步包括:由同一道制程在基板上形成間隔的源極和漏極；在源極和漏極之間形成溝道，且使得溝道連接源極和漏極。
[0008]其中，由同一道制程在基板上形成間隔的源極和漏極的步驟之前進(jìn)一步包括步驟:在基板上形成黑矩陣；由同一制程在基板上形成間隔的源極和漏極的步驟包括:由同一制程在黑矩陣上形成間隔的源極和漏極。
[0009]其中，在基板上形成源極、漏極以及溝道的步驟進(jìn)一步包括:在基板上依次形成半導(dǎo)體層和金屬層；通過(guò)光罩制程使金屬層形成源極和漏極，使半導(dǎo)體層形成溝道，且源極和漏極間隔位于溝道上，溝道連接源極和漏極。
[0010]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提出一種顯示面板，其包括設(shè)置有源極、漏極和溝道的基板，第一絕緣層，多個(gè)彩色光阻，柵極，公共電極，第二絕緣層以及像素電極；其中，第一絕緣層沉積在基板上；多個(gè)彩色光阻形成于第一絕緣層上，且間隔設(shè)置，源極、漏極和溝道位于兩個(gè)相鄰的彩色光阻之間；柵極和公共電極由同一道制程形成，且柵極位于兩個(gè)相鄰的彩色光阻之間的第一絕緣層上，公共電極位于彩色光阻上；第二絕緣層形成于柵極和公共電極上，且第二絕緣層具有一連通源極的通孔；像素電極形成于第二絕緣層上，像素電極通過(guò)通孔與源極接觸，像素電極進(jìn)一步與公共電極形成存儲(chǔ)電容。
[0011]其中，彩色光阻包括在基板上依次排列的紅色光阻、綠色光阻以及藍(lán)色光阻。
[0012]其中，源極和漏極由同一道制程間隔形成于基板上，溝道形成于源極和漏極之間，且溝道連接源極和漏極。
[0013]其中，顯示面板進(jìn)一步包括黑矩陣，黑矩陣形成在基板上，源極和漏極間隔形成在黑矩陣上。
[0014]其中，溝道位于基板上，源極和漏極間隔位于溝道上，溝道連接源極和漏極。
[0015]本發(fā)明的有益效果是，區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明顯示面板的制造方法包括步驟，提供一基板，在基板上形成源極、漏極和溝道；在該基板上沉積第一絕緣層；在該絕緣層上形成間隔設(shè)置的多個(gè)彩色光阻，且源極、漏極和溝道位于兩個(gè)相鄰的彩色光阻之間，使得與后續(xù)形成的柵極構(gòu)成TFT單元；同一道制程形成柵極和公共電極，柵極在兩個(gè)相鄰彩色光阻之間的第一絕緣層上，公共電極在彩色光阻上，在柵極和公共電極上形成第二絕緣層，該第二絕緣層具有連通源極的通孔；在第二絕緣層上形成像素電極，像素電極通過(guò)上述通孔與源極接觸，且像素電極與公共電極形成存儲(chǔ)電容，兩者之間由第二絕緣層阻隔，第二絕緣層厚度小于彩色光阻層厚度，因此由本發(fā)明的制造方法得到顯示面板的存儲(chǔ)電容的極板間距相較于現(xiàn)有技術(shù)有所減小，由此采用COA工藝的顯示面板的存儲(chǔ)電容增大，改善了像素電極的漏電問(wèn)題，提高顯示面板的顯示效果。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是采用當(dāng)前COA工藝制得的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是本發(fā)明顯示面板的制造方法第一實(shí)施方式的流程示意圖；
[0018]圖3是圖2所示制造方法第一實(shí)施方式制得顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4是本發(fā)明顯示面板的制造方法第二實(shí)施方式的流程示意圖；
[0020]圖5是圖4所示制造方法第二實(shí)施方式制得顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖6是本發(fā)明顯示面板的制造方法第三實(shí)施方式的流程示意圖；
[0022]圖7是圖6所示制造方法第三實(shí)施方式制得顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]參閱圖2和圖3，圖2是本發(fā)明顯示面板的制造方法第一實(shí)施方式的流程示意圖，圖3是圖2所示制造方法第一實(shí)施方式制得的顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。制造方法第一實(shí)施方式制得顯示面板300，該第一實(shí)施方式包括以下步驟。
[0024]S201:提供一基板。
[0025]—般來(lái)說(shuō)該基板30由玻璃等透光材料制成。
[0026]S202:在基板上形成源極、漏極和溝道。
[0027]基板30上形成有源極310、漏極311和溝道33。源極310和漏極311通過(guò)溝道33導(dǎo)通，電子空穴對(duì)在溝道33中流動(dòng)形成電流。
[0028]在本步驟S202中可以使溝道33為更靠近基板30的層，也可使源極310和漏極311為更靠近基板30的層，本實(shí)施方式中選擇使源極310和漏極311為更靠近基板30的層，即首先在基板30上形成源極310和漏極311。
[0029]具體來(lái)說(shuō)，形成源極310和漏極311的步驟是:首先沉積一金屬層，該金屬層可以為Mo/Al復(fù)合材料或Mo/Cu復(fù)合材料，也可根據(jù)制程導(dǎo)電等要求選擇其他材料；然后對(duì)該金屬層采用光罩制程，以形成源極310和漏極311，由于源極310和漏極311在基板的同一方向上延伸，因此本實(shí)施方式中源極310和漏極311是由同一道制程形成的。
[0030]溝道33形成的步驟則是:首先沉積一半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層選擇a-S1:H即氫化非晶硅，然后對(duì)該半導(dǎo)體層采用光罩制程，以在源極310和漏極311之間形成溝道33，該溝道33連接源極310和漏極311。
[0031]本實(shí)施方式中的溝道33相較于圖1中的溝道15更薄。由于在圖1中，先形成溝道15，然后在溝道15上沉積一金屬層，在光罩制程中對(duì)該金屬層進(jìn)行刻蝕，為了使源極/漏極16之間的間隔區(qū)域沒(méi)有殘余，需要過(guò)刻至溝道15，即溝道15也需要被刻蝕一部分，若過(guò)刻后的溝道15太薄，會(huì)對(duì)源極/漏極16之間的導(dǎo)通產(chǎn)生一定的影響，因此對(duì)比文件I中溝道15需要有一定的厚度。而本實(shí)施方式中是先形成源極310和漏極311，因此不存在圖1中的問(wèn)題，溝道33可設(shè)置的更薄。而較薄溝道33的設(shè)計(jì)有利于減少半導(dǎo)體層的沉積時(shí)間，同時(shí)提高了電學(xué)特性。本實(shí)施方式中所采用的是a1-S1:H即氫化非晶硅，而該物質(zhì)對(duì)光較為敏感，容易受光照影響產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在外界電場(chǎng)作用下形成電流，造成光漏電，若溝道33過(guò)厚，則光漏電將增大，電學(xué)特性較差，而本實(shí)施方式中，溝道33較薄，則可減少光照的影響，從而改善光漏電的情況，增強(qiáng)電學(xué)特性。
[0032]源極310和漏極311通過(guò)溝道33導(dǎo)通，源極310和漏極311均需要與溝道33接觸，為了降低金屬與半導(dǎo)體之間的接觸電阻，在源極310、漏極3