在上述第一絕緣膜上且薄層電阻與上述第一電阻金屬膜的薄層電阻不同；以及 第二電阻體，其具有形成在上述第一金屬布線層與上述第二金屬布線層之間的第三電阻金屬膜、第二絕緣膜以及第四電阻金屬膜，該第二絕緣膜形成在上述第三電阻金屬膜上，該第四電阻金屬膜形成在上述第二絕緣膜上且薄層電阻與上述第三電阻金屬膜的薄層電阻不同， 其中，上述第一電阻金屬膜和上述第三電阻金屬膜是由相同的材料形成的膜， 上述第二電阻金屬膜和上述第四電阻金屬膜是由相同的材料形成的膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 通過(guò)不將上述第二電阻金屬膜與上述第二金屬布線層連接而將上述第一電阻金屬膜與上述第一金屬布線層連接來(lái)構(gòu)成上述第一電阻體。3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 通過(guò)不將上述第三電阻金屬膜與上述第一金屬布線層連接而將上述第四電阻金屬膜與上述第二金屬布線層連接來(lái)構(gòu)成上述第二電阻體。4.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第一電阻金屬膜和上述第三電阻金屬膜形成于同層， 上述第一絕緣膜和上述第二絕緣膜形成于同層， 上述第二電阻金屬膜和上述第四電阻金屬膜形成于同層。5.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求4中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述層間絕緣膜具有第一層間絕緣膜和形成于上述第一層間絕緣膜的上層的第二層間絕緣膜， 上述第一電阻金屬膜和上述第三電阻金屬膜形成在上述第一層間絕緣膜上。6.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在上述第二電阻金屬膜和上述第四電阻金屬膜上形成有第三絕緣膜。7.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求6中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 通過(guò)下部金屬插塞將上述第一電阻金屬膜和上述第一金屬布線層連接來(lái)構(gòu)成上述第一電阻體， 通過(guò)上部金屬插塞將上述第四電阻金屬膜和上述第二金屬布線層連接來(lái)構(gòu)成上述第二電阻體。8.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求7中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述第一電阻金屬膜和上述第三電阻金屬膜是包含氮化鈦或氮化鉭的金屬膜、金屬氮化膜以及金屬硅化物膜中的任一個(gè)， 上述第二電阻金屬膜和上述第四電阻金屬膜是薄層電阻與上述第一電阻金屬膜和上述第三電阻金屬膜的薄層電阻不同的包含氮化鈦或氮化鉭的金屬膜、金屬氮化膜以及金屬硅化物膜中的任一個(gè)。9.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 還具備電容元件，該電容元件具有形成在上述第一金屬布線層與上述第二金屬布線層之間的下部金屬膜、電容絕緣膜以及上部金屬膜，該電容絕緣膜形成在上述下部金屬膜上，該上部金屬膜形成在上述電容絕緣膜上且薄層電阻與上述下部金屬膜的薄層電阻不同， 通過(guò)將上述下部金屬膜與上述第一金屬布線層連接并將上述上部金屬膜與上述第二金屬布線層連接來(lái)構(gòu)成上述電容元件。10.一種半導(dǎo)體裝置，具備: 第一電阻體，其具有在形成于半導(dǎo)體襯底上的下部布線層與上部布線層之間形成的第一電阻金屬膜、第一絕緣膜以及第二電阻金屬膜，其中，該第一絕緣膜形成在上述第一電阻金屬膜上，該第二電阻金屬膜形成在上述第一絕緣膜上且薄層電阻與上述第一電阻金屬膜的薄層電阻不同；以及 第二電阻體，其具有在形成于半導(dǎo)體襯底上的下部布線層與上部布線層之間形成的第三電阻金屬膜、第二絕緣膜以及第四電阻金屬膜，該第二絕緣膜形成在上述第三電阻金屬膜上，該第四電阻金屬膜形成在上述第二絕緣膜上且薄層電阻與上述第三電阻金屬膜的薄層電阻不同， 其中，上述第一電阻體為上述第二電阻金屬膜與上述上部布線層不通過(guò)上部金屬插塞連接而上述第一電阻金屬膜與上述下部布線層通過(guò)下部金屬插塞連接的電阻體， 上述第二電阻體為上述第三電阻金屬膜與上述下部布線層不通過(guò)下部金屬插塞連接而上述第四電阻金屬膜與上述上部布線層通過(guò)上部金屬插塞連接的電阻體。11.一種在同一襯底上設(shè)置形成于第一區(qū)域的第一電阻體和形成于第二區(qū)域的第二電阻體的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有以下工序: 在襯底上形成第一金屬布線層； 在上述襯底上形成覆蓋上述第一金屬布線層的第一層間絕緣膜； 在上述第一區(qū)域形成貫通上述第一層間絕緣膜而與上述第一金屬布線層連接的第一金屬插塞； 在上述第一層間絕緣膜上形成第一電阻金屬膜； 在上述第一電阻金屬膜上形成第一絕緣膜； 在上述第一絕緣膜上形成薄層電阻與上述第一電阻金屬膜的薄層電阻不同的第二電阻金屬膜； 在上述第二電阻金屬膜上形成第二絕緣膜； 對(duì)形成于除上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域以外的區(qū)域中的上述第一電阻金屬膜、上述第一絕緣膜、上述第二電阻金屬膜以及上述第二絕緣膜進(jìn)行蝕刻，來(lái)在上述第一區(qū)域形成層疊了上述第一電阻金屬膜、上述第一絕緣膜、上述第二電阻金屬膜以及上述第二絕緣膜的第一電阻體，以及同時(shí)在上述第二區(qū)域形成層疊了上述第一電阻金屬膜、上述第一絕緣膜、上述第二電阻金屬膜以及上述第二絕緣膜的第二電阻體； 在上述第一層間絕緣膜上形成覆蓋上述第一電阻體和上述第二電阻體的第二層間絕緣膜； 在上述第二區(qū)域形成暴露于上述第二層間絕緣膜的表面且與上述第二電阻金屬膜連接的第二金屬插塞；以及 在上述第二層間絕緣膜上形成與上述第二金屬插塞連接的第二金屬布線層。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 不將上述第二電阻金屬膜與上述第二金屬布線層連接而通過(guò)上述第一金屬插塞將上述第一電阻金屬膜與上述第一金屬布線層連接來(lái)構(gòu)成上述第一電阻體， 不將上述第一電阻金屬膜與上述第一金屬布線層連接而通過(guò)上述第二金屬插塞將上述第二電阻金屬膜與上述第二金屬布線層連接來(lái)構(gòu)成上述第二電阻體。13.根據(jù)權(quán)利要求11或權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在形成上述第二絕緣膜的工序之后且同時(shí)形成上述第一電阻體和上述第二電阻體的工序之前還具備在上述第二絕緣膜上的上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域分別形成硬掩模的工序， 使用上述硬掩模來(lái)進(jìn)行上述蝕刻。14.一種在同一襯底上設(shè)置形成于第一區(qū)域的第一電阻體、形成于第二區(qū)域的第二電阻體以及形成于第三區(qū)域的電容元件的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有以下工序: 在襯底上形成第一金屬布線層； 在上述襯底上形成覆蓋上述第一金屬布線層的第一層間絕緣膜； 在上述第一區(qū)域和上述第三區(qū)域分別形成貫通上述第一層間絕緣膜而與上述第一金屬布線層連接的第一金屬插塞； 在上述第一層間絕緣膜上形成第一電阻金屬膜； 在上述第一電阻金屬膜上形成第一絕緣膜； 在上述第一絕緣膜上形成薄層電阻與上述第一電阻金屬膜的薄層電阻不同的第二電阻金屬膜； 在上述第二電阻金屬膜上形成第二絕緣膜； 對(duì)形成于除上述第一區(qū)域、上述第二區(qū)域以及上述第三區(qū)域以外的區(qū)域中的上述第一電阻金屬膜、上述第一絕緣膜、上述第二電阻金屬膜以及上述第二絕緣膜進(jìn)行蝕刻，來(lái)在上述第一區(qū)域形成層疊了上述第一電阻金屬膜、上述第一絕緣膜、上述第二電阻金屬膜以及上述第二絕緣膜的第一電阻體，同時(shí)在上述第二區(qū)域形成層疊了上述第一電阻金屬膜、上述第一絕緣膜、上述第二電阻金屬膜以及上述第二絕緣膜的第二電阻體，以及同時(shí)在上述第三區(qū)域形成層疊了上述第一電阻金屬膜、上述第一絕緣膜、上述第二電阻金屬膜以及上述第二絕緣膜的電容元件； 在上述第一層間絕緣膜上形成覆蓋上述第一電阻體、上述第二電阻體以及上述電容元件的第二層間絕緣膜； 在上述第二區(qū)域和上述第三區(qū)域分別形成暴露于上述第二層間絕緣膜的表面并與上述第二電阻金屬膜連接的第二金屬插塞；以及 在上述第二層間絕緣膜上形成與上述第二金屬插塞連接的第二金屬布線層。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在形成上述第二絕緣膜的工序之后且同時(shí)形成上述第一電阻體、上述第二電阻體以及上述電容元件的工序之前還具備在上述第二絕緣膜上的上述第一區(qū)域、上述第二區(qū)域以及上述第三區(qū)域分別形成硬掩模的工序， 使用上述硬掩模來(lái)進(jìn)行上述蝕刻。16.根據(jù)權(quán)利要求11至權(quán)利要求15中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 將上述蝕刻所使用的蝕刻氣體設(shè)為鹵素氣體。17.根據(jù)權(quán)利要求11至權(quán)利要求16中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 上述第一電阻金屬膜是包含氮化鈦或氮化鉭的金屬膜、金屬氮化膜以及金屬硅化物膜中的任一個(gè)， 上述第二電阻金屬膜是薄層電阻與上述第一電阻金屬膜的薄層電阻不同的包含氮化鈦或氮化鉭的金屬膜、金屬氮化膜以及金屬硅化物膜中的任一個(gè)。
【專(zhuān)利摘要】提供一種能夠使在襯底上具備多個(gè)種類(lèi)的電阻體的半導(dǎo)體裝置的制造工序數(shù)與以往相比減少的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。半導(dǎo)體裝置(1)具備：第一金屬布線層(11)，其形成在襯底(10)上；層間絕緣膜(12)，其形成在第一金屬布線層(11)上；第二金屬布線層(23)，其形成在層間絕緣膜(12)上；第一電阻體，其具有形成在第一金屬布線層(11)與第二金屬布線層(23)之間的第一電阻金屬膜(14a)、形成在第一電阻金屬膜(14a)上的第一絕緣膜(15a)以及形成在第一絕緣膜(15a)上的第二電阻金屬膜(16a)；以及第二電阻體，其具有形成在第一金屬布線層(11)與第二金屬布線層(23)之間的第一電阻金屬膜(14b)、形成在第一電阻金屬膜(14b)上的第一絕緣膜(15b)以及形成在第一絕緣膜(15b)上的第二電阻金屬膜(16b)。
【IPC分類(lèi)】H01L21/768, H01L21/822, H01L27/04
【公開(kāi)號(hào)】CN105190865
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480013840
【發(fā)明人】長(zhǎng)倉(cāng)浩太郎
【申請(qǐng)人】旭化成微電子株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2014年3月19日
【公告號(hào)】US20150348908, WO2014156071A1