技術編號：9439174
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體裝置以及半導體裝置的制造方法，特別地涉及一種在同一襯底上具備多個種類的電阻體的半導體裝置及其制造方法。背景技術作為電阻值的頻率依賴性和電阻溫度系數(shù)小且針對安裝、使用時的熱也很穩(wěn)定的電阻體，已知有由氮化鉭(TaN)構(gòu)成的電阻體(以下也稱為“TaN電阻體”。)。而且，在具備該TaN電阻體的半導體裝置中，存在例如專利文獻I所記載的半導體裝置。另外，在該專利文獻I中還記載了上述半導體裝置的制造方法。專利文獻1日本特開2009-302082號公報...
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