br>[0092]接著，如圖4的(a)所示，使用該抗蝕劑掩模19a?19c來通過一次的工序?qū)ρ趸?8f進(jìn)行蝕刻。該蝕刻能夠使用公知技術(shù)。例如，使用例如氟系氣體對氧化膜18f進(jìn)行干蝕刻。這樣，通過一次的蝕刻工序來在第一電阻體形成部A、第二電阻體形成部B以及電容元件形成部C各形成部的第二絕緣膜17f上形成硬掩模18a?18c (SlO)。換句話說，使用一種抗蝕劑掩模19a?19c來通過一次的蝕刻工序形成硬掩模18a?18c。
[0093]接著，如圖4的(b)所示，去除抗蝕劑掩模19a?19c (Sll)?？刮g劑掩模19a?19c的去除能夠使用公知技術(shù)。例如在抗蝕劑掩模19a?19c是以有機(jī)聚合物為主要成分的掩模的情況下，使用氧等離子體來去除。
[0094]接著，使用硬掩模18a?18c連續(xù)地依次蝕刻第二絕緣膜17f、第二電阻金屬膜16f、第一絕緣膜15f以及第一電阻金屬膜14f。該蝕刻能夠使用公知技術(shù)。例如，使用例如鹵素氣體來通過一次的工序蝕刻上述的進(jìn)行了層疊的膜。也就是說，通過一次的蝕刻工序來如圖5的(a)所示那樣在第一電阻體形成部A、第二電阻體形成部B以及電容元件形成部C各形成部中同時地形成第一電阻金屬膜14a?14c、第一絕緣膜15a?15c、第二電阻金屬膜16a?16c以及第二絕緣膜17a?17c (S12)。
[0095]接著，如圖5的(b)所示，在層疊地形成有第一電阻金屬膜14a?14c、第一絕緣膜15a?15c、第二電阻金屬膜16a?16c、第二絕緣膜17a?17c以及硬掩模18a?18c的第一層間絕緣膜12上形成第二層間絕緣膜20 (S13)。該第二層間絕緣膜20的形成能夠使用公知技術(shù)。例如在將S1膜形成為第二層間絕緣膜20的情況下，使用CVD法來形成。
[0096]接著，在第二電阻體形成部B和電容元件形成部C各形成部中，通過一次的蝕刻工序來形成貫通第二層間絕緣膜20、硬掩模18b、18c以及第二絕緣膜17b、17c并到達(dá)第二電阻金屬膜16b、16c的第二通孔(未圖示)。該第二通孔的形成能夠使用公知技術(shù)。例如也可以在第二層間絕緣膜20上的、形成第二通孔的區(qū)域以外的區(qū)域形成掩模之后實(shí)施蝕刻，來形成第二通孔。
[0097]接著，在通過這樣形成的第二通孔中填充導(dǎo)電材料，來如圖6的(a)所示那樣形成上部金屬插塞21b、21c(S14)。此外，圖6的(a)表不在上部金屬插塞21b、21c形成之后使其表面平坦化后的狀態(tài)。另外，上述的上部金屬插塞相當(dāng)于本申請的“第二金屬插塞”。
[0098]在本實(shí)施方式中，與形成第二通孔同時地形成貫通第一層間絕緣膜12和第二層間絕緣膜20并到達(dá)下部布線層Ild的第三通孔(未圖示)。然后，與在第二通孔中填充導(dǎo)電材料同時地在第三通孔中填充導(dǎo)電材料。通過這樣來形成金屬插塞22。
[0099]在本實(shí)施方式中，第一層間絕緣膜12和第二層間絕緣膜20的材質(zhì)與第二絕緣膜17a?17c的材質(zhì)不同。因此，第一層間絕緣膜12和第二層間絕緣膜20的蝕刻速率與第二絕緣膜17a?17c的蝕刻速率不同。更詳細(xì)地說，第一層間絕緣膜12和第二層間絕緣膜20的蝕刻速率比第二絕緣膜17a?17c的蝕刻速率大。因此，通過預(yù)先調(diào)整第二絕緣膜17a?17c的膜厚(即，第二絕緣膜17f的膜厚)，能夠使形成第二通孔所需要的時間與形成第三通孔所需要的時間一致。這樣，通過一次的蝕刻工序就能夠同時形成第二通孔和第三通孔。
[0100]最后，如圖6的(b)所示，在形成有上部金屬插塞21b、21c和金屬插塞22的第二層間絕緣膜20上形成上部布線層23b?23d(S15)。在第二層間絕緣膜20上形成了金屬膜(未圖示)之后對該金屬膜進(jìn)行圖案形成來形成上部布線層23b?23d。該圖案形成能夠使用公知技術(shù)。例如在將Al布線層形成為上部布線層23b?23d的情況下，在第二層間絕緣膜20上形成了 Al層之后，使用光刻法和干蝕刻法對該Al層進(jìn)行圖案形成來形成。此夕卜，上述的上部布線層相當(dāng)于本申請的“第二金屬布線層”。
[0101]經(jīng)過以上的工序，能夠制造出圖1所示的半導(dǎo)體裝置I。
[0102]在此，在制造工序中關(guān)注在上述電容元件形成部C中形成的電容元件Cl。本實(shí)施方式所涉及的電容元件Cl是通過實(shí)施第一電阻元件Rl的制造工序以及第二電阻元件R2的制造工序而制造出的電容元件。換句話說，在制造出第一電阻元件Rl之后，在該第一電阻元件Rl上形成上部金屬插塞、上部布線層，由此能夠制造電容元件Cl。
[0103](效果)
[0104](I)在本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置I的制造方法中，在第一層間絕緣膜12上依次層疊第一電阻金屬膜14f、第一絕緣膜15f、第二電阻金屬膜16f以及第二絕緣膜17f，在該層疊得到的結(jié)構(gòu)體上的第一電阻體形成部A、第二電阻體形成部B以及電容元件形成部C中形成了一種硬掩模18a?18c。然后，使用該硬掩模18a?18c對上述結(jié)構(gòu)體進(jìn)行圖案形成。
[0105]因此，能夠通過一次的蝕刻工序(使用一種硬掩模)來同時地在第一電阻體形成部A中形成第一電阻金屬膜14a、在第二電阻體形成部B中形成第二電阻金屬膜16b。因而，不需要像現(xiàn)有技術(shù)那樣在同一襯底上形成第一電阻金屬膜14a和第二電阻金屬膜16b兩種電阻金屬膜時按電阻金屬膜的種類形成掩模并每次都實(shí)施蝕刻。
[0106]因此，只要是本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置I的制造方法，即使制造在同一襯底上具備兩種電阻體的半導(dǎo)體裝置的情況下，也能夠使該半導(dǎo)體裝置的制造工序數(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相比減少。其結(jié)果，能夠使半導(dǎo)體裝置的制造成本與現(xiàn)有技術(shù)相比降低。
[0107](2)在本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置I的制造方法中，在電容元件形成部C中，分別實(shí)施了電阻元件Rl和電阻元件R2的制造工序。
[0108]因此，在電容元件形成部C中能夠形成由第一電阻金屬膜14c和第二電阻金屬膜16c將第一絕緣膜(電容膜)15c夾在中間所得到的電容元件Cl。因此，能夠制造在同一襯底上具備電容元件Cl、第一電阻元件Rl以及第二電阻元件R2三種元件的半導(dǎo)體裝置I。
[0109](3)在本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置I的制造方法中，將TiN電阻金屬膜形成為第一電阻金屬膜14a?14c，將TaN電阻金屬膜形成為第二電阻金屬膜16a?16c，通過SiN膜形成了第一絕緣膜15a?15c和第二絕緣膜17a?17c。
[0110]因此，能夠制造在同一襯底上具備TiN電阻金屬膜和TaN電阻金屬膜這兩種薄層電阻值不同的電阻體的半導(dǎo)體裝置I。
[0111](4)在本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置I的制造方法中，將在對第一電阻金屬膜14f、第一絕緣膜15f、第二電阻金屬膜16f以及第二絕緣膜17f進(jìn)行蝕刻時使用的蝕刻氣體設(shè)為鹵素氣體。
[0112]因此，能夠連續(xù)地依次蝕刻第一電阻金屬膜14f、第一絕緣膜15f、第二電阻金屬膜16f以及第二絕緣膜17f，從而能夠高效地形成第一電阻金屬膜14a?14c、第一絕緣膜15a?15c、第二電阻金屬膜16a?16c以及第二絕緣膜17a?17c。
[0113](變形例)
[0114]在上述的實(shí)施方式中，對于在同一襯底上形成第一電阻元件R1、第二電阻元件R2以及電容元件Cl三種元件的情況進(jìn)行了說明，但不限定于此。例如也可以通過在襯底的第一區(qū)域形成第一電阻元件R2、在第二區(qū)域形成第二電阻元件Rl來在同一襯底上形成兩種元件。另外，也可以通過在襯底的第一區(qū)域形成電容元件Cl、在第二區(qū)域形成第一電阻元件Rl來在同一襯底上形成兩種元件?；蛘?，也可以通過在同一襯底的第一區(qū)域形成第一電阻元件R1、在第二區(qū)域形成電容元件Cl來在同一襯底上形成兩種元件。
[0115]另外，在上述實(shí)施方式中，對于電容元件Cl具備一對下部金屬插塞13c和一對上部金屬插塞21c的情況進(jìn)行了說明，但是不限定于此。例如電容元件Cl也可以具備一個下部金屬插塞13c和一個上部金屬插塞21c。
[0116]另外，在上述實(shí)施方式中，對于將TiN電阻金屬膜形成為第一電阻金屬膜14a?14c、將TaN電阻金屬膜形成為第二電阻金屬膜16a?16c的情況進(jìn)行了說明，但是不限定于此。例如也可以將TaN電阻金屬膜形成為第一電阻金屬膜14a?14c、將TiN電阻金屬膜形成為第二電阻金屬膜16a?16c。另外，第一電阻金屬膜14a?14c、第二電阻金屬膜16a?16c不限定于TaN、TiN,也可以是其它金屬系的材料。第一電阻金屬膜14a?14c、第二電阻金屬膜16a?16c也可以是通過例如包含TaN或TiN的金屬膜、金屬氮化膜以及金屬娃化物膜中的任一個形成的膜。
[0117]附圖標(biāo)iP,說曰月
[0118]1:半導(dǎo)體裝置；10:襯底；11:下部布線層；12:第一層間絕緣膜；13:下部金屬插塞；14:第一電阻金屬膜；15:第一絕緣膜；16:第二電阻金屬膜；17:第二絕緣膜；18:硬掩模；19:抗蝕劑掩模；20:第二層間絕緣膜；21:上部金屬插塞；22:金屬插塞；23:上部布線層；A:第一電阻體形成部；B:第二電阻體形成部；C:電容元件形成部；R1:第一電阻元件；R2:第二電阻元件；C1:電容元件。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，具備: 第一金屬布線層，其形成在半導(dǎo)體襯底上； 層間絕緣膜，其形成在上述第一金屬布線層上； 第二金屬布線層，其形成在上述層間絕緣膜上； 第一電阻體，其具有形成在上述第一金屬布線層與上述第二金屬布線層之間的第一電阻金屬膜、第一絕緣膜以及第二電阻金屬膜，該第一絕緣膜形成在上述第一電阻金屬膜上，該第二電阻金屬膜形成