夾持與解除夾持基板的技術(shù)的制作方法
【專利說明】夾持與解除夾持基板的技術(shù)
[0001]相關(guān)申請案
[0002]本申請主張2013年2月28日申請的美國暫時申請序號61/770642申請案的優(yōu)先權(quán)，其揭露的內(nèi)容在此將全部納入作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本揭露是關(guān)于靜電夾，特別是關(guān)于從靜電夾上夾持與解除夾持目標物的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]離子植入制程是用來制造電子或是光學(xué)裝置，它是一種通過將摻質(zhì)或是雜質(zhì)導(dǎo)入目標物以改變目標物的機械、電性以和/或光學(xué)性質(zhì)的制程。在集成電路(integratedcircuit，IC)裝置的制造上，前述的目標物可為硅或是其他半導(dǎo)體晶圓，或是具有一個或多個特征或是膜層在其上的半導(dǎo)體晶圓。大致而言，摻質(zhì)或是雜質(zhì)可具有一個或多個與目標物不相同的性質(zhì)。一旦摻質(zhì)或雜質(zhì)被植入目標物的某一區(qū)域，摻質(zhì)或雜質(zhì)可改變該區(qū)域的性質(zhì)。
[0005]在離子植入的過程中，目標物或是晶圓102可以平臺112作支撐。如圖1所示，平臺112可包括一個或多個電性連接至供應(yīng)電源116的電極114。在一些實施例中，配置多個同心電極114，其中一個電極可為內(nèi)電極114a，而另一個電極可為外電極114b。在其他實施例中，配置多個電極在與平臺112相對的側(cè)邊。為了靜電地夾持晶圓102于平臺上，可施加偏壓至電極114。在一些實施例中，可施加相反的電壓至不同的電極。舉例而言，可以正電壓施加至其中一個電極114，而負電壓施加至另一個電極114。夾持電壓的大小可為相同或是不同。
[0006]請參考圖2，圖2顯示由供應(yīng)電源116提供夾持電壓給一個或多個在平臺112中的電極114的時序。在晶圓102被裝載至平臺112上之后，夾持電壓(V1)在時間點T1被施加至電極114，并且晶圓102被靜電地夾持于平臺112上。雖未示出于圖式中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將辨識出是否配置兩個或多個電極，其中一個電極將被施加正電壓V1，另一個電極將被施加負電壓V"在離子植入的過程中，可維持施加至電極114的電壓，并且晶圓102仍然夾持在平臺112上。在離子植入完成之后(例如是在時間點T2)，不再施加夾持電壓V:至電極114，并且從平臺112上移除晶圓102。在一些實施例中，晶圓102移除的過程可包括從平臺112上以升降銷(未示出)舉起并分離晶圓102，并且從平臺112上移除晶圓102。如本領(lǐng)域已知的，施加至電極114的電壓與直接施加至晶圓102以用來處理晶圓102的電壓不同。舉例而言，在一些處理過程中，施加負電壓至晶圓102以吸引帶正電離子。為了夾持晶圓102，施加電壓至平臺112中的電極114以靜電地夾持晶圓102至平臺112上。如亦為本領(lǐng)域已知的，介電層被配置在電極114與晶圓102之間，以使電極114與晶圓102電性絕緣。
[0007]被導(dǎo)引并植入晶圓102的離子10可為正帶電離子10。在晶圓102中，由于帶電離子的植入可導(dǎo)致電荷殘留于晶圓102，而造成部分的晶圓102貼附至平臺112的表面。要卸除這種晶圓102可能會有困難。還有，如果鍍覆一層的介電層在晶圓102的下表面，可能會延遲帶電離子與電子的中性化，因而造成晶圓102即使在夾持電壓已被移除時仍然貼附至平臺112表面。試圖從平臺112的表面分離晶圓102可能會因用力過度而造成晶圓破裂。如果鍍覆一層介電層(未示出)在晶圓102的下表面，晶圓破裂的情形可能會更加頻繁。
[0008]因此，需要一種新的夾持與解除夾持晶圓的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]揭露從平臺夾持與解除夾持晶圓的方法，平臺包括一個或多個電極，電性偏壓(electrically biased) 一個或多個電極以靜電地夾持晶圓至平臺。將電極偏壓至可處理晶圓的第一電壓。此后，接序地施加一個或多個電壓至電極。在一些實施例中，每一個后繼的電壓小于先前施加的電壓。在其他實施例中，一個或多個后繼電壓可大于先前的施加電壓。這種電壓次序可減少發(fā)生晶圓在移除過程中貼附或附著至平臺的可能性。
[0010]在一實施例中，從平臺夾持與解除夾持晶圓的方法包括放置晶圓在平臺上，其中平臺包括將電極偏壓在初始電壓時，用來夾持晶圓至平臺上的電極；施加第一電壓至平臺的電極以靜電地夾持晶圓至平臺，第一電壓大于初始電壓；施加第二電壓至電極，第二電壓小于第一電壓，并且大于初始電壓；在施加第二電壓至電極后從平臺移除晶圓。
[0011 ] 在另一個實施例中，從平臺夾持與解除夾持晶圓的方法包括放置晶圓在平臺上，其中平臺包括在電極偏壓在初始電壓時，用來夾持晶圓至平臺上的電極；施加第一電壓至電極以靜電地夾持晶圓至平臺，第一電壓大于初始電壓；施加第二電壓至電極，第二電壓小于第一電壓，并且大于初始電壓；施加第三電壓至電極，第三電壓高于第二電壓，并且低于第一電壓；以及在施加第三電壓至電極之后移除晶圓。
[0012]在另一個實施例中，從平臺夾持與解除夾持晶圓的方法包括放置晶圓在平臺上，其中平臺包括在電極偏壓在O伏時，用來夾持晶圓的電極；施加第一電壓至電極以靜電地夾持晶圓至平臺，第一電壓介于100伏與1000伏之間；施加第二電壓至電極，第二電壓小于第一電壓，并且介于5伏與600伏之間；在施加第二電壓之后，施加第三電壓至電極，其中第三電壓小于第二電壓，并且介于5伏與600伏之間；在施加第三電壓至電極之后從平臺移除晶圓。
【附圖說明】
[0013]為了對本揭露有更好的理解，請參考附圖，附圖以引用的方式并入本文中，且其中:
[0014]圖1根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)示出夾持與解除夾持晶圓至平臺的示例系統(tǒng)。
[0015]圖2根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)示出可使用于圖1的系統(tǒng)的時序圖。
[0016]圖3根據(jù)一實施例示出可應(yīng)用于圖1的系統(tǒng)的時序圖。
[0017]圖4根據(jù)第二實施例示出可應(yīng)用于圖1的系統(tǒng)的時序圖。
[0018]圖5根據(jù)第三實施例示出可應(yīng)用于圖1的系統(tǒng)的時序圖。
[0019]圖6根據(jù)第四實施例示出可應(yīng)用于圖1的系統(tǒng)的時序圖。
【具體實施方式】
[0020]本揭露將參考其中的特定實施例與所伴隨的圖式作更詳細的敘述。雖然本揭露下述的內(nèi)容是參考特定的實施例，但不應(yīng)理解為本揭露限制于此。
[0021]請參考圖3，圖3根據(jù)本揭露的一實施例示出夾持與解除夾持晶圓的示范性方法。在此圖式中，所示的方法是以就由供應(yīng)電源116提供夾持電壓至平臺112中的一個或多個電極114的時序來敘述。為了清楚與簡潔的敘述，本實施例的方法將以圖1所示的相關(guān)構(gòu)件作敘述。因此，本實施例的方法應(yīng)以圖1所示的構(gòu)件配置關(guān)系來理解。
[0022]在本實施例中，可將晶圓102裝載至平臺112上。此后，在時間點T1，可以第一電SV1施加至平臺112中的電極114，并且晶圓102可被靜電地夾持至平臺112上。在施加第一電壓V1之前，可以初始電壓V。施加至電極114。在本揭露中，初始電壓V?？蔀榱汶妷夯蚴且恍┢渌∮陔妷?。在本揭露中，第一電壓V1可為夾持電壓，并且電壓可在從大約100伏至大約I千伏之間的范圍。在一實施例中，第一電壓可為大約150伏。在另一個實施例中，第一電壓可為大約250伏。在另一個實施例中，第一電壓可為大約500伏。而在另一個實施例中，第一電壓可為大約750伏。如果平臺包括內(nèi)電極114a與外電極114b，電極114a與電極114b的其中一個可以正第一電壓V1施加，并且電極114a與電極114b中的另一個可以負第一電壓施加。當(dāng)施加第二電壓^至電極114時，第一電壓V Jn圖所示可維持至?xí)r間點T2。在時間點1\與T 2之間，執(zhí)行離子植入制程。
[0023]如圖3所示，施加至電極114的第二電壓V2可小于第一電壓V i，舉例而言，第二電壓乂2的范圍可從大約5伏至大約100伏。在一實施例中，第二電壓￥2可為大約5伏。在另一個實施例中，第二電壓乂2可為大約15伏。在另一個實施例中，第二電壓V 2可為大約25伏。而在另一個實施例中，第二電壓￥2可為大約35伏。
[0024]在時間點1~2后，可執(zhí)行從平臺112松開或移除晶圓102的制程。舉例而言，晶圓102可從平臺112被松開，并且晶圓102可在時間點T2或時間點T2之后從平臺112被移除。舉例而言，當(dāng)以第二電壓V2施加至電極114，可在時間點T2或是之后執(zhí)行從平臺114松開/移除晶圓102的制程，其中第二電壓V2小于第一電壓V1，但大于在時間點T1之前施加至電極的初始電壓V。。在一實施例中，當(dāng)施加初始電壓V。至電極114時，可在時間點T f或是之后執(zhí)行從平臺112松開/移除晶圓102的制程。
[0025]請參考圖4，圖4根據(jù)本揭露的另一實施例示出夾持與解除夾持晶圓的另一示范方法。在此圖式中，所示的方法是就以相關(guān)于供應(yīng)電源116提供夾持電壓至平臺112中的一個或是多個電極114的時序來敘述。為了清楚和簡潔的敘述，本實施例的方法將以圖1所示的相關(guān)構(gòu)件來敘述。因此，本實施例的方法應(yīng)以圖1的所示的構(gòu)件配置關(guān)系來理