解。
[0026]在本實(shí)施例中，晶圓102可被裝載至平臺(tái)112。此后，在時(shí)間點(diǎn)T1，可以第一電壓V1施加至平臺(tái)112中的電極114，并且可靜電地夾持晶圓102至平臺(tái)112上。在施加第一電壓V1之前，可以初始電壓V。施加至電極114。在本揭露中，初始電壓V?？蔀榱汶妷夯蚴瞧渌恍┬∮赩i的電壓。在本揭露中，第一電壓V1可為夾持電壓，并且電壓可在從大約100伏至大約I千伏之間的范圍。在一實(shí)施例中，第一電壓可為大約150伏。在另一實(shí)施例中，第一電壓可為大約250伏。在另一實(shí)施例中，第一電壓可為大約500伏。而在另一實(shí)施例中，第一電壓可為大約750伏。如果平臺(tái)包括內(nèi)電極114a與外電極114b，電極114a及114b的其中一個(gè)可以正第一電壓V1施加，電極114a及114b中的另一個(gè)可以負(fù)第一電壓施加。當(dāng)施加第二電壓V2至電極114，第一電SV1可如圖所示維持直到時(shí)間點(diǎn)T2。在時(shí)間點(diǎn)^與!^之間，執(zhí)行尚子植入制程。
[0027]如圖4所示，施加至電極的第二電壓￥2可小于第一電壓V I，但是大于初始電壓V。。在本實(shí)施例中，第二電壓V2可為任何在從大約75伏到大約800伏之間范圍的電壓。在一例子中，第二電壓可為大約100伏。在另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約150伏。在另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約300伏。在另一個(gè)例子中，第二電壓大約為400伏。在另一個(gè)例子中，第二電壓大約為500伏。而在另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約600伏。
[0028]當(dāng)以第三電壓V3施加至平臺(tái)112中的電極114時(shí)，可施加第二電壓V 2至電極114直到時(shí)間點(diǎn)T3。在本實(shí)施例中，施加至電極的第三電壓V3可小于第二電SV2，但是大于初始電壓V。。在本實(shí)施例中，第三電壓V3可為任何在從大約50伏至大約600伏之間范圍的電壓。在一例子中，第三電壓￥3可為大約80伏。在另一個(gè)例子中，第三電壓V 3可為大約150伏。在另一個(gè)例子中，第三電壓￥3可為大約300伏。在另一個(gè)例子中，第三電壓V3可為大約450伏。在另一個(gè)例子中，第三電壓￥3可為大約500伏。而在另一個(gè)例子中，第三電壓乂3可為大約550伏。
[0029]當(dāng)以第四電壓乂4施加至平臺(tái)112上的電極114時(shí)，可施加第三電壓V 3至電極114直到時(shí)間點(diǎn)T4。在本實(shí)施例中，施加至電極的第四電壓V4可小于第三電SV3，但大于初始電壓V。。在本實(shí)施例中，第四電壓V4可為任何在從大約25伏至大約500伏之間范圍的電壓。在一例子中，第四電壓1可為大約25伏。在另一個(gè)例子中，第四電壓￥4可為大約75伏。在另一個(gè)例子中，第四電壓1可為大約100伏。在另一個(gè)例子中，第四電壓V4可為大約200伏。在另一個(gè)例子中，第四電壓乂4可為大約300伏。而另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約400伏。
[0030]當(dāng)以第五電壓V5施加至平臺(tái)112中的電極114時(shí)，可施加第四電壓V 4至電極114直到時(shí)間點(diǎn)T5。在本實(shí)施例中，施加至電極的第五電壓V5可小于第四電SV4，但大于初始電壓V。。在本實(shí)施例中，第五電壓V5可為任何在從大約5伏至50伏之間范圍的電壓。在一例子中，第五電壓乂5可為大約10伏。在另一個(gè)例子中，第五電壓￥5可為大約15伏。在另一個(gè)例子中，第五電壓^5可為大約30伏。在另一個(gè)例子中，第五電壓V 5可為大約50伏。在另一個(gè)例子中，第五電壓￥5可為大約75伏。而在另一個(gè)例子中，第五電壓V 5可為大約100伏。當(dāng)初始電壓V。被施加至電極114時(shí)，可施加第五電壓V5直到時(shí)間點(diǎn)T f。
[0031]在時(shí)間點(diǎn)1~2后，可執(zhí)行從平臺(tái)112上松開(kāi)/移除晶圓102的制程。舉例而言，可從平臺(tái)112上松開(kāi)晶圓102，并且可在時(shí)間點(diǎn)T2之后的時(shí)間點(diǎn)T2從平臺(tái)112上移除晶圓102。特別是，將晶圓102從平臺(tái)114上松開(kāi)/移除的制程可在時(shí)間點(diǎn)T2、Τ3、Τ4、1~5或T f執(zhí)行。
[0032]請(qǐng)參考圖5，圖5根據(jù)本揭露的另一實(shí)施例示出另一夾持與解除夾持晶圓的示范方法。在此圖式中，所述方法是就由相關(guān)于供應(yīng)電源116提供施加至平臺(tái)112中的一個(gè)或多個(gè)電極114的夾持電壓的時(shí)序來(lái)敘述。為了清楚和簡(jiǎn)潔的敘述，本實(shí)施例的方法將以圖1所示的相關(guān)構(gòu)件作敘述。因此，本實(shí)施例的方法應(yīng)以圖1所示的構(gòu)件配置關(guān)系來(lái)理解。
[0033]在本實(shí)施例中，可裝載晶圓102至平臺(tái)112上。此后，在時(shí)間點(diǎn)T1，可以第一電壓V1施加至平臺(tái)112中的電極114，并且可靜電地夾持晶圓102至平臺(tái)112上。在施加第一電壓V1之前，可以初始電壓V。施加至電極114。在本揭露中，初始電壓V?？蔀榱汶妷夯蚴瞧渌恍┬∮诘谝浑妷弘妷?。在本揭露中，第一電壓V:可為夾持電壓，并且電壓可在從大約100伏至大約I千伏之間的范圍。在一實(shí)施例中，第一電壓可為大約150伏。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一電壓可為大約250伏。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一電壓可為大約500伏。而在另一個(gè)實(shí)施例中，第一電壓可為大約750伏。如果平臺(tái)包括內(nèi)電極114a與外電極114b，電極114a與114b的其中一個(gè)可以正第一電壓V1施加，并且電極114a及114b的另一個(gè)可以負(fù)第一電壓V1施加。當(dāng)?shù)诙妷篤2施加至電極114時(shí)，第一電壓V i可如圖所示地維持直到時(shí)間點(diǎn)T2。在時(shí)間點(diǎn)1\與T 2之間，執(zhí)行離子植入制程。
[0034]在時(shí)間點(diǎn)T2，第二電壓V2施加至電極114。在本實(shí)施例中，第二電壓V2可小于第一電壓V1，但大于初始電壓V。。在本實(shí)施例中，第二電壓V2可為任何在從大約5伏至大約600伏范圍之間的電壓。在一例子中，第二電壓可為大約15伏。在另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約50伏。在另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約75伏。在另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約100伏。在另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約150伏。而在另一個(gè)例子中，第二電壓可為大約300伏。
[0035]當(dāng)以第三電壓V3施加至在平臺(tái)112中的電極114時(shí)，可施加第二電壓V 2至電極114直到時(shí)間點(diǎn)Τ3。在本實(shí)施例中，施加至電極的第三電壓V3可大于第二電SV2，但小于第一電壓V1。在本實(shí)施例中，第三電壓￥3可為任何在從大約50伏至大約400伏之間范圍的電壓。在一例子中，第三電壓￥3可為大約75伏。在另一個(gè)例子中，第三電壓V 3可為大約150伏。在另一個(gè)例子中，第三電壓^3可為大約250伏。在另一個(gè)例子中，第三電壓V 3可為大約350伏，在另一個(gè)例子中，第三電壓￥3可為大約400伏。而在另一個(gè)例子中，第三電壓V 3可為大約450伏。
[0036]當(dāng)以第四電壓V4施加至在平臺(tái)112中的電極114時(shí)，可施加第三電壓V 3至電極114直到時(shí)間點(diǎn)Τ4。在本實(shí)施例中，施加至電極的第四電壓V4，可小于第三電壓V3，但是大于初始電壓V。。在本實(shí)施例中，第四電壓可V4可相等于第二電壓V2。然而，本揭露不排除第四電壓大于或是小于第二電壓V2。在本實(shí)施例中，第四電壓1可為任何范圍在從大約25伏至大約600伏之間范圍的電壓。在一例子中，第四電壓乂4可為大約15伏。在另一個(gè)例子中，第四電壓1可為大約50伏。在另一個(gè)例子中，第四電壓乂4可為大約75伏。在另一個(gè)例子中，第四電壓1可為大約100伏。在另一個(gè)例子中，第四電壓乂4可為大約150伏。而在另一個(gè)例子中，第四電壓1可為大約300伏。
[0037]在本實(shí)施例中，當(dāng)以初始電壓V。施加至平臺(tái)112中的電極114時(shí)，可施加第四電壓V4至電極114直到時(shí)間點(diǎn)T f0
[0038]在時(shí)間點(diǎn)T2之后，可執(zhí)行從平臺(tái)112松開(kāi)/移除晶圓102的制程。雖然松開(kāi)/移除晶圓102的制程可在時(shí)間點(diǎn)T2之后的任何時(shí)間執(zhí)行，但是較佳是在時(shí)間點(diǎn)T4之后執(zhí)行制程，或是在施加高于第二電壓V2的第三電壓V 3之后的任何時(shí)間執(zhí)行。
[0039]請(qǐng)參考圖6，圖6根據(jù)本揭露的另一實(shí)施例揭露另一個(gè)夾持或解除夾持晶圓的示范性方法。在此圖式中，所示的方法是就由相關(guān)于供應(yīng)電源116施加至在平臺(tái)112中的一個(gè)或多個(gè)電極114的夾持電壓的時(shí)序來(lái)敘述。為了清楚和簡(jiǎn)潔的敘述，本實(shí)施例的方法將以圖1所示的相關(guān)構(gòu)件來(lái)敘述。因此，本實(shí)施例的方法應(yīng)以圖1所示的構(gòu)件配置關(guān)系來(lái)理解。
[0040]在本實(shí)施例中，晶圓102可被裝載于平臺(tái)112上。此后，在時(shí)間點(diǎn)T1，可以第一電SV1施加至平臺(tái)112中的電極114，并且晶圓102可被靜電地夾持至平臺(tái)112上。在施加第一電壓V1之前，可以初始電壓V。施加至電極114。在本揭露中，初始電壓V?？蔀榱汶妷夯蚴且恍┢渌∮诘谝浑妷弘妷骸Ｔ诒窘衣吨?，第一電壓V i可為夾持電壓，并且該電壓可在大約100伏至大約I千伏之間的范圍。在一實(shí)施例中，第一電壓可為大約150伏。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一電壓可為大約250伏。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一電壓可為大約500伏。而在另一個(gè)實(shí)施例中，第一電壓可為大約750伏。如果平臺(tái)包括內(nèi)電極114a與外電極114b，電極114a與114b的其中一個(gè)可以正第一電壓V1施加，并且電極114a與114b中的另一個(gè)可以負(fù)第一電壓施加。當(dāng)?shù)诙妷菏￢2施加至電極114時(shí)，第一電壓V i可如圖所示地維持直到時(shí)間點(diǎn)T2。在時(shí)間點(diǎn)1\與T 2